2A贴片三极管
2a三级管参数
2a三级管参数
2a三极管是一种常用的电子元件，它具有很多重要的特性和应用。
在本文中，我们将探讨2a三极管的一些参数，并介绍它们的作用和意义。
我们来谈谈2a三极管的放大倍数。
放大倍数是指输入信号与输出信号之间的比值。
在电子设备中，我们常常需要对信号进行放大处理，而2a三极管的放大倍数可以帮助我们实现这一目标。
它可以将输入信号放大到我们所需要的程度，使得输出信号具有更大的幅度和更好的质量。
接下来，我们将讨论2a三极管的截止频率。
截止频率是指当输入信号的频率超过一定值时，输出信号的幅度将会显著下降的频率。
在实际应用中，我们常常需要对高频信号进行处理，而2a三极管的截止频率可以帮助我们确定能够处理的最高频率，从而保证信号的质量和稳定性。
2a三极管还具有很多其他重要的参数，如漏极电流、饱和电流和饱和压降等。
这些参数在电子设备的设计和调试过程中发挥着重要的作用，帮助我们理解和控制电流的流动和信号的传输。
总的来说，2a三极管作为一种重要的电子元件，它的各种参数对于电子设备的正常工作和性能优化起着至关重要的作用。
通过深入了解和研究这些参数，我们可以更好地理解和应用2a三极管，为电子
技术的发展和应用做出更大的贡献。
希望本文对您有所启发，谢谢阅读！。
贴片三极管引脚 三极管的识别分类和测量
贴片三极管引脚三极管的识别分类和测量贴片三极管引脚三极管的识别分类及测量符号：“Q、VT”三极管有三个电极，即b、c、e，其中c为集电极（输入极）、b为基极（控制极）、e为发射极（输出极）三极管实物图：贴片三极管功率三极管普通三极管金属壳三极管二、三级管的分类：按极性划分为两种：一种是NPN型三极管，是目前最常用的一种，另一种是PNP型三极管。
按材料分为两种：一种是硅三极管，目前是最常用的一种，另一种是锗三极管，以前这种三极管用的多。
三极按工作频率划分为两种：一种是低频三极管，主要用于工作频率比较低的地方；另一种是高频三极管，主要用于工作频率比较高的地方。
按功率分为三种：一种是小功率三极管，它的输出功率小些；一种是中功率三极管，它的输出功率大些；另一种是大功率三极管，它的输出功率可以很大，主要用于大功率输出场合。
按用途分为：放大管和开关管。
三、三极管的组成：三极管由三块半导体构成，对于ＮＰＮ型三极管由两块Ｎ型和一块Ｐ型半导体构成，如图Ａ所示，Ｐ型半导体在中间，两块Ｎ型半导体在两侧，各半导体所引出的电极见图中所示。
在Ｐ型和Ｎ型半导体的交界面形成两个ＰＮ结，在基极与集电极之间的ＰＮ结称为集电结，在基极与发射极之间的ＰＮ结称为发射结。
图Ｂ是ＰＮＰ型三极管结构示意图，它用两块Ｐ型半导体和一块Ｎ型半导体构成。
ＡＢ四、三极管在电路中的工作状态：三极管有三种工作状态：截止状态、放大状态、饱和状态。
当三极管用于不同目的时，它的工作状态是不同的。
1、截止状态：当三极管的工作电流为零或很小时，即IB=0时，IC和IE也为零或很小，三极管处于截止状态。
2、放大状态：在放大状态下，IC=βIB，其中β(放大倍数)的大小是基本不变的（放大区的特征）。
有一个基极电流就有一个与之相对应的集电极电流。
3、饮和状态：在饮和状态下，当基极电流增大时，集电极电流不再增大许多，当基极电流进一步增大时，集电极电流几乎不再增大。
工作状态定义电流特征解流截止状态集电极与发射极之间电阻很大 IB=0或很小，IC或IE为零或很小因为IC＝βIB利用电流为零或很小特征，可以判断三极管已处于截止状态放大状态集电极与发射极之间内阻受基极电流大小控制，基极电流大，其内阻小 IC＝βIBIE=(1+β)IB有一个基极电流就有一个对应的集电极电流和发射极电流，基极电流能有效地控制集电极电流和发射极电流饱和状态集电极与发射之间内阻很小各电极电流均很大，基极电流已无法控制集电极电流和发射极电流电流放大倍数β已很小，甚至小于1（用直流电控制信号的一种方式）五、三极管的作用：放大、调制、谐振、开关1、电流放大：三极管是一个电流控制器件，它用基极电流IB来控制集电极电流IC和发射极电流IE，没有IB就没有IC和IE，只要有一个很小的IB，就有一个很大的IC。
贴片式三极管
贴片式三极管
摘要：
1.贴片式三极管的定义和结构
2.贴片式三极管的分类
3.贴片式三极管的主要参数
4.贴片式三极管的应用领域
5.贴片式三极管的发展趋势
正文：
一、贴片式三极管的定义和结构
贴片式三极管，又称表面贴装三极管，是一种半导体三极管，采用表面贴装技术（SMT）安装在电路板上。
它由三个区域组成：n 型区（发射极）、p 型区（基极）和n 型区（集电极）。
发射极和集电极由n 型半导体制成，而基极由p 型半导体制成。
三个区域通过P-N 结相连，形成一个完整的三极管结构。
二、贴片式三极管的分类
根据电流放大系数不同，贴片式三极管可分为两类：NPN 型和PNP 型。
NPN 型三极管的电流放大系数为大于1，而PNP 型三极管的电流放大系数为小于1。
根据封装形式不同，贴片式三极管可分为：SOT-23、SOT-
89、SOT-223 等。
三、贴片式三极管的主要参数
贴片式三极管的主要参数包括：电流放大系数（hfe）、截止频率（fT）、输
入电阻（Ri）、输出电阻（Ro）、电流（Ic）、电压（Vcbo、Vceo）等。
这些参数决定了三极管的性能和适用范围。
四、贴片式三极管的应用领域
贴片式三极管广泛应用于各种电子设备和电路中，如放大器、振荡器、信号处理器、电源开关等。
由于其体积小、性能稳定、可靠性高，特别适合用于表面贴装技术（SMT）生产。
五、贴片式三极管的发展趋势
随着电子技术的发展，贴片式三极管在性能、尺寸、可靠性等方面将得到进一步提高。
未来，贴片式三极管将更加小型化、集成化，以满足电子产品微型化、轻型化的需求。
三极管恒流源2a -回复
三极管恒流源2a -回复三极管恒流源2a，是一种常用的电子元件，用于提供恒定的电流输出。
这样的电流源在许多应用中非常有用，例如电流调制、信号传输和电源稳定等。
在本文中，我们将逐步介绍三极管恒流源2a的原理、特点以及应用。
一. 三极管恒流源2a的原理和工作方式三极管恒流源2a由一个NPN型晶体管、一个电阻和一个直流电源组成。
其工作原理基于晶体管的放大特性和基极电流控制基极-发射极电压之间的关系。
首先，我们来看一下三极管的基本构成。
它由三个区域组成：发射区、基区和集电区。
发射区和基区被一层薄的氧化铝绝缘，在发射区与基区之间有一个PN结。
当正向电压施加在这个结上时，发射区中的少数载流子(电子)将从发射极(偏向电压VBE)注入到基区，进而集电区与基区之间的电子注入。
在三极管恒流源2a电路中，通过连接一个电阻到基极回路，可以将基极电流与电阻上的电压成正比。
当电流对电压的变化较小时，这种关系是近似线性的。
此外，三极管的输入特性也决定了其恒流源的稳定性。
晶体管的基极电流与基极-发射极电压之间的关系是非常重要的。
这个关系可以用以下公式表示：IB = (VBB - VBE) / RB其中，IB是基极电流，VBB是电阻上的电压，VBE是基极-发射极电压，RB是电阻的阻值。
从公式中可以看出，基极电流与电阻上的电压成正比。
二. 三极管恒流源2a的特点1. 高稳定性：三极管恒流源2a具有较高的稳定性，可以在一定电压范围内提供恒定的电流输出。
2. 可调性：通过调整电源电压或改变电阻阻值，可以调整输出电流的大小，以满足不同应用的需求。
3. 低电压降：由于基极电流很小，三极管恒流源2a的电压降也很低，能够减少能量损耗。
4. 宽工作范围：三极管恒流源2a可以在较宽的电压范围内工作，适用于不同的应用场景。
三. 三极管恒流源2a的应用1. 电流源：三极管恒流源2a可以作为稳定的电流源，用于供应其他电路或器件所需的恒定电流。
2. 电流调制：在通信和广播领域中，三极管恒流源2a可以用于电流调制，将信号转换为恒定电流以便传输。
MMBT3906 2A三极管 SOT23 0.2A 40V PNP贴片三极管
SOT-23塑封封装PNP 半导体三极管。
Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package.高h FE ，低V CE(sat)。
High DC Current Gain, Low Collector to Emitter Saturation Voltage.用于普通放大及开关。
General purpose amplifier and switching.PIN 1：Base PIN 2：EmitterPIN 3：Collector放大及印章代码 / h FE Classifications & Markingh FE Range100～300Marking 2A描述 / Descriptions特征 / Features 用途 / Applications 内部等效电路 / Equivalent Circuit引脚排列 / Pinning231SxinenMMBT3906参数Parameter符号Symbol数值Rating单位UnitCollector to Base Voltage V CBO-40 V Collector to Emitter Voltage V CEO-40 V Emitter to Base Voltage V EBO-5.0 V Collector Current I C -200 mA Collector Power Dissipation P C300 mW Junction Temperature T j150 ℃Storage Temperature Range T stg-55～150 ℃参数Parameter符号Symbol测试条件Test Conditions最小值Min典型值Typ最大值Max单位UnitCollector to Base BreakdownVoltageV CBO I C=-10μA I E=0 -40 V Collector to Emitter BreakdownVoltageV CEO I C=-1.0mA I B=0 -40 V Emitter to Base BreakdownVoltageV EBO I E=-10μA I C=0 -5.0 V Collector Cut-Off Current I CBO V CB=-30V I E=0 -0.05μA Emitter Cut-Off Current I EBO V EB=-3.0V I C=0 -0.05μADC Current Gain h FE(1)V CE=-1.0V I C=-10mA 100 300 h FE(2)V CE=-1.0V I C=-100mA30h FE(3)V CE=-1.0V I C=-50mA 60h FE(4)V CE= -1.0V I C=-1.0mA80h FE(5)V CE=-1.0V I C=-0.1mA60Collector-Emitter Saturation voltage V CE(sat) (1) I C=-10mA I B=-1.0mA -0.25V V CE(sat) (2)I C=-50mA I B=-5.0mA -0.4VBase-Emitter Saturation Voltage V BE(sat) (1)I C=-10mA I B=-1.0mA -0.65 -0.85VV BE(sat) (2)I C=-50mA I B=-5.0mA -0.95VTransition Frequency f T V CE=-20V I C=-10mAf=100MHz250 MHz极限参数 / Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃) 电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25℃)参数 Parameter符号 Symbol 测试条件 Test Conditions 最小值 Min 典型值 Typ 最大值Max 单位Unit Output Capacitance C obV CB =-5.0V f = 1.0MHz 4.5 pF Storage Time t stg V CC =-3.0V I C =-10mAI B1=-I B2=-1.0mA225 nsFall Time t f V CC =-3.0V I C =-10mAI B1=-I B2=-1.0mA75 nsDelay Time t d V CC =-3.0V V BE =-0.5VI C =-10mA I B1=-1.0mA 35 nsRise Time t r V CC =-3.0V V BE =-0.5VI C =-10mA I B1=-1.0mA35 nsInput Capacitance C ibV EB =-0.5Vf = 1.0MHz 10 pF电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25℃)电参数曲线图 / Electrical Characteristic Curve外形尺寸图 / Package Dimensions印章说明 / Marking Instructions2A Array说明：2A： 为型号代码Note:2A：Product Type Code回流焊温度曲线图(无铅) / Temperature Profile for IR Reflow Soldering(Pb-Free)说明：Note:1、预热温度25～150℃，时间60～90sec; 1.Preheating:25~150℃, Time:60~90sec.2、峰值温度245±5℃，时间持续为5±0.5sec; 2.PeakTemp.:245±5℃, Duration:5±0.5sec.3、焊接制程冷却速度为2～10℃/sec. 3.Cooling Speed: 2~10℃/sec.耐焊接热试验条件/ Resistance to Soldering Heat Test Conditions温度：260±5℃时间：10±1sec.Temp.:260±5℃Time:10±1 sec包装规格 / Packaging SPEC.卷盘包装/ REELPackage Type 封装形式Units包装数量 Dimension包装尺寸 (unit：mm3)Units/Reel只/卷盘Reels/Inner Box卷盘/盒Units/Inner Box只/盒Inner Boxes/Outer Box盒/箱Units/Outer Box只/箱Reel Inner Box盒 OuterBox箱SOT-23 3,000 10 30,000 6 180,000 7〞×8 180×120×180 390×385×205 使用说明/ Notices。
常用二三极管丝印代码型对照表
贴片三极管型号查询直插封装的型号贴片的型号9011 1T9012 2T9013 J39014 J69015 M69016 Y69018 J8S8050 J3YS8550 2TY8050 Y18550 Y22SA1015 BA2SC1815 HF2SC945 CRMMBT3904 1AMMMBT3906 2AMMBT2222 1PMMBT5401 2LMMBT5551 G1MMBTA42 1DMMBTA92 2DBC807-16 5ABC807-25 5BBC807-40 5CBC817-16 6ABC817-25 6BBC817-40 6CBC846A 1ABC846B 1BBC847A 1EBC847B 1FBC847C 1GBC848A 1JBC848B 1KBC848C 1LBC856A 3ABC856B 3BBC857A 3EBC857B 3FBC858A 3JBC858B 3KBC858C 3L2SA733 CSUN2111 V1UN2112 V2UN2113 V3UN2211 V4UN2212 V5UN2213 V62SC3356 R232SC3838 AD2N7002702电源保护IC常销系列:MAX323EPE,MAX708,MAX485,MAX487,MAX488,MAX202CSE,MAX202CPE,MAX1487CPA,MAX1482CS D,MAX1232CSA,MAX809,MAX811,DS1302,DS1307,DS1232,SS8205G,SD8205S,FDS9926A,SD943 5,SD4953,SD4410....钽电容常销系列:A型体积:1UF16V,,10UF10V,10UF16V,,,,100UF4VB型体积:,10UF16V,10UF20V,22UF10V,22UF16V,,33UF10V,,47UF10V,,,220UF4VC:1UF50V,10UF25V,10UF35V,22UF16V,33UF16V,47UF16V,68UF16V,100UF10V,D型体积:10UF35V,22UF25V,33UF25V,47UF25V,100UF16V,,220UF10VE型体积:150UF10V,220UF16V,二三极管:MMBT3904,MMBT3906,MMBT2907A,MMBT2222A,MMBT8050,MMBT8550,S9018,S9014,S9013,S901 2,S9015,BSS138,BSS84,BAT54CSA,MMBTA92,MMBTA94,MMBTA44,BAV99,BAV70,MMBT5551,MMB T5401,SS8550,SS8050,2N7002,1N5819,1N5817,1N4001-4007,SS110,SS24,LL4148,1/2W的贴片圆柱稳压管.....SI2301,SI2302,SI2305,SI2307,IC常销系列:74HC00D,74HC02D,74HC04D,74HC08D,74HC138D,74HC14D,74HC164D,74HC165D,74HC244D,74 HC273D,74HC32D,74HC4051D,74HC4053D,74HC4052D,74HC573D,74HC574D,74HC595D,74HC74D,74HCT 14D,LM324D,LM358D,TL431CD,LM2901D,LM2902D,LM2903D,LM2904D电容系列:体积0402,0603,0805,1206,1210,容量:,22UF,100UF电阻系列:体积:0402,0603,0805,1206,1210,2010,2512阻值发光管系列:直插及贴片,红色,绿色,蓝色,黄色,白色,翠绿,粉红,紫色....QQ在线:92008-9-24 16:43:31:KD是什么三极管3楼2008-9-24 16:43:56:LD是什么三极管4楼2008-10-9 19:26:01:各位好,我是淘金mark互助论坛的版主[金麒麟1号],主要负责[自由互助板块]的管理以及为论坛朋友解答问题,欢迎大家来作客.我们的论坛是首家以交流电子元器件表面代码,markingcode的专业论坛,且永久免费,这是工程师,采购,业务交流的平台,相信能真正帮助到更多需要的朋友.请您到我们的论坛参观一下,如果对您有帮助,就来一起建设这个家园吧.我的MSN二三极管代码,SMD,SMD CODEBOOK,MARKING CODE,MARKINGCODE,顶标,丝印,打字,代码,二极管,三极管,IC,贴片5楼2008-10-14 23:54:06:紧急大量求购“APC”线路板上B52X贴片元件。
常用贴片三极管代号 型号 主要参数及用途查询表
33MUN5333DW1Si-p+R0.4500.1 S/ Uni34MUN5334DW1Si-N/P+R0.4400.1 S/Uni35MUN5335DW1Si-N/P+R0.35400.05 S/ Uni3A BC856A Si-p0.5800.2150Uni3B2N918Si-N0.2300.05>600HF3C BC857Si-p0.3500.t150Uni3D MMBTH81L Si-p0.25300.02>600HF3E MPSA42Si-N0.6253000.5100Uni/V3F BC557B Si-p0.5500.2150Uni3G BC857C Si-p0.35500.1150S3'BC858AR Si-p0.3300.1150S/ Uni3K BC858B Si-p0.3300.2150S3L BC858C Si-p0.330o.25150S/ Uni3M2N5087Si-p0.625500.05 NF/ra3N MMET3906Si-p0.625400.2>200Uni3P2N222A Si-N0.5600.8 Uni说明：1.材料栏中备符号意义，Si-P，硅材料PNP管；Si-N，硅材料NPN管；Ge-P，锗材料P管；Si-P+R，硅PNP带阻晶体N+R，硅NPN带阻晶体管；Si-N+D，硅NPN型这林顿管；Si-P+D，硅PNP型达林顿管；Si-NPN，硅NFN、PNP对管。
2.同一代号表示同型号或不同类型三极管，这是因为不同生产厂家各自命名不同；多数三极管可从封装形式进行3.外形栏中“H-21”、“H-23”表示该元件为双三极管。
4.备注栏中Rb表示带阻晶体管基极所串联的电阻，Rbe则表示基极与发射极之间并联的电阻。
该栏只有Rb(或Rbe)没有Rbe(或Rb)，表中空缺部分表示资料不详。
5,用途栏中备符号意义如下：A，宽频带放大；UF，超高频放大；HF，高频放大；NF，低频放大；ra，低噪声放大率放大；S，开关管；SS，高速开关管：Uni，一般用途；V，前置放大；M，混频；Tr：激励、驱动。
贴片式三极管
贴片式三极管
摘要：
1.贴片式三极管的定义和作用
2.贴片式三极管的分类
3.贴片式三极管的参数和特性
4.贴片式三极管的应用领域
5.贴片式三极管的选购和替换
正文：
贴片式三极管是一种半导体器件，具有电流放大和开关等功能。
它由三个控制电极组成，分别是发射极、基极和集电极。
贴片式三极管体积小、重量轻，适合在电子设备中使用。
根据电流放大系数不同，贴片式三极管可分为两类：NPN型和PNP型。
贴片式三极管的参数包括电流放大系数、耗散功率、最大集电极电压等。
电流放大系数表示三极管的放大能力，耗散功率表示三极管所能承受的最大热量，最大集电极电压表示三极管能承受的最大电压。
贴片式三极管具有许多特性，如线性放大、开关速度快、输入阻抗高等。
贴片式三极管广泛应用于消费电子、通信、计算机等领域。
例如，在音响、电视、摄像机等设备中，贴片式三极管用作信号放大器；在通信设备中，贴片式三极管用于放大和开关信号；在计算机中，贴片式三极管用于控制电流和电压。
在选购贴片式三极管时，需要根据实际需求选择合适的参数，如电流放大
系数、耗散功率等。
此外，还需要考虑三极管的工作温度、封装形式等因素。
当需要替换贴片式三极管时，应选择参数相近的产品，以保证设备的正常运行。
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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
MMBT3906 TRANSISTOR
(PN P)
FEATURES
z As complementary type, the NPN transistor
MMBT3904 is Recommended
z Epitaxial planar die construction
MARKING: 2A
MAXIMUM RATINGS (T A =25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units
V CBO
Collector-Base Voltage -40 V V CEO
Collector-Emitter Voltage -40 V V EBO
Emitter-Base Voltage -5 V I C
Collector Current -Continuous -0.2 A P C
Collector Dissipation 0.2 W R θJA
Thermal resistance junction to ambient 625 ℃/W T J
Junction Temperature 150 ℃ T stg Storage Temperature -55~+150℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified) Parameter
Symbol Test conditions MIN MAX UNIT Collector-base breakdown voltage
V (BR)CBO I C =-10μA, I E =0 -40
V Collector-emitter breakdown voltage
V (BR)CEO I C = -1mA, I B =0 -40
V Emitter-base breakdown voltage
V (BR)EBO I E = -10μA, I C =0 -5 V Collector cut-off current
I CBO V CB = -40 V, I E =0 -100nA Collector cut-off current
I CEX V CE =-30V, V BE(off)=-3V -50 nA Emitter cut-off current
I EBO V EB = -5V, I C =0 -100nA h FE1 V CE =-1V, I C = -10mA 100 300 h FE2 V CE = -1V, I C =-50mA 60 DC current gain
h FE3 V CE = -1V, I C =-100mA 30 Collector-emitter saturation voltage
V CE(sat)1 I C =-50mA, I B =-5mA -0.3 V Base-emitter saturation voltage
V BE(sat) I C = -50mA, I B =-5mA -0.95V Transition frequency
f T V CE =-20V,I C =-10mA,f =100MHz 300 MHz Delay Time
td 35 nS Rise Time
tr V CC =-3V,V BE =-0.5V I C =-10mA, I B1=I B2=-1mA 35 nS Storage Time
ts 225 nS Fall Time tf V CC =-3V,I C =-10mA I B1=I B2=-1mA 75 nS CLASSIFICATION OF h FE(1)
HFE 100-300 RANK L
H RANGE 100–200 200–300
D,May,2012
【南京南山半导体有限公司 — 长电贴片三极管选型资料】
-10
-100-1-10200
400
6000255075100125150-0.1-1-10-100-0
-20
-40-60-80-100
h ——I -30
-300
C
O L L E C T O R -E M I T T E R S A T U R A T I O N V O
L
T
A
G E
V C
E s
a t
(m V
)
-500-3-30-50
T
R A
N S
I T I O
N
F
R
E Q U
E
N C Y
f
T
(M H z )COLLECTOR CURRENT I C (mA)MMBT3906
Typical Characterisitics AMBIENT TEMPERATURE T a ()℃-30-3
-0.3
C O L L E C T O R C U R R E N T I C
(m A )C O L L E C T O R C U R R E N T I C
(m A )
D,May,2012
【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】
The bottom gasket
The top gasket
3000×1 PCS 3000×15 PCS Label on the Reel Label on the Inner Box Label on the Outer Box QA Label Seal the box
with the tape Seal the box
with the tape Stamp “EMPTY”
on the empty box Inner Box: 210 mm × 208 mm ×203 mm Outer Box: 440 mm × 440 mm × 230 mm。