低频电子线路复习
低频电子技术复习纲要资料
(1)稳压管中的电流何时最大，何时最小? (2)选择多大的限流电阻值，才能使稳压电路正
常工作?
【例题4】
电路如图所示。合理连线，构成5V的直流电 源
第三章 三极管及其放大电路
（一）三极管的结构、分类、伏安特性和主要参数 结构：三层两结——三个引出电极 分类：PNP和NPN；高频、低频各超高频；大功率、中功率和小功率 伏安特性：分成三个区——放大区（ Ic Ib ）、
截止区（ IB =0）、和饱和区（UCEs=0.3V） 主要参数：电流放大系数（共射）——β
【例2】
1. PN结在外加正向电压的作用下，处于的工作状态是 （ ）。
A．正向导通 B．反向截止 C．可能导通也可能截止 2．稳压二极管工作在稳压状态时，其工作区是伏安特
性的（ ）。 A．正向特性区 B．反向击穿区 C． 反向特性区 3．光电耦合器实现了（ ） A．光—电转换 B．电—光转换 C．电—光—电转换
【例2】
在图所示的分压式偏置电路中，已知Vcc = +16V， β=50，RB1=60K，RB2=20k，Rc=3k，RE=1k， RL=3k，C1=C2=10μF，CE=30uF。
(1)试求电路的静态工作点。 (2) 试画出该电路的微变等效电路，并求其输入电阻
Ri，输出电阻Ro和电压放大倍数Au。 (3)若RB2一脚脱焊，求此时的基极静态电位UB及射极
（二）运放线性运用 的三种输入方式
1.反相输入 电路形式： Uo 输入输出关系：
低频电子线路第五章复习
例5.3
解： 1）低频特性最差即 f L最高的电路是 a ; （ ）
（2）低频特性最好即 f L最低的电路是 c ; ）
（3）高频特性最差即 H最低的电路是 c ; ）高频特性最差即f
例5.4 在例5.3图 在例 图（a）所示电路中，若β ＝100， ）所示电路中， ， r be＝1k ，C b＝Cc＝C e＝100µF， ， 则下限频率f 则下限频率 L≈?
解： 由于所有电容容量相同，而C e 所在回路 由于所有电容容量相同，
等效电阻最小，所以下限频率决定于C e 所在 等效电阻最小，所以下限频率决定于C 回路的时间常数。 回路的时间常数。
Cb ⋅ C e C1 = ≈ 0.98 µF (1 + β )C b + C e f L1 1 ≈ ≈ 80 Hz 2 πC1 ( Rs + rbe )
解：1、 A 2、 C C 、 、 3 、 B，A ， 4、 B A
5、若负反馈放大电路环路增益的频率特性曲 、 线分别如下图（ ）、（ ）、（b）所示， 线分别如下图（a）、（ ）所示， 则其中可能产生自激振荡的电路是 B ， 不产生自激振荡的电路是 A 。
解5： B，A ： ，
二、判断下列说法是否正确，用“√”或“×” 判断下列说法是否正确， ” 表示判断结果。 表示判断结果。 1、方框图中，若φ F＝180°，则 、方框图中， ° 只有当φ ° 只有当 A＝±180°时，电路才 能产生正弦波振荡。（ 能产生正弦波振荡。（ ） 2、只要电路引入了正反馈，就一定会产生正 、只要电路引入了正反馈， 弦波振荡。（ 弦波振荡。（ ） 3、凡是振荡电路中的集成运放均工作在线性 、 区。（ ） 4、非正弦波振荡电路与正弦波振荡电路的 、 振荡条件完全相同。（ 振荡条件完全相同。（ ）
低频电子线路学习重点
信号产生与处理综合实验项目展示
项目一
设计并制作一个正弦波振荡 器，实现频率可调、幅度可 控的功能，并进行性能测试 和分析。
项目二
设计并制作一个非正弦波产 生电路，实现方波、三角波 和锯齿波的产生，并进行波 形分析和比较。
项目三
项目四
设计并制作一个信号处理电 路，实现对输入信号的放大、 滤波、比较等功能，并进行 性能测试和分析。
THANKS.
工作原理
放大电路对选频网络输出的信号进行放大，然后通过反馈网络将一部分输出信号反馈到输入端，形成振荡。选频 网络的作用是选择并输出特定频率的信号，实现振荡器的频率控制。
非正弦波产生方法探讨
方波产生
通过比较器或施密特触发 器将正弦波转换为方波。
三角波产生
利用积分电路将方波转换 为三角波，或者通过线性 放大电路将正弦波转换为 三角波。
集成功率放大器应用举例
LM386集成功率放大器
内部包含完整的功率放大电路，只需外接少量元件即可构成完整的功率放大器。 具有宽电源电压范围、低功耗、低失真等优点，广泛应用于便携式音响设备中。
TDA2030集成功率放大器
采用V型5脚单列直插式塑料封装结构，具有外接元件少、输出功率大、失真小等 优点。适用于电视机、音响等设备的音频功率放大电路中。
电路的组成与分类， 如开路、短路、通路 等
电阻、电容、电感元件特性
01
02
03
04
电阻元件的伏安特性与欧姆定 律
电容元件的库伏特性与电容的 串并联
电感元件的韦伯特性与电感的 串并联
电阻、电容、电感元件在电路 中的耗能、储能与能量转换特
性
欧姆定律与基尔霍夫定律应用
欧姆定律的内容与应用范围
低频电子线路复习题一
低频电子线路复习题一1.1 在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图1.1所示，该晶体管的类型是 [ ]A.NPN 型硅管 B.PNP 型硅管 C.NPN 型锗管 图1.1 2V 6V D. PNP 型锗管 1.3V1.2 某三极管各个电极的对地电位如图1-2所示，可判断其工作状态是[ ]A. 饱和B. 放大C. 截止 图1.2D. 已损坏1.3 在如图1.3所示电路中，当电源V=5V 时，测得I=1mA 。
若把电源电压调整到V=10V ，则电流的大小将是 [ ]A.I=2mAB.I<2mAC.I>2mAD.不能确定图1.31.4 在如图1-7所示电路中电源V=5V 不变。
当温度为20O C 时测得二极管的电压U D =0.7V 。
当温度上生到为40O C 时,则U D 的大小将是[ ]A.仍等于0.7VB.大于0.7VC. 小于0.7VD.不能确定图1.41.5 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ ]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷1.6 对于同一个晶体管而言，反向电流最小的是 [ ]A.I CBOB.I CESC.I CERD.I CEO1.7二极管的主要特性是 [ ]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性1.8 温度升高时，晶体管的反向饱和电流ICBO将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定1.9 下列选项中，不属三极管的参数是[ ]A.电流放大系数βB.最大整流电流IFC.集电极最大允许电流ICM D.集电极最大允许耗散功率PCM1.10 温度升高时，三极管的β值将A.增大B.减少C.不变D.不能确定1.11 在N型半导体中，多数载流子是[ ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.12 下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D. 正向电阻反向电阻都大1.13 在如图1.13所示电路中，设二极管的正向压降可以忽略不计，反向饱和电流为0.1 mA, 反向击穿电压为25V且击穿后基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于[ ]A. 0.1 mAB. 2.5mAC. 5mAD. 15 mA图 1.131.14 在P型半导体中，多数载流子是[ ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.15 下列对场效应管的描述中，不正确的是[ ]A 场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点；B 场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET；C 场效应管工作时多子、少子均参与导电；D 场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。
低频电子线路知识总结1
低频电子线路知识总结第一章晶体二极管半导体本征半导体杂质半导体P型半导体：掺入三价元素，受主杂质N型半导体：掺入五价元素，施主杂质半导体的导电机理漂移：电场作用下的漂移电流扩散：分布浓度引起的扩散电流PN结PN结的伏安特性PN结的击穿特性PN结的电容特性二极管模型理想模型大信号模型小信号模型简化模型二极管电路的分析二极管是导通截止的判断二极管电路分析稳压二极管――二极管击穿特性的应用伏安特性击穿齐纳击穿雪崩击穿击穿与截止的判断稳压管电路的分析*二极管，稳压管电路波形分析方法。
第二章晶体三极管电流传输方程共基极：I C=αI E+ I CBO共发射极：I C=βI B+ I CEO共集电极：I E=（1+β）I B+ I CEOI C=βI BI E=（1+β）I B发射极到集电极电流的电流传输系数α=I c/I e基极到集电极电流的电流放大系数β= I c/I b发射极电流为0时的集电极漏电流I CBO基极电流为0时的集电极漏电流I CEO＝（（1+β））I CBO三极管的一般模型指数模型：直流模型及简化模型三极管的工作状态（模式）及判别三极管的伏安特性曲线输入特性曲线输出特性曲线四个工作区截止，放大，饱和，击穿三极管的小信号等效电路模型混合π型电路模型――小信号电路计算的基础r be=（1+β）r e=（1+β）I EQ/V Tg m=α/ r er ce=|V A|/I CQ三极管直流电路分析――直流工作点，三极管的工作区（模式，状态）图解法，近似计算法第三章场效应管原理不同分为：JFET，MOSFETMOSFET可分成EMOS 和DMOS每一类型均可分为N沟道和P沟道NEMOS,NDMOS,PEMOS,PDMOS,NJFET,PJFET的伏安特性与转移特性输出特性曲线四个工作区截止，饱和，非饱和，击穿MOS管的一般模型（I D=）JFET管的一般模型()小信号等效模型g m=场效应管直流电路分析――直流工作点，场效应管的工作区（模式，状态）图解法，近似计算法第四章基本放大器偏置电路与静态工作点――三极管（场效应管）电路的直流分析。
低频电子线路复习ppt
主要元器件介绍
1 晶体管
用于放大和控制电流的 半导体器件。
2 集成电路
由多个电子元件组成的 整体，在电路中具有特 定的功能。
3 电池
储存和提供电能的装置， 用于给电子设备供电。
低频电子线路的特点Fra bibliotek信号频率较低低频电子线路操作的频率通常在几百Hz到几 百KHz之间。
精确度要求高
低频电子线路通常需要高精度的元器件和稳 定的电源。
低频电子线路复习ppt
本ppt将为您详细介绍低频电子线路的基础知识、主要元器件、特点、应用、 设计原则和实例。希望能为您带来全面的了解和启发。
电子线路基础知识
电阻
电子线路中的基本元件，用于 限制电流或改变电路中的电压 分布。
电容
用于储存电荷的元件，可以在 电路中提供短暂的电流。
电感
通过磁场储存能量的元件，具 有过滤和保护电路的功能。
低频电子线路设计原则
1 信号调理
采用滤波、放大、调节 等技术处理低频信号。
2 电源稳定
3 噪声控制
确保电子设备能够从电 源获取稳定的电力供应。
采取措施减少噪声干扰 对低频信号的影响。
低频电子线路实例
音频放大器
用于将低频音频信号放大，实 现音响系统的音质增强。
电源电路
提供稳定的电力供应，保证其 他电子设备的正常工作。
无线电接收机
用于接收和解调低频无线电信 号，实现无线通信。
总结
低频电子线路是电子工程中重要的一部分，理解其基础知识、特点和设计原 则对于学习和应用电子技术非常有帮助。希望本ppt能带给您更多的启发和思 考。
较低的功率要求
与高频电子线路相比，低频电子线路对功率 的要求相对较低。
低频电子线路学习重点
VT1 VT2 VT3
（2）VT2
③集电极，电位最低，PNP型 ①发射极， 电位最高，②基极 发射结电压0.2V，锗材料
（3）VT3 ②集电极 电位最低，PNP型
①发射极，电位最高，③基极
发射机电压0.7V ,硅材料
例1-1填空题
在晶体管内部众多的载流子中，仅有发射区的————— ———到基区，成为基区的——————，它们在基区由 于_________引起它们在基区—————，直到集电结边界， 由于集电结——————的作用，而被集电区————— —。这一传输过程产生了三极管的正向受控电流。
2
或
2
I D I DSS
(3) 结型
I D I DSS
U GS 1 U GS(off)
2
U GS 1 U GS(off)
1-5 判断管脚、管型及材料
电极 晶体管
①
7V -2.9V 7V
②
1.8V -3.1V 1.8V
③
2.5V -8.2V 6.3V
ID/mA IDSS
IDSS
ID/mA
VGS(off) ID
(N 沟道 JFET)
O
VGS /V ID
O
(P 沟道 JFET )
ID
VGS(off) VGS /V
ID
O VGS(th)
管号 结型 MOS VT1 VT2 VT3
VGS
VGS(th) O
Us/V 1 3 5
VGS
UG/V 3 -1 0
结型场效应管得D、S极之间存在导电沟道，导电沟道的 宽窄受________极电压控制，从而控制了_______极的电 流。当D极一端导电沟道消失，称为_____夹断，这时 _____极电流只受_________电压控制，场效应管实现正 向受控。
低频电子线路绝对珍藏14
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4、 乙类功放的交越失真问题（图）
乙类功放存在交越失真的问题。
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《低频电子线路》
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解决交越失真的甲乙类电路（图）
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《低频电子线路》
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解决交越失真的VBE扩展电路
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《低频电子线路》
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二． OTL功放电路
OTL——Output transformerless (无输出变压器)
功放电路已可以制成集成电路。 集成功放获得广泛应用。 当很大功率的集成电路仍有困难。
仍需使用分立器件。
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《低频电子线路》
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1． 单片音频功放5G37
见图2.9.11 (p103) 分析原理结构。
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《低频电子线路》
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2．可接功率晶体管的集成功放
见图2.9.12 (p104) 分析原理结构
甲乙类：效率较高，分析同乙类，但可 改善非线性失真（Q点升高）。
丙类：效率高，但需要滤波网络方可取 出基波波形。
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二．功率放大器的主要技术指标
主要使用这些参数来衡量功率放大器 的技术性能。
为选择和使用功放电路提供依据。
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弦波。
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波形图
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波形图
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3、基本计算
最大不失真输出功率
Po
Vc c 2 8RL
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Aus
(1
j f )(1 16
16
j
f 1.1106
)
习题5-19:已知基本放大器的中频增益 Am 103 ,极点频率为 fp 1 1 M H z ,fp 2 1 0 M H z ,fp 3 1 0 0 M H z , 若要求反馈放大器中频增益
Afm 20dB
试运用波特图判断电路是否自激 解： （1）低频增益：
2l0gA m2l0g 130 6d 0B
（2）对数频率特性图
（3）判断电路是否自激 由图可知： 当
Afm20dB
A f 1 8 0 0 电路自激
第6章 集成运算放大器的应用
一、填空
1、分别选择“反相”或“同相”填入下列各空
内（1） 比例运算电路中集成运放反相输入
端为虚地，而 比例运算电路中集成运放两
1、方框图中，若φ F＝180°，则 只有当φ A＝±180°时，电路才能 产生正弦波振荡。（ ）
2、只要电路引入了正反馈，就一定会产生正 弦波振荡。（ ） 3、凡是振荡电路中的集成运放均工作在线性 区。（ ）
4、非正弦波振荡电路与正弦波振荡电路的 振荡条件完全相同。（ ）
解二：1、√ 2、× 3、× 4、×
A.－45˚ B.－135˚ C.－225˚
3. 放大电路在高频信号作用时放大倍数数值 下降的原因是 ，而低频信号作用时放大倍 数数值下降的原因是 。
A.耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在。 C.半导体管的非线性特性 D.放大电路的静态工作点不合适 4. 当信号频率等于放大电路的 f L 或 f H时，放 大倍数的值约下降到中频时的 。
同相比例运算电路集成运放输入电阻
R i=
（1）反相，同相 （2）同相，反相 （3）同相，反相（4）同相，反相
2、现有电路：
（1） A vm ?fL ?fH ?
（2）画出波特图。
解式：，求（出1）A v变m,换fL电,f压H,放大倍数的表达
10 3 j f
Av
(1
j
f )(1 5
j
f 10
4
5 )(1
j
2.5
f
10
5
)
Avm 10 3
fL 5Hz
fH 10 4 Hz
（2）波特图如解图所示
例5.7: 在图示电路中,已知
解： fL、 fH、 A us的表达式
A usm
Ri Rs Ri
( g m R L )
g m R L 12 .4
fL
1 2 πR sC s
16 Hz
Cgs Cgs (1 gmRL )Cgd 72 pF
1
1
fH 2π(Rs∥Rg )Cgs 2πRsCgs 1.1MHz
12.4 ( j f )
A.0.5倍 B.0.7倍 C.0.9倍
即增益下降 。
A.3dB B.4dB C.5dB
解：
1、A 2、 C C 3 、 B，A 4、 B A
5、若负反馈放大电路环路增益的频率特 性曲线分别如下图（a）、（b）所示，则 其中可能产生自激振荡的电路是 ，不
产生自激振荡的电路是 。
解5： B，A
二、判断下列说法是否正确，用“√”或“×” 表示判断结果。
R 和C e 的值分别为：
fL
1 2πRCe
RR e∥ rb e 1 R s∥ β b R rb 1 eβ R s2Ω 0
Ce
1 133F
2πRLf
例5.10: 如图，已知C g s＝C g d＝5pF， gm＝5mS，C1＝C2＝Cs＝10μF。 试A求us 的电表路达f 式H、。f L各约为多少，并写出
例5.1：已知某电路的波特图如图所示，
试写出 的A表v 达式。
解： 设电路为基本共射放大电路或 基本共源放大电路。
A v
(1
10 jf
32 )(1
j
f 10
5
)
或 10
j
f 10
5
)
例5.2：已知两级共射放大电路的电 压放大倍数
A v1j5 f1j21f04 0 j0 1 fj2.5 f150
2π(Rs rbe )Cb
（2）求解 f H 和中频电压放大倍数
rb'e rbe rb'b 0.9 kΩ
gm
I EQ VT
77 mA/V
fH
1
2 π [ rb'e∥
( rb'b
R
∥R
b
s
)]C t
2 π [ rb'e∥
1 ( rb'b
Rs )]C t
316 kHz
A vs
A vsm
r b b 1 0 ,r b 0 e1 k ,IE Q 2 m ,C tA 8p 0,F 0
R s 2 k ,R b 5k 0 ,R 0 C 3 .3 K ,C 1 1F 0 ,
求出电路的f H、f L，
并画出Bode图。
（1）求解 f L
fL
2π(Rs
1
Ri )C1
1
5.3Hz
f
fH
（3）波特图
例5.8: 在图示电路中，若 C b＞C e，
Cc＞C e， ＝100，r b e＝1kΩ， 欲使 f L ＝60Hz，则C e 应选多少微法？
解：下限频率取决于C e 所在回路 的时间常数
当C b＞C e， Cc＞C e→
1 fL 2πRCe
R 为C e 所在回路的等效电阻
1 1 1 j fL 1 j
f
f
fH
A vsm
R i r b'e R s R i r be
( g m R L )
r b'e R s r be
( g m R L )
76
20 lg A vsm 37 .6 dB
A v sA vsm 11 jfL11 j f 2l0gA vsm 3.6 7dB
第5章 放大器的频率响应
一、选择正确答案填入空内
1. 测试放大电路输出电压幅值与相位的变化， 可以得到它的频率响应，条件是 。
A. 输入电压幅值不变，改变频率 B. 输入电压频率不变，改变幅值 C. 输入电压的幅值与频率同时变化
2. 对于单管共射放大电路，当 f ＝ f L时，与 相位关系是 。
A.＋45˚ B.－90˚ C.－135˚ 当 f ＝ f H时，与的相位关系是 。
个输入端的电位等于输入电压。
（2） 比例运算电路的输入电阻大，
而 比例运算电路的输入电阻小。
（3）
比例运算电路的输入电流等于零，
而 比例运算电路的输入电流等于流过反馈
电阻中的电流。
（4） 比例运算电路的比例系数大于1，
而 比例运算电路的比例系数小于零。
解1：
反相比例运算电路集成运放输入电阻 Ri R1