数字电路后端设计中的一些概念
数字ic后端的基础概念
数字ic后端的基础概念数字集成电路（IC）后端设计涉及到电子芯片的制造和验证阶段，包括物理设计、布局、验证、封装和测试等方面。
以下是数字IC后端设计的一些基础概念：1. 物理设计：物理设计是指将逻辑设计转换为实际的物理结构，包括电路布局和布线。
这一阶段包括：•综合：将高级综合（HLS）或逻辑综合的输出转换为门级电路。
•布局：安排电路元素的物理位置，以满足性能、功耗和面积等要求。
•布线：建立电路中的互连路径，以确保信号能够正确传输。
2. 时序分析：时序分析用于评估电路中信号传输的时序特性，确保电路在规定的时钟频率下正常运行。
3. 功耗分析：对芯片的功耗进行估算和优化，以确保在预定的功耗范围内运行。
4. 静态时序分析（STA）： STA 用于分析电路的时序特性，确保信号在规定的时间限制内到达目的地。
5. 时钟树合成：时钟树合成是设计时钟系统的一部分，确保时钟信号在整个芯片上均匀分布，以减小时钟信号的延迟差异。
6. 物理验证：确保物理设计满足设计规范和约束，包括设计规则检查（DRC）和佈线规则检查（LVS）。
7. 封装和测试：完成物理设计后，芯片被封装成集成电路封装，并进行测试以确保质量和性能。
8. 设计规则：设计规则是在物理设计阶段需要满足的约束，通常由制造厂商提供。
这些规则涉及到最小尺寸、最小间距等。
9. 电磁兼容性（EMC）： EMC 是考虑电磁场相互影响，防止电磁干扰的重要概念。
10. 设计闭环：后端设计通常需要与前端设计进行密切合作，确保物理设计满足逻辑设计的要求。
这些是数字IC后端设计中的一些基础概念，实际的后端设计流程可能会更加复杂，具体取决于芯片的复杂性和应用领域。
数字后端设计知识点
数字后端设计知识点数字后端设计是指用于处理数字信号的电子系统的设计。
这些系统可以是用于通信、计算、图像处理等领域的硬件或软件系统。
数字后端设计是数字系统设计的重要组成部分，它涉及到多个技术领域和知识点。
本文将介绍数字后端设计的一些主要知识点。
一、数字信号处理数字信号处理是数字后端设计的核心内容之一。
它涉及到对数字信号进行采样、量化、编码、滤波和解调等一系列处理步骤。
在数字信号处理中，需要使用一些数学方法和算法来实现信号的处理和分析。
常见的数字信号处理算法包括快速傅里叶变换、数字滤波器设计、自适应滤波等。
二、数字系统设计数字系统设计是数字后端设计的另一个关键知识点。
它涉及到使用数字逻辑门、触发器、寄存器等组件来设计和构建数字系统。
数字系统设计需要考虑系统的功能需求、性能要求和资源限制，并应用相应的设计方法和工具进行系统综合、优化和验证。
常用的数字系统设计方法包括VHDL、Verilog等硬件描述语言的使用。
三、片上系统设计片上系统设计是数字后端设计中的一个重要技术领域。
它指的是将整个数字系统或数字信号处理功能集成在一个芯片上。
片上系统设计需要考虑电路的功耗、面积和性能等因素，并进行电路和物理布局的优化。
常见的片上系统设计技术包括可编程逻辑器件（FPGA）的设计、应用特定集成电路（ASIC）的设计等。
四、时序设计与时钟管理时序设计是数字后端设计中的一个重要环节。
它指的是在数字系统中对信号传输的时间和顺序进行控制和管理。
时序设计包括时钟的生成、分配和同步等。
时钟管理是保证数字系统时序性能的关键。
在时序设计中，需要考虑时钟频率、时钟延迟和时钟抖动等因素，并应用相应的时序设计技术来满足设计要求。
五、功耗优化与集成电源设计功耗优化是数字后端设计中的一个重要问题。
在数字系统设计中，电路和系统的功耗是需要考虑和优化的因素之一。
功耗优化方法包括电源管理、低功耗设计和节能算法等。
集成电源设计是为数字系统提供电源电压和电流的设计。
数字电路后端设计中的一些概念
天线效应：小尺寸的MO S管的栅极与很长的金属连线接在一起，在刻蚀过程中, 这根金属线有可能象一根天线一样收集带电粒子, 升高电位, 而且可以击穿MO S管的栅氧化层, 造成器件的失效。
这种失效是不可恢复的。
不仅是金属连线, 有时候多晶硅也可以充当天线。
这里的导体面积A r e a m e t a l是指从MO S管的输入端开始算起, 直至到达该回路最顶层金属线之下的所有金属互连线( N i ,j , i 为互连节点所属的金属层号,j 为金属层上的互连节点编号) 的面积总和。
在这些金属互连线上将会累积电荷并导致输入端MO S管栅氧化层出现可能被击穿的潜在危险。
而顶层金属线之下连至输出端晶体管栅极的金属线并不会被计算在内, 这是因为在芯片的制造过程中其上多余的游离电荷可以通过低阻的输出端MO S管顺畅泻放。
同理,顶层金属线也不会对A R的值做出任何贡献, 因其最后被刻蚀完成的同时, 就标志着从输入MO S管到输出MO S管的通路正式形成, 多余的电荷此时全部可以通过输出端得到泻放。
栅氧化层面积A r e a g a t e 则是指各个输入端口所连接到的不同晶体管( G K ) 的栅氧化层的面积总和。
以图1所EM（电迁移）：电迁移是指金属材料中存在大电流的情况下，金属离子在电流作用下出现宏观移动的现象，日常生活中的家用电线等金属导线由于没有良好的散热能力，稍大的电流强度就会导致保险丝熔断而断路，因而从不出现电迁移现象。
集成电路芯片中的金属连线则不同：它们有良好的散热环境，通常能够承受高达105A/cm2（约为普通家用电线承受极限的100倍）以上的电流强度和由此导致的大约1000C的高温。
在高温下，金属离子变得“活泼”了，大量电子的猛烈撞击就很容易推动它们发生宏观迁移，这种迁移现象是电流造成的，因而称为电迁移。
在集成电路芯片中出现电迁移时，金属离子会在阳极附近堆积，严重时会形成小丘或突起，同时，在阴极附近的导线内出现空洞，见下图：一一个芯片从开始正常工作到发生互连线电迁移失效为止的时间段称为其电迁移寿命。
IC设计的前端和后端
IC设计的前端和后端IC设计（Integrated Circuit Design）是集成电路设计的简称，是指将电子元器件（如晶体管、电容、电阻等）集成在单块芯片上的过程。
IC设计的工作可以被分为前端设计和后端设计两个阶段。
前端设计阶段主要包括了系统级设计、电路设计和逻辑设计。
这个阶段的目标是将产品的功能要求转化为电路的构建与连接方式。
首先是系统级设计，它是IC设计的第一步，主要负责根据产品需求将系统功能分解为不同的模块，并明确各模块之间的连接关系和通信方式。
系统级设计的工作常常需要将电路设计和软件设计结合起来，以保证产品能够顺利实现其功能需求。
接下来是电路设计，这个阶段主要关注电路的性能和功耗等方面。
在电路设计中，设计师需要选择合适的电子元器件，并通过优化和调整电路结构来满足设计要求。
这个过程通常会使用各种电路仿真和分析工具来验证电路的性能和功能。
最后是逻辑设计，这个阶段主要是将电路连接起来并组成逻辑功能。
设计师需要根据电路的连接关系和功能要求，使用数字电路模块（如逻辑门和触发器等）来构造复杂的数字逻辑电路。
逻辑设计的结果通常是一个逻辑电路的电气原理图。
在前端设计阶段，设计师还需要考虑一些重要的设计规范，如功耗、电磁兼容和故障容忍性等。
他们需要根据产品需求和可用技术，选择合适的设计方法和电子元器件，以满足这些设计规范。
一旦前端设计完成，后端设计阶段就开始了。
后端设计主要包括物理设计和芯片制造。
物理设计是将逻辑设计转化为实际的物理结构的过程。
物理设计的工作包括了芯片布局和电路布线两个方面。
芯片布局是将各种模块和电路排列在芯片的空间内，以最小化芯片的面积和功耗，并提高电路的性能和可靠性。
电路布线是将逻辑电路中的连线和通信路径具体地映射到芯片上的金属导线中，以保证信号传输的可靠性和延迟要求。
物理设计往往需要借助计算机辅助设计（CAD）工具完成。
芯片制造是将物理设计转化为实际的芯片的生产过程。
芯片制造的工作包括了掩膜制作、晶圆制造、半导体工艺、刻蚀、沉积、薄膜制备、金属化和封装等环节。
后端基本概念
为了方便大家尽快找到需要的话题，经icfb版主建议，编辑这个数字后端的FAQ。
如果您是初学者，建议先搜索相关的资料，读读其他人的帖子，一些基本概念在那里都已经讨论过了。
如果您已经有2年以上的实战经验，下面这些雕虫小技就不太值得您去浪费时间了。
先说说作为一个有经验的后端（暫不包括DFT工程师和layout工程师）工程师，需要掌握哪些知识4个级别：1）知道一些基本概念，2）简单地掌握这门技术，3）熟练4）精通半导体工艺--2RTL coding -- 2综合-- 2时序约束-- 3APR -- 3DFT -- 2DRC/LVS -- 3仿真-- 2形式验证-- 2以下是FAQ分类：2楼：时序约束，STA3楼：综合DC/RC4楼：APR （floorplan，place，CTS，route）5楼：验证（LEC，DRC，LVS等）6楼：DFT7楼：低功耗8楼：面试9楼：名词解释时序约束，STA(1) clockQ1.1 什么是同步时钟？时钟频率是整倍数，并且相互之间的相位是固定而且相差可预知的，才可以称得上是同步时钟。
其他的都算异步时钟。
比如，5M，10M是同步2M，3M一般算异步一个时钟，输出到另一个芯片中，转一圈后，以同样的频率返回到自己的芯片，因为无法确定时钟在另一个芯片里面的latency，所以输出的时钟与输入的时钟算异步一个时钟进到2个PLL，就算那2个PLL的输出频率相同，一般也算是异步时钟，除非你de-skewQ1.2 如何处理同步时钟？设计要求严格的公司，就算是同步时钟，数据在同步时钟间传送时，依然要用meta-stability FF，可以set_false_path如果放松要求，不用meta-stability FF，则同步时钟之间是real path，做CTS时，同步时钟要clock tree balance。
注意不同频率的同步时钟的最小时间间隔被用来检查setup如果上升下降沿混用的话，setup的时间间隔就只有半个时钟周期了Q1.3 如何处理异步时钟？很简单，set_false_path注意要from A to B，同时要from B to AQ1.4 如何定义时钟？create_clock 如果指定某个pin/port，就是实时钟，如果没有指定pin和port，就是虚拟时钟巧妙利用waveform选项可以做出不同波形的时钟被定义成时钟的net，在综合时，自动带有ideal network和dont_touch的属性。
数字后端基本概念介绍
数字后端基本概念介绍今天要介绍的数字后端基本概念是boundary cell，也被称为endcap Cell。
Endcap是一种特殊的标准单元。
在后端物理设计中，除了与，非，或等一些常见的标准单元外，还有一些特殊的物理单元(physical cell)，它们通常没有逻辑电路，不存在与netlist 当中，但是对整个芯片的运行，稳定却起着举足轻重的作用。
那endcap cell就是其中一种，它俗称为拐角单元，作用是确保每个nwell都是nwell enclosed，类似一个封闭环。
主要加在row的结尾（两边都要加），以及memory 或者其他block的周围包边，如下图所示：使用方法：命令create_boundary_cells使用前需要指定放在left_boundary，right_boundary，top_boundary，bottom_boundary等cell，可以查询所用工艺库的工艺手册，如下图所示：create_boundary_cells \-left_boundary_cell $left_boundary_cell \-right_boundary_cell $right_boundary_cell \-top_boundary_cells $top_boundary_cells \-bottom_boundary_cells $bottom_boundary_cells \-top_right_outside_corner_cell $top_XXX_cell \-top_left_outside_corner_cell $top_XXX_cell \-bottom_right_outside_corner_cell $bottom_XXX_cell \-bottom_left_outside_corner_cell $bottom_XXX_cell \-bottom_left_inside_corner_cells $bottom_XXX_cells \-bottom_right_inside_corner_cell $bottom_XXX_cell \-top_left_inside_corner_cell $top_XXX_cell \-top_right_inside_corner_cell $top_XXX_cell \-prefix "ENDFILL" \-separator "_"。
集成电路后端设计概述共154页文档
谢谢
11、越是没有本领的就越加自命不凡。——邓拓 12、越是无能的人，越喜欢挑剔别人的错儿。——爱尔兰 13、知人者智，自知者明。胜人者有力，自胜强。——老子 14、意志坚强的人能把世界放在手中像泥块一样任意揉捏。——歌德 15、最具挑战性的挑战莫过于提升自我。——迈克尔·F·斯特利
集成电路后端设计概述
16、人民应该为法律而战斗，就像为 了城墙 而战斗 一样。 ——赫 拉克利 特 17、人类对于不公正的行为加以指责 ，并非 因为他 们愿意 做出这 种行为 ，而是 惟恐自 己会成 为这种 行为的 牺牲者 。—— 柏拉图 18、制定法律法令，就是为了不让强 者做什 么事都 横行霸 道。— —奥维 德 19、法律是社会的习惯和思想的结晶 。—— 托·伍·威尔逊 20、人们嘴上挂着的法律，其真实含 义是财 富。— —爱献 生
cap数字后端概念
cap数字后端概念在计算机科学中，CAP（一致性、可用性、分区容错性）是指在分布式系统中，无法同时满足一致性、可用性和分区容错性这三个特性。
下面对CAP的概念进行详细解释：1. 一致性（Consistency）：一致性要求系统的多个副本在同一时间具有相同的数据值。
在一个分布式系统中，如果某个副本的值被改变，那么其他副本也要相应地修改为相同的值，以保持数据的一致性。
2. 可用性（Availability）：可用性要求系统在任何时候都能够提供服务，即系统的每个请求都会得到响应。
当用户发送请求时，系统应该能够及时地返回结果，而不是长时间等待或无响应。
3. 分区容错性（Partition Tolerance）：分区容错性是指系统在遇到网络故障或分区时仍然能够正常运行。
分布式系统通常由多个节点组成，这些节点通过网络连接。
当节点之间的网络出现问题时，系统仍然需要保持可用性和一致性。
CAP理论认为在分布式系统中，由于网络延迟、故障和分区等原因，无法同时满足一致性、可用性和分区容错性这三个特性。
根据CAP理论，分布式系统只能满足其中两个特性，需要根据具体的应用场景和需求来选择。
例如，对于一些金融交易系统，一致性是非常重要的，系统必须保证数据的一致性，即使在网络故障或分区的情况下也不能出现数据不一致的情况。
而对于一些互联网应用，可用性和分区容错性更为重要，系统必须保证用户能够随时访问和使用，即使在网络故障或分区在实际应用中，根据具体的业务需求和数据处理方式，可以选择不同的分布式系统架构和数据库方案来权衡CAP的三个特性。
常见的解决方案包括：基于主从复制的一致性方案、基于Paxos或Raft算法的强一致性方案、基于分片和副本的可扩展性方案等。
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天线效应：小尺寸的MO S管的栅极与很长的金属连线接在一起，在刻蚀过程中, 这根金属线有可能象一根天线一样收集带电粒子, 升高电位, 而且可以击穿MO S管的栅氧化层, 造成器件的失效。
这种失效是不可恢复的。
不仅是金属连线, 有时候多晶硅也可以充当天线。
这里的导体面积A r e a m e t a l是指从MO S管的输入端开始算起, 直至到达该回路最顶层金属线之下的所有金属互连线( N i ,j , i 为互连节点所属的金属层号,j 为金属层上的互连节点编号) 的面积总和。
在这些金属互连线上将会累积电荷并导致输入端MO S管栅氧化层出现可能被击穿的潜在危险。
而顶层金属线之下连至输出端晶体管栅极的金属线并不会被计算在内, 这是因为在芯片的制造过程中其上多余的游离电荷可以通过低阻的输出端MO S管顺畅泻放。
同理,顶层金属线也不会对A R的值做出任何贡献, 因其最后被刻蚀完成的同时, 就标志着从输入MO S管到输出MO S管的通路正式形成, 多余的电荷此时全部可以通过输出端得到泻放。
栅氧化层面积A r e a g a t e 则是指各个输入端口所连接到的不同晶体管( G K ) 的栅氧化层的面积总和。
以图1所EM（电迁移）：电迁移是指金属材料中存在大电流的情况下，金属离子在电流作用下出现宏观移动的现象，日常生活中的家用电线等金属导线由于没有良好的散热能力，稍大的电流强度就会导致保险丝熔断而断路，因而从不出现电迁移现象。
集成电路芯片中的金属连线则不同：它们有良好的散热环境，通常能够承受高达105A/cm2（约为普通家用电线承受极限的100倍）以上的电流强度和由此导致的大约1000C的高温。
在高温下，金属离子变得“活泼”了，大量电子的猛烈撞击就很容易推动它们发生宏观迁移，这种迁移现象是电流造成的，因而称为电迁移。
在集成电路芯片中出现电迁移时，金属离子会在阳极附近堆积，严重时会形成小丘或突起，同时，在阴极附近的导线内出现空洞，见下图：一一个芯片从开始正常工作到发生互连线电迁移失效为止的时间段称为其电迁移寿命。
制造出电迁移寿命不低于相关标准的金属互连线是芯片制造业的基本要求。
IR drop : 电压降是指出现在电源网络上的电压下降或地线网络上的地线反弹的一种现象。
通常会假设在芯片内的电源为理想电源，它能在瞬间给芯片上的所有单元(包括宏单元)提供足够大的电流从而使芯片上的电压保持为统一的值。
实际上，由于金属连线的宽度越来越窄，导致它的电阻值上升，所以在整个芯片范围内将存在一定的电压降。
电压降的大小取决于从供电Power PAD或Ground PAD到所计算门单元之间的等效电阻的大小。
Soc设计中的每一个逻辑门单元的电流都会对其它逻辑门单元造成不同程度的电压压降。
如果连接到金属电源线上的逻辑门单元同时有翻转动作，导致的电压降会更大。
然而，某些部分的同时翻转又是非常重要的，例如时钟网络和它所驱动的寄存器，在一个同步电路设计中它们必须同时翻转。
因此，一定程度的电压降是不可避免的。
90nm工艺下电压降问题比0.18um更加突出。
在纳米工艺电路设计中，由电压降引起的延时变化达50%或者更多。
串扰：串扰的产生主要是受到线间寄生效应的影响，即同时的电感和电容串扰，但在当前的开关速度下，电容串扰占主导地位。
典型的串扰是相邻金属线之间的耦合电容(cross-couping)影响了其中一根线的信号完整性的结果。
在逻辑门驱动互连线时，一根互连线一般与几根相邻线耦合，它们有垂直方向的和水平方向的。
互连线耦合电容包括平行线间耦合电容、交叉线间耦合电容、线对地耦合电容等，如下图所示。
研究时只关注同层相邻线对门延迟和线延迟的影响，称这根互连线为“受害线”(aggressor)，对它造成影响的线叫“侵害线”(victim)。
现在工艺比以前有更多的金属层，则耦合电容与地电容之间的比值就加大，其影响就越严重了。
同时在90nm工艺下，器件阈值电压越小，其噪声冗余就越小，以往被忽视的串扰现在不得不考虑。
串扰的危害很大，由于两条线之间的耦合电容的影响，侵害线上的变换引起受害线不想要的变换，从而引起电路逻辑失灵，使接受器出现重复的逻辑变换，从而使受害线上信号完整性受到破坏。
冗余通孔（double vias ）:热循环现象会导致铜互连线产生空隙，从而降低在较长互连线中产生的拉应力。
这些空隙最有可能在通孔的底部形成，从而使通孔成为引发良率和可靠性问题的首要因素。
这个问题可以通过以提高成品率为目的的布局来解决。
设计人员应尽可能在同一层面走线，以避免不必要的通孔。
然而，当必须放置通孔时，优化布局与布线工具能够插入一些冗余的通孔，即在只需一个通孔时放置两个或三个通孔，如下图所示。
这样，即使在某一通孔出现了空隙时，也能够保持接触，从而提高了成功接触的概率，因此可在设计进入实际生产中提高成品率。
金属脱落(Metal liftoff)：为了向芯片内部提供充足的电流，工/0PAD单元和芯片中的电源环(power ring)往往采用很宽的金属布线，但宽金属也会受到热效应影响的限制。
当芯片在正常工作时，I/O PAD单元和电源环上都会流过很大的电流，电流的热效应使金属逐渐变热。
当金属变热后，大块金属的侧边惯性阻止了侧边膨胀，从而导致了金属中部发生膨胀，这使得金属的中间区域向上膨起，这种现象叫金属脱落(Inetalliftoff)。
在芯片的长期工作中，这种膨胀现象反复发生，最终导致金属破坏芯片的绝缘层和钝化层，以致外界的杂质进入芯片，与芯片内部的材料发生反应，从而造成芯片的失效。
对于金属来说，尺寸越小，侧边惯性越小，所以这种现象对较窄的金属线影响很小，但对于宽金属线却会造成致命的损害。
因此现在的芯片制造厂商都会对金属线的宽度有一个最大值的限制，如目前TSMC0.18um工艺的这个值都是35um，而在TSMCgonm工艺这个值为12um。
在芯片的版图里，如果碰到超出这个限制值的宽金属，现在通用的解决方法是在宽金属上开槽(slot)，这个方法可以有效地缓解金属热胀冷缩所造成的破坏。
由于金属开槽设计与金属的间距，膨胀系数有关，因此金属开槽的设计规则。
芯片制造厂商在设计规则中都有详细的规定。
金属密度：金属密度(metal density)是除了天线效应和金属脱落外，可制造性设计中另一个重要的内容。
0.18um以上的工艺往往都设定了金属密度的最小值，但是对最大值没有限定。
但进入90nm工艺后，金属密度的最大值也进入了考虑的范畴，如下表所示。
规定金属密度最小值的原因是为了解决金属过刻的问题，而规定金属密度最大值，主要出于两个目的:1.减少关键区域(critical area，CA)。
Critieal area被定义为容易受杂质影响的区域，容易产生电路短路(short)或者开路(open)。
某个区域的金属密度越大，受杂质影响的几率越大。
2.避免金属侵蚀(Metal Erosion)。
在化学机械抛光CMP过程中，由于金属的材料相对隔离介质较软，容易产生碟形的凹槽(dishing)，当金属密度太大或者金属太宽的时候，dishing进一步严重时就产生金属侵蚀。
金属侵蚀的影响就比较大了，金属层的RC参数变差，电流能力变差，电压降(IR drop)变大，可能产生开路(oPen)等等。
所以对于宽金属要开槽，除了metal liftoff的考虑，metal erosion也是原因之一。
65纳米下时钟树性能指标的选择:ARM9核时钟树生成时有一些约束条件，比如要求时钟偏斜小于100皮秒。
时钟偏斜要求是时钟树各项性能中最重要的，之所以选择100ps是出于设计以及工艺原因的，主要是由于65纳秒工艺库本身特性引起的。
在65纳米工艺下，由于mos元件阈值电压的降低，标准单元的速度都相对90纳米得到了提升。
对满足建立时间来说，这是好的现象；但对于保持时间来说就起到了相反的作用，因为数据的传输更快了，更容易出现保持时间的违规现象。
如公式Tclk1+Tcq+min（Tlogic）>Tclk2+Thold，得到△<min （Tlogic）+Tcq–Thold。
假使最严格情况，min（Tlogic）=0，即两个寄存器之间直接相连，完全没有多余的逻辑，此时有，△<Tcq–Thold即时钟偏斜必须小于寄存器延迟与保持时间要求之差。
否则，在形成时钟之后在时序分析时一定会产生大量的保持时间违规现象，用人工方法去修复由于时钟设计不合理而导致的保持时间违规的话是极其费时得不偿失的。
必须通过时钟树生成中的约束来解决。
如果我们进一步忽略保持时间Thold的话，可得，△<Tcq。
由于如前所述，65纳米工艺，标准单元的速度变快了，如果Tcq↓，所以△↓。
即时钟偏斜的允许最大值变小了。
观察了ARM9核采用的65纳米标准单元库后可以发现，一般65纳米工艺库中的寄存器元件的Tcq在快速拐角下(Best Corner)大约是100ps左右，而90纳米工艺的库中，Tcq一般是130ps左右。
很明显，65纳米工艺下时钟树的偏斜要求变得更高了，因此本次ARM核的时钟约束必须应该比90纳米的设计要严格一些。
本次ARM9核时钟树的约束必须要覆盖如上图中可能出现的最坏情况，课题在进行约束时直接定义其为100ps。
超深亚微米工艺的缺点:硅基CMOS工艺集成电路性能的提高主要是通过对器件尺度以及电源电压进行合理的按比例缩小,但这一缩小不是无限的。
随着器件沟道长度、氧化层厚度以及电源电压的缩小,诸如短沟道效应(short channel effect,SCE)、漏感应势垒降低效应(Drain-Induced Barrier.Lowering,DIBL)、穿通效应(punch-through)以及热载流子效应(HCE, hot carrier effect)、量子隧道穿透等“次级”效应将会越来越难于克服。
漏感应势垒降低效应、量子隧道穿透等效应的增强将增大晶体管的漏电流,进而增加器件的静态功耗。
当静态功耗在总功耗中达到一定比例,并且器件的输出电导大于其跨导时,晶体管尺寸缩小就达到了极限。
Clock gate:。