电容屏ITO黄光制程工艺
电容式触摸屏生产工艺
电容式触摸屏生产工艺
电容式触摸屏是一种常见的现代触摸屏技术，其生产工艺通常包括以下步骤：
1. 基材准备：选择适当的基材，通常是玻璃或塑料。
在玻璃上涂覆透明导电物质，如氧化铟锡（ITO），形成触摸层。
2. 涂布导电层：将ITO溶液通过印刷或涂覆技术均匀涂覆在
基材上，形成导电层。
然后通过加热或紫外线固化，使导电层附着在基材上。
3. 电容感应器：使用光刻和化学腐蚀技术，将导电层覆盖掉的区域进行处理，形成电容感应器的结构。
通常是将导电层分割成等大小的电容单元。
4. 绝缘层涂覆：在电容感应器上涂覆一层绝缘层，通常是氟化物或无机材料。
绝缘层的主要作用是防止触摸屏受到外界干扰和划伤。
5. 顶层涂覆：在绝缘层上涂覆一层光学透明的保护层，通常使用有机硅材料。
这一层的作用是保护触摸屏免受污染和划伤，并提供良好的触感。
6. 检验和测试：对生产的触摸屏进行检验和测试，确保其质量符合要求。
常见的测试包括触摸灵敏度、精度和稳定性等方面。
7. 组装和调试：将触摸屏与显示器或其他设备进行组装，并进
行相应的调试和校准，以确保触摸效果良好。
8. 包装和出货：将生产完成的触摸屏进行包装，并进行出货准备。
总而言之，电容式触摸屏的生产工艺涉及多个步骤，包括基材准备、涂布导电层、电容感应器制作、绝缘层涂覆、顶层涂覆、检验和测试、组装和调试以及包装和出货。
这些步骤需要精密的设备和技术，并且必须保证每个步骤的准确性和质量，才能生产出高品质的电容式触摸屏产品。
黄光制程[1]
![黄光制程[1]](https://img.taocdn.com/s3/m/2dd70f55a8956bec0975e340.png)
剥膜液浓度
剥膜液温度 剥膜液循环量 热水槽纯水流量
NAOH 5~7%
50±2℃ 55±5L/min 16±4L/min 12L/min 70±5℃
PR Coating、 软烤、 曝光
光阻涂布：速度：1.0±0.2 m/min，一来回36滴， 目前前挤量1.2mm，下压量0.2mm 光阻軟烤：溫度： 120，循环时间15s 自动曝光：曝光能量：80 mJ/cm2，
黄 光制程
DITO 流程
DITO 图案
玻璃清洁 IR/UV/CP PR 涂层 软烤 曝光 显影
背面保护层涂布
剥膜
蚀刻
玻璃清洁
PR 涂层
曝光
蚀刻
背面保护层涂布
显影
剥膜
玻璃清洁、IR/UV
表面清洗:表面清洗是去除玻璃表面氧化 物、杂质、油质及水分子。
IR：是将玻璃表面所吸附的水分子蒸发， 所以通常会将玻璃置于加温的环境 中数分钟，以利后续的光阻涂布。
UV：去除玻璃表面的有机杂质。
参数:
ITO清洗，速度v= 3±0.1m/min 清洗制程及参数为：药水浓度：3~5% ， 温度45±2℃，压力0.5±0.1kg/cm2， 磨刷压力600kpa 刷洗（压力1.4±0.1kg/cm2 ）， 风干（压力上200KPa，下200KPa）， IR（温度=90℃ ，速度v=3.00m/min）
பைடு நூலகம்
particle
PR Coating（涂布）
ROLL COATER（速度：1.0±0.2 m/min， 下压量：0.1~0.2 mm 前挤量：1.0~1.5mm 膜厚：15000-22000 um 涂布确认：pin hole(针孔）、Mura、particle（异物）
触摸屏生产工艺核心技术之黄光工艺
BOE（NH4F/HF）
谢谢！
黄光制程：
来料玻璃
黄光制程由此开 始
作出所需的图形
ITO、Metal、PI制程 为Sensor提供第一层保 护
Passivation （Organic）
为黄光后的工序作准备
蚀刻膏印刷/可剥胶印刷
切割
黄光制程到此结 束
整个制程的相关示意图-1
微影技术！
光阻塗佈
清洗
烘乾
顯影
曝光
PI和Passivation制程只需到这一 步
Oven
Metal Patterning Flow
Metal Patterning
Glass Cleaning
IR/UV/CP
PR Coating
Pre-Bake
Pattern Exposure
Developing
Post-Bake
Stripping
Etching
各制程效果图 (以Spark为制版)
Via hole
结果是等 效的
反制程：
Jumper PI
Pattern Trace
粗略的生产流程：
来料玻璃
Sheet
最终成品！ pcs
常见尺寸： 370×470mm 厚度则有0.33、0.4、 0.5、0.55、1.1、 1.3mm不等
一路OK Boding、贴合等白光制程
什么是黄光？
ITO
PI
Metal (已喷AG)
反制程全制程
主要机台和常用药液
分为： Roller式 Slit式 Spin式
涂 布 机 ：
清洗设备
清和曝光机 DNK曝光机
限于篇幅，仅举部分实例！
触控面板黄光制程工艺全解
触控面板黄光制程工艺全解触控面板制造工艺之黄光工艺流程全解发布时间：2014-8-22作为目前电容式触摸屏最为主流的制造工艺，黄光制程一直备受关注。
技术发展到今天，已经拥有非常完善的工艺。
本文将从黄光制程的步骤入手，全面介绍制程中每个步骤及所需注意的事项。
1. PR前清洗A.清洗：指清除吸附在玻璃表面的各种有害杂质或油污。
清洗方法是利用各种化学浓剂（KOH）和有机浓剂与吸附在玻璃表面上的杂质及油污发生化学反应和浓解作用，或以磨刷喷洗等物理措施，使杂质从玻璃表面脱落，然后用大量的去离子水（DI水）冲洗，从而获得洁净的玻璃表面。
（风切是关键）B.干燥：因经过清洗后的玻璃，表面沾有水或有机浓剂等清洗液。
这样会对后续工序造成不良影响，特别是对后续光刻工艺会产生浮胶、钻蚀、图形不清晰等不良现象。
因此，清洗后的玻璃必须经过干燥处理。
目前常采用的方法是烘干法，而是利用高温烘烤，使玻璃表面的水分气化变为水蒸气而除去的过程，此方法省时又省力。
但是如果水的纯度不变，空气净化等不多或干燥机温度不够，玻璃表面残存的水分虽经气化为蒸气，但在玻璃表面还会留下水珠，这种水珠将直接影响后续工序的产品质量。
word编辑版．清洗机制程参数设定十槽清洗机PRC.℃，浸泡时间为5，温度为60±1---3槽KOH溶液为0.4~0.7N 温1.0N~1.6N,n. KOH溶度为／槽纯水溢流量为0.5±0.2㎡／2~3min磨刷传动速度为3.0~4.5m/min,喷洗压为0.2~1.0kgf/c㎡,5度为40±℃,℃，干燥5±0.2~1.0kg/c㎡，纯水温度为40转速为85~95rpm,压力为℃。
110℃±10机1.2.3段温度为溶KOH注：玻璃清洗洁净度不够之改改善对策，适当加入少许，溶液，经常擦拭风切口，喷洗等处，亦可调态清洗KOH液，改变速度，将传速度减慢。
机传动2.PR涂佈光刻是一种图像复印和化学腐蚀相结合的，综合性的精密表面加工技术。
电容触摸屏工艺流程简介
印刷正面 镭射银浆
印刷反面 镭射银浆
ITO厂工序
印刷 反面ISO
印刷正面 ISO（可选）
反面银浆镭射
正面银浆镭射
成品
贴合
绑定
切割成小片
单层镀ITO
基板
ITO镀膜
双层镀ITO
基板
ITO镀膜
单层镀ITO+METAL
基板
ITO镀膜
金属镀膜
双层镀ITO+METAL
基板
ITO镀膜
金属镀膜
ITO蚀刻-单面结构
L
其中要求如下: 1.不允许有S形翘曲
ITO
ITO架桥：导电性差（40Ω/■左右），解决
了金属点可见的问题，同时增加一道光照，成本
增加。
绝缘材料 金属或ITO
黄光SITO 结构工艺流程图（金属架桥）
单层镀ITO
ITO蚀刻单面结构
黄光厂工序
金属蚀刻单面结构
镀SIO2/OC
印刷可剥胶 （可选）
成品
贴合
绑定
切割
2.黄光DITO结构触摸屏制程
1.黄光SITO结构触摸屏制程
介绍：SITO是Single ITO的简称。即菱型
线路做法。XY轴（发射极和感应极）都在玻璃的
同一面。
X PATTERN和Y PATTERN通过搭桥的方式，
实现触摸屏发射极和感应极的作用。
架桥的选择：
金属架桥：导电性好（0.4Ω/■左右），但
是金属点会可见，影响外观。（推荐）
大片ITO蚀刻干蚀刻
印刷 银浆线路
大片ITO蚀刻干蚀刻
印刷 银浆线路
贴大片 OCA1
贴大片 OCA2
切割成小片
成品
电容屏(Film_To_Film结构)制作流程
/min、脱膜液比重 1.02~1.06 g/cm3、第一道风切的压力 12±2 KPa、蚀刻喷淋压力 15±2 KPa、第二道风切的压力上 6.5±2 KPa、第
二道风切的压力下 5.5±2 KPa、循环水喷淋的压力上 25±3 KPa、循环水喷淋的压力下 17±3 KPa、DI 水喷淋的压力 10±5 KPa、第
4
IR 固化
4.2 工艺环境及参数
4.2.1 大片裁切/预烘岗位
1）作业环境：温度：22±3℃、湿度：60±10％RH、Partical：CLASS1000
2）工艺参数：
菲林材料 Prov188
3）预烘参数：
菲林型号 Prov188
裁切长度 500
预烘温度（℃） 150
裁切宽度 370
裁切速度 8000～10000
223.72(Window/AA)
4.00 17.64
1.55±0.10(含胶） 1.45±0.1
Back VIEW
? 2.50
5.05 A
Clear window ?1.00 A
256.90 [10.114"]
5.80
Back adhesive(T=0.125) TOP BOTTOM
TP ITO FILM
2
2）丝印参数：
网间距 （mm）
胶刮角 度
（度）
3.5±0.3 55±5
回墨刀速 度（档）
3±0.5
回墨刀深度 （mm） -1～1
刮刀速 刮刀深度 度（档） （mm）
2.0±0.5
5～13
离板高度（mm） 1±0.5
刮刀硬度 （度）
刮刀压力 （kgf/cm2）
80～85
4～6
ito工艺流程
ito工艺流程ITO工艺流程是指将ITO膜作为导电膜，通过一系列的加工步骤制备成特定形状和规格的ITO玻璃或ITO膜。
ITO是氧化铟锡的简称，具有良好的导电性和光透过性，广泛应用于LCD、触摸屏、太阳能电池等领域。
ITO工艺流程主要包括ITO膜涂布、光刻、腐蚀、清洗等步骤。
首先是ITO膜涂布，将ITO溶液通过特定的方法涂布在基底材料上，形成薄膜。
涂布过程需要控制好涂布头的喷雾粒径和速度，以及基底材料的表面状况，以保证涂布后的膜质量。
接下来就是光刻步骤，将ITO膜上的光刻胶涂覆在膜上，并利用光刻机将图案光刻到光刻胶上。
光刻胶的选择很关键，它需要满足良好的光刻性能和较高的耐蚀性。
光刻胶暴露后，通过曝光、显影等步骤，将需要保留的图案暴露出来，形成光刻胶模版。
然后是腐蚀步骤，将暴露在光刻胶模版上的ITO膜部分进行腐蚀。
腐蚀可以选择湿法腐蚀或干法腐蚀两种方式，湿法腐蚀一般采用酸性溶液进行，干法腐蚀则通过离子束刻蚀等方式进行。
腐蚀后，光刻胶模版可被去除，暴露出ITO膜的导电区域。
最后就是清洗步骤，将ITO膜表面的光刻胶残留物和腐蚀产物进行清洗。
清洗过程采用有机溶剂、超纯水或酸碱溶液进行，以确保膜表面的清洁度和平整度。
清洗后即可得到满足要求的ITO玻璃或ITO膜。
整个ITO工艺流程中，涂布、光刻和腐蚀是关键步骤，其中涂布和光刻的参数控制直接影响着膜的质量和性能。
涂布时要注意涂布头的均匀性和稳定性，避免出现表面不均匀、厚度不一的情况。
光刻时要保证光刻胶的厚度和质量，以及光刻机的曝光、显影参数的准确控制。
腐蚀时需要选择合适的腐蚀剂和腐蚀时间，以保证腐蚀均匀性和腐蚀深度的控制。
总的来说，ITO工艺流程是将ITO膜加工成特定形状和规格的过程，涵盖了涂布、光刻、腐蚀、清洗等步骤。
这些步骤的参数控制和质量保证对最后的ITO玻璃或ITO膜的性能有着重要影响，因此工艺的优化和改进是提高产品质量和工艺效率的关键。
电容屏ITO黄光制程工艺
电容屏ITO黄光制程工艺流程第一步：ITO GLASS参数规格：长宽：14*16 厚度：0.55，0.7，1.1规格：普通，钢化等，特性：AR(抗反射)，AG（防眩光），AS（防水防污），AF（防指纹）等电容玻璃：安可，冠华，正达，正太等。
第二步：素玻璃参数规格：素玻璃：康宁，旭硝子等。
500*500规格第三步：清洗参数规格：1.将GLASS 表面的脏污，油污，杂质等去除并干燥。
2.将素玻璃表面的脏污，油污，杂质等去除并干燥，然后过镀膜线镀ITO 层形成GLASS。
第四步：背保丝印参数规格：膜厚：10-20μM，250-420 目聚酯网，此背保要求高，不能有一点脏污，油污，杂质等，要不回影响到在这面处理ITO 图案和银浆走线的附着力等。
日本朝日，丰阳等，热固型。
第五步：光刻胶整版丝印参数规格：膜厚：5-10μM，300-420 目聚酯网.需在温度20 度-25 度的范围和黄灯的环境下进行。
光刻胶：田菱THC-29（耐酸曝光显影型光刻胶）等。
第六步：前烘参数规格：让印有光刻胶的材料在一定的温度，时间下固化。
温度：80-90 度。
时间15-20 分钟。
第七步：曝光参数规格：通过紫外线和菲林的垂直照射，让光刻胶形成反应。
光能量：60-120MJ/C ㎡，时间：6-9s第八步：显影参数规格：用弱KOH 溶解液去除材料上被曝光过的光刻胶，留下没有曝光的光刻胶。
弱碱：0.05-0.2 MOL.温度：20±3 度，压力：0.02-0.05KG，速度：5.5±2.5M/MIN。
第九步：坚膜参数规格：让显影留下的光刻胶经高温处理，让光刻胶完全固化。
温度：120-150度，时间：20-30.第十步：蚀刻参数规格：酸度：3.5-6.5MOL，温度：45±5 度，压力：1-2KG，速度：0.8-1.5M/MIN。
碱度：0.5-0.8MOL，温度：35±5 度，压力：1-2KG，速度：1.5-3.5M/MIN。
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-15μM，400-500目钢丝网，18-16线径，乳剂膜厚：6-12μM，
银浆：日本朝日，丰阳等，热固型。
感光胶：田菱H-815，（具有高解像性，高精密等特性。）
第十二步：镀钼铝钼银浆线
参数规格：
需有镀膜线厂家才可以：切割
参数规格
大片半成品切割处理成小片半成品。
第十五步：压合
参数规格：
小片半成品与FPC及IC绑定形成功能片
第十六步：测试
参数规格：
功能片的功能测试。如：线性测试，寿命测试，精度测试等。
第十七步：终检
参数规格：
最终的一个外观检查。
第十八步：包装
参数规格：
包装处理出货。
先镀一层钼，（起保护，绝缘作用。）
再度一层铝，（起导电作用。）
最后再镀一层钼，（两层钼作用一样。）
第十三步：反面处理
参数规格：
因考虑到ITO GLASS厚度等问题等，需在反面在同上处理一次或
以其他方式处理。
第十四步：组合
参数规格：
上下线组合胶：口字胶：透光率底。
OCA光学胶：汽包多，但透光率高。
液态光学胶：技术要求高。
第九步：坚膜
参数规格：
让显影留下的光刻胶经高温处理，让光刻胶完全固化。
温度：120-150度，时间：20-30.
第十步：蚀刻
参数规格：
酸度：3.5-6.5MOL，温度：45±5度，压力：1-2KG，速度：0.8-1.5M/MIN。
碱度：0.5-0.8MOL，温度：35±5度，压力：1-2KG，速度：1.5-3.5M/MIN。
电容屏ITO黄光制程工艺
流程
第一步：ITO GLASS
参数规格：
长宽：14*16厚度：0.55，0.7，1.1
规格：普通，钢化等，
特性：AR(抗反射)，AG（防眩光），AS（防水防污），AF（防指纹）等
电容玻璃：安可，冠华，正达，正太等。
第二步：素玻璃
参数规格：
素玻璃：康宁，旭硝子等。500*500规格
第三步：清洗
参数规格：
1.将GLASS表面的脏污，油污，杂质等去除并干燥。
2.将素玻璃表面的脏污，油污，杂质等去除并干燥，然后过镀膜线镀ITO层形成GLASS。
第四步：背保丝印
参数规格：
膜厚：10-20μM，250-420目聚酯网，此背保要求高，不能有一点脏污，
油污，杂质等，要不回影响到在这面处理ITO图案和银浆走线的附着
力等。日本朝日，丰阳等，热固型。
第五步：光刻胶整版丝印
参数规格：
膜厚：5-10μM，300-420目聚酯网.需在温度20度-25度的范围和黄灯
的环境下进行。
光刻胶：田菱THC-29（耐酸曝光显影型光刻胶）等。
第六步：前烘
参数规格：
让印有光刻胶的材料在一定的温度，时间下固化。温度：80-90度。时
间15-20分钟。
第七步：曝光
参数规格：
通过紫外线和菲林的垂直照射，让光刻胶形成反应。光能量：
60-120MJ/C㎡，时间：6-9s
第八步：显影
参数规格：
用弱KOH溶解液去除材料上被曝光过的光刻胶，留下没有曝光的光刻胶。
弱碱：0.05-0.2 MOL.
温度：20±3度，压力：0.02-0.05KG，速度：5.5±2.5M/MIN。