模拟电子技术试卷五套(含答案)
模拟电子技术试卷五套含答案

模拟试卷一一、填空(16分)1.半导体二极管的主要特性是。
2.三极管工作在放大区时,发射结为偏置,集电结为偏置;工作在饱和区时发射结为偏置,集电结为偏置。
3.当输入信号频率为和时,放大倍数的幅值约下降为中频时的倍,或者是下降了,此时及中频时相比,放大倍数的附加相移约为。
4.为提高放大电路输入电阻应引入反应;为降低放大电路输出电阻,应引入反应。
5.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流、静态时的电源功耗。
这类功放的能量转换效率在理想情况下,可到达,但这种功放有失真。
6.在串联型稳压电路中,引入了——负反应;为了正常稳压,调整管必须工作在区域。
二、选择正确答案填空(24分)1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,那么这只三极管是( )。
A.型硅管 B.型锗管 C.型硅管 D.型锗管2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为( )。
A.P沟道增强型管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型管D.N沟道耗尽型管3.在图示2差分放大电路中,假设 = 20 ,那么电路的( )。
A.差模输入电压为10 ,共模输入电压为10 。
B.差模输入电压为10 ,共模输入电压为20 。
C.差模输入电压为20 ,共模输入电压为10 。
D.差模输入电压为20 ,共模输入电压为20 。
4.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( )。
A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大5.在图示电路中为其输入电阻,为常数,为使下限频率降低,应( )。
A.减小C,减小 B.减小C,增大C.增大C,减小 D.增大C,增大6.如下图复合管,V1的 b1 = 30,V2的 b2 = 50,那么复合后的 b 约为( )。
A.1500 B.80 C.50 D.307.桥式正弦波振荡电路由两局部电路组成,即串并联选频网络和( )。
A.根本共射放大电路 B.根本共集放大电路C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路8.某电路输入电压和输出电压的波形如下图,该电路可能是( )。
模拟电子技术基础测试题及参考答案

模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题(共50题,每题1分,共50分)1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案:A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多,其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案:D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成,已知每级电压放大倍数为Au,则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案:B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案:B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案:B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案:B7、元件引脚的剪脚高度为( )。
A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓,没关系正确答案:B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案:A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案:C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端,则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案:C11、多级放大电路各级的电压增益分别是:10dB、20 dB、30 dB,则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案:C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案:A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案:A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案:D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势,增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高,损耗越大正确答案:D16、当晶体二极管的PN结导通后,则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案:C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案一、选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电子技术中,以下哪个元件不是基本的线性元件?A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 晶体管2. 理想运算放大器的输入阻抗应该是:A. 无穷大B. 零C. 有限值D. 负值3. 以下哪个不是运算放大器的基本应用?A. 放大器B. 比较器C. 振荡器D. 整流器4. 负反馈在放大器中的作用是:A. 增加增益B. 减小增益C. 提高稳定性D. 降低噪声5. 在模拟电子电路中,若要实现电压跟随器,应该使用运算放大器的哪种配置?A. 反相放大器B. 非反相放大器C. 差分放大器D. 积分器6. 一个理想的二极管在正向偏置时,其导通电压是:A. 0VB. 0.7VC. 无穷大D. 负值7. 以下哪个不是模拟滤波器的类型?A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器8. 一个理想稳压二极管的正向导通电压是:A. 变化的B. 固定的C. 无穷大D. 零9. 在模拟电路设计中,为了减少噪声,通常采用以下哪种方法?A. 增加增益B. 使用高阻值电阻C. 使用低阻值电阻D. 增加电源电压10. 以下哪个不是模拟信号的特点?A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可放大答案:1-5 D A C B B;6-10 B D D C B二、填空题(每空1分,共10分)1. 一个理想的运算放大器的输出电压范围是_________。
2. 运算放大器的开环增益通常表示为_________。
3. 一个理想的二极管在反向偏置时,其电流是_________。
4. 模拟滤波器按照频率特性可以分为_________、_________和_________。
5. 稳压二极管的工作原理是利用PN结的_________特性。
答案:1. 正负电源电压 2. 无穷大 3. 零 4. 低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器 5. 齐纳击穿三、简答题(每题10分,共20分)1. 简述模拟电子技术中负反馈的概念及其在放大器设计中的作用。
【2024版】模拟电子技术试题库及答案

4、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和
反向击穿区四个工作区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时,需选用欧姆挡的R×1k档位,检测中若指针偏转较大,可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极;与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时,若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大,说明二极管已经被击穿;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经老化不通。
6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用?三极管会损坏吗?为什么?
答:集电极和发射极对调使用,三极管不会损坏,但是其电流放大能力大大降低。因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大,且结面积也不同。
7、晶闸管与普通二极管、普通三极管的作用有何不同?其导通和阻断的条件有什么不同?
答:普通二极管根据其单向导电性可知,阳极加电源正极、阴极加电源负极时导通,反之阻断,可用于整流、钳位、限幅和电子开关;普通三极管在放大电路中起放大作用,在数字电子技术中起开关作用,普通三极管用于放大作用时,只要发射极正偏、集电极反偏时就会导通起放大作用,当发射极反偏时就会阻断放大信号通过;用作开关元件时,当发射结和集电结都正偏时,它就会饱和导通,当发射极反偏或发射极和集电极两个极都反偏时,晶体管就截止,阻断信号通过。晶闸管属于硅可控整流器件,只有导通和关断两种状态。晶闸管具有PNPN四层半导体结构,有阳极,阴极和门极三个电极。晶闸管加正向电压且门极有触发电流时导通,即:晶闸管仅在正向阳极电压时是不能导通的,还需门控极同时也要承受正向电压的情况下才能导通(晶闸管一旦导通后,门控极即失去作用);当晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受多大电压,晶闸管都处于阻断状态,或者晶闸管在导通情况下,其主回路电压(或电流)减小到接近于零值时,晶闸管也会自动关断。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是自由电子;在P型半导体中,多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类,它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入共射(共射、共集、共基)组态放大电路。
4、在多级放大器中,中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由,,和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的(b)组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入( c )后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2-104、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( b )。
A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e 、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况5、集成运放中间级的作用是( c )。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压( a )的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。
模拟电子技术期末试卷及答案5套

学院 202 -202 学年第 学期《模拟电子技术》试卷(A 卷 专业 级)考试方式: 闭卷 本试卷考试分数占学生总评成绩的 60 %(本题共5小题,每小题4分,共 20 分)一、填空题 1.多级放大电路常见的三种耦合方式中,若要求各级静态工作点互不影响,可选用 耦合方式;若要求能放大变化缓慢的信号或直流信号,可选用耦合方式;若要求能实现阻抗变换,使负载与输出级阻抗相匹配,可选用 耦合方式。
2. 某放大电路中,晶体管三个电极的电流测出分别为:I 1=1.2mA 、I 2=0.03mA 、I1=1.23mA 。
由此可知:电极1是 极,电极2是 极,电极3是极。
若已知I 1电流方向流入晶体管,则I 2电流方向与I 1电流方向 、I 3电流方向与I1电流方向 。
3. 硅二极管导通压降的典型值是 V 、锗二极管导通压降的典型值是 V ;NPN 型管的集电极电流和基极电流 晶体管;PNP 型管的集电极电流和基极电流 晶体管。
4. 线性失真和非线性失真都使得放大电路的输出波形不再与输入波形相同,其中饱和失真和截止失真属于 失真;幅频失真和相频失真属于 失真。
5. 若反馈量使放大电路的净输入量减小,称为 反馈;若反馈量使放大电路的净输入量增大,称为 反馈。
放大电路通常采取 反馈。
6. 小功率直流稳压电源系统中滤波环节最常采用的元件是 元件;串联型直流稳压电路的调整管正常工作在 状态;开关型直流稳压电路的调整管正常工作在 状态。
(本题共10小题,每小题1分,共10分)二、 判断正、误题 1. 因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( ) 2. PN 结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。
( ) 3. 放大电路只有既放大电压又放大电流时,才能称为具有放大作用。
( ) 4. 发光二极管正常工作在正向导通区,其导通压降为0.7V 。
( )5. 为了获得更高的电流放大倍数而采用复合管,复合管的类型取决于第一个管子的类型。
模拟电子技术基础模拟综合试卷十套(附答案)

模拟综合试卷一一.填充题1.集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ,b 。
2.通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器,其目的是a ,b 。
3.在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下,共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4.一个NPN晶体三极管单级放大器,在测试时出现顶部失真,这是失真。
5.工作于甲类的放大器是指导通角等于,乙类放大电路的导通角等于,工作于甲乙类时,导通角为。
6.甲类功率输出级电路的缺点是,乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7.若双端输入,双端输出理想差动放大电路,两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为 V;若ui1=1500µV, ui2=500µV,则差模输入电压uid为µV,共模输入信号uic为µV。
8.由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9.晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降,主要是因为的影响。
10.在共射、共集、共基三种组态的放大电路中,组态电流增益最;组态电压增益最小;组态功率增益最高;组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二.选择题1.晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,ICBO,uBE的变化情况为()。
A.β增加,ICBO,和 uBE减小 B. β和ICBO增加,uBE减小C.β和uBE 减小,ICBO增加 D. β、ICBO和uBE都增加2.反映场效应管放大能力的一个重要参数是()A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3.双端输出的差分放大电路主要()来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4.典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出,共模电压放大倍数()。
A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5.差分放大电路的共模抑制比KCMR越大,表明电路()A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6.负反馈放大电路以降低电路的()来提高嗲路的其他性能指标。
模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电路中,放大器的基本功能是()。
A. 整流B. 滤波C. 放大D. 调制答案:C2. 共发射极放大电路中,输出电压与输入电压相位()。
A. 相同B. 相反C. 不确定D. 无关系答案:B3. 理想运算放大器的输入阻抗是()。
A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案:C4. 在多级放大电路中,级间耦合方式通常采用()。
A. 直接耦合B. 阻容耦合C. 变压器耦合D. 光电耦合答案:B5. 负反馈可以()放大器的放大倍数。
A. 增加B. 减少C. 不影响D. 先增加后减少答案:B6. 场效应管的控制方式是()。
A. 电压控制电流B. 电流控制电压C. 电压控制电压D. 电流控制电流答案:A7. 模拟乘法器的主要功能是()。
A. 放大B. 滤波C. 调制D. 乘法运算答案:D8. 集成电路的电源电压通常为()。
A. 5VB. 12VC. 3.3VD. 以上都可以答案:D9. 差分放大电路可以()。
A. 放大共模信号B. 放大差模信号C. 抑制共模信号D. 抑制差模信号答案:C10. 模拟电路中的“地”通常是指()。
A. 电源正极B. 电源负极C. 信号参考点D. 接地点答案:C二、填空题(每题2分,共20分)11. 放大器的增益通常用表示,单位是。
答案:增益;分贝(dB)12. 共基极放大电路的输入阻抗比共发射极放大电路的输入阻抗。
答案:高13. 运算放大器的输出电压范围受到限制。
答案:电源电压14. 场效应管的漏极电流与栅极电压之间的关系是。
答案:非线性15. 负反馈可以提高放大器的。
答案:稳定性16. 模拟电路中的耦合方式有直接耦合、耦合和耦合。
答案:阻容;变压器17. 差分放大电路由两个放大电路组成。
答案:对称18. 集成电路中的晶体管通常采用工艺制造。
答案:平面19. 模拟电路中的“地”是信号的点。
答案:参考20. 模拟乘法器可以用于实现调制。
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模拟试卷一一、填空(16分)1.半导体二极管的主要特性是___________ 。
2.三极管工作在放大区时,发射结为____ 偏置,集电结为_____偏置;工作在饱和区时发射结为___偏置,集电结为____偏置。
3.当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍,或者是下降了__dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为_____ 。
4.为提高放大电路输入电阻应引入___反馈;为降低放大电路输出电阻,应引入_____反馈。
5.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。
这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到_____,但这种功放有______失真。
6.在串联型稳压电路中,引入了——负反馈;为了正常稳压,调整管必须工作在____区域。
二、选择正确答案填空(24分)1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,V,则这只三极管是( )。
A.NPN 型硅管B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为( )。
A.P沟道增强型MOS管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管3.在图示2差分放大电路中,若uI = 20 mV,则电路的( )。
A.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为10 mV。
B.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为20 mV。
C.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为10 mV。
D.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为20 mV。
4.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( )。
A.输入电阻高B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大5.在图示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应( )。
A.减小C,减小Ri B.减小C,增大RiC.增大C,减小Ri D.增大C,增大Ri6.如图所示复合管,已知V1的b1 = 30,V2的b2 = 50,则复合后的 b 约为( )。
A.1500 B.80 C.50 D.307.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和( )。
A.基本共射放大电路B.基本共集放大电路C.反相比例运算电路D.同相比例运算电路8.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( )。
A.积分运算电路B.微分运算电路C.过零比较器D.滞回比较器三、两级放大电路如图所示,已知三极管的参数:V1的b1 、rbe1,V2的b2 、rbe2,电容C1、C2、CE在交流通路中可视为短路。
1.分别指出V1、V2的电路组态;2.画出图示电路简化的H参数微变等效电路;3.计算中频电压放大倍数Au,输入电阻Ri和输出电阻Ro。
(12分)四、图示运算放大电路中,已知u1 = 10 mV,u2 = 30 mV,求uO = (10分)五、由理想运算放大器构成的小信号交流放大电路如图所示,试分别求出电路的中频电压放大倍数及下限截止频率(8分)六、分析图示两个电路的级间反馈。
回答:(12分)1.它们是正反馈还是负反馈2.是直流反馈、交流反馈还是交、支流反馈兼有3.它们属于何种组态4.各自的电压放大倍数大约是多少七、电路如图所示。
试回答:1.该电路是否满足正弦波振荡的相位平衡条件2.如不满足,应如何改动使之有可能振荡如果满足,则它属于哪种类型的振荡电路3.在满足振荡条件的情况下,电路的振荡频率为多少(10分)八、电路如图所示,已知稳压管DZ的稳压值UZ = 6 V,IZmin = 5 mA,IZmax = 40 mA,变压器二次电压有效值U2 = 20 V,电阻R = 240 W,电容C = 200 μF。
求:(8分)1.整流滤波后的直流电压UI(AV) 约为多少伏2.当电网电压在±10%的围内波动时,负载电阻允许的变化范围有多大模拟试卷二一、填空:(18分)1.为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号,放大电路应采用__耦合方式,为了实现阻抗变换,使信号与负载间有较好的配合,放大电路应采用____耦合方式。
2.在三极管多级放大电路中,,总的电压增益= ;Au1是__放大器;Au2是__放大器;Au3是___ 放大器。
3.单相桥式整流电路中,若输入电压U2 = 30V,则输出电压Uo = V;若负载电阻RL = 100 W,整流二极管ID(AV) =___A。
4.文氏桥正弦波振荡器用网络选频,当这种电路产生正弦波振荡时,该选频网络的反馈系数(即传输系数) 、jF = 。
5.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz时,可选用滤波器;有用信号频率高于10 kHz时,可选用滤波器;希望抑制50 Hz的交流电源干扰时,可选用滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用滤波器。
6.甲类放大电路是指放大管的导通角为;乙类放大电路则其放大管的导通角为;在甲乙类放大电路中,放大管的导通角为。
二、选择正确答案填空(9分)1.图示电路中二极管是理想的,电阻R为6 W。
当普通指针式万用表置于R ′ 1 W 档时,用黑表笔(通常带正电)接A点,红表笔(通常带负电)接B点,则万用表的指示值为。
a.18 W ;b.9 W ;c.3 W ;d.2 W ;e.0 W 。
2.有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下测得A的输出电压小。
这说明A的。
a.输入电阻大;b.输入电阻小;c.输出电阻大;d.输出电阻小3.某放大电路在负载开路时的输出电压为4 V,接入3 kW 的负载电阻后输出电压降为3 V。
这说明放大电路的输出电阻为。
a.10 kW ;b.2 kW ;c.1 kW ;d.kW 。
三、判断下列管子的工作状态(10分)1.测得各三极管静态时三个电极对地的电位如图所示,试判断它们分别工作在什么状态(饱和、截止、倒置)。
设所有的三极管和二极管均为硅管。
2.电路如图所示,分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区(饱和区、夹断区、可变电阻区)。
四、图示差分放大电路中,调零电位器RP的动端处在中点位置,已知b1 = b2 = 50,UBE1 = UBE2 = V,其它参数如图所示。
1.求静态工作点(IB、IC、UCE);2.画出半边对称放大电路的微变等效电路;3.当uS1 = -uS2 = 10 mV时,求uO = (12分)五、已知集成运放的BWG = 1 MHz,试估算图示交流放大电路的下限频率和上限频率。
(8分)六、图示电路中各运算放大器是理想的,试写出各输出电压Uo的值。
(10分)七、电路如图所示,设满足深度负反馈条件。
1.试判断级间反馈的极性和组态;2.试求其闭环电压放大倍数Auf。
(10分)八、题图电路为两个三端集成稳压器,已知电流IQ = 5 mA。
1.写出图(a)中的I0的表达式,并算出具体数值;2.写出图(b)中的Uo的表达式,并算出当R2 = 5 W 时的具体数值;3.指出这两个电路分别具有什么功能。
(9分)九、画出图中各电路的电压传输特性,要求uI的变化幅度足够大,并在图中表明有关数值。
设所有集成运放具有理想的特性,所有电源电压为±12 V。
(12分)模拟试卷三一、填空(26分)1.杂质半导体有__型和__型两种;双极型晶体管的结构有__型和__型两种;场效应管根据导电沟道不同有__和__两种。
2.图中二极管为理想器件,V1工作在__状态;V2工作在__状态;UA为__V。
3.三极管放大电路中,测得晶体管三个引脚对地电位分别为:UA = -5 V、UB = -8 V、UC = V,则三极管对应的电极是:A为__极、B为__极、C为__极,晶体管为__型三极管。
4.在图示电路中2CW5的参数为:稳定电压Uz = 12 V,最大稳定电流IZmax = 20 mA。
图中电压表中流过的电流忽略不计。
当开关S闭合时,电压表V和电流表A1、A2的读数分别为__、__ 、;当开关S断开时,其读数分别为__ 、__、。
5.若三级放大电路中Au1 = Au2 = 30 dB,Au3 = 20 dB,则其总电压增益为__dB,折合为__倍。
6.差动放大电路用恒流源代替公共射极电阻RE,使电路的RiC__、∣Auc∣=__ 、共摸抑制比=__ 。
7.三端集成稳压器CW7912的输出电压为__ V,而CW7809的输出电压则为___V。
一、填空(26分)1.P、N、NPN、PNP、P沟道、N沟道。
2.截止,导通,V。
3.E,C,B,PNP。
4.12 V,12 mA,6 mA,12 V,12 mA,0 mA。
5.80 dB,104倍。
6.提高,减小,提高;7.-12 V,+8 V。
二、已知图示电路中的三极管 b = 60,rbb¢= 200 W,UBEQ = V,RB1 = RB2 = 150 kW,RC = kW,Rs = 300 W,Vcc = 12 V。
试求:1.静态工作点;2.画出微变等效电路;3.电压放大倍数及输入电阻Ri、输出电阻Ro。
(12分)三、判断图示电路的级间反馈极性和组态;设满足深度负反馈条件,试估算闭环电压增益(8分)四、在图示电路中,设A1、A2、A3均为理想运算放大器,其最大输出电压幅值为±12 V。
1.试说明A1、A2、A3各组成什么电路2.A1、A2、A3分别工作在线形区还是非线形区3.若输入为1 V的直流电压,则各输出端uO1、uO2、uO3的电压为多大(12分)五、电路如图所示。
1.正确连接A、B、P、N四点,使之成为RC桥式振荡电路;2.电路的频率f0是多少3.若R1 = 2 kW,求Rf的最小值。
(12分)六、图为一高通有源滤波电路。
设A为理想运算放大器,试推导传递函数Uo(jw)/Ui(jw) 的表达式,并求出截止频率fp。
(8分)七、在图示两个电路中,A为理想运算放大器,输出电压的极限值为Uomax。
1.指出这是两个什么类型的电路;2.画出它们的电压传输特性。
(10分)八、在图示电路中,Rf和Cf均为反馈元件,设三极管饱和管压降为0 V。
1.为稳定输出电压uO,正确引入负反馈;2.若使闭环电压增益Auf = 10,确定Rf =3.求最大不失真输出电压功率Pomax = 以及最大不失真输出功率时的输入电压幅值为多少(12分)模拟试卷四一、填空(20分)1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为__V,导通后在较大电流下的正向压降约为__V;锗二极管的门槛电压约为__V,导通后在较大电流下的正向压降约为__V。
2.场效应管属于__控制型器件,而晶体三极管则是___控制型器件。
3.某场效应管的转移特性曲线如图所示,由此可知该管是(N或P)沟道(增强或耗尽)型的(结型或绝缘栅)场效应管,图中UGS = -2 V称为该管的电压。