单向可控硅
(完整版)单向可控硅的原理及测试
单向可控硅的原理及测试可控硅的意思：可控的硅整流器，其整流输出电压是受控的，常与移相或过零触发电路配合，应用于交、直流调压电路。
可控硅是在晶体管基础上发展起来的一种集成式半导体器件。
单向可控硅的等效原理及测量电路见下图1：AKGP N P NKGGKGA图1 可控硅器件等效及测量电路单向可控硅为具有三个PN 结的四层结构，由最外层的P 层、N 层引出两个电极——阳极A 和阴极K ，由中间的P 层引出控制极G 。
电路符号好像为一只二极管，但好多一个引出电极——控制极或触发极G 。
SCR 或MCR 为英文缩写名称。
从控制原理上可等效为一只PNP 三极管与一只NPN 三极管的连接电路，两管的基极电流和集电极电流互为通路，具有强烈的正反反馈作用。
一旦从G 、K 回路输入NPN 管子的基极电流，由于正反馈作用，两管将迅即进入饱合导通状态。
可控硅导通之后，它的导通状态完全依靠管子本身的正反馈作用来维持，即使控制电流（电压）消失，可控硅仍处于导通状态。
控制信号U GK 的作用仅仅是触发可控硅使其导通，导通之后，控制信号便失去控制作用。
单向可控硅的导通需要两个条件： 1）、A 、K 之间加正向电压；2）、G 、K 之间输入一个正向触发电流信号，无论是直流或脉冲信号。
若欲使可控硅关断，也有两个关断条件： 1）、使正向导通电流值小于其工作维持电流值； 2）、使A 、K 之间电压反向。
可见，可控硅器件若用于直流电路，一旦为触发信号开通，并保持一定幅度的流通电流的话，则可控硅会一直保持开通状态。
除非将电源开断一次，才能使其关断。
若用于交流电路，则在其承受正向电压期间，若接受一个触发信号，则一直保持导通，直到电压过零点到来，因无流通电流而自行关断。
在承受反向电压期间，即使送入触发信号，可控硅也因A 、K 间电压反向，而保持于截止状态。
可控硅器件因工艺上的离散性，其触发电压、触发电流值与导通压降，很难有统一的标准。
可控硅器件控制本质上如同三极管一样，为电流控制器件。
单向可控硅的工作原理
单向可控硅（Silicon Controlled Rectifier，简称SCR）是一种常见的半导体器件，用于控制电力设备中的电流。
在本文中，我们将详细介绍单向可控硅的工作原理，包括其结构、特性以及应用。
首先，让我们来了解一下单向可控硅的结构。
它由四个层次的p-n结组成，分别是p-n-p-n结构。
这四个层次的区域分别被称为阴极区、阴极控制极区、阳极控制极区和阳极区。
在正向电压下，当阳极电压高于阴极电压且阴极控制极区的厚度较薄时，单向可控硅处于关断状态，没有电流通过。
当外部施加一个正偏电压作用于阳极，则发生P区中的少数载流子注入，这个少数载流子注入的浓度足够高，使得P区形成导电通道。
在这时，单向可控硅开始导通。
在导通状态下，SCR的两个极之间的电阻非常低，可以通过较大的电流。
然而，单向可控硅通过控制极实现单向的导电，这也是其名称的由来。
如何实现控制极的控制就是单向可控硅的关键点。
通常，我们通过控制极施加一个脉冲信号，该脉冲信号可以从外部电源或者其他电路提供。
这个脉冲信号在满足一定条件下，使得单向可控硅处于导通状态，电流可以流过。
单向可控硅的工作原理可以用一个简单的电路来解释。
假设我们有一个电流源和一个负载电阻，连接到单向可控硅的阳极和阴极。
当施加一个控制信号到单向可控硅的控制极时，单向可控硅将开始导通。
此时，电流流经单向可控硅，通过负载电阻，形成电路闭合。
当控制信号停止或者逆变，单向可控硅将进入关断状态，停止导通。
单向可控硅的特有特性使得它在许多电力控制和电流传导应用中被广泛使用。
例如，在交流电控制中，单向可控硅可以用于控制电平的调整和功率的传递。
它还可以用于电压调整和电流保护等方面。
总的来说，单向可控硅的工作原理是通过控制控制极的脉冲信号来实现单向导通的。
它是一种常见的半导体器件，在电力设备中扮演着重要的角色。
通过对单向可控硅的工作原理的理解，我们可以更好地运用它来控制电流和保护电路。
单向可控硅参数列表MCR100-81A400V
单向可控硅参数列表MCR100-8 1A400V单向可控硅参数列表MCR100-8 1A400V参数: 1A 400V可控硅引脚定义可控硅外形象中功率三极管，三个脚定义为阳极A，阴极K，栅极G ,使用时在阳极加正电压，必须在栅极加一个4 伏左右的触发电压才能导通.单向可控硅的型号参数表常用1A/400V 单向可控硅有：MCR100-6MCR100-8BT169TP5GCR3AM常用3A/600V 的单向可控硅的型号有：3CR3AM-12TLC336TLC336TTLC336DTLC336STLC336晶闸管的选用与代换及检测1．晶闸管的选用(1) 选择晶闸管的类型：晶闸管有多种类型，应根据应用电路的具体要求合理选用。
若用于交直流电压控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源保护电路等，可选用普通晶闸管。
若用于交流开关、交流调压、交流电动机线性调速、灯具线性调光及固态继电器、固态接触器等电路中，应选用双向晶闸管。
若用于交流电动机变频调速、斩波器、逆变电源及各种电子开关电路等，可选用门极关断晶闸管。
若用于锯齿波发生器、长时间延时器、过电压保护器及大功率晶体管触发电路等，可选用BTG 晶闸管。
若用于电磁灶、电子镇流器、超声波电路、超导磁能储存系统及开关电源等电路，可选用逆导晶闸管。
若用于光电耦合器、光探测器、光报警器、光计数器、光电逻辑电路及自动生产线的运行监控电路，可选用光控晶闸管。
2．选择晶闸管的主要参数：晶闸管的主要参数应根据应用电路的具体要求而定。
所选晶闸管应留有一定的功率裕量，其额定峰值电压和额定电流（通态平均电流）均应高于受控电路的最大工作电压和最大工作电流1. 5〜2倍。
晶闸管的正向压降、门极触发电流及触发电压等参数应符合应用电路（指门极的控制电路）的各项要求，不能偏高或偏低，否则会影响晶闸管的正常工作。
2.晶闸管的代换晶闸管损坏后，若无同型号的晶闸管更换，可以选用与其性能参数相近的其他型号晶闸管来代换。
单向可控硅的工作原理
单向可控硅的工作原理在电子电路的世界里，单向可控硅是一种非常重要的半导体器件，它就像是一个神奇的电子开关，能够精确地控制电流的通断。
接下来，让我们一起深入了解单向可控硅的工作原理。
要理解单向可控硅的工作原理，首先得从它的结构说起。
单向可控硅的结构就如同一个三层半导体器件，有三个电极，分别是阳极（A）、阴极（K）和控制极（G）。
阳极和阴极就像是一个普通二极管的两个极，而控制极则是用来控制单向可控硅导通的关键。
当单向可控硅处于截止状态时，也就是阳极和阴极之间没有电流通过。
这时候，即使在阳极上加上正向电压，只要控制极没有触发信号，单向可控硅就像一个紧闭的大门，电流无法通过。
那么，如何让单向可控硅导通呢？这就需要控制极发挥作用了。
当在控制极上加上一个适当的触发电流或者触发电压时，单向可控硅内部的结构会发生变化，就像是打开了一道“门缝”，使得阳极和阴极之间能够有电流通过，从而进入导通状态。
一旦单向可控硅导通，即使撤掉控制极上的触发信号，它也会保持导通状态，就好像一旦门被打开，就不会自动关闭，除非阳极和阴极之间的电流减小到一定程度，或者阳极和阴极之间的电压反向，单向可控硅才会重新回到截止状态。
为了更清楚地说明单向可控硅的导通和截止过程，我们可以通过一个简单的电路来演示。
假设我们有一个电源，一个电阻，一个单向可控硅和一个触发电路。
当电源接通时，由于单向可控硅处于截止状态，电路中没有电流通过电阻。
然后，当触发电路向控制极提供触发信号时，单向可控硅导通，电流开始通过电阻，电阻上会有电压降。
只要电源电压保持不变，并且电流不低于维持电流，单向可控硅就会一直保持导通状态。
如果我们想要单向可控硅重新截止，有两种常见的方法。
一种是减小阳极和阴极之间的电流，比如增大电阻的值，使得电流低于维持电流，单向可控硅就会自动截止。
另一种方法是在阳极和阴极之间加上反向电压，这样也能让单向可控硅回到截止状态。
在实际应用中，单向可控硅的工作原理有着广泛的用途。
可控硅
一、单向可控硅工作原理可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。
以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。
另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。
可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。
二、单向可控硅的引脚区分对可控硅的引脚区分，有的可从外形封装加以判别，如外壳就为阳极，阴极引线比控制极引线长。
从外形无法判断的可控硅，可用万用表R×100或R×1K挡，测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻，当万用表指示低阻值（几百欧至几千欧的范围）时，黑表笔所接的是控制极G，红表笔所接的是阴极C，余下的一只管脚为阳极A。
三、单向可控硅的性能检测可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。
第一是三个PN结应完好；第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断，不导通；第三是当控制极开路时，阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通；第四是给控制极加上正向电流，给阴极与阳极加正向电压时，可控硅应当导通，把控制极电流去掉，仍处于导通状态。
用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻，就可对前三个方面的好坏进行判断。
具体方法是：用R×1k或R×10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻（控制极不接电压），此两个阻值均应很大。
电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。
如果测得的阻值很低，或近于无穷大，说明可控硅已经击穿短路或已经开路，此可控硅不能使用了。
用R×1k或R×10k挡测阳极与控制极之间的电阻，正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。
用R×1k或R×100挡，测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右，如出现正向阻值接近于零值或为无穷大，表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。
反向阻值应很大，但不能为无穷大。
单向可控硅结构工作原理
单向可控硅结构及工作原理
单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。
单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制；与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。
一．单向可控硅结构
1、结构：
四层半导体
三个PN结
三个电极：阳极A：从P1引出
阴极K：从N2引出
控制极G：从P2引出
2、符号：
图形符号：
文字符号：SCR，CT，KG等
二、单向可控硅工作原理
1、演示实验：
单向可控硅实验电路图如下：
2、解释：可控硅为什么具有上述四个工作特点？这是由其内部结构决定的
3、单向可控硅工作原理
①可控硅导通的条件：
A、在阳极和阴极之间加正向电压
B、同时在控制极加正触发电压
以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。
另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。
②使导通的可控硅关断的方法：
A、减小阳极电流至一定值（维持电流）
B、切断阳极电源
③可控硅具有控制强电的作用
三、单向可控硅的主要参数：。
可控硅工作原理及其应用新版
可控硅工作原理及其应用新版可控硅(scr: silicon controlled rectifier)是可控硅整流器的简称。
可控硅有单向、双向、可关断和光控几种型别它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点，被广泛用于可控整流、调压、逆变以及无触点开关等各种自动控制和大功率的电能转换的场合。
单向可控硅的工作原理单向可控硅原理可控硅是p1n1p2n2四层三端结构元件，共有三个pn结，分析原理时，可以把它看作由一个pnp管和一个npn管所组成当阳极a加上正向电压时，bg1和bg2管均处于放大状态。
此时，如果从控制极g输入一个正向触发讯号，bg2便有基流ib2流过，经bg2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。
因为bg2的集电极直接与bg1的基极相连，所以ib1=ic2。
此时，电流ic2再经bg1放大，于是bg1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。
这个电流又流回到bg2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈迴圈的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。
由于bg1和bg2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极g的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发讯号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。
由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化一、单向可控硅工作原理可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。
以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。
另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。
可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。
二、单向可控硅的引脚区分对可控硅的引脚区分，有的可从外形封装加以判别，如外壳就为阳极，阴极引线比控制极引线长。
从外形无法判断的可控硅，可用万用表r×100或r×1k 挡，测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻，当万用表指示低阻值（几百欧至几千欧的範围）时，黑表笔所接的是控制极g，红表笔所接的是阴极c，余下的一只管脚为阳极a。
单向可控硅限流控制电路
单向可控硅限流控制电路
单向可控硅限流控制电路是一种常用的电子电路，用于限制电流的大小，从而保护电路和设备。
下面是一个简单的单向可控硅限流控制电路的示例：
电路中，D1和D2分别对电源的正半波及负半波进行整流，并加到A 触发和C1或C2充电。
进一步用W来改变触发时间进行移相，只要调整W的阻值，就可达到改变输出电压的目的。
D1和D2还起限制触发极的反相电压保护双向可控硅的作用。
在实际应用中，单向可控硅限流控制电路的设计需要根据具体的应用场景和需求进行调整和优化。
如果你需要设计一个具体的单向可控硅限流控制电路，建议你咨询专业的电子工程师或查阅相关的电子设计手册。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
单项可控硅mcr100 6
2009-12-31 20:51
就拿MCR100-6（贴片可控硅）来说
0.6A 塑封单向可控硅-SCRs
管脚排列：K-G-A
很容易看啊一侧只有一个脚的是g脚啊平贴在板子上啊～^_^
如何用万用表测试单向可控硅
2008-05-10 02:45
可控硅又叫晶体闸流管，在强电和弱电领域都有极为广泛的应用。
其中在弱电领域中应用的可控硅功率比较小，外形像三极管，是电子爱好者常遇到的元件之一。
正确测试可控硅是电子爱好者必须具备的基本技能。
如何来测试可控硅呢?
由于万用表是电子爱好者必配工具，这里介绍如何用万用表来测试单向可控硅。
单向可控硅的测试包括两个方面：一是极性的判定；二是触发特性的测试。
一、可控硅极性的判定
单向可控硅是由三个PN结的半导体材料构成，其基本结构、符号及等效电路如图1所示。
可控硅有三个电极：阳极(A)、阴极(K)和控制极(G)。
从等效电路上看，阳极(A)与控制极(G)之间是两个反极性串联的PN结，控制极(G)与阴极(K)之间是一个PN结。
根据PN结的单向导电特性，将指针式万用表选择适当的电阻档，测试极间正反向电阻(相同两极，将表笔交换测出的两个电阻值)，对于正常的可控硅，G、K
之间的正反向电阻相差很大；G、K分别与A之间的正反向电阻相差很小，其阻值都很大。
这种测试结果是唯一的，根据这种唯一性就可判定出可控硅的极性。
用万用表R×1K档测量可控硅极间的正反向电阻，选出正反向电阻相差很大的两个极，其中在所测阻值较小的那次测量中，黑表笔所接为控制极(G)，红表笔所接的为阴极(K)，剩下的一极就为阳极(A)。
通过判定可控硅的极性同时也可定性判定出可控硅的好坏。
如果在测试中任何两极间的正反向电阻都相差很小，其阻值都很大，说明G、K之间存在开路故障；如果有两极间的正反向电阻都很小，并且趋近于零，则可控硅内部存在极间短路故障。
二、单向可控硅触发特性测试
单向可控硅与二极管的相同之处在于都具有单向导电性，不同之处是可控硅的导通还要受控制极电压控制。
也就是说使可控硅导通必须具备两个条件：阳极(A)与阴极(K)之间应加正向电压，控制极(G)与阴极(K)之间也应加正向电压。
当可控硅导通以后，控制极就失去作用。
单向可控硅的导通过程可用图2所示的等效电路来说明：PNP管的发射极相当可控硅的阳极(A)，NPN管的发射极相当可控硅的阴极(K)，PNP管的集电极与NPN管的基极相联后相当于可控硅的控制极(G)。
当在A、K之间加上允许的正向电压时，两只管子均不导通，此时当在G、K之间加上正向电压便形成控制电流流入V2的基极，如此循环直至两管完全导通。
当导通后，即使Ig=O，由于V2有基极电流，且远大于Ig，因此两管仍然导通。
要使导通的可控硅截止，必须把A、K正向电压降低到一定值，或反向，或断开。
根据可控硅的导电特性，可用万用表的电阻档进行测试。
对小功率可控硅可按图3(a)所示联接电路，在可控硅A、G之间联接一只轻触开关(以便于操作)，用万用表的R×1Ω档，黑表笔接A极，红表笔接K，此时给可控硅加上一正向电压(通过万用表内附的干电池)，万用表的指针不动，可控硅不导通，当按下开关，A、G接通，在G、K之间加上触发电压，可控硅才导通，万用表的指针偏转，指向一个较小的值；当G、A断开后，失去了控制电压，如果万用表的指针位置不变，可控硅仍处于导通状态，说明该可控硅的触发特性良好，
如果G、A断开后，万用表指针随即偏转，指向∞。
即可控硅不导通，则说明该可控硅的触发特性不好，或已损坏。
对功率较大的可控硅，由于导通电压降较大，维持电流难以维持，引起导通状态欠佳，此时应在可控硅的阳极(A)上串接一节干电池，如图3(b)所示电路进行测试，以免引起误判。
对于大功率可控硅应在图3(b)的电路上再串上一节干电池，使测试效果明显。
一般来说在测试10A 以下的单向可控硅用图3(a)所示联接电路；10A一100A的可控硅用图3(b)所示联接电路，测试100A以上的单向可控硅应在图3(b)上再串一节干电池。
在测试单向可控硅的基础上，对其它类型的可控硅，根据其基本结构，也可用万用表对其进行测试。
襄
中频电源 (2008/04/27 23:10)
标签：产品
摘要：一、散热器与元件的安装
元件的冷却方式有加装散热器自然冷却，风冷和水冷等方式，为了使元件充分地发挥其额定性能并加强使用中的可靠性，除必须科学地选择散热器外还需正确地安装。
只有正确地安装散热器才能保证其与元件芯片间的热阻Rj-hs满足数据表中的要求。
在元件与散热器的安装时，应注意以下事项：
1．散热器的台面必须与元件台面尺寸相匹配，防止压扁、压歪损坏器件... 中频炉 (2008/04/27 22:45)
标签：产品
摘要：中频电炉成套范围
中频电炉成套范围主要包括如下几个部分：
1、电源及电气部分：电源设备包括高压或低压开关柜、中频电源（中频发电机组或可控硅变频器）、电源转换开关、补偿电容器以及中频控制柜（炉前配电
操作台）等，大型中频炉的电气部分还包括坩埚漏炉报警系统。
2、炉体部分：中、小型中频炉均配两台炉体。
一台生产使用，另一台备用。
炉体包括炉盖、感应器、坩埚、炉体支架等。
3、传动装置：...
可控硅原理 (2008/04/27 22:38)
标签：产品
摘要：可控硅工作原理(ZT)
一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称可控硅T。
又由于可控硅最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。
在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称“死硅”）更为可贵的可控性。
它只有导通和关断两种...
可控硅(晶闸管) (2008/04/27 22:32)
标签：产品
摘要：
参数名称
表述意义
B2
单相桥
B6
三相桥
di/dt
通态电流临界上升率
dv/dt
断态电压临界上升率
fm
工作频率
I2t
电流平方时间积
Id
直流输出电流
IDRM
断态重复峰值电流
IF(AV)
正向平均电流
IFM
正向输出电流
IF(RMS)
正向电...。