单向可控硅与双向可控硅的导通条件及特点

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单向可控硅与双向可控硅结构电原理图及测试方法

单向可控硅与双向可控硅结构电原理图及测试方法

单向可控硅与双向可控硅结构电原理图及测试方法可控硅的检测1.单向可控硅的检测万用表选用电阻R×1档,用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑笔接的引脚为控制极G,红笔接的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。

此时将黑表笔接已判断了的阳极A,红表笔仍接阴极K。

此时万用表指针应不动。

用短接线瞬间短接阳极A和控制极G,此时万用表指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆左右。

如阳极A接黑表笔,阴极K接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。

2.双向可控硅的检测用万用表电阻R×1档,用红黑两表笔分别测任意两引脚正反向电阻,结果其中两组读数为无穷大。

若一组为数十欧姆时,该组红黑表笔所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G,另一空脚即为第二阳极A2。

确定A、G极后,再仔细测量A1、G极间正反向电阻,读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1,红表笔所接引脚为控制极G。

将黑表笔接已确定了的第二阳极A2,红表笔接第一阳极A1,此时万用表指针应不发生偏转,阻值为无穷大。

再用短接线将A2、G极瞬间短接,给G极加上正向触发电压,A2、A1间阻值约为10欧姆左右。

随后断开A2、G极短接线,万用表读数应保持10欧姆左右。

互换红黑表笔接线,红表笔接第二阳极A2,黑表笔接第一阳极A1。

同样万用表指针应不发生偏转,阻值为无穷大。

用短接线将A2、G极间再次瞬间短接,给G极加上负向的触发电压,A1、A2间阻值也是10欧姆左右。

随后断开A2、G极间短接线,万用表读数应不变,保持10欧姆左右。

符合以上规律,说明被测双向可控硅管未损坏且三个引脚极性判断正确。

检测较大功率可控硅管是地,需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池,以提高触发电压。

双向可控硅(TRIAC)在控制交流电源控制领域的运用非常广泛,如我们的日光灯调光电路、交流电机转速控制电路等都主要是利用双向可控硅可以双向触发导通的特点来控制交流供电电源的导通相位角,从而达到控制供电电流的大小[1]。

双向可控硅导通条件

双向可控硅导通条件

双向可控硅导通条件双向可控硅导通条件是一种特殊的导通条件,它是导通技术应用中最重要的硅元件。

作为一种复合结构,它在双向控制方面具有特殊的性能和特点。

双向可控硅导通条件多用于应用有源功率放大器,如无线电、汽车电子等行业,它可以有效提高放大电路实用性。

它也常用于输出控制电路,可大大降低温度对电路稳定性的影响。

什么是双向可控硅导通条件?它是一种典型的可控硅(SCR)结构,其由一系列由硅晶体、基板和双向控制装置组成的硅元件。

可控硅是一种静态三极管,由 negatively-biased control electrodes 与被称为 anode 和 cathode 之间构成 PN 结,当给控制electrodes 加上一个负偏压,硅晶体就可以将 anode 与 cathode 相连从而导通介绍。

由于它具有可控的特性,所以它可以被电脑控制,用于放大电路的输出控制,因此它最常见的应用就是用做有源功率放大器中的功率栅极电路。

双向可控硅导通条件在应用和使用中具有一定的优势,首先它的影响小,其噪声水平在业界最小,其密度也高,抗电磁干扰能力强,它的温度基本不受环境温度影响,耗能小,功耗降低,相对于其它形式的功能元件,它的耗能节约,更为明显,此外,它还具有一定的保护性能,在输出短路、超流等情况下,可以保护设备,重要的是,它可以有效地降低整个系统的体积,提高了系统的整体性能。

双向可控硅导通条件的结构非常之简单,但是却具有相当的实用性。

它的非切断电流、转换电容因子和电抗等性能均非常优良,除此之外,它还有着可靠的空间散热能力,可提供更好的导通效果,良好的可靠性和耐用性,延长了其可靠寿命。

这已经得到了广泛的应用,所以可以在实际生产过程中受到应用和改进。

SCR与IGBT区别

SCR与IGBT区别

可控硅SCR,IGBT,区别[收集]
可控硅(SCR)只能触发导通,不能触发关断,称之为半控器件:
1、分为单向可控硅与双向可控硅。

常见的是单向可控硅。

2、阳极与阴极间加正电压同时给门控电压时导通。

电流触发(脉冲),导通后,撤去门控电压不会关断。

3、关断条件:阳极与阴极电流小于“维持电流”或阳极与阴极间加反向电压。

3、只能用于通、断(开/关)控制。

开关频率低。

4、主要用于:调压、整流、软起动器、固态继电器.....
5、一般控制脉动直流(或类似于)或交流。

IGBT,其结构为绝缘栅双极场效应晶体管,可以触发导通,也可以触发管断,仅栅极既可以控其通断,所以称为全控器件:
1、可以等效为(或理解为):场效应管与大功率三极管组成的复合管。

2、特性类似于场效应管。

输入阻抗非常高,输出阻抗低,驱动功率非常小,主要是结电容引起的驱动电流、放大倍数高。

3、开关频率较高,耐压高、通流能力强(额定电流大)。

4、主要用于:变频器(逆变)、电磁炉,中、大功率逆变、氩弧焊机等、高频电源......
可控硅的开关速度很低,IGBT的很高。

IGBT可以脉宽调制控制。

可控硅不行,只能做移相触发。

IGBT优点:输入阻抗高、开关速度快、安全工作区宽、饱和压降低(甚至接近GTR的饱和压降)、耐压高、电流大。

双向可控硅和单向可控硅的区别

双向可控硅和单向可控硅的区别

双向可控硅和单向可控硅的区别可控硅又叫做晶闸管,是一种常用的半导体器件,是一种能像闸门一样控制电流大小的半导体器件。

因此,可控硅也具有开关控制、电压调整和整流等功能。

可控硅的种类较多,强电电路采用的可控硅主要有单向晶闸管和双向晶闸管两种。

常见的可控硅外形用符号如图,内有单向和双向两种可控硅,你能区分出哪种是单向,哪种是双向吗?1、引脚功能区别:单向可控硅缩写为SCR,双向可控硅英文缩写TRIAC。

单向可控硅的引脚符号是K、G、A,其中G极为门极,也是控制极,A极为阳极,K极为阴极。

而双向可控硅的引脚符号是T1、T2、G,其中G为门极,另外两个端子因为可以双向导通,所以不区分阴极和阳极,都是主端子,用T1、T2表示。

其特点是,当G极和T2极相对于T1,的电压均为正时,T2是阳极,T1是阴极。

反之,当G极和T2极相对于T1的电压均为负时,T1变成阳极,T2为阴极。

双向可控硅由于正、反向特性曲线具有对称性,所以它可在任何一个方向导通。

2、工作状态区别:单向可控硅若是用于直流电路,一旦触发信号开通,并保持一定幅度的流通电流的话,可控硅会一直保持开通状态。

除非将电源开断一次,才能使其关断。

若用于交流电路,则在其承受正向电压期间,若接受一个触发信号,则一直保持导通,直到电压过零点到来,因无流通电流而自行关断。

在承受反向电压期间,即使送入触发信号,可控硅也因A、K间电压反向,而保持于截止状态。

双向可控硅第一阳极T1与第二阳极T2间,无论所加电压极性是正向还是反向,只要控制极G和第一阳极T1间加有正负极性不同的触发电压,就可触发导通呈低阻状态。

此时T1、T2间压降也约1V。

双向可控硅一旦导通,即使失去触发电压,也能继续保持导通状态。

只有当第一阳极T1、第二阳极T2电流减小,小于维持电流或T1、T2间当电压极性改变且没有触发电压时,双向可控硅才截断,此时只有重新加触发电压方可导通。

3、应用区别:单向可控硅因为只有阳极电压大于阴极时,在门极加控制电压才会导通,反之截止,这和二极管的单向导电性一样,所以广泛应用于可控整流。

可控硅好坏如何测量

可控硅好坏如何测量

可控硅好坏如何测量 Pleasure Group Office【T985AB-B866SYT-B182C-BS682T-STT18】一、可控硅的特性可控硅分单向可控硅、双向可控硅。

单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。

双向可控硅有第一阳极A1(T1),第二阳极A2(T2)、控制极G三个引出脚。

只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压,同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时,方可被触发导通。

此时A、K间呈低阻导通状态,阳极 A与阴极K间压降约1V。

单向可控硅导通后,控制器G即使失去触发电压,只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压,单向可控硅继续处于低阻导通状态。

只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变(交流过零)时,单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。

单向可控硅一旦截止,即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压,仍需在控制极G 和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。

单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态,用它可制成无触点开关。

双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间,无论所加电压极性是正向还是反向,只要控制极G和第一阳极 A1间加有正负极性不同的触发电压,就可触发导通呈低阻状态。

此时A1、A2间压降也约为1V。

双向可控硅一旦导通,即使失去触发电压,也能继续保持导通状态。

只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小,小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时,双向可控硅才截断,此时只有重新加触发电压方可导通。

二、可控硅的管脚判别晶闸管管脚的判别可用下述方法:先用万用表R*1K挡测量三脚之间的阻值,阻值小的两脚分别为控制极和阴极,所剩的一脚为阳极。

再将万用表置于R*10K挡,用手指捏住阳极和另一脚,且不让两脚接触,黑表笔接阳极,红表笔接剩下的一脚,如表针向右摆动,说明红表笔所接为阴极,不摆动则为控制极。

三、单向可控硅的检测万用表选电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。

双向可控硅)

双向可控硅)

∙ 1.单向可控硅的检测万用表选用电阻R×1档,用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑笔接的引脚为控制极G,红笔接的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。

此时将黑表笔接已判断了的阳极A,红表笔仍接阴极K。

此时万用表指针应不动。

用短接线瞬间短接阳极A和控制极G,此时万用表指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆左右。

如阳极A接黑表笔,阴极K接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。

2.双向可控硅的检测用万用表电阻R×1档,用红黑两表笔分别测任意两引脚正反向电阻,结果其中两组读数为无穷大。

若一组为数十欧姆时,该组红黑表笔所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G,另一空脚即为第二阳极A2。

确定A、G极后,再仔细测量A1、G极间正反向电阻,读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1,红表笔所接引脚为控制极G。

将黑表笔接已确定了的第二阳极A2,红表笔接第一阳极A1,此时万用表指针应不发生偏转,阻值为无穷大。

再用短接线将A2、G极瞬间短接,给G极加上正向触发电压,A2、A1间阻值约为10欧姆左右。

随后断开A2、G极短接线,万用表读数应保持10欧姆左右。

互换红黑表笔接线,红表笔接第二阳极A2,黑表笔接第一阳极A1。

同样万用表指针应不发生偏转,阻值为无穷大。

用短接线将A2、G极间再次瞬间短接,给G极加上负向的触发电压,A1、A2间阻值也是10欧姆左右。

随后断开A2、G极间短接线,万用表读数应不变,保持10欧姆左右。

符合以上规律,说明被测双向可控硅管未损坏且三个引脚极性判断正确。

检测较大功率可控硅管是地,需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池,以提高触发电压。

双向可控硅的设计及应用分析∙引言1958年,从美国通用电气公司研制成功第一个工业用可控硅开始,电能的变换和控制从旋转的变流机组、静止的离子变流器进入以电力半导体器件组成的变流器时代。

单向可控硅与双向可控硅的导通条件及特点

单向可控硅与双向可控硅的导通条件及特点

单向可控硅与双向可控硅的导通条件及特点公司标准化编码 [QQX96QT-XQQB89Q8-NQQJ6Q8-MQM9N]一、单向可控硅工作原理可控硅导通条件:一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压,二是控制极也要加正向电压。

以上两个条件必须同时具备,可控硅才会处于导通状态。

另外,可控硅一旦导通后,即使降低控制极电压或去掉控制极电压,可控硅仍然导通。

可控硅关断条件:降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压,使阳极电流小于最小维持电流以下。

二、单向可控硅的引脚区分对可控硅的引脚区分,有的可从外形封装加以判别,如外壳就为阳极,阴极引线比控制极引线长。

从外形无法判断的可控硅,可用万用表R×100或R×1K挡,测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻,当万用表指示低阻值(几百欧至几千欧的范围)时,黑表笔所接的是控制极G,红表笔所接的是阴极C,余下的一只管脚为阳极A。

三、单向可控硅的性能检测可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。

第一是三个PN结应完好;第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断,不导通;第三是当控制极开路时,阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通;第四是给控制极加上正向电流,给阴极与阳极加正向电压时,可控硅应当导通,把控制极电流去掉,仍处于导通状态。

用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻,就可对前三个方面的好坏进行判断。

具体方法是:用R×1k或R×10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻(控制极不接电压),此两个阻值均应很大。

电阻值越大,表明正反向漏电电流愈小。

如果测得的阻值很低,或近于无穷大,说明可控硅已经击穿短路或已经开路,此可控硅不能使用了。

用R×1k或R×10k挡测阳极与控制极之间的电阻,正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。

用R×1k或R×100挡,测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右,如出现正向阻值接近于零值或为无穷大,表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。

可控硅判断好坏

可控硅判断好坏
2. 单向可控硅的检测。
万用表选电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A,红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短线瞬间短接阳极A和控制极G,此时万用表电阻挡指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔,阴极K接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。
双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间,无论所加电压极性是正向还是反向,只要控制极G和第一阳极A1间加有正负极性不同的触发电压,就可触发导通呈低阻状态。此时A1、A2间压降也约为1V。双向可控硅一旦导通,即使失去触发电压,也能继续保持导通状态。只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小,小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时,双向可控硅才截断,此时只有重新加触发电压方可导通。
3. 双向可控硅的检测。
用万用表电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻,结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时,该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G,另一空脚即为第二阳极A2。确定A1、G极后,再仔细测量A1、G极间正、反向电阻,读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1,红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定的第二阳极A2,红表笔接第一阳极A1,此时万用表指针不应发生偏转,阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极瞬间短接,给G极加上正向触发电压,A2、A1间阻值约10欧姆左右。随后断开A2、G间短接线,万用表读数应保持10欧姆左右。互换红、黑表笔接线,红表笔接第二阳极A2,黑表笔接第一阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转,阻值为无穷大。用短接线将A2、G极间再次瞬间短接,给G极加上负的触发电压,A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线,万用表读数应不变,保持在10欧姆左右。符合以上规律,说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。
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一、单向可控硅工作原理
可控硅导通条件:一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压,二是控制极也要加正向电压。

以上两个条件必须同时具备,可控硅才会处于导通状态。

另外,可控硅一旦导通后,即使降低控制极电压或去掉控制极电压,可控硅仍然导通。

可控硅关断条件:降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压,使阳极电流小于最小维持电流以下。

二、单向可控硅的引脚区分
对可控硅的引脚区分,有的可从外形封装加以判别,如外壳就为阳极,阴极引线比控制极引线长。

从外形无法判断的可控硅,可用万用表R×100或R×1K挡,测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻,当万用表指示低阻值(几百欧至几千欧的范围)时,黑表笔所接的是控制极G,红表笔所接的是阴极C,余下的一只管脚为阳极A。

三、单向可控硅的性能检测
可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。

第一是三个PN结应完好;第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断,不导通;第三是当控制极开路时,阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通;第四是给控制极加上正向电流,给阴极与阳极加正向电压时,可控硅应当导通,把控制极电流去掉,仍处于导通状态。

用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻,就可对前三个方面的好坏进行判断。

具体方法是:用R×1k或R×10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻(控制极不接电压),此两个阻值均应很大。

电阻值越大,表明正反向漏电电流愈小。

如果测得的阻值很低,或近于无穷大,说明可控硅已经击穿短路或已经开路,此可控硅不能使用了。

用R×1k或R×10k挡测阳极与控制极之间的电阻,正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。

用R×1k或R×100挡,测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右,如出现正向阻值接近于零值或为无穷大,表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。

反向阻值应很大,但不能为无穷大。

正常情况是反向阻值明显大于正向阻值。

万用表选电阻R×1挡,将黑表笔接阳极,红表笔仍接阴极,此时万用表指针应不动。

红表笔接阴极不动,黑表笔在不脱开阳极的同时用表笔尖去瞬间短接控制极,此时万用表电阻挡指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆左右。

如阳极接黑表笔,阴极接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。

四、可控硅的使用注意事项
选用可控硅的额定电压时,应参考实际工作条件下的峰值电压的大小,并留出一定的余量。

1、选用可控硅的额定电流时,除了考虑通过元件的平均电流外,还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。

在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。

2、使用可控硅之前,应该用万用表检查可控硅是否良好。

发现有短路或断路现象时,应立即
更换。

3、严禁用兆欧表(即摇表)检查元件的绝缘情况。

4、电流为5A以上的可控硅要装散热器,并且保证所规定的冷却条件。

为保证散热器与可控硅管心接触良好,它们之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂,以帮于良好的散热。

5、按规定对主电路中的可控硅采用过压及过流保护装置。

6、要防止可控硅控制极的正向过载和反向击穿。

双向可控硅的工作原理
1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成
当阳极A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态。

此时,如果从控制极G输入一个正向触发信号,BG2便有基流ib2流过,经BG2放大,其集电极电流ic2=β2ib2。

因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连,所以ib1=ic2。

此时,电流ic2再经BG1放大,于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。

这个电流又流回到BG2的基极,表成正反馈,使ib2不断增大,如此正向馈循环的结果,两个管子的电流剧增,可控硅使饱和导通。

由于BG1和BG2所构成的正反馈作用,所以一旦可控硅导通后,即使控制极G的电流消失了,可控硅仍然能够维持导通状态,由于触发信号只起触发作用,没有关断功能,所以这种可控硅是不可关断的。

由于可控硅只有导通和关断两种工作状态,所以它具有开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化
2,触发导通
在控制极G上加入正向电压时(见图5)因J3正偏,P2区的空穴时入N2区,N2区的电子进入P2区,形成触发电流IGT。

在可控硅的内部正反馈作用(见图2)的基础上,加上IGT 的作用,使可控硅提前导通,导致图3的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。

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