BT152单向可控硅
简单粗暴--5分钟搞定可控硅电路应用
简单粗暴--5分钟搞定可控硅电路应用可控硅对于电子工程师来说是个重要的元器件，对于一个合格的硬件工程师来说，必须要掌握可控硅的电路设计。
可控硅在各个领域应用广泛，常用来做各种大功率负载的开关。
相比继电器，可控硅有很多优势，继电器在开关动作时会产生电火花，在某些工业环境由于安全原因这是不允许的，继电器在开关动作时触点会发生氧化，影响继电器寿命，而这些缺点可控硅都能避免。
可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR，可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。
双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。
双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。
其通断状态由控制极G决定。
在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。
单向可控硅工作原理单向可控硅的电流是从阳极流向阴极，交流电过零点时截止，如图交流电的负半周时，单向可控硅是不导通的，在正半周时，只有控制栅极有触发信号时，可控硅才导通。
双向可控硅工作原理双向可控硅的电流能从T1极流向T2极,也能从T2极流向T1极，交流电过零点时截止，只有控制栅极有正向或负向的触发信号时，可控硅才导通。
接下来我们讲解下使用最多的双向可控硅的一些电路应用上图中，VCC和交流电其中一端是连接在一起的，这样就能保证单片机是输出低电平信号触发可控硅，这样可控硅触发工作在第3象限，上图中避免可控硅触发使用高电平信号，避免可控硅触发工作在第4象限。
若运行在第4象限由于双向可控硅的内部结构，门极离主载流区域较远，导致需要更高的Igt,由Ig 触发到负载电流开始流动，两者之间迟后时间较长,导致要求Ig 维持较长时间,另外一个缺点就是会导致低得多的 dIT/dt 承受能力，若控制负载具有高dI/dt 值（例如白炽灯的冷灯丝），门极可能发生强烈退化。
查阅可控硅BT134器件规格书，也明确说明触发工作在第4象限，Igt需求更大。
双向可控硅的工作原理及原理图
双向可控硅的工作原理及原理图双向可控硅（Bilateral Triode Thyristor，简称BTT）是一种特殊的可控硅器件，其工作原理和应用领域在电力电子领域具有重要意义。
本文将详细介绍双向可控硅的工作原理，并提供相应的原理图。
一、双向可控硅的工作原理双向可控硅是一种四层PNPN结构的半导体器件。
它由两个PN结组成，每个PN结都有一个控制极和一个主极。
其工作原理如下：1. 静态工作原理：当双向可控硅两个主极之间的电压为正向时，即正向工作状态，两个PN结之间的结电容会阻碍电流的流动，双向可控硅处于关断状态。
当双向可控硅两个主极之间的电压为反向时，即反向工作状态，两个PN结之间的结电容充电，当电压达到一定的阈值时，双向可控硅会进入导通状态。
2. 动态工作原理：当双向可控硅处于导通状态时，只有当两个主极之间的电流方向与PN结的导通方向一致时，双向可控硅才能正常导通。
当双向可控硅导通后，只有当两个主极之间的电流方向与PN结的导通方向相反时，双向可控硅才能正常关断。
二、双向可控硅的原理图下面是一种常见的双向可控硅的原理图，用于说明其电路连接方式和控制方式。
```+----|>|----|>|----+| || || |+----|<|----|<|----+```在上述原理图中，两个箭头表示双向可控硅的两个主极，箭头方向表示电流的流动方向。
两个箭头之间的线段表示PN结。
三、双向可控硅的应用领域双向可控硅由于其双向导通的特性，在电力电子领域有广泛的应用。
以下是一些常见的应用领域：1. 交流电控制：双向可控硅可以用于交流电的控制，例如交流电的调光、电机的调速等。
2. 电力系统：双向可控硅可以用于电力系统中的电压和电流控制，例如电力调度、电力传输等。
3. 电力电子变换器：双向可控硅可以用于电力电子变换器中的电流控制，例如直流-交流变换器、交流-直流变换器等。
4. 光伏发电系统：双向可控硅可以用于光伏发电系统中的电流控制，例如光伏逆变器、光伏充电控制器等。
可控硅资料及工作原理和测试方法
可控硅資料/及工作原理和測試方法BTA06-400BW 6A 400V 50mA TO-220AB BTA06-400C 6A 400V 25mA TO-220ABBTA06-400CW 6A 400V 35mA TO-220AB BTA06-400TW 6A 400V 5mA TO-220AB BTA06-400E 6A 400V 5~10mA TO-220AB BTA06-400D 6A 400V 1~5mA TO-220AB BTA06-400SAP 6A 400V 5~10mA TO-220 BTA06-600B 6A 600V 35~50mA TO-220AB BTA06-600BW 6A 600V 50mA TO-220AB BTA06-600C 6A 600V 25mA TO-220ABBTA06-600CW 6A 600V 35mA TO-220A BTA06-600SW 6A 600V 10mA TO-220AB BTA06-600TW 6A 600V 5mA TO-220AB BTA06-600E 6A 600V 5~10mA TO-220AB BTA06-600D 6A 600V 1~5mA TO-220AB BTA06-600SAP 6A 600V 5~10mA TO-220AB BTA06-700B 6A 700V 35~50mA TO-220AB BTA06-700BW 6A 700V 50mA TO-220ABBTA06-700C 6A 700V 25mA TO-220AB BTA06-700CW 6A 700V 35mA TO-220AB BTA06-700SW 6A 700V 10mA TO-220AB BTA06-700TW 6A 700V 5mA TO-220AB BTA06-700E 6A 700V 5~10mA TO-220AB BTA06-700D 6A 700V 1~5mA TO-220AB BTA06-700SAP 6A 700V 5~10mA TO-220AB BTA06-800B 6A 800V 35~50mA TO-220AB BTA06-800BW 6A 800V 50mA TO-220AB BTA06-800C 6A 800V 25mA TO-220AB BTA06-800CW 6A 800V 35mA TO-220AB BTA06-800SW 6A 800V 10mA TO-220AB BTA06-800TW 6A 800V 5mA TO-220AB BTA06-800E 6A 800V 5~10mA TO-220AB BTA06-800D 6A 800V 1~5mA TO-220AB BTA06-800SAP 6A 800V 5~10mA TO-220AB BTB06-400B 6A 400V 35~50mA TO-220A BTB06-400BW 6A 400V 50mA TO-220AB BTB06-400C 6A 400V 25mA TO-220ABBTB06-400SW 6A 400V 10mA TO-220AB BTB06-400TW 6A 400V 5mA TO-220AB BTB06-400E 6A 400V 5~10mA TO-220AB BTB06-400D 6A 400V 1~5mA TO-220AB BTB06-400SAP 6A 400V 5~10mA TO-220AB BTB06-600B 6A 600V 35~50mA TO-220A BTB06-600BW 6A 600V 50mA TO-220AB BTB06-600C 6A 600V 25mA TO-220AB BTB06-600CW 6A 600V 35mA TO-220AB BTB06-600SW 6A 600V 10mA TO-220AB BTB06-600TW 6A 600V 5mA TO-220AB BTB06-600E 6A 600V 5~10mA TO-220BTB06-600D 6A 600V 1~5mA TO-220AB BTB06-600SAP 6A 600V 5~10mA TO-220AB BTB06-700B 6A 700V 35~50mA TO-220AB BTB06-700BW 6A 700V 50mA TO-220AB BTB06-700C 6A 700V 25mA TO-220AB BTB06-700CW 6A 700V 35mA TO-220ABBTB06-700TW 6A 700V 5mA TO-220AB BTB06-700E 6A 700V 5~10mA TO-220AB BTB06-700D 6A 700V 1~5mA TO-220AB BTB06-700SAP 6A 700V 5~10mA TO-220AB BTB06-800B 6A 800V 35~50mA TO-220AB BTB06-800BW 6A 800V 50mA TO-220AB BTB06-800C 6A 800V 25mA TO-220AB BTB06-800CW 6A 800V 35mA TO-220AB BTB06-800SW 6A 800V 10mA TO-220AB BTB06-800TW 6A 800V 5mA TO-220AB BTB06-800E 6A 800V 5~10mA TO-220AB BTB06-800D 6A 800V 1~5mA TO-220AB BTB06-800SAP 6A 800V 5~10mA TO-220ABBTA08-400B 8A 400V 35~50mA TO-220AB BTA08-400BW 8A 400V 50mA TO-220AB BTA08-400C 8A 400V 25mA TO-220AB BTA08-400CW 8A 400V 35mA TO-220ABBTA08-400TW 8A 400V 5mA TO-220AB BTA08-400E 8A 400V 5~10mA TO-220AB BTA08-400D 8A 400V 1~5mA TO-220AB BTA08-400SAP 8A 400V 5~10mA TO-220AB BTA08-600B 8A 600V 35~50mA TO-220AB BTA08-600BW 8A 600V 50mA TO-220AB BTA08-600C 8A 600V 25mA TO-220AB BTA08-600CW 8A 600V 35mA TO-220AB BTA08-600SW 8A 600V 10mA TO-220AB BTA08-600TW 8A 600V 5mA TO-220AB BTA08-600E 8A 600V 5~10mA TO-220AB BTA08-600D 8A 600V 1~5mA TO-220AB BTA08-600SAP 8A 600V 5~10mA TO-220AB BTA08-700B 8A 700V 35~50mA TO-220AB BTA08-700BW 8A 700V 50mA TO-220AB BTA08-700C 8A 700V 25mA TO-220AB BTA08-700CW 8A 700V 35mA TO-220AB BTA08-700SW 8A 700V 10mA TO-220ABBTA08-700E 8A 700V 5~10mA TO-220AB BTA08-700D 8A 700V 1~5mA TO-220AB BTA08-700SAP 8A 700V 5~10mA TO-220AB BTA08-800B 8A 800V 35~50mA TO-220AB BTA08-800BW 8A 800V 50mA TO-220AB BTA08-800C 8A 800V 25mA TO-220ABBTA08-800CW 8A 800V 35mA TO-220AB BTA08-800SW 8A 800V 10mA TO-220AB BTA08-800TW 8A 800V 5mA TO-220AB BTA08-800E 8A 800V 5~10mA TO-220AB BTA08-800D 8A 800V 1~5mA TO-220AB BTA08-800SAP 8A 800V 5~10mA TO-220A BTA08-1000B 8A 1000V 35~50mA TO-220AB BTA08-1000BW 8A 1000V 50mA TO-220AB BTA08-1000C 8A 1000V 25mA TO-220AB BTA08-1000CW 8A 1000V 35mA TO-220AB BTA08-1000SW 8A 1000V 10mA TO-220AB BTA08-1000TW 8A 1000V 5mA TO-220ABBTA08-1000E 8A 1000V 5~10mA TO-220AB BTA08-1000D 8A 1000V 1~5mA TO-220AB BTA08-1000SAP 8A 1000V 5~10mA TO-220AB BTB08-400B 8A 400V 35~50mA TO-220AB BTB08-400BW 8A 400V 50mA TO-220AB BTB08-400C 8A 400V 25mA TO-220ABBTB08-400CW 8A 400V 35mA TO-220AB BTB08-400SW 8A 400V 10mA TO-220ABBTB08-400TW 8A 400V 5mA TO-220ABBTB08-400E 8A 400V 5~10mA TO-220ABTB08-400D 8A 400V 1~5mA TO-220ABBTB08-400SAP 8A 400V 5~10mA TO-220AB BTB08-600B 8A 600V 35~50mA TO-220A BTB08-600BW 8A 600V 50mA TO-220AB BTB08-600C 8A 600V 25mA TO-220ABBTB08-600CW 8A 600V 35mA TO-220AB BTB08-600SW 8A 600V 10mA TO-220ABBTB08-600TW 8A 600V 5mA TO-220ABBTB08-600E 8A 600V 5~10mA TO-220ABBTB08-600D 8A 600V 1~5mA TO-220AB BTB08-600SAP 8A 600V 5~10mA TO-220AB BTA10-400B 10A 400V 35~50mA TO-220AB BTA12-400B 12A 400V 35~50mA TO-220AB BTA16-400B 16A 400V 35~50mA TO-220AB BTA20-400B 20A 400V 35~50mA TO-220AB BTA24-600B 25A 600V 35~50mA TO-220ABBTA25-600B 25A 600V 35~50mA TO-220AB BTA25-600BW 25A 600V 50mA TO-220AB BTA26-600B 25A 600V 35~50mA TO-220AB BTA40-600B 40A 600V 35~50mA BTW67 BTA40-600BW 40A 600V 50mA BTW67 BTA41-600B 40A 600V 35~50mA BTW67 BTA41-600BW 40A 600V 50mA BTW67 HBT131A 1A 600V 3~7mA TO-92HBT131CA 1A 600V 3~5mA TO-92HBT131GA 1A 800V 3~5mA TO-92HBT134CI 4A 600V 5~10mA TO-251HBT134DI 4A 600V 5~10mA TO-251 HBT134GI 4A 800V 5~10mA TO-251 HBT134HI 4A 600V 5~10mA TO-251 HBT134NE 4A 600V 10~25mA SOT-82 HBT134I 4A 600V 10~25mA TO-251HBT134CNE 4A 600V 5~10mA SOT-82 HBT134DNE 4A 600V 5~10mA SOT-82 HBT134GNE 4A 800V 5~10mA SOT-82 HBT134HNE 4A 800V 5~10mA SOT-82 HBT136AE 4A 600V 10mA TO-220AB HBT204I 4A 600V 10mA TO-251HBT204E 4A 600V 15mA TO-220ABHBT136AE 4A 600V 10~25mA TO-220AB HBT136AHE 4A 600V 5~10mA TO-220AB HBT136BE 6A 600V 10~25mA TO-220AB HBT137E 8A 600V 10~25mA TO-220AB HBT137DE 8A 600V 25mA TO-220AB HBT138E 8A 600V 10~25mA TO-220AB HBT152 20A 800V 32mA TO-220ABHBT169 0.8A 400V 200uA TO-92HBT169M 0.8A 400V 200uA SOT-8可控硅相当于可以控制的二极管，当控制极加一定的电压时，阴极和阳极就导通了。
单双向可控硅的检测方法大全
如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。
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双 向：Bi-directional (取第一个字母)
三 端：Triode (取第一个字母)
Hale Waihona Puke 2．区分G极和T1极 (1)找出T2极之后，首先假定剩下两脚中某一脚为Tl极，另一脚为G极。
(2)把黑表笔接T1极，红表笔接T2极，电阻为无穷大。接着用红表笔尖把T2与G短路，给G 极加上负触发信号，电阻值应为十欧左右(参见图4(a))，证明管子已经导通，导通方向为T1一T2。再将红表笔尖与G极脱开(但仍接T2)，若电阻值保持不变，证明管子在触发之后能维持导通状态(见图4(b))。
检测方法
下面介绍利用万用表RX1档判定双向晶闸管电极的方法，同时还检查触发能力。
1.判定T2极
由图2可见，G极与T1极靠近，距T2极较远。因此，G—T1之间的正、反向电阻都很小。在肦 Xl档测任意两脚之间的电阻时，只有在G-T1之间呈现低阻，正、反向电阻仅几十欧，而T2-G、T2-T1之间的正、反向电阻均为无穷大。这表明，如果测出某脚和其他两脚都不通，就肯定是T2极。 ，另外，采用TO—220封装的双向晶闸管，T2极通常与小散热板连通，据此亦可确定T2极。
双向可控硅参数符号
晶闸管(可控硅)的管脚判别 晶闸管管脚的判别可用下述方法： 先用万用表R*1K挡测量三脚之间的阻值，阻值小的两脚分别为控制极和阴极，所剩的一脚为阳极。再将万用表置于R*10K挡，用手指捏住阳极和另一脚，且不让两脚接触，黑表笔接阳极，红表笔接剩下的一脚，如表针向右摆动，说明红表笔所接为阴极，不摆动则为控制极。
bta20可控硅参数
bta20可控硅参数摘要：一、可控硅概述二、可控硅的分类与性能三、可控硅的参数四、可控硅的应用五、总结正文：一、可控硅概述可控硅（Silicon Controlled Rectifier，简称SCR）是一种四层三端的半导体器件，具有电压控制的开关特性。
它有阳极（Anode，A）、阴极（Cathode，K）和控制极（Gate，G）三个端子。
可控硅主要用于交流电路中的整流、交直流转换、逆变等，可以实现对电压、电流的控制，从而控制电气设备的功率输出。
二、可控硅的分类与性能1.按结构分类：可分为单相可控硅、三相可控硅。
2.按电压等级分类：可分为低压可控硅（小于600V）、中压可控硅（600V-3000V）和高压可控硅（大于3000V）。
3.按电流等级分类：可分为小功率可控硅（小于100A）、中功率可控硅（100A-1000A）和大功率可控硅（大于1000A）。
4.可控硅的性能：可控硅具有高耐压、高电流、低功耗、长寿命、高可靠性等特点。
三、可控硅的参数1.正向阻断电压：可控硅导通时，需要施加的最低电压，使得可控硅正常导通。
2.正向峰值电流：可控硅可以承受的最大正向电流。
3.反向耐压：可控硅所能承受的最高反向电压。
4.控制灵敏度：可控硅控制极电压变化与阳极电流之间的关系。
5.开关速度：可控硅从导通到阻断，或从阻断到导通的时间。
四、可控硅的应用1.电源电路：可控硅广泛应用于交流电源、直流电源、变压器等领域，实现电源的整流、逆变等功能。
2.工业控制：可控硅用于工业控制系统中，实现对电机、加热设备等电气设备的控制。
3.家电领域：可控硅应用于电视机、洗衣机、空调等家用电器中，实现电源转换、电机控制等功能。
4.通信设备：可控硅在通信设备中用于电源管理、信号处理等模块。
五、总结可控硅作为一种重要的半导体器件，在电子电路中具有广泛的应用。
了解可控硅的分类、性能和参数，对我们分析和应用可控硅具有重要意义。
在实际应用中，根据电路需求选择合适参数的可控硅，可以确保电气设备的稳定运行。
BT152-TN1210 可控硅、晶闸管
Ｓｈａｎｇｈａｉ ＷａｎＸｉｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ａｎｄ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｃｏ．．Ｌｔｄ
○产品特征: LGT一致性好 耐电流冲击能力强特点, 具有较高的温度稳定性.
○器件线路符号:
BT152/TN1210
○产品极限参数(除非另有规定, TCASE=25℃)
参数名称
符号
IGT
≤25
门极触发电压 VD=12V RL=30Ω
VGT
≤1.3
门极不触发电压
VD=VDRM, Tj=125℃, RGK=1KΩ
VGD
≥0.25
断态电压临界上升率 VD=2/3VDRM Tj=125℃ 门极开路
dv/dt ≥200
单位 V μA mA μA mA mA mA mA
V
V
V/μS
门极峰值电流
IGM
门极平均功率
PG(AV)
数值 -40～125 -40～150
600V 600V
20 12 200 220 200
100
5 0.5
单位 ℃ ℃
A A A A2S A/μs A W
○产品电性能(除非另有规定, TCASE=25℃)
特性和测试条件
符号
数值
通态峰值电流 It=40A, TP=380μS
VTM ≤1.7
断态峰值电流 TC=25℃
VD=VDRM,
TC=125℃
反向峰值电流 TC=25℃
VR=VRRM
TC=125℃
维持电流
IT=100mA
擎住电流
IG=1.2IGT
门极触发电流
VD=12V RL=30Ω
IDRM1 IDRM2 IRRM1 IRRM2 IH
双向可控硅的工作原理
双向可控硅的⼯作原理双向可控硅的⼯作原理BT137 800E 8A 800V TO-220中间为阳极A，左边为阴极K，右边为控制极GBTA41 800B 41A 800V TO-3P左边为阳极A，中间为阴极K，右边为控制极GBTA24-1200B左边为阳极A，中间为阴极K，右边为控制极G可调电炉原理：从中间阳极A进，通过电阻，从电位器下进，中间出，（1、进⼊电容。
2、进另⼀电阻，⾄控制极G，控制阴极输出）。
1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由⼀个PNP管和⼀个NPN管所组成当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放⼤状态。
此时，如果从控制极G输⼊⼀个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放⼤，其集电极电流ic2=β2ib2。
因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。
此时，电流ic2再经BG1放⼤，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。
这个电流⼜流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增⼤，如此正向馈循环的结果，两个管⼦的电流剧增，可控硅使饱和导通。
由于BG1和BG2所构成的正反馈作⽤，所以⼀旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作⽤，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。
由于可控硅只有导通和关断两种⼯作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要⼀定的条件才能转化2,触发导通在控制极G上加⼊正向电压时（见图5）因J3正偏，P2区的空⽳时⼊N2区，N2区的电⼦进⼊P2区，形成触发电流IGT。
在可控硅的内部正反馈作⽤（见图2）的基础上，加上IGT的作⽤，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性OA段左移，IGT越⼤，特性左移越快。
⼀、可控硅的概念和结构？晶闸管⼜叫可控硅。
⾃从20世纪50年代问世以来已经发展成了⼀个⼤的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。
可控硅型号参数BT
PHILIPS 体继电器、相位控 0.6 制和小功率交流电 风扇速度控制 逻辑电平可控硅， 用于通用开关、固
600
BT1308-400D
PHILIPS 体继电器、相位控 0.8 制和小功率交流电 风扇速度控制
400
逻辑电平可控硅， 用于通用开关、固 BT1308-600D PHILIPS 体继电器、相位控 0.8 制和小功率交流电 风扇速度控制 逻辑电平可控硅， 用于通用开关、固 BT131 系列 PHILIPS 体继电器、相位控 1 制和小功率交流电 风扇速度控制 逻辑电平可控硅， 用于通用开关、固 BT132 系列 PHILIPS 体继电器、相位控 1 制和小功率交流电 风扇速度控制 可控硅，用于通用 开关、 固体继电器、 BT134 系列 PHILIPS 相位控制和小功率 4 交流电风扇速度控 制 可控硅，用于通用 开关、 固体继电器、 BT136-500 PHILIPS 相位控制和小功率 4 交流电风扇速度控 制 可控硅，用于通用 开关、 固体继电器、 BT136-500D PHILIPS 相位控制和小功率 4 交流电风扇速度控 制 可控硅，用于通用 开关、 固体继电器、 BT136-500E PHILIPS 相位控制和小功率 4 交流电风扇速度控 制 可控硅，用于通用 开关、 固体继电器、 BT136-500F PHILIPS 相位控制和小功率 4 交流电风扇速度控 制 可控硅，用于通用 BT136-500G PHILIPS 开关、 固体继电器、 4 相位控制和小功率 50m 1.5 70m 1.5 25m 1.5 10m 1.5 70m 1.5 500-800 500-600 0.4 0.7 500-600 600
可控硅，用于通用 开关、 固体继电器、 BT139-600G PHILIPS 相位控制和小功率 16 交流电风扇速度控 制 可控硅，用于通用 开关、 固体继电器、 BT139-800 PHILIPS 相位控制和小功率 16 交流电风扇速度控 制 可控硅，用于通用 开关、 固体继电器、 BT139-800E PHILIPS 相位控制和小功率 16 交流电风扇速度控 制 可控硅，用于通用 开关、 固体继电器、 BT139-800F PHILIPS 相位控制和小功率 16 交流电风扇速度控 制 可控硅，用于通用 开关、 固体继电器、 BT139 系列 PHILIPS 相位控制和小功率 16 交流电风扇速度控 制 可控硅，用于通用 开关、 固体继电器、 BT145 系列 PHILIPS 相位控制和小功率 16 交流电风扇速度控 制 可控硅，用于通用 开关、 固体继电器、 BT148 系列 PHILIPS 相位控制和小功率 2.5 交流电风扇速度控 制 逻辑电平可控硅， 用于通用开关、固 BT149A PHILIPS 体继电器、相位控 制和小功率交流电 风扇速度控制 逻辑电平可控硅， BT149B PHILIPS 用于通用开关、固 体继电器、相位控 200m 200m 400-600 500-800 500-800 25m 1.5 10m 1.5 35m 1.5 50m 1.5
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GENERAL DESCRIPTIONQUICK REFERENCE DATAGlass passivated thyristors in a plastic SYMBOL PARAMETERMAX.MAX.MAX.UNIT envelope,intended for use in applications requiring high BT152-400R 600R 800R bidirectional blocking voltage V DRM ,Repetitive peak off-state 450650800V capability and high thermal cycling V RRM voltagesperformance.Typical applications I T(AV)Average on-state current 131313A include motor control,industrial and I T(RMS)RMS on-state current202020A domestic lighting,heating and static I TSMNon-repetitive peak on-state 200200200Aswitching.currentPINNING - TO220ABPIN CONFIGURATIONSYMBOLLIMITING VALUESLimiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).SYMBOL PARAMETERCONDITIONSMIN.MAX.UNIT -400R -600R -800R V DRM Repetitive peak off-state -45016501800V voltagesI T(AV)Average on-state current half sine wave; T mb ≤ 103 ˚C -13A I T(RMS)RMS on-state current all conduction angles-20A I TSMNon-repetitive peak half sine wave; T j = 25 ˚C prior to on-state currentsurge t = 10 ms -200A t = 8.3 ms -220A I 2t I 2t for fusingt = 10 ms-200A 2s dI T /dt Repetitive rate of rise of I TM = 50 A; I G = 0.2 A;-200A/µs on-state current after dI G /dt = 0.2 A/µs triggeringI GM Peak gate current -5A V GM Peak gate voltage-5V V RGM Peak reverse gate voltage -5V P GM Peak gate power -20W P G(AV)Average gate power over any 20 ms period -0.5W T stg Storage temperature -40150˚C T jOperating junction -125˚Ctemperature1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the thyristor may switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 15 A/µs.THERMAL RESISTANCESSYMBOL PARAMETERCONDITIONSMIN.TYP.MAX.UNIT R th j-mb Thermal resistance-- 1.1K/W junction to mounting base R th j-aThermal resistance in free air -60-K/Wjunction to ambientSTATIC CHARACTERISTICST j = 25 ˚C unless otherwise stated SYMBOL PARAMETER CONDITIONSMIN.TYP.MAX.UNIT I GT Gate trigger current V D = 12 V; I T = 0.1 A -332mA I L Latching current V D = 12 V; I GT = 0.1 A -2580mA I H Holding current V D = 12 V; I GT = 0.1 A -1560mA V T On-state voltage I T = 40 A- 1.4 1.75V V GT Gate trigger voltage V D = 12 V; I T = 0.1 A-0.6 1.5V V D = V DRM(max); I T = 0.1 A; T j = 125 ˚C 0.250.4-V I D , I ROff-state leakage currentV D = V DRM(max); V R = V RRM(max); T j = 125 ˚C-0.21.0mADYNAMIC CHARACTERISTICST j = 25 ˚C unless otherwise stated SYMBOL PARAMETER CONDITIONSMIN.TYP.MAX.UNIT dV D /dt Critical rate of rise of V DM = 67% V DRM(max); T j = 125 ˚C;200300-V/µs off-state voltageexponential waveform gate open circuit t gt Gate controlled turn-on V D = V DRM(max); I G = 0.1 A; dI G /dt = 5 A/µs;-2-µs timeI TM = 40 At qCircuit commutated V D = 67% V DRM(max); T j = 125 ˚C;-70-µsturn-off timeI TM = 50 A; V R = 25 V; dI TM /dt = 30 A/µs;dV D /dt = 50 V/µs; R GK = 100 ΩMECHANICAL DATANotes1. Refer to mounting instructions for TO220 envelopes.2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".DEFINITIONSData sheet statusObjective specification This data sheet contains target or goal specifications for product development. Preliminary specification This data sheet contains preliminary data; supplementary data may be published later. Product specification This data sheet contains final product specifications.Limiting valuesLimiting values are given in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). Stress above one or more of the limiting values may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only and operation of the device at these or at any other conditions above those given in the Characteristics sections of this specification is not implied. Exposure to limiting values for extended periods may affect device reliability. Application informationWhere application information is given, it is advisory and does not form part of the specification.© Philips Electronics N.V. 1997All rights are reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior written consent of the copyright owner.The information presented in this document does not form part of any quotation or contract, it is believed to be accurate and reliable and may be changed without notice. No liability will be accepted by the publisher for any consequence of its use. Publication thereof does not convey nor imply any license under patent or other industrial or intellectual property rights.LIFE SUPPORT APPLICATIONSThese products are not designed for use in life support appliances, devices or systems where malfunction of these products can be reasonably expected to result in personal injury. Philips customers using or selling these products for use in such applications do so at their own risk and agree to fully indemnify Philips for any damages resulting from such improper use or sale.This datasheet has been download from: Datasheets for electronics components.。