LED发光二极管工作原理

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LED发光二极管原理(图文)讲解学习

LED发光二极管原理(图文)讲解学习

LED发光二极管原理(图文)半导体发光器件包括半导体发光二极管(简称LED)、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏(简称矩阵管)等。

事实上,数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。

一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用(一)LED发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。

因此它具有一般P-N结的I-N特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。

此外,在一定条件下,它还具有发光特性。

在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P 区注入N区。

进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光,如图1所示。

假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。

除了这种发光复合外,还有些电子被非发光中心(这个中心介于导带、介带中间附近)捕获,而后再与空穴复合,每次释放的能量不大,不能形成可见光。

发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大,光量子效率越高。

由于复合是在少子扩散区内发光的,所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。

理论和实践证明,光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关,即λ≈1240/Eg(mm)式中Eg的单位为电子伏特(eV)。

若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光),半导体材料的Eg应在3.26~1.63eV之间。

比红光波长长的光为红外光。

现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管,但其中蓝光二极管成本、价格很高,使用不普遍。

(二)LED的特性1.极限参数的意义(1)允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。

超过此值,LED发热、损坏。

(2)最大正向直流电流IFm:允许加的最大的正向直流电流。

超过此值可损坏二极管。

(3)最大反向电压VRm:所允许加的最大反向电压。

led灯的工作原理

led灯的工作原理

led灯的工作原理
LED灯的工作原理是基于半导体材料的发光现象。

LED是英
文Light Emitting Diode(发光二极管)的缩写。

它由两种半导体材料P型和N型材料组成,这两种材料之间形成PN结,当施加正向电压时,正向电流从P端流向N端,同时电子从N
端向P端流动。

当电子和空穴在PN结的接触处重新组合时,会产生能量,能
量以光子的形式释放出来,即产生光。

LED的发光颜色取决
于使用的半导体材料和能带结构,不同的材料和结构产生不同的光谱。

LED灯工作时,通过在电路中加入适当的限流电阻,以控制
电流的大小,使LED能够正常发光并避免过流损坏。

此外,LED对温度比较敏感,过高的温度会影响其发光效果和寿命,因此一般会在LED灯的设计中考虑散热问题。

LED灯具有节能、寿命长、发光效果好、颜色饱满等优点,
因此在照明行业得到广泛应用。

led发光工作原理

led发光工作原理

led发光工作原理
LED(Light Emitting Diode),即发光二极管,是一种能够将
电能转化为光能的电子器件。

LED的发光工作原理主要包括
晶体管效应和发射辐射效应。

1. 晶体管效应:LED是由半导体材料构成的,最常用的是砷
化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)等。

在材料中,掺杂有少量
的杂质,形成了N型和P型区域。

当施加电压使两个区域连
接时,会形成一个PN结。

在正向偏置时,电子从N型区域向
P型区域迁移,空穴从P型区域向N型区域迁移。

当电子与空穴在PN结相遇时,会发生复合作用,电子的能量以光子的形
式释放出来,产生光。

2. 发射辐射效应:在发光的过程中,与材料内部不受控制的复合作用相对应,还有受控制的辐射作用。

当电子从N型区域
向P型区域迁移时,由于PN结的特殊结构和材料的能带结构,使得电子的能级会降低,形成能带差。

当电子与空穴结合时,电子的能级下降,动能减小,能级差会以光子的形式释放出来,产生发光。

总结来说,LED的发光工作原理基于半导体材料的PN结特性,在正向电压下,电子和空穴在PN结相遇并复合时会释放能量,产生光。

同时,由于材料的能带结构,电子在向P型区域迁
移的过程中会产生受控制的辐射作用,形成发射辐射效应。

这两个效应共同作用,使LED能够实现高效的发光,成为一种
常见的光源。

发光二极管的原理

发光二极管的原理

发光二极管的原理发光二极管(Light Emitting Diode,LED)是一种半导体器件,它能够将电能转化为光能,因此在现代电子产品中得到了广泛的应用。

发光二极管的原理是基于半导体材料的特性以及PN结的电子结构。

在发光二极管中,当电流通过PN结时,电子和空穴会发生复合,从而释放出能量,产生光线。

下面将详细介绍发光二极管的原理。

首先,我们来看一下半导体材料的特性。

半导体是介于导体和绝缘体之间的一类材料,它的导电性介于导体和绝缘体之间。

在半导体中,电子和空穴是主要的载流子,它们的运动和复合导致了半导体的导电特性。

当在半导体中引入杂质原子时,就会形成N型和P型半导体。

N型半导体中主要载流子是自由电子,而P型半导体中主要载流子是空穴。

其次,发光二极管是由N型和P型半导体材料构成的。

在发光二极管中,N型半导体和P型半导体通过PN结相连。

当在PN结两侧加上正向电压时,电子从N型半导体迁移到P型半导体,同时空穴从P型半导体迁移到N型半导体,导致PN结两侧形成电子和空穴的复合。

这种电子和空穴的复合会释放出能量,产生光子,从而发出光线。

而当在PN结两侧加上反向电压时,电子和空穴会被阻挡,不能通过PN结,因此不会发生复合,也不会产生光线。

最后,发光二极管的发光颜色取决于半导体材料的能隙。

能隙是指固体中价带和导带之间的能量差,不同的半导体材料具有不同的能隙。

当电子从价带跃迁到导带时,会释放出能量,这个能量的大小决定了发光的波长和颜色。

因此,通过选择不同的半导体材料,可以实现不同颜色的发光二极管。

综上所述,发光二极管的原理是基于半导体材料的特性以及PN结的电子结构。

通过正向电压的作用,电子和空穴在PN结处发生复合,从而释放出能量,产生光线。

发光二极管的发光颜色取决于半导体材料的能隙,因此可以实现不同颜色的发光效果。

这种原理使得发光二极管在照明、显示、指示等领域得到了广泛的应用。

LED发光二极管的工作原理(精)

LED发光二极管的工作原理(精)

LED发光二极管的工作原理、应用、分类及检测半导体发光器件包括半导体发光二极管(简称LED)、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏(简称矩阵管)等。

事实上,数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。

一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用(一)LED发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。

因此它具有一般P-N结的I-N特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。

此外,在一定条件下,它还具有发光特性。

在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。

进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光,如图1所示。

假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。

除了这种发光复合外,还有些电子被非发光中心(这个中心介于导带、介带中间附近)捕获,而后再与空穴复合,每次释放的能量不大,不能形成可见光。

发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大,光量子效率越高。

由于复合是在少子扩散区内发光的,所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。

理论和实践证明,光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关,即λ≈1240/Eg(mm)式中Eg的单位为电子伏特(eV)。

若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光),半导体材料的Eg应在3.26~1.63eV之间。

比红光波长长的光为红外光。

现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管,但其中蓝光二极管成本、价格很高,使用不普遍。

(二)LED的特性1.极限参数的意义(1)允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。

超过此值,LED发热、损坏。

(2)最大正向直流电流IFm:允许加的最大的正向直流电流。

超过此值可损坏二极管。

(3)最大反向电压VRm:所允许加的最大反向电压。

LED工作原理

LED工作原理

1、LED发光工作原理:LED发光二极管是一种固态的半导体器件,它可以直接把电能转化成光能。

它和其他半导体器件一样,都是由一个P-N结组成,也具有单向导电性。

在给LED加上正向电压时N区的电子会被推向P区,在P区与空穴复合,P区空穴被推向N区,在N区里电子和空穴复合,然后以光子的形式发出能量。

P-N结加反向电压,少数载流子难以注入,故不发光。

3、LED芯片的封装结构分类:Chip结构:又分为单极芯片封装结构和双极芯片封装结构。

单极芯片封装结构是芯片负极通过银胶与PCB板铜箔链接,正极通过铝线绑定与PCB铜箔相连接。

主要用于底背光。

双极芯片封装结构芯片正负极均通过铝线绑定与PCB铜箔相连接。

SMD结构:(表面贴装器件):SMD是将芯片采用回流焊的形式焊接在一个小的PCB板上,厂商提供的都是4.0x4.0mm的焊盘并用树脂固定的LED。

常用于侧背光和彩屏产品。

LAMP结构:原理同SMD封装原理雷同,只是外形结构有差异,它主要是有两个支架PIN脚。

亮度范围100—1500mcd,主要用于侧背光产品。

4封装技术的发展趋势(1)采用大面积芯片封装(2)开发新的封装材料(3)多芯片集成封装(4)平面模块化封装LED的主要问题LED的结温由于目前芯片技术的限制,LED的光电转换效率有待提高,在发光的同时,大约有60%的电能转化为热能释放掉,这就要求在应用LED时要做好散热工作。

以确保LED的正常使用。

当LED结温升高时,器件的光通量会逐渐降低,而当温度降低时,光通量会增大,一般情况下,这种变化是可逆和可恢复的。

高温下还会对器件性能产生变化,一般来说结温越高,器件性能衰减就越快,在发光波长中,发光的主波长会向长波方向飘移,约0.2—0.3nm/℃因此在使用LED器件时做好散热是必要条件。

LED的结温量当然在做好散热的同时我们也需要知道LED产生的结温量是多少?下面我们可以通过一个公式来计算:Rjc=(Tj-Tc)/PdRjc:在选定一个LED以后,从数据中查到起Rjc;Tj:为结温;Tc:为LED散热垫温度;Pd:Pd与LED的正向压降Vf及LED的正向电流的关系为:Pd=Vf×If;LED的散热方法:良好的散热设计主要出于以下考虑:(1)提高LED效率、提高电流、LED芯片要有更高结温;(2)LED光学性能提高及较高的可靠性,都依赖于芯片的结温。

led灯的工作原理与结构

led灯的工作原理与结构

led灯的工作原理与结构LED灯是一种高效、节能、环保的光源,被广泛应用于照明、显示等领域。

它的工作原理基于半导体材料的特性,结构包括发光芯片、封装材料和电路控制器。

一、工作原理LED(Light Emitting Diode)即发光二极管,是一种将电能直接转化为光能的器件。

它的工作原理基于半导体材料的特性,当有电流通过时,会激发半导体中的载流子(电子和空穴)复合放出能量,从而产生光。

LED芯片是LED灯中最核心的部分,它由P型半导体和N型半导体组成。

两种半导体之间形成PN结,在正向偏置电压下,电子从N区注入P区与空穴复合放出能量,产生光;在反向偏置下,则无法通过PN 结。

二、结构组成1. 发光芯片发光芯片是LED灯中最核心的部分,其材料主要有GaAsP、GaP、GaAs等。

不同材料具有不同的波长和颜色特性。

2. 封装材料封装材料主要用于保护发光芯片,防止外界环境的影响。

常用的封装材料有环氧树脂、硅胶等。

3. 电路控制器电路控制器主要用于控制LED灯的亮度、颜色等参数。

常见的控制方式有PWM(脉宽调制)、DMX512等。

三、优势与应用1. 高效节能:相比传统光源,LED灯具有更高的能量利用率和更低的能量消耗。

2. 环保健康:LED灯不含汞、铅等有害物质,对环境和人体健康无害。

3. 长寿命:LED灯寿命长达数万小时,几乎不需要维护更换。

4. 广泛应用:LED灯广泛应用于照明、显示、信号指示等领域,如室内照明、路灯、汽车灯具、显示屏等。

总之,LED灯作为一种高效节能、环保健康的光源,将在未来得到更广泛的应用和发展。

发光二极管工作原理

发光二极管工作原理

发光二极管工作原理发光二极管(Light Emitting Diode,简称LED)是一种能够将电能转化为光能的电子元件。

它是由正负两个极性材料组成的二极管,并且在其中夹带一段发光原件。

通过外加电压,电流在两个极性之间流动,并且当电流通过发光元件时,发光元件发出可见光。

在发光二极管中,有两种关键材料:P型半导体和N型半导体。

P型半导体具有正电荷,N型半导体具有负电荷。

这两种半导体材料的结合形成了一个PN结。

在PN结的界面上,会形成一个电子势垒,该势垒会阻止自由电子从N型半导体进入到P型半导体。

当一个正向电压施加在发光二极管的两极之间时,电子从N型半导体流向P型半导体,而空穴则从P型半导体流向N型半导体。

这些电子和空穴会在PN结区域以及临近的透明区域相遇,并继续向前流动。

当电子与空穴相遇时,发生载流子的复合作用。

复合作用会释放出过剩的能量,这些能量会以光的形式释放出来。

发光二极管的工作原理可以通过能带结构来解释。

能带是描述原子内部电子能级的理论模型。

在固体中,原子间距离很近,电子的能带会形成能带结构。

在能带结构中,分为价带和导带。

价带中的电子都是处于束缚状态,只有少数电子能够被激发到导带中。

当电子处于导带时,它的能量比在比较大的范围内。

发光二极管的材料具有特殊的能带结构。

例如,蓝色和绿色LED使用氮化镓(GaN)作为材料。

氮化镓的能带结构使其能够发射蓝色和绿色光。

红色LED使用砷化铝砷(AlAs)和砷化镓(GaAs)作为材料,具有适合发射红色光的能带结构。

发光二极管具有许多优点,使其成为现代电子设备中广泛应用的光源。

首先,发光二极管的能源转换效率很高,可以将大部分输入电能转化为光能,相比传统的照明方法,LED能够节省大量能源。

其次,发光二极管寿命很长,通常可达到数万小时以上。

此外,LED的体积小、重量轻,并且能够快速开启和关闭,这些特性使其适用于许多应用场景,如车灯、显示屏和照明等。

综上所述,发光二极管通过电子和空穴之间的复合作用将电能转化为光能。

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半导体发光器件包括半导体发光二极管(简称LED)、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏(简称矩阵管)等。

事实上,数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。

一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用(一)LED发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。

因此它具有一般P-N结的I-N特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。

此外,在一定条件下,它还具有发光特性。

在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。

进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光,如图1所示。

假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。

除了这种发光复合外,还有些电子被非发光中心(这个中心介于导带、介带中间附近)捕获,而后再与空穴复合,每次释放的能量不大,不能形成可见光。

发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大,光量子效率越高。

由于复合是在少子扩散区内发光的,所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。

理论和实践证明,光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关,即λ≈1240/Eg(mm)式中Eg的单位为电子伏特(eV)。

若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光),半导体材料的Eg应在3.26~1.63eV之间。

比红光波长长的光为红外光。

现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管,但其中蓝光二极管成本、价格很高,使用不普遍。

(二)LED的特性1.极限参数的意义(1)允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。

超过此值,LED发热、损坏。

(2)最大正向直流电流IFm:允许加的最大的正向直流电流。

超过此值可损坏二极管。

(3)最大反向电压VRm:所允许加的最大反向电压。

超过此值,发光二极管可能被击穿损坏。

(4)工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。

低于或高于此温度范围,发光二极管将不能正常工作,效率大大降低。

2.电参数的意义(1)光谱分布和峰值波长:某一个发光二极管所发之光并非单一波长,其波长大体按图2所示。

由图可见,该发光管所发之光中某一波长λ0的光强最大,该波长为峰值波长。

2)发光强度IV:发光二极管的发光强度通常是指法线(对圆柱形发光管是指其轴线)方向上的发光强度。

若在该方向上辐射强度为(1/683)W/sr时,则发光1坎德拉(符号为cd)。

由于一般LED的发光二强度小,所以发光强度常用坎德拉(mcd)作单位。

(3)光谱半宽度Δλ:它表示发光管的光谱纯度.是指图3中1/2峰值光强所对应两波长之间隔.(4)半值角θ1/2和视角:θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向(法向)的夹角。

半值角的2倍为视角(或称半功率角)。

图3给出的二只不同型号发光二极管发光强度角分布的情况。

中垂线(法线)AO的坐标为相对发光强度(即发光强度与最大发光强度的之比)。

显然,法线方向上的相对发光强度为1,离开法线方向的角度越大,相对发光强度越小。

由此图可以得到半值角或视角值。

(5)正向工作电流If:它是指发光二极管正常发光时的正向电流值。

在实际使用中应根据需要选择IF在0.6·IFm以下。

(6)正向工作电压VF:参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。

一般是在IF=20mA时测得的。

发光二极管正向工作电压VF在1.4~3 V。

在外界温度升高时,VF将下降。

(7)V- I特性:发光二极管的电压与电流的关系可用图4表示。

在正向电压正小于某一值(叫阈值)时,电流极小,不发光。

当电压超过某一值后,正向电流随电压迅速增加,发光。

由V-I曲线可以得出发光管的正向电压,反向电流及反向电压等参数。

正向的发光管反向漏电流IR<10μA以下。

(三)LED的分类1.按发光管发光颜色分按发光管发光颜色分,可分成红色、橙色、绿色(又细分黄绿、标准绿和纯绿)、蓝光等。

另外,有的发光二极管中包含二种或三种颜色的芯片。

根据发光二极管出光处掺或不掺散射剂、有色还是无色,上述各种颜色的发光二极管还可分成有色透明、无色透明、有色散射和无色散射四种类型。

散射型发光二极管和达于做指示灯用。

2.按发光管出光面特征分按发光管出光面特征分圆灯、方灯、矩形、面发光管、侧向管、表面安装用微型管等。

圆形灯按直径分为φ2mm、φ4.4mm、φ5mm、φ8mm、φ10mm及φ20mm等。

国外通常把φ3mm的发光二极管记作T-1;把φ5mm的记作T-1(3/4);把φ4.4mm的记作T-1(1/4)。

由半值角大小可以估计圆形发光强度角分布情况。

从发光强度角分布图来分有三类:(1)高指向性。

一般为尖头环氧封装,或是带金属反射腔封装,且不加散射剂。

半值角为5°~20°或更小,具有很高的指向性,可作局部照明光源用,或与光检出器联用以组成自动检测系统。

(2)标准型。

通常作指示灯用,其半值角为20°~45°。

(3)散射型。

这是视角较大的指示灯,半值角为45°~90°或更大,散射剂的量较大。

3.按发光二极管的结构分按发光二极管的结构分有全环氧包封、金属底座环氧封装、陶瓷底座环氧封装及玻璃封装等结构。

4.按发光强度和工作电流分按发光强度和工作电流分有普通亮度的LED(发光强度<10mcd);超高亮度的LED(发光强度>100mcd);把发光强度在10~100mcd间的叫高亮度发光二极管。

一般LED的工作电流在十几mA至几十mA,而低电流LED的工作电流在2mA以下(亮度与普通发光管相同)。

除上述分类方法外,还有按芯片材料分类及按功能分类的方法。

(四)LED的应用由于发光二极管的颜色、尺寸、形状、发光强度及透明情况等不同,所以使用发光二极管时应根据实际需要进行恰当选择。

由于发光二极管具有最大正向电流IFm、最大反向电压VRm的限制,使用时,应保证不超过此值。

为安全起见,实际电流IF 应在0.6IFm以下;应让可能出现的反向电压VR<0。

6V Rm。

LED被广泛用于种电子仪器和电子设备中,可作为电源指示灯、电平指示或微光源之用。

红外发光管常被用于电视机、录像机等的遥控器中。

1)利用高亮度或超高亮度发光二极管制作微型手电的电路如图5所示。

图中电阻R限流电阻,其值应保证电源电压最高时应使LED的电流小于最大允许电流IFm。

(2)图6(a)、(b)、(c)分别为直流电源、整流电源及交流电源指示电路。

图(a)中的电阻≈(E-VF)/IF;图(b)中的R≈(1.4Vi-VF)/IF;图(c)中的R≈Vi/IF式中,Vi——交流电压有效值。

(3)单LED电平指示电路。

在放大器、振荡器或脉冲数字电路的输出端,可用LED表示输出信号是否正常,如图7所示。

R为限流电阻。

只有当输出电压大于LED的阈值电压时,LED才可能发光。

(4)单LED可充作低压稳压管用。

由于LED正向导通后,电流随电压变化非常快,具有普通稳压管稳压特性。

发光二极管的稳定电压在1.4~3V间,应根据需要进行选择VF,如图8所示。

(5)电平表。

目前,在音响设备中大量使用LED电平表。

它是利用多只发光管指示输出信号电平的,即发光的LED数目不同,则表示输出电平的变化。

图9是由5只发光二极管构成的电平表。

当输入信号电平很低时,全不发光。

输入信号电平增大时,首先LED1亮,再增大LED2亮……。

总有一天你会渐渐明白,对自己笑的人不一定是真爱,对方表面的伪善是为博取信赖,暗里他可能会伺机将你伤害。

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别去管自己是不是栋梁人才,世上每个人都是特别的存在,无论你踏步于尘世内外,尽力和无悔才是对命运最好的交差。

这段时间,被电视剧《知否》刷屏了。

明兰和顾二叔幸福甜蜜的婚姻,让不少网友唏嘘羡慕,有人说,“这部剧简直就是现代婚姻的教科书。

”剧中庶女出身,却高嫁侯府,被顾二叔万千宠爱的明兰,把一段很多人都不看好的婚姻,过成了最幸福的样子。

细细思量,与她身上鲜明而独特的三种品质是分不开的。

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