模拟电子技术基础试题与答案解析
模拟电子技术基础测试题及参考答案

模拟电子技术基础测试题及参考答案一、选择题1. 下列哪种器件是一种双极型晶体管?(A)锗二极管(B)硅二极管(C)三极管(D)场效应晶体管答案:C2. 在放大电路中,下列哪种反馈方式可以使放大倍数增加?(A)电压反馈(B)电流反馈(C)串联反馈(D)并联反馈答案:A3. 下列哪种电路可以实现交流信号的放大?(A)rc电路(B)lc振荡电路(C)放大电路(D)整流电路答案:C4. 下列哪种元件在放大电路中起到稳定放大倍数的作用?(A)电容器(B)电阻器(C)电感器(D)晶体管答案:D5. 下列哪种电路可以实现信号的整流?(A)放大电路(B)整流电路(C)滤波电路(D)振荡电路答案:B6. 在整流电路中,下列哪种元件可以实现全波整流?(A)二极管(B)三极管(C)晶闸管(D)grt答案:A7. 下列哪种电路可以实现信号的滤波?(A)rc电路(B)lc振荡电路(C)放大电路(D)整流电路答案:A8. 在滤波电路中,下列哪种元件可以实现低通滤波?(A)电容器(B)电阻器(C)电感器(D)晶体管答案:C9. 下列哪种电路可以实现信号的转换?(A)放大电路(B)整流电路(C)滤波电路(D)振荡电路答案:D10. 在振荡电路中,下列哪种元件可以起到决定振荡频率的作用?(A)电容器(B)电阻器(C)电感器(D)晶体管答案:C二、填空题1. 晶体管的三个极分别是发射极、基极和_______极。
答案:集电极2. 放大电路的输入电阻较大,输出电阻较小,这样可以使得输入信号的电压得到_______放大。
答案:有效3. 放大电路中,反馈分为电压反馈和电流反馈,其中电压反馈可以使放大倍数_______。
答案:增加4. 整流电路的作用是将交流信号转换为_______信号。
答案:直流5. 滤波电路的作用是去除信号中的_______分量。
答案:高频6. 振荡电路的作用是产生_______信号。
答案:稳定三、简答题1. 请简述双极型晶体管的工作原理。
《模拟电子技术基础》习题参考答案

《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题:1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流,它由少数载流子形成,其大小决定于温度,而与外电场无关。
3.PN结的P型侧接高电位,N型侧接低电位称为正向偏置(正偏),反之称为反向偏置(反偏)。
4.PN结最重要的特性是单向导电性,它是一切半导体器件的基础。
在NPN型三极管中,掺杂浓度最大的是发射区。
5.晶体三极管因偏置条件不同,有放大、截止、饱和三种工作状态。
6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。
7.工作在放大区的晶体管,当IB 从10μA增大到20μA,IC从1mA增大到2mA,它的β为100,α为1。
8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时,就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区,而使输出信号的波形产生失真。
9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏,则可判断出x、y、z分别为三极管的集电(C)极、基(B)极、发射(E)极。
10.一只晶体管在放大电路中,用万用表测出管脚对地电压分别是:A脚为12伏,B脚为11.7伏,C脚为6伏,则该管为PNP型锗管,A为发射(E)极,B为基(B)极,C为集电(C)极。
11.稳压二极管工作在反向击穿区,主要用途是稳压。
12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态,而二极管导通时是处于正向偏置状态。
13.晶体管电流放大系数是频率的函数,随着频率的升高而下降。
共基极电路比共射极电路高频特性好。
14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区:分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。
15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。
16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级,与负载相连接的末级放大电路称为输出级,它们之间的放大电路称为中间级。
17.某放大电路空载输出电压为4V,接入3KΩ负载后,输出电压变为3V,该放大电路的输出电阻为1KΩ。
(完整版)模电期末试题及答案-模拟电子技术

(完整版)模电期末试题及答案-模拟电子技术-CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One1《模拟电子技术基础》试卷及参考答案1、在本征半导体中加入元素可形成N型半导体,加入元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价2、稳压管的稳压区是其工作在。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿3、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏4、(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小5、U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管6、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。
A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定7、选用差分放大电路的原因是。
A.克服温漂B.提高输入电阻C.稳定放大倍数8、差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的,共模信号是两个输入端信号的。
A.差B.和C.平均值9、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e,将使电路的。
A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大10、在输入量不变的情况下,若引入反馈后,则说明引入的反馈是负反馈。
A.输入电阻增大 B.输出量增大C.净输入量增大 D.净输入量减小11、交流负反馈是指。
A.阻容耦合放大电路中所引入的负反馈B.只有放大交流信号时才有的负反馈C.在交流通路中的负反馈12、功率放大电路的转换效率是指。
A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比B.最大输出功率与电源提供的平均功率之比C.晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比13、整流的目的是。
A. 将交流变为直流B. 将高频变为低频C. 将正弦波变为方波14、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。
A. 基准电压B. 采样电压C. 基准电压与采样电压之差15、开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是。
模拟电子技术基础习题及答案

第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时,锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来,有1μA 的正向电流流过,试问它们的结电压各为多少? 解:二极管正偏时,TD U U S eI I ≈ , ST D I I lnU U ≈ 对于硅管:mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管:mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时,某硅二极管的反向饱和电流I S =。
(1)当二极管正偏压为时,二极管的正向电流为多少?(2)当温度升至67C 或降至10C -时,分别计算二极管的反向饱和电流。
此时,如保持(1)中的正向电流不变,则二极管的正偏压应为多少? 解:(1)mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-(2)当温度每上升10℃时,S I 增加1倍,则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃),30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时,mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3(a )所示,二极管伏安特性如图P1-3(b )所示。
已知电源电压为6V ,二极管压降为伏。
试求: (1)流过二极管的直流电流;(2)二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解:(1)mA 53100V7.06I D =Ω-=(2)Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时,硅二极管的正向电压为,正向电流为1mA ,试计算正向电压加至时正向电流为多少? 解:mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管,如图P1-5所示。
模拟电子技术基础答案完整版

模拟电子技术基础答案第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ,而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时,扩散电流 小于 漂移电流,耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中,电子为多数载流子, 空穴 为少数载流子。
二.判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子,N 型半导体中含有大量电子载流子,所以P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。
( × )2、在N 型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P 型半导体。
( √ )3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。
(× )4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。
( × )5、PN 结在无光照无外加电压时,结电流为零。
( √ )6、温度升高时,PN 结的反向饱和电流将减小。
( × )7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将变宽。
(× )三.简答题1、PN 结的伏安特性有何特点?答:根据统计物理理论分析,PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中,I D 为流过PN 结的电流;I s 为PN 结的反向饱和电流,是一个与环境温度和材料等有关的参数,单位与I的单位一致;V为外加电压; VT=kT/q ,为温度的电压当量(其单位与V 的单位一致),其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810,电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=,则)V (2.11594TV T =,在常温(T=300K )下,V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压,即V 为正值,且V 比V T 大几倍时,1eTV V >>,于是TV V s eI I ⋅=,这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大,PN 结为正向导通状态.外加反向电压,即V 为负值,且|V|比V T 大几倍时,1eTV V <<,于是s I I -≈,这时PN 结只流过很小的反向饱和电流,且数值上基本不随外加电压而变,PN 结呈反向截止状态。
模拟电子技术基础测试题及参考答案

模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题(共50题,每题1分,共50分)1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案:A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多,其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案:D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成,已知每级电压放大倍数为Au,则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案:B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案:B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案:B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案:B7、元件引脚的剪脚高度为( )。
A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓,没关系正确答案:B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案:A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案:C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端,则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案:C11、多级放大电路各级的电压增益分别是:10dB、20 dB、30 dB,则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案:C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案:A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案:A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案:D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势,增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高,损耗越大正确答案:D16、当晶体二极管的PN结导通后,则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案:C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
模拟电子技术基础模拟综合试卷十套附答案

模拟综合试卷一一.填充题1.集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ,b 。
2.通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器,其目的是a ,b 。
3.在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下,共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4.一个NPN晶体三极管单级放大器,在测试时出现顶部失真,这是失真。
5.工作于甲类的放大器是指导通角等于,乙类放大电路的导通角等于,工作于甲乙类时,导通角为。
6.甲类功率输出级电路的缺点是,乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7.若双端输入,双端输出理想差动放大电路,两个输入电压u i1=u i2,则输出电压为V;若u i1=1500µV, u i2=500µV,则差模输入电压u id为µV,共模输入信号u ic为µV。
8.由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9.晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降,主要是因为的影响。
10.在共射、共集、共基三种组态的放大电路中,组态电流增益最;组态电压增益最小;组态功率增益最高;组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二.选择题1.晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,I CBO,u BE的变化情况为()。
A.β增加,I CBO,与u BE减小 B. β与I CBO增加,u BE减小C.β与u BE减小,I CBO增加 D. β、I CBO与u BE都增加2.反映场效应管放大能力的一个重要参数是()A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3.双端输出的差分放大电路主要()来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4.典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出,共模电压放大倍数()。
A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5.差分放大电路的共模抑制比K CMR越大,表明电路()A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6.负反馈放大电路以降低电路的()来提高嗲路的其他性能指标。
模拟电子技术基础测试题及参考答案

#### 一、选择题(每题2分,共20分)1. 在下列选项中,不属于模拟电子技术基本元件的是:A. 电阻器B. 电容器C. 晶体二极管D. 晶体三极管答案:D2. 下列哪种元件在交流电路中具有隔直通交的特性?A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 开关答案:B3. 下列哪种元件在交流电路中具有通直隔交的特性?A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 开关答案:C4. 在晶体管放大电路中,通常用作放大元件的是:A. 晶体二极管B. 晶体三极管C. 电阻器D. 电容器答案:B5. 下列哪种电路能够实现信号的相移?A. RC电路B. RL电路C. RC串联电路D. RL串联电路答案:B6. 在下列选项中,不属于放大电路输出方式的是:A. 反相放大B. 同相放大C. 比例放大D. 幅度调制答案:D7. 在差分放大电路中,两个晶体管的工作状态通常:A. 互补B. 相同C. 相反D. 随机答案:B8. 下列哪种放大电路具有较好的抗干扰能力?A. 单管放大电路B. 双管放大电路C. 差分放大电路D. 直流放大电路答案:C9. 在放大电路中,通常用于稳定静态工作点的是:A. 偏置电阻B. 偏置电压C. 稳压二极管D. 线性稳压器答案:A10. 下列哪种电路能够实现信号的频率选择?A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 滤波器D. 谐振电路答案:D#### 二、填空题(每空2分,共10分)1. 模拟电子技术是研究_________的科学技术。
答案:电子器件及其应用2. 晶体二极管具有_________和_________两种工作状态。
答案:正向导通、反向截止3. 晶体三极管具有_________、_________和_________三种组态。
答案:共发射极、共集电极、共基极4. 差分放大电路具有_________和_________两种输入方式。
答案:单端输入、双端输入5. 滤波器按照频率特性可以分为_________、_________和_________。
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电子电工专业试卷
说明:本试卷分第Ⅰ卷(选择题)和第Ⅱ卷(非选择题)两部分,第Ⅰ卷XXX页,第Ⅱ卷XXX页。
两卷满分为100分,考试时间120分钟。
Ⅰ卷答案涂在答题卡上,Ⅱ卷答案写在试卷上。
第Ⅰ卷(选择题,共35分)
注意事项:
每小题选出答案后,用铅笔把答题卡上对应题目的答案标号涂黑,如需改动,请用橡皮擦干净后,再选择其答案标号,如果答案不涂写在答题卡上,成绩无效。
一、选择题(本大题共10小题,每小题3分,共计30分。
每小题只有一个正确答案。
)
1、半导体二极管加正向电压时,有()
A、电流大电阻小
B、电流大电阻大
C、电流小电阻小
D、电流小电阻大
2、半导体稳压二极管正常稳压时,应当工作于()
A、反向偏置击穿状态
B、反向偏置未击穿状态
C、正向偏置导通状态
D、正向偏置未导通状态
3、三极管工作于放大状态的条件是()
A、发射结正偏,集电结反偏
B、发射结正偏,集电结正偏
C、发射结反偏,集电结正偏
D、发射结反偏,集电结反偏
4、三极管电流源电路的特点是()
A、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻小
B、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻大
C、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻小
D、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻大
5、画三极管放大电路的小信号等效电路时,直流电压源V CC应当()
A、短路
B、开路
C、保留不变
D、电流源
6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合,可以在信号源与低阻负载间接入()
A、共射电路
B、共基电路
C、共集电路
D、共集-共基串联电路
7、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V,(见图2所示)则此三极管为()
图2
A、PNP型锗三极管
B、NPN型锗三极管
C、PNP型硅三极管
D、NPN型硅三极管
8、当放大电路的电压增益为-20dB时,说明它的电压放大倍数为()
A、20倍
B、-20倍
C、-10倍
D、0.1倍
9、电流源的特点是直流等效电阻( )
A、大
B、小
C、恒定
D、不定
10、在单相桥式整流电容滤波电路中,设U2为其输入电压,输出电压的平均值约为()
A、U0=0.45U2
B、U0=1.2U2
C、U0=0.9U2
D、U0=1.4U2
二、判断题(本大题共5小题,每小题1分,共计5分。
每小题叙述正确的在答题卡上选涂“ A”,叙述错误的在答题卡上选涂“ B”。
)
1.P型半导体中,多数载流子是空穴()
2.环境温度升高时,半导体的导电能力将显著下降()
3.二极管正偏时,电阻较小,可等效开关断开()
4.稳压二极管工作在反向击穿区域()
5.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件()
第Ⅱ卷(非选择题部分,共65分)
一、填空题(25分)
1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为 V ,导通后在较大电流下的正向压降约为 V ;锗二极管的门槛电压约为 _ _V ,导通后在较大电流下的正向压降约为_ _V 。
2、二极管的正向电阻 ;反向电阻 。
3、二极管的最主要特性是 。
PN结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流,耗尽层 。
4、二极管最主要的电特性是 ,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 。
5、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是 电容,影响高频信号放大的是 电容。
6、在NPN 三极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它参数不变,三极管的β增加,则I BQ ,I CQ ,U CEQ 。
7、三极管的三个工作区域是 , , 。
集成运算放大器是一种采用 耦合方式的放大电路。
8、某放大电路中的三极管,在工作状态中测得它的管脚电压V a = 1.2V , V b = 0.5V, V c = 3.6V, 试问该三极管是 管(材料), 型的三极管,该管的集电极是a 、b 、c 中的 。
9、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB 和20dB, 则该放大电路总的对数增益为 dB ,总的电压放大倍数为 。
二、简答题(2*5=10分)
1.简述影响放大电路频率特性的主要因素。
2.简述负反馈对放大电路性能的影响。
三、计算题(3*10=30分)
1.电路如图5-1(a )所示,其中电容C 1、C 2的容量视为无限大。
试回答下列问题: (1)写出直流负载线表达式,在图5-1(b )上画出直流负载线,求出静态工作点(I CQ ,
V CEQ ,I BQ );
(2)画出放大电路的小信号等效电路;
(3)求出电压增益V A
、输入电阻R i 及输出电阻R o 。
2.图所示电路中,运放均为理想器件,求各电路输出电压V O 与输入电压V i 或V i1,V i2的关系。
(10分)
3K Ω
C 1
C 2
+V CC +6V i v
o v +
+
_
_ 50=β
Rc
3K Ω
R L
R b
256K Ω
图5-1(a )
)
(V v CE
图5-1(b)
3、电路如图6-1所示。
合理连线,构成5V的直流电源。
图题6-1
答案 第Ⅰ卷
一、选择题
二、判断题 第Ⅱ卷
一、填空题
1.0.5 、0.7 、0.1、0.2 2、 小 、 大
3、单向导电性、大于、变窄
4、单向导电性、电阻
5、耦合和旁路、结
6、增大、减小、增大
7、截止 , 饱和 , 放大 、直接 8、硅管、NPN 、 C 9、80 、10000
二、简答题(共10分)
1.答:在低频段影响放大电路频率特性的主要因素是隔直电容(耦合电容或旁路电容)。
在高频段影响放大电路频率特性的主要因素是电路的分布电容及三极管的结电容等。
2.答:(1)负反馈使电压放大倍数减小;(2)提高了增益的稳定性;(3)减小了非线性失真;(4)展宽了频带;(5)抑制了反馈环内的干扰和噪声。
(6)对输入电阻和输出电阻有影响。
五、计算题(每小题10分,共30分)
1.解:直流负载线方程为: ①(2分)
⎪⎩⎪⎨⎧
======-=V 6V V ,0i mA
23
6i ,0V R i V V CC CE C C CE C C CC
CE
A
20K 2567.06R V V I b BEQ CC BQ μ=Ω
-=-=
由图5-1(a )有:I CQ =1mA ,V CEQ =3V 。
(1分)
② 放大电路的小信号等效电路如图5-1(b )所示。
(2分) ③ (1分) (2分)
R i =r be //R b =1.6//256=1.6 k Ω。
(1分) R o =R C =3 k Ω。
(1分)
2、
430R V V R V o
-=
---
2
10
R V R V V i -=-++
V +=V -
i
i i V V K K K V R R R V V 2
1
100100100212=+=+=
=+-
i
i o o o o V V V V K K K V R R R V =⨯==+=+=
2
1
22100100100343
3、解:1接4; 2接6; 5接7、9; 3接8、11、13; 10接12。
如解图6所示。
每连对一个一分,元件的位置摆布正确2分。
解图 6
i
V
o
V
Ω
≈++=++=K I r E be 6.1126)501(30026)1(300β 9.466.1)3//3(50)//(-=⨯-=-==be L C i o V r R R V V A β。