直流叠加对铁硅铝磁粉芯品质因数的影响_魏鼎_冯则坤_龚荣洲_王鲜
磁场对液态铝和固态铁界面微观组织的影响

磁场对液态铝和固态铁界面微观组织的影响3韩 逸 班春燕 巴启先 王书晗 崔建忠(东北大学材料电磁过程研究教育部重点实验室,沈阳 110004)(2004年9月10日收到;2004年11月19日收到修改稿) 研究了直流磁场、交流磁场对液态铝和固态铁界面微观组织的影响,采用金相显微镜、电子探针和x 射线衍射等方法对其扩散层内生成物进行了分析.结果表明,在直流磁场和交流磁场作用下,固态铁界面内形成的扩散层厚度均比无磁场时小;在交流磁场作用下,液态铝和固态铁的界面变得凹凸不平;在垂直于磁场方向上,直流磁场抑制了铝原子和铁原子之间的扩散,交流磁场则促进了扩散;无磁场时固态铁内扩散层中生成的金属间化合物由FeAl 3和Fe 2Al 5组成,直流磁场条件下只有Fe 2Al 5生成,交流磁场作用下由Fe 2Al 5和Fe 4Al 13组成.关键词:磁场,铝,铁,金属间化合物,扩散PACC :8130F ,47653国家重大基础研究发展规划(“973”)项目(批准号:G 1999064905)资助的课题.E -mail :hanyi7742@11引言铝为一种低密度、高韧性的有色金属,其合金一直以质轻、韧性好等优点广泛应用于工业的各个领域,尤其是在航天、航空中更是起着不可忽视的作用.铝与少量过渡金属元素铁组成的合金依旧保持了铝合金密度小的特点,且具有抗氧化、耐腐蚀等优点,近几年来新型轻质耐热铝铁合金的开发,使得铝铁合金成为国内外的研究热点[1].此外,Fe 2Al 系存在丰富的金属间化合物(如FeAl 3,Fe 2Al 5,FeAl 2等),研究这些金属间化合物的形成过程对实际生产,如热浸铝、熔结、液态金属腐蚀等方面有着重要的参考价值[2,3].在液态铝和固态铁界面反应的微观组织分析方面,人们已经做了大量的工作[4—7].但有关磁场对其界面微观组织影响的研究目前尚属空白.近十几年来,在材料凝固过程中施加磁场这一技术得到了快速发展,它已从最初的改进传统的工艺过程发展成为制备新材料、开发新工艺的重要手段.由于该技术具有无污染、操作方便和效果显著等优点,因此受到了人们的广泛重视[8,9].然而,目前这些研究大多停留在如何改善材料组织和性能方面,关于磁场对微观组织影响的研究还开展的很少,而且电磁效应的作用机制以及对微观组织的影响机理更有待于深入研究.本文研究了直流磁场、交流磁场对液态铝和固态铁界面微观组织的影响,采用金相显微镜、电子探针和x 射线衍射等方法对其扩散层内形成的金属间化合物进行了研究.此外,对磁场的作用机制进行了初步的探讨.21实验材料及方法实验所用材料为高纯铝和纯铁丝.实验装置简图如图1所示.它包括磁场处理部分(由磁场电源和螺线管等组成);控制部分(由控温电源和各种控制仪表等组成);工作台及负载部分(由试样和外部支架组成);加热装置(由加热电阻丝、热电偶等组成). 称取高纯铝25g ,放入内径为17mm 的圆柱形石英坩埚中.将石英坩埚置于电阻炉内加热至700℃,保温10min ,用钨丝将铝熔体搅拌均匀,稳定一段时间后将炉温缓慢降至680℃.将一直径为218mm 的纯铁丝沿坩埚轴线插入液态铝中,同时施加强度为0112T 的直流或交流磁场(其中交流磁场频率为10H z ),保温30min 后淬火.作为对照,另一组样品的实验在无磁场条件下进行.将试样沿中部横截面切开,制成金相样品.在德国Leica 2DMR 金相显微镜下第54卷第6期2005年6月100023290Π2005Π54(06)Π2955206物 理 学 报ACT A PHY SIC A SI NIC AV ol.54,N o.6,June ,2005ν2005Chin.Phys.S oc.图1 实验装置简图 1—高纯铝,2—纯铁丝,3—石英管,4—热电偶,5—陶瓷管,6—加热电阻丝,7—工作线圈进行显微组织分析;利用日本岛津EPM 2810Q 电子显微镜分别对扩散层及铝基体内进行铝元素和铁元素的面扫描,定性地分析磁场对界面微观组织的影 响,并定量地计算出扩散层内生成物的铝铁原子比;采用日本理学株式会社D ΠM AX2400x 射线衍射仪确定生成的金属间化合物的具体成分.31实验结果与讨论3111金相显微组织的分析结果 图2分别显示了无磁场、直流磁场和交流磁场三种条件下的液态铝和固态铁界面的显微组织.照片中浅色部分是铝,深色部分是铁.从照片中可以看出,三种情况下在固态铁的界面内部均形成了非常明显的扩散层.此外,在交流磁场作用下液态铝和固态铁的界面变的凹凸不平,不如无磁场和直流磁场条件下平滑.这是因为交流磁场在液态铝中产生搅拌和对流[10],加剧对固态铁边界的冲刷致使界面凹凸不平.图2 液态铝和固态铁界面金相组织 (a )无磁场,(b )直流磁场,(c )交流磁场图3 液态铝和固态铁界面的形貌照片 (a )无磁场,(b )直流磁场,(c )交流磁场3121电子探针形貌及元素面扫描分析结果312111形貌分析结果无磁场、直流磁场和交流磁场三种条件下的液态铝和固态铁界面的形貌照片如图3所示.照片中亮白色部分是铁基体,黑色部分是铝基体,中间灰色部分是铝在固态铁中生成的扩散层.通过测量扩散层的平均厚度得到无磁场、直流磁场和交流磁场三6592物 理 学 报54卷种条件下分别为175μm 、128μm 和136μm ,由此可见,在直流磁场和交流磁场作用下,固态铁界面内形成的扩散层厚度均比无磁场时小. 根据菲克第一定律J =-D d Cd x,(1)式中J 为扩散流量,D 为扩散系数,d C Πd x 为浓度梯度,负号表示物质的扩散流方向与浓度梯度的方向相反.由此可知,扩散是由粒子浓度梯度引发的粒子定向流动,定向流动的平均速度V d 的方向平行于浓度梯度d C Πd x ,如图4所示V d 应和界面垂直.按金属电子理论,无论在液态还是在固态金属中,原子失去价电子以离子形式存在,即扩散流带正电荷.在图4中,假设磁场B 垂直于纸面向外,这样以平均速度V d 运动的铝离子在磁场中会受到洛伦兹力f =q V d ×B ,(2)式中q 为粒子电量.这样,运动轨迹发生偏转而沿着V dm 方向运动,这样垂直界面方向的速度减小,因此在相同时间内铝离子进入铁中的深度减小,以致扩散层厚度变薄.312121元素面扫描分析结果(1)对固态铁内扩散层进行铝元素面扫描 对上述形貌照片(图3)所示的同一视场作元素图4 磁场使离子扩散速度发生偏离示意简图铝的面扫描,分别得到图5(a ),(b ),(c ).扫描照片的白点对应铝元素,黑点对应铁元素.对比图5中的三幅扫描照片可明显看出,直流磁场作用下扩散层中生成物内的铝含量最低,无磁场较高,交流磁场作用下铝含量最高.这说明在试样的横截面方向上,即垂直于磁场方向上,直流磁场抑制了铝原子往固态铁中的扩散,而交流磁场促进了铝原子往固态铁中的扩散.图5 液态铝和固态铁界面处铝元素的面扫描照片 (a )无磁场,(b )直流磁场,(c )交流磁场 产生上述现象的原因是,根据菲克第一定律(见(1)式),扩散来源于浓度梯度.在界面处,铝原子通过扩散进入固态铁中后,铁原子也通过扩散进入液态铝中,致使界面附近液体中铝的浓度会降低,浓度梯度减小,扩散则将变缓.直流磁场有抑制液态金属对流的作用[11,12],使得界面处的铝原子更难以得到补充,从而抑制了铝原子继续向固态铁中的扩散;交流磁场会在液态铝中产生搅拌和对流,使得界面处的铝原子能够较快得到补充,这样界面处的铝能保持较高的浓度梯度,从而促进了铝原子向固态铁中的扩散.(2)对铝基体中部和边部进行铝元素面扫描图6和图7为无磁场、直流磁场和交流磁场三种条件下铝基体中部和边部位置处的铝元素面扫描照片.这几幅照片中白点对应铝元素,黑点对应铁元素.综合图6和7可以看出,铁元素大多数分布于铝75926期韩 逸等:磁场对液态铝和固态铁界面微观组织的影响的晶界处,而且无论在铝基体的中部还是边部,铁在液态铝中的浓度均按直流磁场、无磁场、交流磁场次序增加.这显示了在试样的横截面方向上,即垂直于 磁场方向上,直流磁场对铁原子往液态铝中的扩散有着抑制作用,而交流磁场则起着促进作用. 在图5中黑色部分是铁基体,界面下方亮白色 图6 铝基体中部的铁元素面扫描照片 (a )无磁场,(b )直流磁场,(c )交流磁场图7 铝基体边部的铁元素面扫描照片 (a )无磁场,(b )直流磁场,(c )交流磁场部分是铝基体,可以看到仅在铁基体边部有有限厚度的扩散层,说明铝原子扩散进入固态铁中的深度有限.而图6和7中无论是铝基体中部还是边部的黑点都很多,说明铁原子可以扩散到整个液态铝中.这是因为液态金属中原子的可动性远远大于固态金属,所以铝原子扩散进入固态铁中的深度就远远小于铁原子扩散进入液态铝的深度.这表明,在相同条件下,液态金属的扩散系数远远大于固态金属的扩散系数.3131电子探针定量分析结果 采用电子探针微区成分分析方法,在铝-铁界面固态铁扩散层内生成物中按如图3(a )所示的箭头所指方向,每隔10μm 的距离测一个点,得到每个点处铝的浓度,由此算出铝含量的平均值,继而算出铝和铁的原子个数比,列于表1.计算得到的数值又一次证明了扩散层内生成物中铝含量按直流磁场、无磁场、交流磁场递增的结论.表1 扩散层内生成物中铝含量的平均值及铝和铁的原子个数比实验条件B =0DCAC铝含量的平均值(质量百分数,%)56.62355.66758.402铝和铁的原子个数比2.712.592.913141x 射线分析结果 为确定固态铁内扩散层中金属间化合物的具体成分,利用x 射线衍射方法对扩散层内生成物进行分析.由于扩散层厚度很薄,生成的金属间化合物数量很少,因此,除Fe 和Al 的峰值很强外,金属间化8592物 理 学 报54卷合物的衍射峰值很弱.在此,为了分析方便,把衍射图谱放大,得到的x 射线衍射图谱如图8所示.图8中,在无磁场、直流磁场和交流磁场三条曲线中均有FeAl 3峰的最强峰(2θ=44172),但此峰同时也是Fe 的最强峰和Al 的次强峰,而且直流磁场和交流磁场两条谱线中没有FeAl 3的次强峰(2θ=43152),由此断定在直流磁场和交流磁场作用下扩散层内生成的金属间化合物中没有FeAl 3.在图8中还可以看出,在无磁场、直流磁场和交流磁场三种条件下,扩散层 图8 固态铁内扩散层中生成物x 射线衍射图谱 (a )无磁场,(b )直流磁场,(c )交流磁场内生成的金属间化合物中均有Fe 2Al 5,不同之处是,在无磁场条件下还有FeAl 3生成,而在交流磁场条件下还有Fe 4Al 13生成.综合X 射线衍射分析结果与电子探针微区成分分析结果可以看出,与无磁场情况相比,交流磁场促进了高铝化合物的生成,而在直流磁场作用下,可能仅生成低铝化合物Fe 2Al 5.41结 论(1)在直流磁场和交流磁场作用下,固态铁界面内形成的扩散层厚度均比无磁场时小.而且在交流磁场作用下,液态铝和固态铁的界面变得凹凸不平,不如无磁场和直流磁场条件下平滑.(2)在垂直于磁场方向上,直流磁场抑制了铝原子和铁原子之间的扩散;交流磁场促进了铝原子和铁原子之间的扩散.(3)无磁场时固态铁内扩散层中生成的金属间化合物由FeAl 3和Fe 2Al 5组成,直流磁场条件下只有Fe 2Al 5生成,交流磁场作用下由Fe 2Al 5和Fe 4Al 13组成.[1]Zhou T ,Huang B Y,Zhou K C and Li W X 2004Rare MetalMater .Eng .33(2)187(in Chinese )[周 涛、黄伯云、周科朝、黎文献2004稀有金属材料与工程33(2)187][2]Heo N H ,K im M T ,Shin J H and K im C Y 2000Sur face CoatingTech .12439[3]Bouayad A ,G erometta Ch ,Belkebir A and Ambari A 2003Mater .Sci .Eng .A 36353[4]Y eremenko V N ,Natanz on Y V and Dybkov V I 1981J .Mater .Sci .16(9)1748[5]Bahadur A and M ohanty O N 1998Mater .Trans .JIM ,32(11)1053[6]Richard R W ,Jones R D ,Clements P D and Clarke H 1994Int .Mater .Rev .39(5)191[7]Bouche K,Barbier F and C oulet A 1998Mater .Sci .Eng .A 249167[8]Z i B T ,Ba Q X ,Cui J Z ,Bai Y G and Na X J 2000Acta Phys .Sin .49(5)1010(in Chinese )[訾炳涛、巴启先、崔建忠、白玉光、那兴杰2000物理学报49(5)1010][9]Ban C Y,Ba Q X ,Cui J Z ,Lu G M and Z i B T 2001Acta Phys .Sin .502028(in Chinese )[班春燕、巴启先、崔建忠、路贵民、訾炳涛2001物理学报502028][10]Zhang W Q ,Y ang Y S ,Zhu Y F ,Liu Q M and Hu Z Q 1998Met .Mater .Trans .A 29406[11]Botton V ,Lehmann P ,Bolcato R ,M oreau R and Haettel R 2001Int .J .H eat Mass Transfer 443345[12]T akuma M ,Y uko I and K azuhiko K 2002Japan Society Appl .Phys .A 41(7A )L81195926期韩 逸等:磁场对液态铝和固态铁界面微观组织的影响0692物 理 学 报54卷E ffect of magnetic field on the interfacial micro structurebetween molten aluminium and solid iron3Han Y i Ban Chun-Y an Ba Qi-X ian W ang Shu-Han Cui Jian-Zhong(The K ey Laboratory o f Electromagnetic Processing o f Materials,Ministry o f Education,Northeastern Univer sity,Shenyang 110004,China)(Received10September2004;revised manuscript received19N ovember2004)AbstractThe effects of DC and AC magnetic fields on the interfacial m icrostructure between m olten alum inium and solid iron were studied,and the intermetallics formed in the diffusion layers were also investigated by means of metallography,electron m icroprobe(EPM)and x2ray diffraction(XRD).Results showed that the diffusion layer in solid iron under DC and AC magnetic fields was thinner than that without magnetic field,and the interface became irregular under AC magnetic field.In the direction perpendicular to the magnetic field,DC magnetic field dam ped the diffusion between alum inium and iron;on the contrary,under AC magnetic field diffusion was enhanced;the diffusion layer in solid iron was mainly com posed of Fe2Al5and FeAl3without magnetic field,while there was only Fe2Al5under DC magnetic field,and Fe2Al5and Fe4Al13under AC magnetic field.K eyw ords:magnetic field,alum inium,iron,intermetallics,diffusionPACC:8130F,47653Project suppored by the S tate K ey Development Program for Basic Research of China(G rant N o.G1999064905).E-mail:hanyi7742@。
多直流接地系统单极运行对沪西特高压变电站直流偏磁的影响_段炼

1 直流线路与交流系统的模型与参数
1.1 上海附近直流输电线路 华东电网是 7 条直流输电线路的受端电网。其
中800 kV UHVDC 线路 3 条:向家坝—上海、锦 屏—苏南、溪洛渡—浙西(在建);500 kV 的 EHVDC 线路 4 条:葛洲坝—上海、三峡—上海、龙泉—政
平以及荆门—枫泾。7 条线路除葛洲坝—上海与荆
电流 等级/A 4 000 4 000 4 000 1 200 3 000 3 000 3 000
7 条直流输电线路的接地极共分为 5 种。葛洲
坝—上海线和荆门—枫泾线共用南桥接地极为直
线型,由 2 根如图 1 所示的长钢棒组成。
地面
图 1 南桥接地极结构 Fig. 1 Model of Nanqiao grounding electrode
in West Shanghai UHVAC Substation
DUAN Lian1, JIANG Anfeng1, FU Zhengcai1, WEI Bengang2
(1. Key Laboratory of Control of Power Transmission and Conversion(Shanghai Jiao Tong University), Ministry of Education, Xuhui District, Shanghai 200030, China; 2. Shanghai Electric Power Research Institute of
段炼 1,江安烽 1,傅正财 1,魏本刚 2
(1. 电力传输与功率变换控制教育部重点实验室(上海交通大学),上海市 徐汇区 200030; 2. 上海市电力公司上海电力科学研究院,上海市 杨浦区 200437)
工艺参数对直流反应磁控溅射ZnO_Al薄膜沉积速率的影响

第46卷第2期2009年3月真空VACUUMVol.46,No.2Mar.2009收稿日期:2008-04-27作者简介:邹上荣(1984-),男,湖南省娄底市人,硕士生。
联系人:王海燕,教授。
工艺参数对直流反应磁控溅射ZnO:Al 薄膜沉积速率的影响邹上荣,王海燕,耿梅艳,穆慧(郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,河南郑州450052)摘要:实验以合金靶材在玻璃衬底上运用直流反应磁控溅射法制备了ZAO (ZnO:Al)透明导电薄膜样品。
研究了O 2气流量,衬底温度,以及反应气压和溅射功率等工艺参数对ZAO 薄膜沉积速率的影响规律。
结果表明:沉积速率随O 2气流量的增加显著降低,靶面溅射模式由金属模式转变为氧化物模式,而且这种转变趋势在改变其他参数时依然明显;沉积速率随溅射功率的增大几乎成线性增加,但随衬底温度的变化并不大;在反应气压增大的情况下,沉积速率不断上升,达到最大值后,又随气压的增大不断下降。
关键词:ZAO 薄膜;直流反应磁控溅射;沉积速率中图分类号:TB43文献标识码:A文章编号:1002-0322(2009)02-0045-04Effect of Technological parameters on deposition rate of ZAO films prepared byDC magnetron reactive sputteringZOU Shang-rong,WANG Hai-yan,GENG Mei-yan ,MU Hui(Key Laboratory of Material Physics,Department of Physics,Zhengzhou University,Zhengzhou 450052,China)Abstract:The ZAO (ZnO :Al)transparent conductive films were deposited on glass substrates by DC magnetron reactivesputtering process with an alloy target.To control the film thickness,the influence of such technological parameters as oxygen flow rate,substrate tempreture,reaction pressure and sputtering powe on the film deposition rate was studied systematically.The results showed that the deposition rate decreases greatly with the increasing oxygen flow rate,and the mode of sputtering from target is transformed into oxide mode from metal one.The abrupt transform keeps obvious no matter how other parameters change.The deposition rate increases almost linearly with increasing sputtering power,but it is not sensitive to substrate tempreture.Besides,the deposition rate increases first to a certain extent with increasing reaction pressure then decreases gradually.Key words :ZAO film;DC magnetron reactive sputtering process;deposition rate近年来,铝掺杂氧化锌(ZAO)透明导电薄膜受到了普遍重视,其原因是这种薄膜具有低电阻率、高可见光透过率和对红外波段的高反射率等优异的光电性能,并且ZAO 薄膜的原材料丰富、成本低廉、化学稳定性好、易于实现工业化大面积镀膜等优点,有望在太阳能电池、平板显示器等光电装置中得到广泛应用[1],因此ZAO 薄膜是值得深入研究的新一代透明导电材料。
直流磁控溅射的工艺参数对铝膜沉积速率的影响

书山有路勤为径,学海无涯苦作舟直流磁控溅射的工艺参数对铝膜沉积速率的影响直流溅射功率对Al 膜沉积速率的影响图1 为不同溅射功率下Al 膜的沉积速率。
实验时溅射功率的变化范围为2000~3000W,其他工艺参数相同:溅射气压为0.5Pa;靶基距80mm;Ar 气流量为170sccm,基片温度为130℃。
由图1 可以看出,随着直流功率的增大,在2~2.4kW 范围内,沉积速率几乎成线性增加,这是因为在溅射镀膜过程中,基片上的沉积速率与溅射率成正比关系。
但是2.4kW 之后沉积速率的增加率明显变小而随后趋于平缓。
这种非线性增加的转变,可以解释为: 随着溅射Ar+离子能量的持续增大产生了离子注入效应的现象,这种效应使部分离子深入到晶格内部,将绝大部分的能量消耗在靶材内部而不是靶材的表面。
图1 Al 薄膜沉积速率与直流溅射功率之间的关系溅射气压对薄膜沉积速率的影响图2 是Al 薄膜沉积速率与溅射气压之间的关系曲线。
实验中溅射气压的变化范围为0.3~0.9Pa,其它参数相同:溅射功率为2600W;靶基距80mm; Ar 气流量为170sccm,基片温度为130℃。
从图2 看出,溅射气压从0.3Pa 增大到0.4Pa 的过程中,沉积速率随之增大;在0.4Pa 时,沉积速率达到一个极大值,此后沉积速率随着溅射气压的增大而下降。
这种现象的产生可以解释为:图2 Al 薄膜沉积速率与溅射气压之间的关系由气体分子运动论可知,气体分子平均自由程与压强有如下关系:式中λ为气体分子平均自由程,k 为玻耳曼常数,T 为气体温度,d 为气体分子直径,p 为压强。
在保持气体分子直径和气体温度不变的条件下,假如工作压强增大,则气体分子平均自由程将减小,溅射原子与气体分子相互碰撞次数将增加, 二次电子发射将增强。
由气体放电理论可知,电流密度j0 与汤生第三电离系数。
外加直流磁场对FeNbBCu软磁纳米晶条带低频下畴壁磁化过程的影响

348第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议论文集外加直流磁场对FeNbBCu软磁纳米晶条带低频下畴壁磁化过程的影响徐锋覃文彭坤都有为南京大学固体微结构国家重点实验室南京大学物理学系南京 210093我们用磁谱的方法研究了直流磁场对Fe82Nb7B10Cu1软磁纳米晶条带低频下畴壁磁化过程的影响。
结果显示小的纵向磁场会帮助畴壁脱离钉扎,而较大的纵向磁场会增加钉扎场,阻碍畴壁的运动。
而横向直流磁场对钉扎场则没有明显的影响。
1 引言由于软磁纳米晶材料在交流场下的广泛应用,各国的材料学研究工作者对其动态磁化性能深入地进行了研究[1-3]。
阻抗谱是研究中的一种有力的手段。
研究表明处于钉扎下的畴壁振动磁化过程是低频和低场下材料的最主要的磁化机制[1][2]。
然而外加直流磁场对材料的钉扎场的影响,尚无仔细的研究和报道,而钉扎场对于材料的磁化过程是相当重要的[2]。
因此,在这项工作中,我们探讨了外加直流场对Fe82Nb7B10Cu1软磁纳米晶条带畴壁磁化过程的影响(低频下<1MHz),并且讨论了横向和纵向直流场对于钉扎场所带来的不同的效应。
2 实验我们在氩气气氛中用铜单辊快淬甩带制备出厚度为22µm的Fe82Nb7B10Cu1非晶条带。
差热分析(DSC)测量在Labsys TM TG-DSC16上以10K/min的升温速率进行,结果显示样品的初次晶化温度为767K。
为了进行磁谱测量,把非晶条带绕在陶瓷环上形成螺绕环的核。
然后样品在真空中823K热处理30分钟,形成纳米晶的结构。
复数磁导率谱(µ∗=µ′-iµ″)是用HP4284A阻抗分析仪在1kHz到1MHz 的范围内进行测量,测量的交流磁场由绕在样品上的线圈形成的螺绕环的磁场提供。
横向磁场是由外加Helmholtz线圈提供,而纵向磁场则是在测量复数磁导率用的螺绕环上再外加一层同心螺绕环得到。
3 结果和讨论根据畴壁钉扎模型,在样品在外场中磁化的过程中,磁场有一个关键值称为钉扎场(H p) [2]。
直流模式电流密度对铝锂合金微弧氧化膜性能的影响

直流模式电流密度对铝锂合金微弧氧化膜性能的影响吴鸿;冯长杰;王景;王赫男;李杰;辛丽;王福会【期刊名称】《材料保护》【年(卷),期】2024(57)2【摘要】为了研究直流模式下电参数对铝锂合金微弧氧化成膜机理和膜层性能的影响,以2195铝锂合金为研究对象,在硅酸盐-磷酸盐碱性电解液体系中,以直流稳流模式在不同电流密度下制备了微弧氧化陶瓷膜。
通过扫描电子显微镜(SEM)及其自带的能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)分析了微弧氧化膜的表面和截面形貌、元素组成及物相组成。
采用电化学工作站和摩擦磨损试验机分别测定了不同陶瓷膜的耐蚀性能和耐磨性能。
结果表明:微弧氧化陶瓷膜中主要含O、Al、Si和P元素,膜层相组成主要为γ-Al_(2)O_(3)和少量α-Al_(2)O_(3)。
在电流密度为4~16A/dm^(2)的范围内,随着电流密度的升高,膜层的耐蚀性和耐磨性都呈先升高后降低的趋势,电流密度为8 A/dm^(2)时膜层的耐蚀性最好,自腐蚀电流密度为5.1718×10^(-7)A/cm^(2),致密层电阻Rb值3.323×10^(4)Ω·cm^(2)。
电流密度为8 A/dm^(2)时膜层耐磨性最好,磨损机理为疲劳磨损和磨料磨损混合,磨损率为0.34375×10^(-6)cm^(3)/(N·m)。
【总页数】11页(P1-11)【作者】吴鸿;冯长杰;王景;王赫男;李杰;辛丽;王福会【作者单位】沈阳航空航天大学材料科学与工程学院;中航光电科技股份有限公司;中国科学院金属研究所腐蚀与防护实验室;东北大学材料科学与工程学院【正文语种】中文【中图分类】TG174.451【相关文献】1.工艺参数对2060-T8铝锂合金微弧氧化膜性能的影响2.氧化电流密度对7075铝合金微弧氧化膜层形貌及性能影响3.NaOH浓度对铸造铝锂合金微弧氧化膜层显微组织和耐蚀性能的影响4.微弧氧化电流密度对ZL205A铝合金氧化膜层性能的影响因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。
Ti、Zn掺杂对Co_2Z电磁性能的影响

Ti、Zn掺杂对Co_2Z电磁性能的影响徐芳;蒋凯;白洋;乔利杰【期刊名称】《压电与声光》【年(卷),期】2010(32)5【摘要】用固相反应法制备了Ti4+、Zn2+取代的Co2Z(Ba3Co2Fe24-xMO41,M=Ti、Zn,x=0.2~0.6)平面六角结构软磁铁氧体并对其电磁特性进行了研究。
X-射线衍射结果表明样品表现出典型的Z型平面六角铁氧体构型。
Ti4+、Zn2+取代会增加铁氧体内载流子的浓度,从而影响Co2Z的电磁性能。
实验中用4991A阻抗/材料分析仪测试室温条件下Ba3Co2Fe24-xTixO41(x=0、0.2、0.4)和Ba3Co2Fe24-xZnxO41(x=0、0.2、0.4、0.6)样品在5MHz~1GHz范围内的磁导率频谱和介电常数频谱。
实验结果表明,Ti4+取代Fe3+会增加Co2Z的起始磁导率,降低Co2Z的介电共振。
而Zn2+取代Fe3+会引起起始磁导率的下降,增加Co2Z的介电共振,且在共振频率附近介电常数为负值。
CoZ的负介电常数特性使它可作为负介电常数介质用于左手材料的制备。
【总页数】4页(P823-826)【关键词】Z型铁氧体;起始磁导率;介电常数【作者】徐芳;蒋凯;白洋;乔利杰【作者单位】河南师范大学化学与环境科学学院;北京科技大学腐蚀与防护中心环境断裂教育部重点实验室【正文语种】中文【中图分类】TM277【相关文献】1.Bi4Ti3O12掺杂对(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7陶瓷结构与介电性能的影响[J], 周焕福;黄金亮;王茹玉;李谦;黄清伟2.Ti4+和 Zn2+离子复合掺杂对 LiNi0.5Co0.2 Mn0.3O2性能的影响 [J], 夏继平;叶学海;于晓微;卢阳3.H3BO3掺杂量对Ca0.77Zn0.2Na0.03Ti0.97Nb0.03O3∶Pr0.0023+发光性能的影响 [J], 杜素军;王磊;武雅乔;郝虎在4.MnO_2掺杂对BiFeO_3-PbTiO_3-Bi(Zn_(1/2)Ti_(1/2))O_3-PbZrO_3陶瓷组织与性能的影响 [J], 宁海霞;王敏;赵宏平;郭彩芬5.Ti^(4+)和Zn^(2+)离子复合掺杂对LiNi_(0.5)Co_(0.2)Mn_(0.3)O_2性能的影响 [J], 夏继平;叶学海;于晓微;卢阳因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。
硅对铁基磁粉芯性能的影响研究

摘 要 : 分别从磁滞 回线、 损耗 、 磁导率及直流 偏置特性来分析硅对铁基磁粉 芯性能的影响 。结果表 明: 随着 硅含量 的增加 , 磁粉芯的饱和磁感应强度降低 , 纯铁粉 芯的饱和 磁感应强度 最大; 磁粉芯损耗随着硅含量的增 加 而逐 渐减小, 纯铁粉 芯的损耗 最大 , F e S i 6 . 5的损耗 最小; 纯铁粉 芯的磁 导率要高于铁硅磁粉芯 , 但随着硅含
硅对铁基磁粉芯性能 的影 响研究
许林 皓 ,张洪平 。 ,赵 栋梁 ,杜兆 富 ,于海琛 。
( 1 . 钢 铁研 究总院功能材料研 究所, 北京 1 0 0 0 8 1 ; 2 . 先进金属磁性材料及制备技术北京市工程 实验室, 北京 1 0 0 0 8 1 ; 3 . 安泰 科技粉末 冶金 事业 部, 北京 1 0 0 0 8 1 )
第 2 6卷 第 6期 2 0 1 6年 1DER M ETALLURGY I NDUSTRY
Vo l 。 2 6, No . 6 ,p 20 — 2 3 De c . 2 Ol 6
D OI : 1 0 . 1 3 2 2 8  ̄ . b o y u a n . i s s n l 0 0 6 — 6 5 4 3 . 2 0 1 5 0 1 1 5
Ef f e c t o f s i l i c o n o n t h e pr o pe r t i e s o f i r o n- ba s e d ma g ne t i c po wd e r c o r e s
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第21卷 第4期2 0 1 4年8月 金属功能材料Metallic Functional Materials Vol.21, No.4August, 2014直流叠加对铁硅铝磁粉芯品质因数的影响魏鼎,冯则坤,龚荣洲,王鲜(华中科技大学光学与电子信息学院,湖北武汉430074)摘 要:利用LCR测试仪测试有效磁导率(μe)为125及60的铁硅铝磁粉芯在不同交流磁感应强度下的品质因数,发现品质因数随频率出现峰值,有效磁导率为125的磁粉芯在大约30kHz时品质因数出现峰值,而有效磁导率为60的磁粉芯则在80kHz左右时品质因数出现峰值,峰值的高低与交流磁感应强度的数值有关。
在上述结果的基础上,再分别对上述磁粉芯在直流叠加状态下的品质因数进行测试,结果发现其品质因数随直流叠加磁场出现峰值,在交流磁感应强度频率分别为50、100kHz以及200kHz时,有效磁导率为125的磁粉芯品质因数在直流叠加磁场强度为1571、3927A/m和5890A/m时到达峰值,而有效磁导率为60的磁粉芯在交流磁感应强度频率分别为150、200kHz以及250kHz时,品质因数则在直流叠加磁场强度为4712、5498A/m和7069A/m时到达峰值,峰值的高低与交流磁感应强度的数值有关,并对其原因进行了分析。
关键词:铁硅铝;磁粉芯;有效磁导率;直流叠加;品质因数文献标识码:A 文章编号:1005-8192(2014)04-0018-04Effect of DC-Bias on the QualityFactorof Sendust Powder CoreWEI Ding,FENG Ze-kun,GONG Rong-zhou,WANG Xian(School of Optical and Electronic Information,Huazhong University of Science &Technology,Wuhan 430074,Hubei,China)Abstract:Frequency dependences and DC-bias on the quality factor of Sendust powder cores were tested by LCR.Itwas found that,the quality factor of Sendust powder cores first increased with increasing frequency and then it con-tinuously decreased upon further increasing frequency.Powder cores with effective permeability of 125attained thehighest quality factor at about 30kHz,and effective permeability of 60at about 80kHz.The quality factor first in-creased with the DC-bias magnetic field,and then it continuously decreased upon further increasing the DC-biasmagnetic field for two samples.Powder cores attained the highest quality factor at different DC-bias magnetic field atvariation frequency.Powder cores with effective permeability of 125attained the highest quality at 1571,3927A/mand 5890A/m at 50,100kHz and 200kHz,effective permeability of 60attained the highest quality at 4712,5498A/m and 7069A/m at 150,200kHz and 250kHz.Key words:sendust alloy;powder core;effective permeability;DC bias;quality factor作者简介:魏鼎(1983-),男,博士生; E-mail:wd325@163.com; 收稿日期:2014-05-06通讯作者:王鲜(1979-),男,博士,副教授; E-mail:wangx@mail.hust.edu.cn 近年来,软磁铁硅铝磁粉芯制品在电子电力行业的应用受到了极大的关注[1-6]。
以铁硅铝磁粉芯为磁芯的电子器件已广泛应用于太阳能、风能转换的控制电源、以太阳能为电源的LED路灯电源、电动汽车的能源转换器以及家用电器的节能贮能器件、电力行业的储能电抗器等许多领域。
铁硅铝(Fe85%-Si9.5%-Al5.5%)(Sendust)材料的饱和磁感应强度Ms和电阻率ρ均比铁镍钼(Fe17%-Ni81%-Mo2%)(MPP)高,这样使得铁硅铝粉末制品具有良好的磁性能。
廉价的铁硅铝合金粉末的许多磁特性与昂贵的铁镍钼合金粉末相近,而且应用频段基本相同,因此是铁镍钼磁粉芯极好的替代品。
由于铁硅铝粉末的经济性,因此对铁硅铝粉磁粉芯的制备以及应用研究引起了人们浓厚的兴趣。
但现阶段对磁粉芯的研究主要着重于包覆方法、合金成分以及工艺因素的影响等方面[7-10],而直流叠加对品质因数的影响也多局限于对铁氧体的研究[11-12],本文研究了直流叠加对铁硅铝磁粉芯品质因数的影响。
1 实验设备及参数利用使用Agilent 4284LCR测试仪对铁硅铝磁粉芯测试了有效磁导率频率特性和直流特性,并对两种情况下的品质因数进行了测试。
样品参数:外径为26.90mm,内径为14.70mm,高度为11.18mm的环状样品,使用线径为0.5mm的漆包线绕制26匝进行测试。
2 结果与讨论2.1 测试结果图1与图2分别为有效磁导率为125及60的铁硅铝磁粉芯的有效磁导率及品质因数的频率特性曲线。
由图可看出,上述磁粉芯有效磁导率均具有较好的频率稳定性,而品质因数却随频率增加出现峰值,但两者品质因数出现峰值的位置并不相同。
有效磁导率为125的磁粉芯在大约30kHz时品质因数出现峰值,而有效磁导率为60的磁粉芯则在大约80kHz时品质因数出现峰值,对比不同交流磁感应强度下的品质因数,发现品质因数峰值的高低与交流磁感应强度密切相关,均随交流磁感应强度的增加而增加。
图1 磁粉芯(μe=125)的频率特性曲线Fig.1 Frequency dependence ofμe=125图3~5分别为有效磁导率为125的铁硅铝磁粉芯在不同交流磁感应强度下的直流特性曲线。
由图可看出,有效磁导率为125的磁粉芯叠加直流后图2 磁粉芯(μe=60)的频率特性曲线Fig.2 Frequency dependence ofμe=60的有效磁导率与未叠加直流的有效磁导率之比随直流叠加磁场强度增加而降低,但品质因数却随直流叠加磁场强度增加而出现峰值。
图3 磁粉芯(μe=125)在2.5mT下的直流特性曲线Fig.3 Characteristic ofμe=125underDC-Bias@2.5mT图4 磁粉芯(μe=125)在10mT下的直流特性曲线Fig.4 Characteristic ofμe=125underDC-Bias@10mT由图6的对比可知,有效磁导率为125的磁粉芯品质因数出现峰值的位置与直流叠加磁场强度无关,而与交流磁感应强度频率有关,品质因数出现峰91第4期 魏鼎等:直流叠加对铁硅铝磁粉芯品质因数的影响图5 磁粉芯(μe=125)在20mT下的直流特性曲线Fig.5 Characteristic ofμe=125underDC-Bias@20mT值的高低与交流磁感应强度有关。
在交流磁感应强度频率50、100kHz以及200kHz时,有效磁导率为125的磁粉芯品质因数分别在直流叠加磁场强度为1571、3927A/m,5890A/m到达峰值。
图6 磁粉芯(μe=125)品质因数直流特性曲线Fig.6 Variations of quality factor under DC-Bias图7~9分别为有效磁导率为60的铁硅铝磁粉芯在不同交流磁感应强度下的直流特性曲线。
由图可看出,有效磁导率为60的磁粉芯叠加直流后的有效磁导率与未叠加直流的有效磁导率之比随直流叠加磁场强度增加而降低,但品质因数却随直流叠加磁场强度增加而出现峰值。
由图10的对比可知,有效磁导率为60的磁粉芯品质因数出现峰值的位置与直流叠加磁场强度无关,而与交流磁感应强度频率有关,品质因数出现峰值的高低与交流磁感应强度有关。
在交流磁感应强度频率150、200kHz以及250kHz时,有效磁导率为60的磁粉芯品质因数分别在直流叠加磁场强度为4712、5498、7069A/m到达峰值。
2.2 分析讨论根据品质因数Q的定义,线圈的品质因数Q的图7 磁粉芯(μe=60)在2.5mT下的直流特性曲线Fig.7 Characteristic ofμe=60underDC-Bias@2.5mT图8 磁粉芯(μe=60)在10mT下的直流特性曲线Fig.8 Characteristic ofμe=60underDC-Bias@10mT图9 磁粉芯(μe=60)在20mT下的直流特性曲线Fig.9 Characteristic ofμe=60underDC-Bias@20mT表达式可写为[13]:Q=ωLRC+RL可改写为:Q=QCQLQC+QL02金属功能材料 2014年图10 磁粉芯(μe=60)品质因数直流特性曲线Fig.10 Variations of quality factor under DC-Bias式中:QC=ωLRC为磁芯的品质因数QL=ωLRL为绕组的品质因数磁芯的品质因数QC是随频率单调减少的,而绕组的品质因数QL是随频率单调增加的。
当交流磁感应强度频率使得QC=QL时,Q取得最大值。
这就是磁粉芯频率特性曲线中,品质因数Q随频率出现峰值的原因。
而在叠加直流磁场后,使得磁芯的品质因数QC以及绕组的品质因数QL均向低频移动,即磁芯的品质因数QC增加,而绕组的品质因数QL减小。
当直流叠加磁场强度使得交流磁感应强度的频率降到再次使得QC=QL时,Q取得最大值。
这是磁粉芯直流特性曲线中,品质因数Q随直流叠加磁场强度出现峰值的原因。