习题解答浙大版集成电路课后答案
3篇3章习题解答浙大版集成电路课后答案说课材料

3篇3章习题解答浙大版集成电路课后答案第三章 反馈放大电路及应用题3.3.1 怎样分析电路中是否存在反馈?如何判断正、负反馈;动态、 静态反馈(交、直流反馈);电压、电流反馈;串、并联反馈?解:根据电路中输出回路和输入回路之间是否存在信号通路,可判断是否存在反馈。
利用瞬时极性法,可以判断正、负反馈:若反馈信号的引入使放大器的净输入量增大, 则为正反馈;反之为负反馈。
在静态条件下(v i =0)将电路画成直流通路,假设因外界条件(如环境温度)变化引起静态输出量变化,若净输入量也随之而变化,则表示放大器中存在静态反馈。
当v i 加入后,将电路画成交流通路,假定因电路参数等因素的变化而引起输出量变化,若净输入也随之而变化,则表示放大器中存在动态反馈。
利用反证法可判断电压、电流反馈。
假设负载短路后,使输出电压为零,若反馈量也随之为零,则是电压反馈;若反馈量依然存在(不为零),则是电流反馈。
在大多数电路中(不讨论个别例外),若输入信号和反馈信号分别加到放大电路的二个输入端上,则为串联反馈;若加到同一输入端上,则为并联反馈。
题3.3.2 电压反馈与电流反馈在什么条件下其效果相同,什么条件下效果不同?解:在负载不变的条件下,电压反馈与电流反馈效果相同;当负载发生变化时,则二者效果不同,如电压负反馈将使输出电压恒定,但此时电流将发生更大的变化。
题3.3.3 在图题3.3.3所示的各种放大电路中,试按动态反馈分析:(1)各电路分别属于哪种反馈类型?(正/负反馈;电压/电流反馈;串联/并联反馈)。
(2)各个反馈电路的效果是稳定电路中的哪个输出量?(说明是电流,还是电压) (4)若要求将图(f)改接为电压并联负反馈,试画出电路图(不增减元件)。
解:(1),(2) : (a)电压并联负反馈,稳定υo 。
(b)电流串联负反馈,稳定i o 。
(c)电流并联负反馈,稳定i o 。
(d)电压串联负反馈,稳定υo 。
(e)电压并联负反馈,稳定υo 。
3篇3章习题解答浙大版集成电路课后答案

第三章 反馈放大电路及应用题3.3.1 怎样分析电路中是否存在反馈?如何判断正、负反馈;动态、 静态反馈(交、直流反馈);电压、电流反馈;串、并联反馈?解:根据电路中输出回路和输入回路之间是否存在信号通路,可判断是否存在反馈。
利用瞬时极性法,可以判断正、负反馈:若反馈信号的引入使放大器的净输入量增大, 则为正反馈;反之为负反馈。
在静态条件下(v i =0)将电路画成直流通路,假设因外界条件(如环境温度)变化引起静态输出量变化,若净输入量也随之而变化,则表示放大器中存在静态反馈。
当v i 加入后,将电路画成交流通路,假定因电路参数等因素的变化而引起输出量变化,若净输入也随之而变化,则表示放大器中存在动态反馈。
利用反证法可判断电压、电流反馈。
假设负载短路后,使输出电压为零,若反馈量也随之为零,则是电压反馈;若反馈量依然存在(不为零),则是电流反馈。
在大多数电路中(不讨论个别例外),若输入信号和反馈信号分别加到放大电路的二个输入端上,则为串联反馈;若加到同一输入端上,则为并联反馈。
题3.3.2 电压反馈与电流反馈在什么条件下其效果相同,什么条件下效果不同?解:在负载不变的条件下,电压反馈与电流反馈效果相同;当负载发生变化时,则二者效果不同,如电压负反馈将使输出电压恒定,但此时电流将发生更大的变化。
题3.3.3 在图题3.3.3所示的各种放大电路中,试按动态反馈分析:(1)各电路分别属于哪种反馈类型?(正/负反馈;电压/电流反馈;串联/并联反馈)。
(2)各个反馈电路的效果是稳定电路中的哪个输出量?(说明是电流,还是电压) (4)若要求将图(f)改接为电压并联负反馈,试画出电路图(不增减元件)。
解:(1),(2) : (a)电压并联负反馈,稳定υo 。
(b)电流串联负反馈,稳定i o 。
(c)电流并联负反馈,稳定i o 。
(d)电压串联负反馈,稳定υo 。
(e)电压并联负反馈,稳定υo 。
(f)电压串联负反馈,稳定υo 。
1篇3章习题解答浙大版集成电路课后答案

第三章场效应晶体管及其电路分析题1.3.1绝缘栅场效应管漏极特性曲线如图题1.3.1(a)~(d)所示。
(1)说明图(a)~(d)曲线对应何种类型的场效应管。
(2)根据图中曲线粗略地估计:开启电压V T、夹断电压V P和饱和漏极电流I DSS或I DO 的数值。
图题1.3.1解:图(a):增强型N沟道MOS管,V GS(th)≈3V,I DO≈3mA;图(b):增强型P沟道MOS管,V GS(th)≈-2V,I DO≈2mA;图(c):耗尽型型P沟道MOS管,V GS(off)≈2V,I DSS≈2mA;图(d):耗尽型型N沟道MOS管,V GS(off)≈-3V,I DSS≈3mA。
题1.3.2 场效应管漏极特性曲线同图题1.3.1(a)~(d)所示。
分别画出各种管子对应的转移特性曲线i D=f(v GS)。
解:在漏极特性上某一V DS下作一直线,该直线与每条输出特性的交点决定了V GS和I D的大小,逐点作出,连接成曲线,就是管子的转移特性了,分别如图1.3.2所示。
图1.3.2题1.3.3 图题1.3.3所示为场效应管的转移特性曲线。
试问:图题1.3.3(1)I DSS 、V P 值为多大? (2)根据给定曲线,估算当i D =1.5mA 和i D =3.9mA 时,g m 约为多少? (3) 根据g m 的定义:GS Dm dv di g ,计算v GS = -1V 和v GS = -3V 时相对应的g m 值。
解: (1) I DSS =5.5mA ,V GS(off)=-5V ;(2) I D =1.5mA 时,g m ≈0.88ms ,I D =3.9mA 时,g m ≈1.76ms ;(3) v GS =-1V 时,g m ≈0.88ms ,v GS =-3V 时,g m ≈1.76ms 。
题1.3.4 由晶体管特性图示仪测得场效应管T 1和T 2各具有图题1.3.4的(a )和(b )所示的输出 特性曲线,试判断它们的类型,并粗略地估计V P 或V T 值,以及v DS =5V 时的I DSS 或 I DO 值。
电子电路实验(浙江大学)智慧树知到课后章节答案2023年下浙江大学

电子电路实验(浙江大学)智慧树知到课后章节答案2023年下浙江大学浙江大学第一章测试1.可以用万用表交流档测量音频信号的大小。
()A:对 B:错答案:错2.用万用表测量电流时需要把万用表串接入被测电路中。
()A:对 B:错答案:对3.为了得到正负12V电压给运算放大器供电,需要把电源设置于串联工作方式。
()A:对 B:错答案:对4.为了得到正负12V电压给运算放大器供电,需要把电源设置于并联工作方式。
()A:对 B:错答案:错5.用示波器观测交流信号,被测信号接入通道1(CH1),为使信号能稳定地显示在屏幕上,触发信源应选择()。
A:CH2 B:LINE C:CH1 D:EXT答案:CH16.用示波器测量一含有较大直流成分的交流小信号时,为使交流信号在屏幕上尽量占据大的幅面以便精确测量,输入信号的耦合方式应选择()A:DC耦合 B:接地 C:其余选项都可以 D:AC耦合答案:AC耦合7.用示波器测量信号的直流成分时,输入信号的耦合方式应选择()A:接地 B:AC耦合 C:DC耦合 D:其余选项都可以答案:DC耦合8.在用示波器观测含有噪声干扰的信号时,为使信号波形能稳定地显示在示波器上,观测含有高频干扰的低频信号时触发信号的耦合方式选用HFR(高频抑制) 耦合方式,观测含有低频干扰的高频信号时触发信号的耦合方式选用LFR(低频抑制) 耦合方式。
观测普通无噪声的信号时选用AC耦合。
()A:对 B:错答案:对第二章测试1.如果设定不同的电压与电流参考方向,基尔霍夫定律仍然成立。
()A:对 B:错答案:对2.如果电路中含有非线性器件,基尔霍夫定律仍然成立。
()A:对 B:错答案:对3.在叠加定律验证实验中,将不起作用的电压源直接短接。
()A:对 B:错答案:错4.在叠加定律验证实验中,将不起作用的电压源直接关闭。
()A:对 B:错答案:错5.电阻消耗的功率也具有叠加性。
()A:错 B:对答案:错第三章测试1.OrCAD套件不能绘制PCB版图。
集成电路版图设计习题答案第八章MOS场效应晶体管

集成电路版图设计习题答案第8章 MOS场效应晶体管【习题答案】1.请画出MOS晶体管的结构示意图。
答:2.请简述MOS晶体管各个版图层的作用。
●答:阱层(Well):阱层定义在衬底上制备阱的区域。
NMOS管制备在P型衬底上,PMOS管制备在N型衬底上。
一块原始的半导体材料,掺入的杂质类型只能有一种,即该衬底不是N型就是P型。
如果不对衬底进行加工处理的话,该衬底只能制备一种MOS晶体管。
CMOS集成电路是把NMOS晶体管和PMOS晶体管制备在同一个硅片衬底上,为了能够制造CMOS集成电路,需要对衬底进行处理,利用掺杂工艺在衬底上形成一个区域,该区域的掺杂类型和衬底的掺杂类型相反,这个区域就称为阱。
●有源区层(Active):有源区层的作用是在衬底上定义制作有源区的区域,该区域包括源区、漏区和沟道。
在衬底上淀积厚氧化层,利用光刻和刻蚀工艺在衬底上开窗口并把厚氧化层除去就可形成有源区,有源区之外的区域是场区。
显然,MOS管必须而且只能制备在有源区内。
●多晶硅层(Poly):多晶硅层的作用是定义制作多晶硅材料的区域。
最早的MOS集成电路制造工艺只能制备一层多晶硅,而现在已经有能够制备两层多晶硅的工艺了。
对于双层多晶硅工艺,第一层多晶硅主要用来制作栅极、导线和多晶硅—多晶硅电容的下极板,第二层多晶硅主要用来制作多晶硅电阻和多晶硅-多晶硅电容的上极板。
双层多晶硅工艺具有多晶硅1和多晶硅2这两个版图层。
●P+注入层和N+注入层(P+implant和N+ implant):P+注入层定义注入P+杂质离子的区域,而N+注入层定义注入N+杂质离子的区域。
由于NMOS晶体管和PMOS晶体管的结构相同,只是源漏区的掺杂类型相反。
同时,有源区层只是定义了源区、漏区和沟道的区域,却没有说明源区和漏区的掺杂类型。
P+注入层和N+注入层说明了注入杂质的类型,也就是说明了有源区的导电类型,实现了NMOS晶体管和PMOS晶体管的区分。
集成电子技术基础浙大版习题答案二篇 5章

第五章习题题2.5.1 静态RAM与动态RAM相比,各有什么特点?比较内容静态RAM 动态RAM存储容量小存储容量更大功耗较大更小存取速度快更快价格贵便宜题RAM,则:(1)该RAM有几根数据线?(2)该RAM有几根地址线?解:一个基本存储单元存放有一位二进制信息,一个字节为8位二进制信息,32768=215=212×8=212×23。
所以:(1) 有8根数据线;(2) 有12根地址线,一次访问一个字节,即8位数据。
题2.5.3 RAM的容量为256×4字位,则:(1)该RAM有多少个存储单元?(2)该RAM每次访问几个基本存储单元?(3)该RAM有几根地址线?解:一个基本存储单元存放有一位二进制信息,所以1024字位容量就有:(1) 1024个基本存储单元;(2) 由四个基本存储单元组成一个4位的存储单元,所以,该存储器每次访问4个基本存储单元;(3) 有256=28,所以有8根地址线。
题2.5.4 试用256×4字位的RAM,用位扩展的方法组成一个256*8字位的RAM,请画出电路图。
解:256×4字位的RAM只有4位数据线,要扩大成8位时应采用位扩展的方法实现。
将8位地址线、片选线、读/写控制线并联,RAM(1)的4位作扩展后8位的高4位,RAM(2)的4位作为扩展后的低4位,组成扩展后的8位数据输出。
其扩展的连接电路如图所示:题2.5.5 C850是64*1字位容量的静态RAM,若要用它扩展成一个128*4字位容量的RAM,需要几块C850?并画出相应的电路图。
解:该题原地址为64=26为6位,现要有128=27,需用7位地址线,因此要用地址扩展;数据线只有1位,现需要4位数据,同时要进行数据位扩展;所以要有8块C850是64*1字位容量的静态RAM。
其连接后的电路如图所示:题2.5.6 按照编程工艺不同,只读存储器大致可分为哪几类?各有什么特 点?解: 熔丝/反熔丝型,EPROM 型,E 2PROM 型,Flash Memory 型等。
集成电路设计习题答案6-9章-5页精选文档

CH61.芯片电容有几种实现结构?①利用二极管和三极管的结电容;②叉指金属结构;③金属-绝缘体-金属(MIM)结构;④多晶硅/金属-绝缘体-多晶硅结构。
2.采用半导体材料实现电阻要注意哪些问题?精度、温度系数、寄生参数、尺寸、承受功耗以及匹配等方面问题3.画出电阻的高频等效电路。
4.芯片电感有几种实现结构?(1)集总电感集总电感可以有下列两种形式:①匝线圈;②圆形、方形或其他螺旋形多匝线圈;(2)传输线电感5.微波集成电路设计中,场效应晶体管的栅极常常通过一段传输线接偏置电压。
试解释其作用。
阻抗匹配6.微带线传播TEM波的条件是什么?7.在芯片上设计微带线时,如何考虑信号完整性问题?为了保证模型的精确度和信号的完整性,需要对互连线的版图结构加以约束和进行规整。
为了减少信号或电源引起的损耗以及为了减少芯片面积,大多数连线应该尽量短。
应注意微带线的趋肤效应和寄生参数。
在长信号线上,分布电阻电容带来延迟;而在微带线长距离并行或不同层导线交叉时,要考虑相互串扰问题。
8.列出共面波导的特点。
CPW 的优点是:①工艺简单,费用低,因为所有接地线均在上表面而不需接触孔。
②在相邻的CPW 之间有更好的屏蔽,因此有更高的集成度和更小的芯片尺寸。
③比金属孔有更低的接地电感。
④低的阻抗和速度色散。
CPW 的缺点是:①衰减相对高一些,在50 GHz 时,CPW 的衰减是0.5 dB/mm;②由于厚的介质层,导热能力差,不利于大功率放大器的实现。
CH71. 集成电路电路级模拟的标准工具是什么软件, 能进行何种性能分析?集成电路电路级模拟的标准工具是SPICE可以进行:(1)直流工作点分析(2)直流扫描分析(3)小信号传输函数(4)交流特性分析(5)直流或小信号交流灵敏度分析(6)噪声分析(7)瞬态特性分析(8)傅里叶分析(9)失真分析(10)零极点分析2. 写出MOS的SPICE元件输入格式与模型输入格式。
元件输入格式:M<编号> <漏极结点> <栅极结点> <源极结点> <衬底结点> <模型名称> <宽W> <长L> (<插指数M>)例如:M1 out in 0 0 nmos W=1.2u L=1.2u M=2模型输入格式:.Model <模型名称> <模型类型> <模型参数>……例如:.MODEL NMOS NMOS LEVEL=2 LD=0.15U TOX=200.0E-10 VTO=0.74 KP=8.0E-05+NSUB=5.37E+15 GAMMA=0.54 PHI=0.6 U0=656 UEXP=0.157 UCRIT=31444+DELTA=2.34 VMAX=55261 XJ=0.25U LAMBDA=0.037 NFS=1E+12 NEFF=1.001+NSS=1E+11 TPG=1.0 RSH=70.00 PB=0.58+CGDO=4.3E-10 CGSO=4.3E-10 CJ=0.0003 MJ=0.66 CJSW=8.0E-10 MJSW=0.24其中,+为SPICE语法,表示续行。
四篇 1章浙大版集成电路课后答案

四篇 1章浙大版集成电路课后答案第一章信号发生电路题4.1.1 一个负反馈放大器产生自激振荡的相位条件为?AF?(2n?1)?,而正弦振荡器中的相位平衡条件是?AF?2n?,这里有无矛盾??F?F??1,而起振时,则要求A??1,这是为什么?题4.1.2 振荡器的幅度平衡条件为A题4.1.3 RC桥式正弦振荡器如图题4.1.3所示,其中二极管在负反馈支路内起稳幅作用。
(1)试在放大器框图A内填上同相输入端(+)和反相输入端(―)的符号,若A为μA741型运放,试注明这两个输入端子的管脚号码。
(2)如果不用二极管,而改用下列热敏元件来实现稳幅:(a)具有负温度系数的热敏电阻器;(b)具有正温度系数的钨丝灯泡。
试挑选元件(a)或(b)来替代图中的负反馈支路电阻(R1或R3),并画出相应的电路图。
解:(1) RC桥式正弦振荡器中,由于RC串并联网络在f=fo时,其相移φAF=0,为满足相位条件:φAF=φA+φF=0,放大器必须接成同相放大器,因此与RC串并联网络连接的输入端为(+),与负反馈支路连接的输入端为(-),若A为A741,其管脚号为:反相输入端为2,同相输入端为3。
(2) (a)负温度系数的热敏电阻取代R3; (b)正温度系数的钨丝灯泡取代R1。
图题4.1.3题4.1.4 试用相位平衡条件判别图题4.1.4所示各振荡电路。
(1)哪些可能产生正弦振荡,哪些不能?(注意耦合电容Cb、Ce在交流通路中可视作短路。
)(2)对哪些不能满足相位平衡条件的电路,如何改变接线使之满足相位平衡条件?(用电路图表示。
)解:(1) 不满足相位平衡条件。
(2) 电路(b)中,通过切环与瞬时极性法,可判断该电路不满足相位平衡条件。
而将反馈信号引入T1基极时,即可满足相位平衡条件。
(3) 由电路(c)中的瞬时极性可知,该电路满足相位平衡条件。
图题4.1.4题4.1.5 电路如图题4.1.5所示,稳压管Dz起稳幅作用,其稳定电压±VZ=±6V。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
第一章 放大电路的动态和频响分析题3.1.1 对于放大电路的性能指标,回答下列问题:(1) 已知某放大电路第一级的电压增益为40dB ,第二级的电压增益为20dB ,总的电压增益为多少dB ?(2) 某放大电路在负载开路时输出电压为4V ,接入3 k Ω的负载电阻后输出电压降为3V ,则该放大电路的输出电阻为多少?(3) 为了测量某CE 放大电路的输出电压,是否可以用万用表的电阻档直接去测输出端对地的电阻?解:(1) 60 dB ;(2) 1 k Ω;(3) 不可以。
题3.1.2 一学生用交流电压表测得某放大电路的开路输出电压为4.8V ,接上24 k Ω的负载电阻后测出的电压值为4V 。
已知电压表的内阻为120 k Ω。
求该放大电路的输出电阻R o 和实际的开路输出电压V oo 。
解:由题意列方程组: 420208.4120120=+⋅=+⋅o DD o BB R V R V解得:V 5k 5=Ω=OO o V R ,题3.1.3 在图题3.1.3所示CS 放大电路中,已知静态工作点为V GSQ =-0.5V ,I DQ =2mA ,V DSQ=5V ,R s =3k Ω。
设电压放大倍数为vA =-20,发生截止失真时输出电压的正向幅值为5V ,发生饱和失真时输出电压的负向幅值为3V 。
(1) 当输入信号为v i =0.1sin ωt (V)时,画出g 、d 点的电压波形v G 、v D ,并标出峰、谷电压的大小;(2) 当输入信号为v i =0.3sin ωt (V)时,画出g 、d 点的电压波形v G 、v D ,并标出峰、谷电压的大小。
图题3.1.3解:(1) 当v i =0.1sin ωt (V)时,栅极的静态电压为:V 5.5325.0=⨯+-=+=s DQ GSQ GQ R I V V栅极的瞬态电压为:(V)t 0.1sin 5.5ω+=+=i GQ G v V v漏极的瞬态电压为:(V) sin 211sin 1.0)20(325t t v A R I V v V v V v iv s DQ DSQ o DQ d DQ D ω-=ω⨯-+⨯+=++=+=+=因此,v G 、v D 电压波形如图3.1.3(a )所示。
(b ) v i =0.3sin ωt (V)时图3.1.3(2) 当v i =0.3sin ωt (V)时,(V)t 0.3sin 5.5ω+=+=i GQ G v V v(V) sin 611sin 3.02011t t v V v o DQ D ω-=ω⨯-=+=可见,此时输出电压已经产生了截止失真和饱和失真,其电压波形如图 3.1.3(b )所示。
题3.1.4 一组同学做基本CE 放大电路实验,出现了五种不同的接线方式,如图题3.1.4所示。
若从正确合理、方便实用的角度去考虑,哪一种最为可取?(a ) v i =0.1sin ωt (V)时图题3.1.4解:图(d)最合理。
基极电阻R b由电位器与电阻串联组成,不仅可以调节阻值,从而调节放大电路的静态工作点,而且不会使阻值为0,免得使三极管电流过大而烧毁。
同时图中的耦合电容极性也正确。
题3.1.5试分析图题 3.1.5所示各个电路的静态和动态测试对正弦交流信号有无放大作用,如有正常的放大作用,判断是同相放大还是反相放大。
图题3.1.5解:(a) 没有放大作用。
因为输入端在交流通路中接地,信号加不进去;(b) 有放大作用,属于CC组态,因此为同相放大电路;(c) 没有放大作用,因为输出端交流接地;(d) 有放大作用,属于CB组态,因此为同相放大电路。
题3.1.6有一CE放大电路如图题3.1.6(a)所示。
试回答下列问题:(1) 写出该电路电压放大倍数vA 、输入电阻R i 和输出电阻R o 的表达式。
(2) 若换用β值较小的三极管,则静态工作点I BQ 、V CEQ 将如何变化?电压放大倍数|vA |、输入电阻R i 和输出电阻R o 将如何变化?(3) 若将静态工作点调整到交流负载线的中央,在输入电压增大的过程中,输出端出现如图题3.1.6(b )所示的失真波形,问该失真是由于什么原因引起的?是饱和失真还是截止失真?(4) 若该电路在调试中输出电压波形顶部出现了“缩顶”失真,问电路产生的是饱和失真还是截止失真?应调整电路中哪个电阻,如何调整(增大或减小)?(5) 若该电路在室温下工作正常,但将它放入60℃的恒温箱中,发现输出波形失真,且幅度增大,这时电路产生了饱和失真还是截止失真?其主要原因是什么?图题3.1.6解:(1) be L c v r R R A )//(β-= , R i =R b ∥r be , R o =R C (2) 若换用β值较小的晶体管,则I BQ 基本不变,V CEQ 增大,|vA |减小,R i 基本不变,R o 不变。
(3) 由三极管的非线性特性引起的失真,不是饱和失真,也不是截止失真。
(4) 截止失真,应减小R b 。
(5) 饱和失真,主要原因是由于温度升高,晶体管的V BE ↓、β↑、I CEQ ↑,使三极管的静态工作点升高。
题3.1.7 双极型晶体管组成的基本放大电路如图题 3.1.7(a)、(b)、(c)所示。
设各BJT 的r bb'=200Ω,β=50,V BE =0.7V 。
(1) 计算各电路的静态工作点;(2) 画出各电路的微变等效电路,指出它们的放大组态;(3) 求电压放大倍数vA 、输入电阻R i 和输出电阻R o 。
(4) 当逐步加大输入信号时,各放大电路将首先出现哪一种失真(截止失真或饱和失真),其最大不失真输出电压幅度为多少?图题3.1.7解:图(a)电路:(1) 求静态工作点A 7335117.012)1(7.012μ≈⨯+-=β++-=e s BQ R R ImA 65.3=β=BQ CQ I I[]V 65.5)23(24-=+--=CQ CEQ I V(2) CE 组态,微变等效电路为:(3) 动态指标计算Ω=+=β++=k 56.0073.026200)1('EQ Tbb be I V r r17956.0250-=⨯-=β-=be cv r R A64)179(56.0156.0-=-+=+=v i s i vs A R R R AR i =r be =0.56 k ΩR o =R c =2 k Ω(4) 当截止失真时,V om1=I CQ ·R c =7.3 V当饱和失真时,V om2=|V CEQ |-|V CES |=5.65-0.7≈5.0 V所以,首先出现饱和失真。
V om =5.0V图(b)电路:(1) 求静态工作点A 181515.47.07.1)1(//7.01521211μ=⨯+-=β++-+⨯=e b b b b b BQ R R R R R R I I CQ =βI BQ =0.9 mAV CEQ =15-(R c +R e )I CQ =9.5 V(2) CB 组态,微变等效电路为:(3) 动态指标计算Ω=+=β++=k 64.1018.026200)1('EQ T bb be I V r r 7.7764.1)1.5//1.5(50)//(=⨯=-β-==beb Lc b i o v r I R R I V V A Ω==β+== 315164.1//11//be e ii i r R I V R R o ≈R c =5.1 k Ω(4) 当截止失真时,V om1=I CQ ·R L ′=0.9×(5.1∥5.1)=2.3 V当饱和失真时,V om2=V CEQ -V CES =9.5-0.7=8.8 V所以,首先出现截止失真,V om =2.3 V图(c)电路:(1) 求静态工作点A 5.403512007.015)1(7.015μ=⨯+-=β++-=e b BQ R R I I CQ =βI BQ =2 mAV CEQ =1.5-I CQ ·R e =15-2×3=9 V(2) CC 组态,微变等效电路为:(3) 动态指标计算Ω=+=β++=k 85.004.026200)1('EQ T bb be I V r r 99.05.15185.05.151)//()1()//()1(=⨯+⨯=β++β+==Lc b be b L c b i o v R R I r I R R I V V A [][]Ω=⨯+=β++==k 8.555.15185.0//200)//)(1(//L e be b ii i R R r R I V R Ω=+=β++==∞== 5451200//285.0//31////0''b s be e R V o oo R R r R IV R L s 96.099.08.5528.55=⨯+=+=v i s i vs A R R R A (4) 当截止失真时,V om1=I CQ ·R L ′=2×1.5=3 V当饱和失真时,V om2=V CEQ -V CES =9-0.7=8.3 V所以,首先出现截止失真,V om =3 V题3.1.8 在图题3.1.8所示的放大电路中,三极管的β=40,r be =0.8k Ω,V BE =0.7V ,各电容都足够大。
试计算:(1) 电路的静态工作点;(2) 求电路的中频源电压放大倍数so vs V V A =; (3) 求电路的最大不失真输出电压幅值。
图题3.1.8解:(1) 求电路的静态工作点:V 0.4121392020211'=⨯++=++=CC d b b b B V R R R R V Ω==+=k 3.1340//20)//(21'd b b b R R R RμA 6.342413.137.00.4))(1(21''=⨯+-=+β++-=e e b BEB BQ R R R V V I mA 4.10346.040=⨯=β=BQ CQ I IV 4.6)22(4.112)(21=+⨯-=++-=e e c CQ CC CEQ R R R I V V(2) 微变等效电路为:4.42.0418.0140)1()//()1()//(11-=⨯+⨯-=β++β-=β++β-==e be L c e b be b L c b i o v R r R R R I r I R R I V V A Ω=⨯+=β++=k 4.5)2.0418.0//(39//20])1(//[//121e be b b i R r R R R0.44.55.04.54.4-=+⨯-=+=i s i v vs R R R A A (3) 考虑截止失真时,V 4.114.1'1=⨯=⋅=L CQ om R I V考虑饱和失真时,V 8.412.01)7.04.6()('1'2=+-=+-=L e LCES CEQ om R R R V V V 所以,首先出现截止失真,最大不失真输出电压为:4.1=om V V 。