模拟电子技能技术总结习题及答案
电子技术基础与技能模拟习题(附答案)
电子技术基础与技能模拟习题（附答案）一、单选题（共40题，每题1分，共40分）1、能完成两个1位二进制数相加并考虑到低位来的进位的器件称为A、译码器B、全加器C、编码器D、半加器正确答案：B2、在编码器74LS148中，关于输入使能端说法正确的为A、该引脚为低电平时，所有输出端为高电平B、该引脚为低电平时，编码器正常工作C、该引脚为高电平时，编码器正常工作D、该引脚为高电平时，所有输入端为高电平正确答案：B3、用指针式万用表检测某晶体三极管时，用红表笔搭接1脚，黑表笔分别搭接2、3脚时，指针偏转角均较大。
这说明此三极管类型为A、PNP型，且1脚为基极B、NPN型，且1脚为基极C、NPN型，且2脚为基极D、PNP型，且2脚为基极正确答案：A4、甲类功放的效率低是因为A、静态电流过大B、管子通过交流电流C、单管放大的能力小D、变压器效率低正确答案：A5、74LS192是( )进制可逆计数器。
A、异步、十B、异步、十六C、同步、十六D、同步、十正确答案：D6、温度影响了放大电路中( )的参数，从而使静态工作点不稳定。
A、电源B、三极管C、电阻D、电容正确答案：B7、8421BCD码1000 1001表示的十进制数码为A、67B、68C、79D、89正确答案：D8、下列所述中，属于串联型稳压电路的特点的是A、调试方便B、输出电压不可调C、输出电流小D、输出电压稳定度高且可调节正确答案：D9、在登录你的电子信箱的过程中，要有两个条件，一个是用户名，一个是与用户名对应的密码，要完成这个事件( 登陆成功)，它们体现的逻辑关系为A、“与”关系B、不存在逻辑关系C、“非”关系D、“或”关系正确答案：A10、一个八进制计数，最多能记忆的脉冲个数为A、10B、7C、9D、8正确答案：B11、Q0~Q3为74LS194的A、并行数据输端B、串行数据输入端C、并行数据输出端D、串行数据输出端正确答案：C12、开关电源若不能启动，应重点调整A、误差放大级B、脉宽控制级C、调整管基极偏置D、脉冲变压器正确答案：C13、8位二进制数能表示十进制数的最大值是A、256B、255C、298D、292正确答案：B14、若逻辑函数L=( )( )，则L可简化为A、L=A+BCB、L=AB+CC、L=AC+BD、L=ABC正确答案：A15、下列不属于组合逻辑电路的有A、译码器B、计数器C、数据分配器D、编码器正确答案：B16、D触发器的D端和Q端相连，D触发器的初态为“0”状态，试问经过10个时钟脉冲后触发器的状态为A、1状态B、0状态C、不定状态D、高阻状态正确答案：B17、译码器是一类多输入多输出器件，属于A、组合逻辑电路B、基本门电路C、编码器D、时序逻辑电路正确答案：A18、若逻辑函数L=(A+BCD )AB，则L可简化为A、L=AB、L=BCDC、L=ABD、L=A+BCD正确答案：C19、将一位十进制数的输入信号转换成8421BCD码的电路属于一种A、加法器B、数据比较器C、编码器D、译码器正确答案：C20、74LS161是( )进制加计数器。
模拟电子技能技术总结习题及答案
精心整理模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用1．1填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。
3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
456781．1A2．A3A4A5A1．12341．1值。
解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U＝(6—0.7)V＝5.3V。
(b)令二极管断开，可得UP ＝6V、UN＝10V，UP<UN，所以二极管反向偏压而截止，U＝10V。
(c)令V1、V2均断开，UN1＝0V、UN2＝6V、UP＝10V，UP—UN1>Up—UN2，故V1优先导通后，V2截止，所以输出电压U＝0.7V。
2．电路如图T1．2所示，二极管具有理想特性，已知ui＝(sinωt)V，试对应画出ui 、u、iD的波形。
解：输入电压ui 为正半周时，二极管正偏导通，所以二极管两端压降为零，即u＝0，而流过二极管的电流iD ＝ui／R，为半波正弦波，其最大值IDm＝10V／1kΩ＝10mA；当ui为负半周时，二极管反偏截止，iD ＝0，u＝ui为半波正弦波。
因此可画出电压u电流iD的波形如图(b)所示。
3．稳压二极管电路如图T1．3所示，已知UZ ＝5V，IZ＝5mA，电压表中流过的电流忽略不计。
试求当开关s断开和闭合时，电压表和电流表、读数分别为多大?解：当开关S断开，R2支路不通，IA2＝0，此时R1与稳压二极管V相串联，因此由图可得可见稳定二极管处于稳压状态，所以电压表的读数为5V。
当开关S闭合，令稳压二极管开路，可求得R2两端压降为故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态，因此，R1、R2构成串联电路，电流表A1、A2的读数相同，即而电压表的读数，即R2两端压降为3.6V。
第2章半导体三极管及其基本应用2．1填空题12种载流子参与导电。
【2024版】模拟电子技术试题库及答案
4、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和
反向击穿区四个工作区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的R×1k档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经老化不通。
6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？
答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大能力大大降低。因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大，且结面积也不同。
7、晶闸管与普通二极管、普通三极管的作用有何不同？其导通和阻断的条件有什么不同？
答：普通二极管根据其单向导电性可知，阳极加电源正极、阴极加电源负极时导通，反之阻断，可用于整流、钳位、限幅和电子开关；普通三极管在放大电路中起放大作用，在数字电子技术中起开关作用，普通三极管用于放大作用时，只要发射极正偏、集电极反偏时就会导通起放大作用，当发射极反偏时就会阻断放大信号通过；用作开关元件时，当发射结和集电结都正偏时，它就会饱和导通，当发射极反偏或发射极和集电极两个极都反偏时，晶体管就截止，阻断信号通过。晶闸管属于硅可控整流器件，只有导通和关断两种状态。晶闸管具有PNPN四层半导体结构，有阳极，阴极和门极三个电极。晶闸管加正向电压且门极有触发电流时导通，即：晶闸管仅在正向阳极电压时是不能导通的，还需门控极同时也要承受正向电压的情况下才能导通（晶闸管一旦导通后，门控极即失去作用）；当晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受多大电压，晶闸管都处于阻断状态，或者晶闸管在导通情况下，其主回路电压（或电流）减小到接近于零值时，晶闸管也会自动关断。
模拟电子技能技术总结基础试题汇总附有答案
精心整理模拟电子技术基础试题汇总一.选择题1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将(A)。
A 增大B 减小C 不变D 等于零2.某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管(D)3.A.4.5.生(B)6.(B)。
A ：B ：C ：D 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q 2点移动到Q 3点可能的原因是 。
A ：集电极电源+V CC 电压变高B ：集电极负载电阻RC 变高C ：基极电源+V BB 电压变高D ：基极回路电阻R b 变高。
8.直流负反馈是指(C)A.存在于RC耦合电路中的负反馈B.放大直流信号时才有的负反馈C.直流通路中的负反馈D.只存在于直接耦合电路中的负反馈9.负反馈所能抑制的干扰和噪声是(B)A输入信号所包含的干扰和噪声B.反馈环内的干扰和噪声C.反馈环外的干扰和噪声D.输出信号中的干扰和噪声10.在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为(A)A.－2.5VB.－5VC.－6.5VD.－7.5V11.在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV,△υS2=60mV,则差模输12.(C)。
13.14.15.多级负反馈放大电路在(A)情况下容易引起自激。
A.回路增益F A 大B反馈系数太小C.闭环放大倍数很大D.放大器的级数少16.LC正弦波振荡电路如图1-9所示，该电路(D)。
A.由于无选频网络不能产生正弦波振荡B.由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡C.满足振荡条件能产生正弦波振荡D.由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡图1-9图1-1017.图1-10所示电路出现故障，经测量得知V E =0，V C =V CC ，故障的可能原因为(D)。
A.R c 开路B.R c 短路C.R e 短路D.R b1开路(C)。
19.20.21.差模o V A.125mVB.1000mVC.250mVD.500mV22.对于图所示的复合管，假设1CEO I 和2CEO I 分别表示T 1.T 2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流CEO I 为(D)。
模拟电子技能技术总结 课后习题答案 康华光等编
精心整理模拟电子技术习题答案第二章2.4.1D 和V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压 （2）求v o 的变化范围 图题2.4.1T ＝300K 。
当r d1=r d2O v 2.4.3AO 解图a V AO =–6V 图b ：图c 15V ，故D 2图d －6V ．故2.4.4解图a D 图b ：将D 图c D 2.4.71，解（1当0＜|V i 0. 7V （2D 2均截止，v o=v i ；v i ≥0．5V 时，D 1导通，D 2截止。
v i ≤－0.5V 时，D 2导通，D 1截止。
因此，当v i ≥0．5V 时有 同理，v i ≤－0.5V 时，可求出类似结果。
v i 与v o 波形如图解2．4．7c 所示。
2.4.8二极管电路如图题2．4．8a 所示，设输入电压v I （t ）波形如图b 所示，在0＜t ＜5ms 的时间间隔内，试绘出v o （t ）的波形，设二极管是理想的。
解v I （t ）＜6V 时，D 截止，v o （t ）＝6V ；v I （t ）≥6V 时，D 导通 电路如图题2．4．13所示，设二极管是理想的。
（a ）画出它的传输特性；（b ）若输入电压v I =v i =20sin ωtV ，试根据传输特性绘出一周期的输出电压v o 的波形。
解（a ）画传输特性0＜v I ＜12V 时，D 1，D 2均截止，v o ＝v I ； v I ≥12V 时，D 1导通，D 2截止－10V ＜v I ＜0时，D 1，D 2均截止，v o ＝v I ； v I ≤－10V 时，D 2导通，D 1截止传输特性如图解2．413中a 所示。
（b ）当v o ＝v I =20sin ωtV 时，v o 波形如图解2．4．13b 所示。
2.5.2两只全同的稳压管组成的电路如图题2．5．2所示，假设它们的参数V 2和正向特性的V th 、r D 为已知。
模拟电子技能技术总结基础(第四版)习题解答
精心整理第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
(√) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
(×) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
(√)(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
(×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GS R 大的特点。
(√) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS U 大于零，则其输入电阻会明显变小。
(×)二、选择正确答案填入空内。
(l)PN 结加正向电压时，空间电荷区将A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏 (4)U GS =0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D =0.7V 。
图T1.3解：U O1=1.3V ,U O2=0V ,U O3=-1.3V ,U O4=2V ,U O5=1.3V ,U O6=-2V 。
四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a)(b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，?=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k ?时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
电工电子技术基础与技能模拟习题(含参考答案)
电工电子技术基础与技能模拟习题（含参考答案）一、判断题（共100题，每题1分，共100分）1、三相芯式变压器的铁心必须接地，且只能有一点接地。
A、正确B、错误正确答案：A2、装用漏电保护器，是属于绝对保证安全技术措施。
A、正确B、错误正确答案：B3、译码是编码的逆过程。
A、正确B、错误正确答案：A4、通常万用表黑表笔所对应的是内电源的负极。
A、正确B、错误正确答案：B5、用万用表×10K档来判断二极管的极性。
A、正确B、错误正确答案：B6、二极管是线性元件。
A、正确B、错误正确答案：B7、要保持实验室环境整洁，做到地面、桌面、设备三整洁，减少安全隐患。
A、正确B、错误正确答案：A8、磁感线始于磁体的N极，终于S极。
A、正确B、错误9、三相对称负载作三角形联结，若每相负载的阻抗为38欧姆，接在线电压为380V的三相交流电路中，则线电流为17.3A。
A、正确B、错误正确答案：A10、纯电感正弦交流电路中，瞬时功率的最大值就是无功功率。
A、正确B、错误正确答案：A11、如果两正弦交流电的频率相同，则它们的相位差就等于初相之差。
A、正确B、错误正确答案：A12、电压互感器在运行中，其二次绕组不允许短路。
A、正确B、错误正确答案：A13、触电紧急救护法时，首先应进行触电解救，然后立即进行人工呼吸和胸外，心脏挤压法。
A、正确B、错误正确答案：A14、当三相负载越近于对称时，中线电流越小。
A、正确B、错误正确答案：A15、机械特性决定电机稳定运行、起动、制动以及转速调节的工作情况。
A、正确B、错误正确答案：A16、交流电路中，容抗体现了电容对交流电流的阻碍作用。
A、正确B、错误17、正弦交流电路中，无功功率表示感抗或者容抗与电源之间进行的能量交换。
A、正确B、错误正确答案：A18、用三根相线来供电的供电方式称三相三线制。
A、正确B、错误正确答案：A19、电线或电器起火后，可以用水灭火。
A、正确B、错误正确答案：B20、由于电度表的铝盘的转速与电路实际消耗的功率成正比，所以通过观察铝盘转速的高低就可以判断电路是负荷的大小。
电工电子技术基础与技能考试模拟题与参考答案
电工电子技术基础与技能考试模拟题与参考答案一、判断题（共100题，每题1分，共100分）1.烙铁温度过低、焊接面(焊盘/引脚)氧化或有油污，容易造成虚焊、假焊。
A、正确B、错误正确答案：A2.如果两个同频率的正弦交流电在某一瞬间都是5A，则两者一定同相且幅值相等。
A、正确B、错误正确答案：B3.电感线圈除少数可采用现成成品外，作为非标准元件，经常需要根据电路要求进行自行设计和制作。
A、正确B、错误正确答案：A4.三相异步电动机的起动方式有直接起动和降压起动。
A、正确B、错误正确答案：A5.低压电器是指工作在交流1000V以下、直流1200V以下电路中的电器。
A、正确B、错误正确答案：B6.身边有人严重触电，应当首先切断电源，然后进行紧急抢救如人工呼吸，并立即拨打急救电话120。
A、正确B、错误正确答案：A7.漏电保护器在日常使用中不可在通电状态下按动实验按钮来检验其是否灵敏可靠。
A、正确B、错误正确答案：B8.直接接触触电是指因电气设备发生故障条件下的接触电压或跨步电压造成的触电。
A、正确B、错误正确答案：B9.交流电路中，容抗表示电容对交流电流的阻碍作用。
A、正确B、错误正确答案：A10.变压器的外特性是指一次侧保持额定电压，负载功率因数一定时，二次侧端电压随负载电流变化的关系。
A、正确B、错误正确答案：A11.三相异步电动机接触器互锁正反转控制电路中，两个互锁触点接反，则电动机无法起动。
A、正确B、错误正确答案：A12.电路元件是吸收功率还是输出功率，是由该元件的电压、电流参考方向之间的关系决定的。
A、正确B、错误正确答案：B13.电流互感器的结构和工作原理与普通变压器相似，它的一次线圈并联在被测电路中。
A、正确B、错误正确答案：B14.电阻并联后的总电阻值小于其中任一只电阻的阻值。
A、正确B、错误正确答案：A15.导线的基本操作有导线绝缘层的剖削、导线的连接、导线的封端和导线绝缘层的恢复等。
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模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用1．1填空题L半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2.本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。
3.PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5.整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6.发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7.光电二极管能将光信号转变为曳信号，它工作时需加反向偏置电压。
8.测得某二极管的正向电流为1mA,正向压降为0.65V,该二极管的直流电阻等于咽。
，交流电阻等于26Q。
L 2单选题1.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于(C)。
A.温度B.掺杂工艺C.掺杂浓度D.晶格缺陷2. PN结形成后，空间电荷区由⑻构成。
A・价电子8.自由电子C.空穴D.杂质离子3.硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而(B)。
A.减小B.基本不变C.增大4.流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将(C)。
A.增大8.基本不变C.减小5.变容二极管在电路中主要用作(D)。
、A.整流B.稳压C.发光口,可变电容器1. 3是非题1.在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
(J)2.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
(X)3.二极管在工作电流大于最大整流电流I时会损坏。
(X)4.只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
(X)1. 4分析计算题1.电路如图T1. 1所示，设二极管的导通电压U D =0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。
解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U0=(6-o?7)V=5.3V。
(力令二极管断开，可得U P=6V、U N=10V，0U P<U N，所以二极管反向偏压而截止，U°=10V。
(c)令V、V均断开，U =0V, U =6V、U =10V，U —U >Up—U，故V优先导通后，V截止，1 2 N1 N2 P P N1 N2 1 2所以输出电压U =0.7V。
2.电路如由T1. 2所示，二极管具有理想特性，已知ui= (sin s t)V，试对应画出u、u、i 的波形。
i 0解：输入电压u为正半周时，二极管正偏导通，所以二极管两端压降为零，即u=0，而流过二极管的电流i =4/R，为半波正弦波，其最大值I =10V/1k C=10mA；当u为负半周时，二极管反偏截止，D i =i0，u0=u为半波正弦波。
因此可舒出电压u0电流i的波形如图⑹所示。
3.稳压二极售电路如0图T1. 3所示，已知U =5V，I z=5mA0电压表中流过的电流忽略不计。
试求当开关s断开和闭合时，电压表和电流表、读数分别为多大？解：当开关S断开，区支路不通，I =0,此时R与稳压二极管V相串联，因此由图可得可见稳定二极管处于稳压状态，所以2电压表的读羲为5V。
当开关S闭合，令稳压二极管开路，可求得R两端压降为2故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态，因此，R、R构成串联电路，电流表A、 A 的读数相同，即 1 2 12而电压表的读数，即R两端压降为3.6V。
第2章半导体三极管及其基本应用2．1填空题1.晶体管从结构上可以分成PNP和NPN两种类型，它工作时有2种载流子参与导电。
2.晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。
3.晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是放大、饱和、截止。
4.当温度升高时，晶体管的参数6增大，I CBO增大，导通电压U B减小。
5.某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10P A变化到20 P A时,集电极电流从1mA变为1.99mA，则交流电流放大系数B约为99。
6・某晶体管的极限参数Ic M=20mA、P c M=100mW, U㈣°=30V，因此，当工作电压U E=10V时，工作电流I不得超过10mA;当工作电压U CM1V时，I不得超过201^；当工作电流I =2E mA时，U不得超* C CE C C CE过 30V。
7.场效应管从结构上可分为两大类：结型、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、增强型。
8.U 表示夹断电压，I表示饱和漏极电流，它们是耗尽型场效应管的参数。
9.2G单%题DSS1.某NPN型管电路中，测得U=0V，Uc=—5V，则可知管子工作于（0状态。
人.放大B.饱和口截止口・水能确定BC2.根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（B）。
A. NPN型低频小功率硅晶体管B. NPN型高频小功率硅晶体管C.PNP型低频小功率锗晶体管D. NPN型低频大功率硅晶体管3.输入（0时，可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。
A.正弦小信号B.低频大信号C.低频小信号口.高频小信号4.（D）具有不同的低频小信号电路模型。
A. NPN型管和PNP型管B.增强型场效应管和耗尽型场效应管C. N沟道场效应管和P沟道场效应管D.晶体管和场效应管5.当U G S=0时，⑻管不可能工作在恒流区。
A. JF E TB.增强型MOS管C.耗尽型MOS管D. NMOS管6.下列场效应管中，无原始导电沟道的为（B）。
A. N 沟道 JFETB.增强"AIPMOS 管C.耗尽型NMOS管D.耗尽型PMOS管2.3是非题1.可以采用小信号电路模型进行静态工作点的分析。
（X）2. MOSFET具有输入阻抗非常高、噪声低、热稳定性好等优点。
（J）3. EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。
（X）4.结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。
（J）5.场效应管用于放大电路时，应工作于饱和区。
（J）6.4分析计算题1.图T2. 1所示电路中的晶体管为硅管，试判断其工作状态。
解：(a)UE=U—U=0.7—。
=0.7丫，发射结正偏；U B=U-U=0.7—3=—2.3 V,集电结反偏因此晶体管工BC作为放大状态。
(b)U B E=U B—U E=2—3=—1V,发射结反偏；BE B U =U —U =2—5=—3V,集电结反偏因此晶体管工BC作卷截止状态。
(c)U B=U —U=3—2.3=0.7丫，发射结正偏；BE B U E =U —U =3—2.6=0,4V,集电结正偏因此晶体管工BC作为饱和状态。
3)该管为PNP型晶体管U EB=U E—U = (—2) 一 (—2.7) =0.7V,发射结正偏；EB U =U,U = (—5) — (—2.7) =—2.3V,集电结反偏因此晶体管三作室放大状态。
2.图T2. 2所示电路中，晶体管均为硅管，B =100,试判断各晶体管工作状态，并求各管的 I、I、U。
解：(a)方法一:设晶体管工作在放大状态，则有I C=B I B= 100X0.053=5.3mAU =12—5.3X3=-3.9V<0 B说明,述假设不成立，晶体管已工作在饱和区。
令晶体管的饱和压降^腌好=0.3丫，则集电极电流为因此可得晶体管的I =0.C0翁nA、I =I =3.9mA、U =U =0.3V方法二： B C CS 组"(Sat)因为I B>I BS,所以晶体管处于饱和状态，因而有I B=0.053mA. I C=I CS=3.9mA、 U C E=U C E(Sat)=0.3V(b) I =(6 —0.73 = 0.0084mA = 8.4R AB510 K Q设晶体管工作在放大状态，则有I = 100 X 0.0084mA=0.84mAU C =5V—0.84X3=2.48V>U能明晶体管工作在放大状态：堪上述假设成立，计算结果正确。
(6基极偏压为负电压，发射结和集电结均反偏，所以晶体管截止，则I =0, I =0, U =5V 3,放大电路如图T2. 3所示，试图中所有电容对交流信号的容抗近似为零，试面出各封路的直流通路、交流通路和小信号等效电路。
得交流通路如第亩备摩；即将得直流通路如号电路模示代萼即、得 2 放路电直流电号对效电路如即图(0所示。
(b)按上述相同方法可得放大电路的直流通路、交流通路、小信号等效电路如下图(a)、(b)、(c)所示。
4.场效应管的符号如图T2. 4所示，试指出各场效应管的类型，并定性画出各管的转移特性曲线。
解：(a)为P沟道耗尽型MOS管，它的转移特性曲线如下图(a)所示，其特点是u GS=0时，i D =—I(b)S为N沟道增强型MOS管，它的转移特性曲线如下图⑹所示，其特点是u =0时，i =0(c)为N沟道结型场效应管，它的转移特性曲线如下图⑹所示，其特点是u GS=0时，i D=I ,且 u W0 GS D DSS第3章放大电路基础3．1填空题1.放大电路的输入电压U=10mV,输出电压^=皿，该放大电路的电压放大倍数为100,电压增益为40dB。
i 02.放大电路的输入电阻越大，放大电路向信号源索取的电流就越小，输入电压也就越大；输出电阻越小，负载对输出电压的影响就越小，放大电路的负载能力就越强。
3.共集电极放大电路的输出电压与输入电压同相，电压放大倍数近似为1,输入电阻大，输出电阻小。
4.差分放大电路的输入电压U i i=1V,以=0.98丫，则它的差模输入电压U d=0.02V,共模输入电压U =0.99V。
i1 12id5「差分放大电路对差模输入信号具有良好的放大作用，对共模输入信号具有很强的抑制作用，差分放大电路的零点漂移很小。
6.乙类互补对称功放由NPN和PNP两种类型晶体管构成，其主要优点是效率高。
7.两级放大电路，第一级电压增益为40dB,第二级电压放大倍数为10倍，则两级总电压放大倍数为1000倍，总电压增益为60dB。
8.集成运算放大器输入级一般采用差分放大电路，其作用是用来减小零点漂移。
9.理想集成运算放大器工作在线性状态时，两输入端电压近似相等，称为虚短；输入电流近似为0,称为虚断。
10.集成运算放大器的两输入端分别称为同相输入端和反相输入端，前者的极性与输出端反相，后者的极性与输出端同相。
112单选题1.测量某放大电路负载开路时输出电压为3丫，接入2k Q的负载后，测得输出电压为1V,则该放大电路的输出电阻为(D)k U。
A. 0.5B. 1.0C. 2.0D. 42.为了获得反相电压放大，则应选用(给放大电路。
A.共发射极B.共集电极&共基极D.共栅极3.为了使高内阻的信号源与低阻负载能很好配合，可以在信号源与负载之间接入e)放大电路。