led工艺流程及产业介绍(全)
LED制造工艺流程
LED制造工艺流程LED（发光二极管）是一种半导体光源，具有高亮度、低功耗和长寿命等特点，因而在照明、显示和通信等领域得到广泛应用。
下面将介绍LED的制造工艺流程。
第一步：晶片生长晶片生长是LED制造的第一步，通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）或分子束外延（MBE）等技术，在蓝宝石衬底上生长GaN等半导体材料，形成LED的发光层。
第二步：晶片分割晶片分割是将生长好的LED晶片切割成小尺寸的方形或圆形芯片，以便后续工艺处理。
第三步：晶渣去除晶渣是晶片分割后产生的残留物，需要通过化学腐蚀或机械研磨等方法去除，以保证晶片表面的平整和光洁。
第四步：金属化通过蒸镀、溅射或印刷等工艺，在LED晶片的表面覆盖金属电极，以便连接外部电路。
第五步：芯片封装LED芯片通过封装工艺，将其封装在透光的塑料封装体内，同时加入辅助材料如荧光粉等，以改变发光颜色。
第六步：测试对封装好的LED芯片进行光电参数测试，包括亮度、颜色、波长等，以保证其品质。
第七步：分选分级根据测试结果对LED芯片进行分类，分为不同等级，以满足不同应用需求。
通过以上工艺流程，LED芯片的制造过程完成，最终可用于LED照明、显示屏和其他应用中，为人们的生活和工作提供更加高效、节能和环保的光源。
LED（发光二极管）制造工艺是一个高度技术化的过程，需要精密的设备和复杂的工艺流程。
通过不断的研究和创新，LED技术在不断进步，成为照明、显示和通信等领域的主流光源之一。
下面将继续介绍LED制造的相关内容。
第八步：组装组装是LED制造的关键环节之一。
在组装过程中，LED芯片通常会与散热器、电路板和透光的封装体结合，组装成LED灯具或LED显示屏等成品。
第九步：包装LED成品需要通过包装，以保护其不受外部环境的影响，同时便于运输和存储。
常见的LED灯具包装材料包括泡沫塑料、纸盒和塑料膜等。
第十步：品质控制LED制造过程中需要严格的品质控制，对原材料、工艺和成品进行全面的检测和监控，确保LED产品符合规定的质量标准。
简述LED生产工艺和LED封装流程
简述LED⽣产⼯艺和LED封装流程简述LED⽣产⼯艺和LED封装流程⼀、LED⽣产⼯艺1、⼯艺：a）清洗：采⽤超声波清洗PCB或LED⽀架，并烘⼲。
b）装架：在LED管芯（⼤圆⽚）底部电极备上银胶后进⾏扩张，将扩张后的管芯（⼤圆⽚）安置在刺晶台上，在显微镜下⽤刺晶笔将管芯⼀个⼀个安装在PCB或LED⽀架相应的焊盘上，随后进⾏烧结使银胶固化。
c）压焊：⽤铝丝或⾦丝焊机将电极连接到LED管芯上，以作电流注⼊的引线。
LED直接安装在PCB 上的，⼀般采⽤铝丝焊机。
（制作⽩光TOP-LED需要⾦线焊机）d）封装：通过点胶，⽤环氧将LED管芯和焊线保护起来。
在PCB板上点胶，对固化后胶体形状有严格要求，这直接关系到背光源成品的出光亮度。
这道⼯序还将承担点荧光粉（⽩光LED）的任务。
e）焊接：如果背光源是采⽤SMD-LED或其它已封装的LED,则在装配⼯艺之前，需要将LED焊接到PCB板上。
f）切膜：⽤冲床模切背光源所需的各种扩散膜、反光膜等。
g）装配：根据图纸要求，将背光源的各种材料⼿⼯安装正确的位置。
h）测试：检查背光源光电参数及出光均匀性是否良好。
I）包装：将成品按要求包装、⼊库。
⼆、封装⼯艺1、LED的封装的任务是将外引线连接到LED芯⽚的电极上，同时保护好LED芯⽚，并且起到提⾼光取出效率的作⽤。
关键⼯序有装架、压焊、封装。
2、LED封装形式LED封装形式可以说是五花⼋门，主要根据不同的应⽤场合采⽤相应的外形尺⼨，散热对策和出光效果。
LED按封装形式分类有Lamp-LED、TOP-LED、Side-LED、SMD-LED、High-Power-LED等。
3、LED封装⼯艺流程三：封装⼯艺说明1、芯⽚检验镜检：材料表⾯是否有机械损伤及⿇点⿇坑（lockhill）芯⽚尺⼨及电极⼤⼩是否符合⼯艺要求；电极图案是否完整2、扩⽚由于LED芯⽚在划⽚后依然排列紧密间距很⼩（约0.1mm），不利于后⼯序的操作。
LED显示屏生产流程及工艺要求
LED显示屏生产流程及工艺要求
LED显示屏的生产流程一般包括设计、原材料采购、表面贴装、组装和测试等步骤。
下面是LED显示屏生产流程的简要介绍：
1. 设计：根据客户需求，设计LED显示屏的整体结构和电路原理图。
2. 原材料采购：采购LED芯片、驱动芯片、电源模块、PCB板等相关材料和器件。
3. 表面贴装：将采购的元器件和芯片通过贴片机精确贴装在PCB板上。
4. 组装：将贴装好的PCB板与其他组件进行组装，包括连接线、边框等。
5. 冷焊连焊：使用焊接机将组装好的部件进行冷焊连焊。
6. 组装成型：进行外观整形，例如剪裁PCB板、安装外壳等。
7. 测试：对组装好的LED显示屏进行各项功能测试，包括亮度、颜色、显示效果等。
8. 包装和出厂：对测试合格的产品进行包装，同时进行质量检查，然后出厂。
在LED显示屏生产过程中，还需要注意一些工艺要求，例如：
1. 元器件的选择：要选择质量好、稳定性高的元器件，以
确保产品的稳定性和寿命。
2. 贴片精度：贴片机的贴装精度要求高，以确保元器件的
正确贴装。
3. 温度控制：在焊接和测试过程中，要控制好温度，避免
热损伤元器件。
4. 测试设备：使用专业的测试设备，确保对产品进行准确、全面的测试。
5. 质检标准：建立完善的质检标准，对每个环节进行检查，确保产品质量。
以上是LED显示屏的一般生产流程和工艺要求，每个企业
具体的生产流程和工艺要求可能会有所不同。
led生产工艺流程
led生产工艺流程LED（Light Emitting Diode，发光二极管）是一种电子发光器件，其工作原理是通过电流通过半导体材料结构时，电子与空穴重新结合产生光。
LED的生产过程可以分为单晶片制造、包装和测试三个主要步骤。
首先，单晶片制造是整个LED生产工艺的第一步。
它包括以下几个关键步骤：1. 材料准备：首先需要准备各种原材料，包括LED芯片所需的半导体材料，如砷化镓（GaAs）、砷化镓铝（AlGaAs）等，还需要金属材料和氮化镓基板等。
2. 晶体生长：将准备好的材料通过熔化、再结晶等过程，在特定温度和压力条件下进行晶体生长。
通常采用的方法有分子束外延（MBE）和金属有机化学气相沉积（MOCVD）等。
3. 衬底制备：晶体生长完成后，需要将其粘贴在薄而平整的衬底上，以便后续工艺步骤的进行。
4. 切割和抛光：将已经粘贴在衬底上的晶体进行切割和抛光，制成具有一定尺寸和形状的单晶片。
接下来是LED的包装过程，即将制造好的单晶片进行封装，以便与电路板连接使用。
主要步骤如下：1. 基座制备：首先，需要准备一个金属或塑料的基座，用来固定LED芯片和引出电路。
2. 焊接：将单晶片与基座通过焊接的方式固定在一起，使其能够相互连接。
3. 注射封装：使用注射成型机将造好的LED芯片和引线封装到透明的塑料壳体内，并固化成型。
最后是测试阶段，通过对已封装好的LED进行质量检测和性能测试，以确保其达到设计要求，主要包括以下几个步骤：1. 电性能测试：对封装好的LED进行电流和电压等电性能参数的测试，以确保其正常工作。
2. 光输出测试：通过特定设备测量LED的光输出强度、光谱特性和色温等关键光学参数。
3. 温度测试：将LED芯片加热至一定温度，测试其在高温环境下的工作性能和稳定性。
4. 寿命测试：通过长时间运行和老化试验，测试LED在不同条件下的使用寿命和稳定性。
总的来说，LED的生产工艺流程包括单晶片制造、包装和测试三个主要步骤。
LED生产工艺及封装步骤
LED生产工艺及封装步骤LED（Light Emitting Diode）是一种半导体器件，能够将电能转化为光能的能量转换器。
LED的生产工艺及封装步骤是一个复杂的过程，下面将详细介绍LED的生产工艺及封装步骤。
1.衬底选材LED的衬底选材通常采用氮化镓（GaN）材料。
GaN材料具有优良的导电性和热特性，能够满足LED工作时需要的高温和高电流。
2.薄膜生长在衬底上生长多个层次的半导体材料薄膜。
通常包括衬底的缺陷层、n型导电层、活性层和p型导电层。
这些薄膜的顺序和厚度会影响LED的电性能和光性能。
3.芯片制备将薄膜衬底切割成小块，形成独立的LED芯片。
每个芯片都要经过电性能测试和光性能测试，以确保符合要求。
4.金属电极制备在LED芯片上制备金属电极。
金属电极一般是由金属薄膜或金属线制成，用于引出电流和控制电池的正负极性。
5.封装材料选择在LED芯片上方涂覆一层透明的封装材料。
这种封装材料通常选择有机树脂或硅胶，能够保护LED芯片并提高光的折射率，提高光的输出效率。
6.色温和亮度校正根据需要，对LED的色温和亮度进行校正。
通过调整封装材料的混合比例和制造工艺，可以使LED发出不同颜色和亮度的光。
7.封装将LED芯片放置在封装材料内，利用封装设备将封装材料固化。
这一步骤可以选择多种封装方式，如晶粒封装、敞口封装和有灯泡的封装等。
8.电性能测试对封装好的LED进行电性能测试，包括电压、电流、电阻和功率等参数的测量。
确保封装后的LED与设计要求一致，并具有稳定的电性能。
9.光性能测试对封装好的LED进行光性能测试，包括颜色、亮度、发光角度和光衰等参数的测量。
确保封装后的LED具有稳定的光性能，并满足应用需求。
10.温度老化测试将封装好的LED放置在高温环境中进行老化测试。
通过长时间高温老化测试，可以评估LED的长期稳定性和寿命，并提前筛选出潜在的缺陷。
11.出货检验对符合要求的LED进行出货检验，保证质量和性能的一致性。
led生产流程
led生产流程LED生产流程是将所需的材料按照一定的规律进行加工、组装而成的过程。
下面是一个LED生产流程的简要介绍：1. 材料准备：首先需要准备LED所需的原材料，包括半导体晶片、封装材料、支架、导线等。
这些材料通常需要经过精确的筛选和检验，保证其质量和可靠性。
2. 晶片制备：制作半导体晶片是LED生产的关键步骤之一。
晶片制备通常采用外延生长技术，将不同材料的层状结构沉积在晶片基座上，形成具有特定电学和光学特性的半导体材料。
3. 制作芯片：在晶片上进行光刻、蚀刻、氧化、沉积等一系列工艺步骤，将晶片分割成小的独立芯片。
这些芯片通常具有不同的电气参数和发光特性，以满足不同应用的需求。
4. 封装：将芯片放置在封装材料中，并进行焊接和固定。
封装材料通常采用有机树脂或玻璃等材料，以保护芯片免受外界环境的影响，并提供良好的散热效果。
5. 导线连接：将芯片的引线与导线连接起来，形成电气连接。
这通常需要精密的焊接技术和精密的仪器设备来保证连接的可靠性和稳定性。
6. 整合测试：对已封装和连接的LED进行整合测试。
这包括测试芯片的电学和光学性能、温度特性、光谱特性等。
通过测试，可以筛选出合格产品，保证产品的质量和性能。
7. 包装和贴标签：对通过测试的LED进行包装和贴标签，以方便销售和使用。
包装通常包括塑料管、保护盒等，能够保护LED免受物理损坏。
8. 储存和运输：将包装好的LED产品储存和运输到销售地点。
这需要保证产品的安全和质量，并采取适当的包装和运输方式，以避免损坏和损失。
以上是LED生产流程的一个简要介绍，该流程包括了从材料准备到最终产品的制作过程。
随着LED技术的不断发展和进步，LED生产流程也在不断改进和优化，以提高生产效率和产品质量。
led工艺流程
led工艺流程LED工艺流程是指将LED芯片通过一系列的加工工艺处理，使其成为一颗完整的LED发光元件的过程。
下面是LED工艺流程的简要介绍：1. 晶圆制备：晶圆是LED芯片的基础，通常由砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）等半导体材料制成。
制备晶圆的过程包括原料准备、化学气相沉积、研磨抛光等步骤。
2. 掩膜制作：在晶圆上制作掩膜，用于定义LED芯片的结构，包括电极、层次等。
掩膜制作通常采用光刻技术，其中包括溅射法、电子束曝光法等。
3. 晶圆衬底：将晶圆粘贴到衬底上，用于增加机械强度和散热性能。
通常使用金属或陶瓷材料作为衬底。
4. 磷化：在晶圆表面镀上磷化物，用于调节LED的发光颜色。
常见的磷化物有三磷化镓（GaP）、三磷化铝（AlP）等。
5. 架晶：将LED芯片碎片切割成小块，然后将其架设到芯片承载架上。
承载架通常采用金属材料，如镍。
6. 焊接：将上步骤中架设好的芯片与引线进行焊接，形成电子电路连接。
常见的焊接方式有球焊、金线焊接等。
7. 嵌入：将芯片与本体进行结合，形成最终的LED发光元件。
通常使用封装材料，如环氧树脂封装。
8. 散热处理：对LED发光元件进行散热处理，以确保其正常工作和寿命。
常见的散热方式有铝基板散热、风扇散热等。
9. 光电性测试：对LED发光元件进行光电性能测试，包括亮度、色温、色差、电阻等参数的测量。
10. 分选与包装：根据光电性测试的结果，对LED发光元件进行分类和包装，以满足不同应用需求。
常见的包装形式有芯片、贴片、灯珠等。
以上是LED工艺流程的大致步骤，不同厂家和产品可能会有所不同。
LED工艺流程的优化和改进可以提高LED产品的性能和可靠性，降低成本，推动LED产业的发展。
led 工艺流程
led 工艺流程LED（Light Emitting Diode）是一种半导体器件，具有发光效果，是现代照明领域中常见的光源之一。
LED工艺流程是指在制造LED 器件时所采取的一系列生产工艺步骤。
本文将详细介绍LED工艺流程的各个环节及其作用。
1. 衬底准备：在LED制造过程中，需要选择合适的衬底材料，常用的有蓝宝石、氮化镓等。
衬底准备是制备LED器件的第一步，其主要目的是为了提供一个稳定的基底，便于后续工艺的进行。
2. 衬底清洗：在衬底准备完成后，需要对衬底进行清洗，以去除表面的杂质和污染物。
这是保证器件质量的重要步骤，清洗过程中要使用去离子水和有机溶剂等，确保衬底表面的干净度。
3. 衬底外延：外延是指在衬底表面沉积一层具有所需结构和性质的材料。
常用的外延方法有分子束外延、金属有机化学气相沉积等。
外延过程中需要控制温度和材料的流动速度，以获得均匀的薄膜。
4. 光刻：光刻是将光致化学反应用于半导体材料，通过光刻胶的光偏置，将图案转移到衬底上的一种技术。
光刻主要用于定义LED器件的结构，包括电极、导线等。
光刻液的选择和曝光时间的控制对于器件性能具有重要影响。
5. 腐蚀：制作LED器件时，需要将不需要的材料部分去除，以保留所需的结构。
腐蚀是一种常用的加工方法，可以通过化学反应去除材料。
腐蚀液的选择和腐蚀时间的控制对于器件的性能和外观有重要影响。
6. 电极制备：电极是LED器件的重要组成部分，它是LED的正负极连接点，以便于电流的注入和分布。
电极制备需要选择合适的材料和工艺方法，常用的有金属蒸发、电镀等。
电极的形状和尺寸对器件的性能和光输出有重要影响。
7. 封装：LED器件制备完成后，需要进行封装，以保护器件，提高光效和可靠性。
封装过程中需要将LED芯片与导线连接，并加入透明的封装材料。
封装的方法有多种，如胶滴封装、球型封装等，需要根据器件的应用需求选择合适的封装方式。
8. 测试与筛选：完成LED器件的制备和封装后，需要对其进行测试和筛选。
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且支架上无残胶。
且晶片上无残胶
C.银胶被推断， 且支架上有残胶
37 D.晶片被推断
Lamp-LED封装
4.焊线
利用热及超声波,使用金线焊接于晶片上焊垫及支架上连接内外 部线路，使晶片得以与外界沟通。
4.1 原物料 金线
.
38
金线
Lamp-LED封装
4.2 管制要点
焊线外观 金线拉力 金球推力 线弧高度
切二是Lamp-LED支架下Bar切除，得到单颗Lamp-LED成品。
12.1 管制要点
短脚尺寸 外观
.
50
Lamp-LED封装
14.包装
将成品进行计数包装。白管、蓝管和翠绿管等产品用防静电袋 包装。
14.1 管制要点
称重 封口 标签 装箱
.
51
分散光子束封装（SPE）-远程荧光体
• 这种远程荧光结构模
光泽、光滑。
.
47
Lamp-LED封装
10.切一(负极)
切负极是用模具将Lamp-LED半成品负极切出来，利于后续排测 外观作业。
10.1 管制要点
切脚方向 短脚尺寸 外观
.
48
Lamp-LED封装 11.排测&外观
区分良品与不良品(包括制程不良、电性不良、电镀不良）
.
49
Lamp-LED封装 12.切二
5.封装
利LED的封装主要有点胶、灌封、模压三种。目的是保护内部
的电路免受外部电路的破坏或不受影响。
Lamp-LED的封装采用灌封的形式。灌封的过程是先在LED成型
模粒内注入液态环氧树脂，然后插入焊好线的LED支架，放入
烤箱让环氧树脂固化后，将LED从模粒中脱出即成型。
5.1 原物料
A/B胶
色素(C)
式能够减少LED芯片
对荧光体反射光的吸
收，提高光的抽取效
率，缓解LED芯片热
量对荧光体的影响。
另一方面这种远程荧
光结构使得器件的相
关色温和颜色均匀性
得到明显改善
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52
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53
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54
LED
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55
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56
各种大功率LED
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57
2010中国LED封装企业竞争力排名
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58
LED应用器件
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59
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60
led工艺流程及产业 介绍
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1
电光源发展
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2
什么是LED？
• LED = Light Emitting Diode，发光二极管，是一种能够将电 能转化为可见光的固态的半导体器件，它可以直接把电转化 为光。
优点：
①节能。 ②绿色环保。 ③寿命长。 ④重量轻，体积小。 ⑤耐振动。 ⑥响应时间快。 ⑦色彩鲜明、辨识性优。
.
8
LED应用
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9
LED上游工艺：外延和芯片
.
10
外延工艺-MOCVD
通常MOCVD生长的过程可以描述如下：
被精确控制流量的反应源材料在载气（通常为H2，也有的系统 采用N2）的携带下被通入石英或者不锈钢的反应室，在衬底上 发生表面反应后生长外延层，衬底是放置在被加热的基座上的。 在反应后残留的尾气被扫出反应室，通过去除微粒和毒性的尾 气处理装置后被排出系统。
(3)模条 •使用次数:50次 •卡点
.
•导柱
43
Lamp-LED封装
6.短烤
灌胶后环氧树脂固化，一般环氧固化条件在120℃，1hr。
6.1 管制要点
(1)箱式烤箱 温度 时间 摆放
(2)隧道烤箱
阶梯温度
.
44
Lamp-LED封装
7.长烤
长烤是为了让环氧树脂充分固化，同时对LED进行热老化。长 烤对于提高环氧树脂与支架的粘接强度非常重要。一般长烤条 件为130℃，8hrs。
.
11
MOCVD设备
.
12
MOCVD配置的载体
3 x 8” (200mm)
5 x 6” (150mm)
48 x 2” (50mm)
13. x 4” (100mm)
20 x 3” (75m13m)
MOCVD主要的四个部分
• 一，气体操作系统 • 气体操作系统包括控制Ⅲ族金属有机源和V族氢化物源的气流及
• 4，通常情况下，晶体生长速率与Ⅲ族源的流量成正比，因此， 生长速率调节范围较广。
• 5，使用较灵活。原则上只要能够选择合适的原材料就可以进行 包含该元素的材料的MOCVD生长。
• 6，由于对真空度的要求较低，反应室的结构较简单。
• 7，随着检测技术的发展，可以对MOCVD的生长过程进行在位
监测。
等
.
30
LED封装目的 保护内部线路(晶片、金线) 连接外部线路 提供焊点 提供散热途径
.
31
LED封装形式
1.直插式 Lamp-LED
2.贴片型(SMD) Chip-LED TOP-LED Side-LED
3.功率型
Power-LED
.
32
LED封装工艺流程
扩晶 固晶
白光 配粉
烘烤 点荧光胶
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15
MOCVD生产的外延片
21 x 2”
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16
2010中国LED外延企业竞争力排名
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17
LED芯片工艺
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18
芯片设备简介：
黄光室：匀胶机、加热板、曝光机、显影台、金相 显微镜、
甩干机、台阶仪
清洗室：有机清洗台、酸性清洗台、撕金机、扫胶 机、
甩干机
蒸镀室：ICP、ITO蒸镀机、合金炉管、Pad蒸镀机、 PECVD、
2.2 管制要点
固晶位置 点胶位置 银胶量(1/3-1/2晶片高度) 支架、晶片放置方向 固晶后及时烘烤
银胶/绝缘胶 储存条件：-15℃~ -40℃ 回温条件：60min 搅拌时间：15-30min 使用期限：24hrs 胶盘清洗：1次/24hrs
固晶后晶片方向
90°
.
36
蓝膜晶片方向
Lamp-LED封装
9.1 管制要点
密着性:指镀层与基材间的结合力，密着性不佳则镀层会有脱离现象。
致密性:指镀层金属本身之间结合力，晶粒细小无杂质则有很好的致
密性，若是致密性不佳则会导致电镀表层粗糙。
均一性:指电镀浴能使镀件表面沉积均匀厚度的镀层之能力。好的均
一性可在凹处难镀到的地方也能镀上，对美观、耐腐蚀性很重要。
美观性:镀件要具有美感，必须无斑点、起泡脱皮缺陷，表面需保持
BBOS BSOB
Forward bonding(正打) Reverse bonding(反打)
Single Bond BBOS
BSOB-正打
.
40
BSOB-反打
Lamp-LED封装
BBOS
BSOS-正打
BSOS-反打
Single Bond 二焊侧面
BBOS .二焊侧面
BSOB 二焊侧面41
Lamp-LED封装
.
14
MOCVD优点
• 1，可以通过精确控制气态源的流量和通断时间来控制外延层的
组分、掺杂浓度、厚度等。
• 2，反应室中气体流速较快，在需要改变多元化合物的组分和掺 杂浓度时，可以迅速进行改变，减小记忆效应发生的可能性。
• 3，晶体生长是以热解化学反应的方式进行的，是单温区外延生 长。只要控制好反应源气流和温度分布的均匀性，就可以保证外 延材料的均匀性。
其混合物所采用的所有的阀门、泵以及各种设备和管路。 • 二，反应室 • 反应室是MOCVD生长系统的核心组成部分，反应室的设计对生
长的效果有至关重要的影响。 • 三，加热系统 • MOCVD系统中衬底的加热方式主要有三种：射频加热，红外辐
射加热和电阻加热。 • 四，尾气处理系统 • 必须对反应过后的尾气进行处理
扩散剂(DF)
耗材：模条
.
42
Lamp-LED封装
(2)灌胶
5.2 管制要点
•上料方向
(1)配胶
•粘胶量
•A胶/色素/扩散剂预热:70℃,1hr
•灌胶量
•配胶比: A:B、A:B:C/A:B:DF、A:B:C:DF •胶的使用时间:1.5hrs
•配胶顺序:色素→扩散剂→A胶→B胶 •外观
•搅拌:5~10min •制样:4pcs •抽真空:50±5℃,15min
扫胶机、手动点测机、光谱仪
.
19
芯片加工设备
曝光机
.
ICP
20
PECVD
.
蒸镀机
21
上蜡机
.
研磨机
22
NEW WAVE 激光切割机
JPSA
.
激光切割机
23
里德劈裂机
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24
点测机
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分选机 25
各大芯片外观
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26
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27
.
28
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29
2010大陆、台湾、国际LED芯片知名厂商
• 国外LED芯片厂商： CREE，惠普（HP），日亚化 学，丰田合成，大洋日酸，东芝、昭和电工，Lumiled s，旭明，Genelite，欧司朗，GeLcore，首尔半导体等