准连续QCW高脉冲能量光纤激光器峰值功率高达6000W
6000w激光空气切碳钢板参数
6000w激光空气切碳钢板参数激光切割是一种常用的金属加工方法，其中激光空气切割是一种无需使用辅助气体的切割方式。
本文将详细介绍6000w激光空气切碳钢板的参数及相关内容。
1. 功率参数6000w是激光器的功率参数，它表示激光器每秒钟输出的能量。
功率越大，激光切割的速度越快，同时也可以获得更高的切割质量。
对于切割碳钢板来说，6000w的功率足够强大，可以有效地切割碳钢板。
2. 切割速度激光切割速度是指激光器在单位时间内切割的长度。
对于6000w激光空气切割碳钢板来说，切割速度通常在几米到十几米之间。
切割速度过快可能会导致切割质量下降，切割速度过慢则会影响生产效率。
因此，需要根据具体材料和切割要求，合理调整切割速度。
3. 切割厚度激光空气切割碳钢板的厚度与激光器的功率、切割速度以及激光束的聚焦能力有关。
一般来说，6000w的激光器可以切割碳钢板的厚度在10mm左右。
当碳钢板的厚度超过激光器的切割能力时，可能会导致切割质量下降或切割失败。
4. 切割质量激光空气切割碳钢板的质量主要取决于激光器的功率、切割速度以及切割头的稳定性。
6000w的激光器可以提供足够的能量，保证切割质量。
同时，稳定的切割速度和精准的切割头也是保证切割质量的重要因素。
切割质量好的碳钢板切割件表面光滑、无毛刺，尺寸精确。
5. 激光器选型6000w的激光器通常采用光纤激光器或者二氧化碳激光器。
光纤激光器具有体积小、能量利用率高、维护成本低等优点，适合用于高精度的切割。
而二氧化碳激光器功率大，适合用于高速切割。
根据具体的切割需求，选择合适的激光器类型。
6. 激光切割系统6000w激光空气切割碳钢板通常需要配备激光切割系统。
激光切割系统由激光器、光纤传输系统、切割头、切割床等组成。
激光切割系统的稳定性和精度对于切割质量至关重要。
因此，在选择激光切割系统时，需要考虑相关参数，并确保系统的可靠性和稳定性。
7. 安全性激光切割是一项高能耗的加工方法，需要注意安全问题。
国际光纤激光器最大功率
国际光纤激光器最大功率
《国际光纤激光器最大功率》
近年来，随着科技的不断进步，光纤激光器在医疗、通讯、材料加工等领域得到了广泛的应用。
光纤激光器是一种将激光能量传输到光纤中的装置，其最大功率是指其能够输出的最大激光功率。
而国际上对于光纤激光器的最大功率有着严格的标准和规定。
根据国际标准，光纤激光器的最大功率需要经过严格的测试和认证，以确保其安全性和稳定性。
在医疗领域，激光手术设备的最大功率必须在临床安全范围内，并且需要符合相关的医疗器械标准。
在通讯领域，光纤激光器的最大功率需要满足信号传输和网络通信的需求，以确保数据传输的稳定和可靠。
在材料加工领域，光纤激光器需要具备足够的最大功率来实现高效的材料加工和切割。
另外，国际上对光纤激光器最大功率的标准也在不断更新和完善。
随着技术的进步和应用需求的变化，人们对光纤激光器的最大功率也提出了更高的要求。
因此，光纤激光器制造商需要不断进行研发和技术创新，以满足国际标准和市场需求。
总的来说，国际光纤激光器的最大功率是在严格标准和规定下进行认证和监管的，以确保其在不同领域的安全和稳定应用。
随着技术的不断进步，光纤激光器的最大功率也会得到进一步的提升，为各个领域的发展提供更好的支持。
RFL-QCW150 1500 QCW150 准连续光纤激光器中文说明书
RFL-QCW150/1500光纤激光器说明书武汉锐科光纤激光技术股份有限公司Wuhan Raycus Fiber Laser Technologies Co., Ltd.目录1安全信息 (1)1.1安全标识 (1)1.2激光安全等级 (1)1.3安全标识 (1)1.4光学安全 (3)1.5电学安全 (3)1.6其它安全注意事项 (4)2产品介绍 (5)2.1产品特性 (5)2.2装箱清单 (5)2.3开箱及检查 (5)2.4运行环境 (6)2.5注意事项 (7)2.6产品性能 (7)3安装 (8)3.1 整机尺寸图 (8)3.2 输出光缆的尺寸与安装 (10)3.3 冷却系统安装要求 (11)3.4 安装注意事项 (11)4产品的使用 (13)4.1 前面板 (13)4.2 后面板 (13)4.3 电源连接 (14)4.4 接口定义 (14)4.4.1 控制接口 (14)4.4.2 RS-232 串口 (18)4.5 激光器工作模式 (19)4.5.1 子工作模式 (20)4.5.2 控制命令 (21)4.5.2.1 RS-232配置 (21)4.5.2.2 以太网TCP/IP接口 (21)4.5.2.3 控制命令 (22)4.6安装及操作顺序 (27)4.7软件操作 (27)4.8常见故障 (27)5质保及返修、退货流程 (29)5.1 一般保修 (29)5.2 保修的限定性 (29)5.3 技术支持及产品维修 (29)附件A——软件操作说明 (1)A.1 运行环境 (1)A.2 软件安装 (1)A.3 双击运行 (2)A.4 菜单 (2)A.5 主界面功能介绍 (4)A.6 波形编辑 (10)A.7 激光器配置工具 (15)A.8 以太网本地连接配置 (17)1安全信息感谢您选择锐科光纤激光器，本用户手册为您提供了重要的安全、操作、维护及其它方面的信息。
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高可靠性无铝有源层808 nm半导体激光器泵浦源
第50卷第4期2021年4月人㊀工㊀晶㊀体㊀学㊀报JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS Vol.50㊀No.4April,2021高可靠性无铝有源层808nm 半导体激光器泵浦源刘㊀鹏1,2,3,朱㊀振2,陈㊀康2,王荣堃1,夏㊀伟2,3,徐现刚1,2(1.山东大学,新一代半导体材料研究院,晶体材料国家重点实验室,济南㊀250100;2.山东华光光电子股份有限公司,济南㊀250101;3.济南大学物理科学与技术学院,济南㊀250022)摘要:针对高功率808nm 激光器泵浦源的应用需求,设计并制备了InGaAsP /GaInP 材料体系的无铝有源区半导体激光器㊂使用双非对称的限制层及波导层结构,降低了P 侧材料的热阻及光吸收㊂优化了金属有机化学气相沉积(MOCVD)中As 和P 混合材料的生长条件,制备出界面陡峭的四元InGaAsP 单晶外延薄膜㊂制作的激光器室温测试阈值电流为1.5A,斜率效率为1.26W /A,10A 下的功率达到10.5W,功率转换效率为58%㊂连续电流测试最大功率为23W@24.5A,准连续电流测试最大功率为54W@50A,没有产生灾变性光学损伤(COD)㊂在15A 电流加速老化下,激光器工作4200h 未出现功率衰减及COD 现象,说明制备的无铝有源区808nm 激光器具有高可靠性的输出性能㊂关键词:无铝材料;高可靠性;InGaAsP;808nm;非对称;泵浦源;半导体激光器中图分类号:TN248.4㊀㊀文献标志码:A ㊀㊀文章编号:1000-985X (2021)04-0757-05High Reliable Al-Free 808nm Semiconductor Laser Diode Pump SourceLIU Peng 1,2,3,ZHU Zhen 2,CHEN Kang 2,WANG Rongkun 1,XIA Wei 2,3,XU Xiangang 1,2(1.Institute of Novel Semiconductors,State Key Laboratory of Crystal Material,Shandong University,Jinan 250100,China;2.Shandong Huaguang Optoelectronics Co.,Ltd.,Jinan 250101,China;3.School of Physics and Technology,University of Jinan,Jinan 250022,China)Abstract :For 808nm high power laser used as pump source,Al-free active-region laser diode was designed and fabricated,consisting of InGaAsP /GaInP.In this work,a double asymmetric structure of cladding and waveguide layers to reduce the thermal resistance and optical loss of P-side layers were proposed.By optimizing the MOCVD growth of As and P hybrid material,InGaAsP single-crystal epitaxial film with steep interface was fabricated.The threshold current is 1.5A at room temperature and the slope efficiency is 1.26W /A.The output power is 10.5W at 10A and the power efficiency is 58%.Under continuous wave (CW)operation,the maximum output power is 23W@24.5A,while it can reach 54W@50A under quasi continuous wave (QCW)mode without catastrophic optical damage (COD).No power degradation or COD occurred for accelerated aging over 4200h at 15A,showing high long-term reliability of Al-free active-region 808nm laser diode.Key words :Al-free material;high reliabile;InGaAsP;808nm;asymmetric;pump source;semiconductor laser diode㊀㊀收稿日期:2021-03-01㊀㊀基金项目:山东省激光装备创新创业共同体项目㊀㊀作者简介:刘㊀鹏(1994 ),男,山东省人,硕士研究生㊂E-mail:seekersliupeng@㊀㊀通信作者:朱㊀振,博士,高工㊂E-mail:zhuzhen@ 徐现刚,博士,教授㊂E-mail:xxu@ 0㊀引㊀㊀言半导体激光器具有体积小㊁质量轻㊁效率高及易于集成等优点,在工业加工㊁智能传感㊁医养健康及固体和光纤激光器泵浦源等方面有着重要应用㊂其中808nm 半导体激光器是Nd 掺杂YAG 固体激光器的理想泵浦源,被广泛用于精细加工㊁雷达测距等领域[1-2]㊂除了激光器的功率和效率,可靠性是实际应用中最为关注的性能㊂随着激光器输出功率越来越高,灾变性光学损伤(COD)成为影响半导体激光器可靠性及寿命的关键因素㊂这和激光器的材料生长和腔面处理有直接关系㊂由于AlGaAs 材料生长工艺比较成熟,目前758㊀研究论文人工晶体学报㊀㊀㊀㊀㊀㊀第50卷808nm激光器大部分使用AlGaInAs/AlGaAs作为有源层㊂但是含铝材料不稳定,极易氧化形成缺陷并在材料内部延伸造成器件失效㊂国际上,大功率808nm激光器一般都在腔面做特殊处理来控制缺陷的产生或延伸,如美国II VI公司的E2工艺[3],德国FBH研究所的H离子清洗工艺[4]㊂但特殊处理会带来复杂的工艺问题,降低良率,给808nm激光器的批量化生产增加难度㊂本文通过量产型金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备生长了InGaAsP/GaInP结构的808nm半导体激光器㊂由于有源区不含活泼性的铝元素,材料生长及腔面处理的工艺窗口较大,激光器的性能更加稳定和可靠㊂在15A电流加速老化下,激光器工作4200h未出现功率衰减及COD现象,10W工作寿命推测在40000h以上㊂本文是继承和发扬了蒋民华院士 为晶体提供泵源 的指导思想,不忘初心,通过各单位多年持久的产学研紧密结合,坚持创新,在山东华光光电子股份有限公司实现了规模化量产,满足了市场需求㊂同时开发了630~1100nm波段的多种半导体激光器泵浦源,其中808nm激光器由于具有优异的性能,是产业化较为成功的泵源之一㊂1㊀实㊀㊀验1.1㊀激光器结构如上所述,无铝结构的激光器在抑制体材料缺陷及提高腔面光学损伤方面有很多优势,但和传统的AlGaAs材料相比,InGaAsP/GaInP材料也有一些短板㊂根据JDSU的研究[5],GaInP材料的热导率是0.08W/(cm㊃K),为Al0.25Ga0.75As材料的一半,而其相同掺杂浓度下的电导率也要低于AlGaAs材料,这会影响激光器的高功率和高转换效率输出㊂在激光器外延结构设计上采用双非对称结构,如表1所示,P侧GaInP波导层的厚度要小于N侧GaInP波导层的厚度,P型AlGaInP限制层的Al组分要高于N型AlGaInP 限制层的Al组分㊂这不仅使光场偏向N区,降低空穴对光子的吸收,同时还能缩减P侧的外延层厚度,降低P区外延层的热阻及电阻㊂GaInP波导层中间为一层8nm厚度的InGaAsP单量子阱㊂InGaAsP材料可以通过调节III族及V族原子的组分实现量子阱的压缩和伸张应变,进而得到不同的激光偏振模式㊂为获得更低的阈值电流密度,可以使用压应变的InGaAsP量子阱㊂表1㊀808nm激光器的外延结构Table1㊀Epitaxial structure of808nm laser diodeLayer Material Thickness/nm Doping/cm-3Contact GaAs200>1ˑ1019P-cladding Al x Ga0.5-x In0.5P9001ˑ1018P-waveguide Ga0.5In0.5P400Quantum well InGaAsP8N-waveguide Ga0.5In0.5P800N-cladding Al y Ga0.5-y In0.5P15001ˑ1010Buffer GaAs2002ˑ1018为满足激光器耦合进入400μm芯径的光纤的需求,激光器发光区的宽度设计为390μm,周期为750μm,腔长为2mm㊂1.2㊀激光器制备外延材料生长使用量产型MOCVD系统㊂衬底为偏向<111>A方向15ʎ的GaAs(100)晶面,可以有效抑制GaInP材料的有序结构,增加材料生长窗口㊂III族有机源采用三甲基镓(TMGa)㊁三甲基铝(TMAl)和三甲基铟(TMIn),V族源材料为砷烷(AsH3)和磷烷(PH3),N型掺杂为Si,P型掺杂为Mg㊂外延层生长过程的温度控制在600~700ħ,反应室压力为104Pa㊂量子阱是整个激光器结构的核心,其生长质量决定了激光器的性能㊂InGaAsP为四元材料,且AsH3和PH3在不同生长条件下的分配系数差别较大,需要对量子阱的生长方式进行特殊设计㊂如图1所示,通过优化量子阱及两侧界面的生长温度及气流切换方式,得到界面陡峭的InGaAsP量子阱㊂外延层的结晶质量和表面状态也会影响激光器的性能参数㊂图2是经过优化后㊀第4期刘㊀鹏等:高可靠性无铝有源层808nm半导体激光器泵浦源759㊀的单层GaInP的原子力显微镜(AFM)照片,可以看到外延层的表面非常平整,粗糙度Ra仅为0.13nm,很接近外延生长前的GaAs衬底表面㊂图1㊀GaInP/InGaAsP量子阱的TEM照片Fig.1㊀TEM image of GaInP/InGaAsP quantum well图2㊀GaInP外延层的AFM照片Fig.2㊀AFM image of GaInP epitaxial layer 外延片生长完成以后进行芯片工艺的制作㊂使用湿法腐蚀工艺形成390μm的宽条,并在宽条两侧覆盖SiO2绝缘膜,形成电流注入区㊂P面金属电极为Ti/Pt/Au,N面金属电极为Ge/Ni/Au㊂解理成2mm腔长的巴条,使用电子束蒸发设备在前后腔面分别蒸镀5%的增透膜及98%的高反膜㊂解离成管芯,P面朝下烧结于AlN陶瓷材料的AuSn热沉上㊂2㊀结果与讨论为验证设计的外延结构及生长的材料质量,测试并计算了芯片的内量子效率和腔内损耗㊂将工艺晶片分别解理成1.0mm㊁1.5mm㊁2.0mm㊁2.5mm四种腔长的巴条,在未镀膜的条件下,利用脉冲电流分别测试它们的斜率效率和阈值电流,然后通过数值拟合,得到图3和4的曲线㊂通过计算得到芯片的内量子效率ηi 为97%,光吸收损耗系数αi为1.1cm-1,透明电流密度J tr为96A㊃cm-2,模式增益系数ΓG0为15cm-1㊂这个结果同德国Jenoptik公司及FBH研究所报道的808nm激光器结果是接近的[6-7]㊂图3㊀外微分量子效率和腔长的拟合曲线Fig.3㊀Curve of external differential efficiency and cavity length图4㊀阈值电流密度和腔长的拟合曲线Fig.4㊀Curve of threshold current density and cavity length图5为封装后的808nm激光器在25ħ条件下的功率-电流-电压曲线㊂从图中可以看出,激光器的阈值电流为1.5A,对应的阈值电流密度为192A㊃cm-2㊂激光器的斜率效率为1.26W/A,对应的外量子效率为82%㊂在10A电流下,激光器的输出功率达到了10.5W,电压1.82V,转换效率为58%㊂图6为热沉温度分别是25ħ㊁35ħ㊁45ħ及55ħ下的功率及电压曲线㊂随着温度增加,激光器的载流子溢出变得严重,阈值电流会增加,斜率效率会下降㊂由于P型限制层使用了高带隙的AlGaInP材料,高温下可以很好地将载流子限制在有源区内,激光器在55ħ及10A电流下的输出功率仍达到了9.3W,具有较好的温度特性㊂图7是激光器在10A电流下测试的光谱曲线㊂其峰值波长为807.9nm,光谱的半高宽(FWHM)为1.7nm㊂图8是激光器的远场特性测试㊂激光器工作时的水平发散角为9ʎ,垂直发散角为31ʎ㊂760㊀研究论文人工晶体学报㊀㊀㊀㊀㊀㊀第50卷图5㊀808nm LD的功率-电流-电压曲线Fig.5㊀Power-current-voltage curves of808nm LD图6㊀不同温度下的808nm LD功率曲线Fig.6㊀Power curves of808nm LD at different temperatures图7㊀808nm LD的光谱曲线Fig.7㊀Optical spectrum of808nm LD图8㊀808nm LD的远场发散角Fig.8㊀Far field angle of808nm LD图9㊀CW及QCW大电流测试下的功率曲线Fig.9㊀Power curves at high current CW and QCW testing图10㊀激光器加速老化曲线Fig.10㊀Accelerated aging curves of the laser 808nm的大功率激光器一般在工业及特种行业中作为泵浦源使用,需要具有高的可靠性㊂由于大功率激光器的主要失效模式为COD造成的突然失效,其COD功率是影响激光器可靠性的重要因素㊂在实验中,可以通过大电流测试考评激光器的COD水平㊂图9为连续电流(CW)及准连续电流(QCW,脉宽1ms,周期100ms)模式测试下的激光器功率曲线图㊂受限于测试电源的最大电流,激光器在CW24.5A下功率达到了23W,在QCW50A下的功率达到了54W,并且两种测试方式均没有COD产生,说明制作的808nm激光器的腔面COD功率在54W以上,具有高的抗腔面光学损伤特性㊂激光器的寿命和稳定性可以通过提高电流或温度的加速老化方式进行快速考评㊂由于808nm激光器的主要失效原因是腔面COD,提高电流(功率)的加速方式更能反映808nm激光器的可靠性水平㊂国内外同行大部分使用12A以内的加速电流进行老化[6,8-9],鉴于无铝结构激光器在抗腔面光学损伤方面的优势,使用更高的15A加速电流㊂图10是10只㊀第4期刘㊀鹏等:高可靠性无铝有源层808nm半导体激光器泵浦源761㊀808nm激光器在15A电流㊁水冷温度25ħ下的在线监控老化曲线㊂经过4200h的老化,激光器没有出现功率衰减及突然失效现象㊂通过文献所用的加速因子计算方法[10],推算808nm激光器在10W下的寿命为40000h以上,12W下的寿命也在20000h以上㊂3㊀结㊀㊀论本文使用MOCVD方法生长了高质量的InGaAsP/GaInP材料体系的激光器外延片,并制作了390μm条宽及2mm腔长的器件㊂室温测试阈值电流为1.5A,斜率效率1.26W/A,10A下的功率达到10.5W,转换效率为58%㊂CW电流测试最大功率为23W@24.5A,QCW电流测试最大功率为54W@50A㊂在15A电流加速老化下,激光器工作4200h未出现功率衰减及COD现象,推算808nm激光器在10W下的寿命为40000h以上,12W下的寿命在20000h以上㊂参考文献[1]㊀陈良惠,杨国文,刘育衔.半导体激光器研究进展[J].中国激光,2020,47(5):13-31.CHEN L H,YANG G W,LIU Y X.Development of semiconductor lasers[J].Chinese Journal of Lasers,2020,47(5):13-31(in Chinese).[2]㊀宁永强,陈泳屹,张㊀俊,等.大功率半导体激光器发展及相关技术概述[J].光学学报,2021,41(1):0114001.NING Y Q,CHEN Y Y,ZHANG J,et al.Brief review of development and techniques for high power semiconductor lasers[J].Acta Optica Sinica,2021,41(1):0114001(in Chinese).[3]㊀EPPERLEIN P W.Semiconductor laser engineering,reliability and diagnostics[M].John Wiley&Sons Ltd:Wiley,2013.[4]㊀CRUMP P,WENZEL H,ERBERT G,et al.Passively cooled TM polarized808nm laser bars with70%power conversion at80W and55Wpeak power per100μm stripe width[J].IEEE Photonics Technology Letters,2008,20(16):1378-1380.[5]㊀PETERS M,ROSSIN V,ACKLIN B.High-efficiency high-reliability laser diodes at JDS Uniphase[C]//Lasers and Applications in Science andEngineering.Proc SPIE5711,High-Power Diode Laser Technology and Applications III,San Jose,California,USA.2005,5711:142-151.[6]㊀PIETRZAK A,HüLSEWEDE R,ZORN M,et al.High-power single emitters and low fill factor bars emitting at808nm[C]//SPIE LASE.ProcSPIE9733,High-Power Diode Laser Technology and Applications XIV,San Francisco,California,USA.2016,9733:97330R. [7]㊀KNAUER A,ERBERT G,STASKE R,et al.High-power808nm lasers with a super-large optical cavity[J].Semiconductor Science andTechnology,2005,20(6):621-624.[8]㊀REN Z Q,LI Q M,LI B,et al.High wall-plug efficiency808-nm laser diodes with a power up to30.1W[J].Journal of Semiconductors,2020,41(3):61-63.[9]㊀MARTIN HU H,QIU B C,WANG W M,et al.High performance808nm GaAsP/InGaP quantum well lasers[C]//SPIE/COS Photonics Asia.Proc SPIE10017,Semiconductor Lasers and Applications VII,Beijing,China.2016,1001:100170M.[10]㊀BAO L,KANSKAR M,DEVITO M,et al.High reliability demonstrated on high-power and high-brightness diode lasers[C]//SPIE LASE.ProcSPIE9348,High-Power Diode Laser Technology and Applications XIII,San Francisco,California,USA.2015,9348:93480C.。
可用于CTP版材研制的全固态准连续波(QCW)宽调谐蓝紫激光扫描曝光系统的研究
Ａ ｓｒ ｃ：ｎｔｉ ｐ ｐ ｒａ ｌ ｓｌ — ａ Ｃ ｔｎ ｂｅ６ ７ ９ ２ ｍ ｂｕ －ｉｌ ｓｒ ｒｎｆｒ ｂｅ ｂ ｔａ ｔＩ ｓ ａ ｅ ，ｎａ ．ｏ ｄｓ ｔ Ｑ Ｗ ａ ｌ ９ — ４ ｎ ｌｅｖｏ ｔ ａｅ ａ ｓ ｍａｌ ｈ １ ｉ ｔｅ ｕ ｅｌ ｔ ｏ
同 版 材 的新 型 Ｃ Ｐ 统 及 印 刷 版 材 研 制 的 理 想 光 源 。 Ｔ系
光 器 是 核 心 部 分 ， 它 对 印 刷 的 速 度 和 质 量 起 决 定 性
高 的激光 功率可 以增加 激光 的扫描线数 ， Ｔ 的输 对Ｃ Ｐ
出速度 和分辨 力也 同样起 着 重要作 用 ； 同时 ， 们还 人 希 望激 光器 的输 出波长 可调 以满足 不 同印刷版 材曝 光 的需要 。所 以短 波长 、 高功 率 、 调谐 的蓝紫 激光 可 器 是获得 既有 速度 又有 高分辨 率 ，而且 能适用 于不
ＬＩＰｉ ｇ ｘ ｅ， Ｉ Ｇａ ｇ， ｎ — ｕ Ｌ ｎ ＣＨＥＮ ｎ ＨＵＡＮＧ ｏ ｂ ＺＨＡＮＧ － ｅ ｇ Ｍｅ ｇ， Ｄａ — ｏ， Ｄａ ｐ ｎ
（Ｃ ｌ ｇ ｆ ａｅ ｎｉｅ ｒ ｇＢ ｉｎ ｎｖｒ ｔ ｏ ｅｈ ｏ ｇ ， ｅ ｉｇ １０ ２ ） ｏｌ ｅｏ ｓｒ ｇ ｅｉ ， ｅ ｉｇＵ ｉ ｓｙ ｆ ｃ ｎｌ ｙ Ｂ ｉｎ ０ ０ ２ ｅ Ｌ Ｅ ｎ ｎ ｊ ｅ ｉ Ｔ ｏ ｊ
摘要 ： 本文报 导的Ｌ 泵浦可调谐 固体激光器 （ Ｐ ）可 以实现６ ７ ９ ２ ｍ的可调谐激 光输 出 ： Ｄ ＤＬ， ９～４ｎ 并通过频率变换
后 还 可 以实 现 波 ５ ～ ６ ｎ Ｋ３ ｏ ４ ５ ｍ平 均 功 率 达 ５ ０ Ｗ 的 连 续 可 调 的 蓝 紫 激 光 输 出 ： 过 激 光 聚焦 导 光 系 统 、 描 控 制 系 ４ｍ 通 扫 统 等 软 硬件 的设 计 开 发 ， 该 系 统 实 现 了计 算 机 控 制 的程 序 曝 光 。 该 系 统 主要 用 于 新 型 Ｃ Ｐ Ｄ 版 材 的 研 制 开 发 和 使 Ｔ ｇ刷
YLR-11使用指南20111105
应用方向： z 生产应用 z 科学研究
系统配置
IPG 的YLR 系列激光器提供了许多系统配置。本使用说明是所有型号的通用说明书。因此，某些型号的特殊设计并 没有特别指出。
CAUTION 警告
加工高反射材料（如铜和铜合金）时，需要有特殊的加工条件，您需要先咨询 IPG。
IMPORTANT 重要提示
本产品采用风冷设计，请为冷却气流通道提供充足、畅通的条件。如果加工时，预估的光反射光水平较高， 需要为光纤输出端头（准直器或QBH 接头）进行足够的冷却。
激光安全
依据IEC60825-1:2007 和 21 CFR 1040.10 标准，本产品被列为高功率第四类激光设备。本产品可发射功率 为100/200/300/400瓦的1070nm左右波长的激光。此类激光可能会对眼睛及皮肤造成伤害。尽管其辐射光是不可见 的，但激光束仍可对角膜造成无法恢复的损害。本产品未附送激光防护眼镜，但在产品工作时，请您必须佩戴合适 的激光防护眼镜。
输出功率高、卓越的光束质量、极高的稳定性以及灵活性是光纤激光器的显著特点。光纤激光器在效率、灵活 性、热稳定性和机械强度等方面的优越性，使得其组装过程非常简单。更重要的是其工业应用的运行成本极低。
据经济可行性研究显示，高功率光纤激光器可以实现更快、更好、更低成本和更高效益的工业应用。IPG 拥有 高产能输出能力。更多的信息请您随时访问。
表 3：激光型号及命名规则
YLR 系列产品使用指南 YLR 系列产品使用指南
保证安全运行和最佳性能
请遵守以下“WARNING 警告”、“CAUTION 注意”及本文其它地方的有关信息。
半导体激光巴条（裸巴、激光芯片）、CS封装、堆栈
半导体激光巴条（裸巴、激光芯片）、CS封装、堆栈关键词：巴条激光巴条激光裸巴激光芯片激光外延片半导体激光巴条半导体巴条bar chip CS封装半导体激光堆栈激光堆叠垂直堆栈型水平堆栈型千瓦级堆栈一般认为的半导体激光器产品是指从半导体激光器芯片生长、封装到光纤耦合的完整产品线，具体包括：1、晶片外延生长：提供2inch、4inch、6inch的晶片外延生长服务，可外延生长高质量的Al-In-Ga-As-P材料（用户提供结构）。
2、巴条(裸巴)：Jenoptic提供多种裸巴产品，功率范围在连续工作模式（CW）下8W~160W的产品、准连续工作模式（QCW）下功率高达300W，其波长有7种选择，分别是792 nm、808 nm、825 nm、880 nm、915 nm、940 nm、976nm，腔长有3种：1mm、1.5mm和2mm，填充因子有4种：20%、30%、50%和75%，这些参数通过不同的搭配进行组合。
3、CS封装Jenoptic提供40W~300W的半导体激光器CS封装结构，波长808 nm、880 nm、915 nm、940 nm、976nm，还提供808nm的8W单管热沉封装结构。
所有这些封装结构均可选择快轴准直或快轴慢轴同时准直，以满足不同的应用需求。
（更多半导体激光模块知识可参见深圳顶尖（科仪）的博客）4、堆栈Jenoptic提供水平堆栈型和垂直堆栈型的半导体激光器，堆栈的输出功率为240~3200W，巴条的个数为3、4、5、6、8、9、10、12个，单巴功率为40W、50W、60W、80W、100W、120W，并且也可以选择快轴准直或快轴慢轴同时准直，以满足不同的应用需求。
好的半导体激光器的特点1、长寿命，寿命测试数据是对产品在真实连续工作的条件下测试得到的数据2、高稳定性，在有效寿命期间，功率输出非常稳定，无明显波动3、工艺控制水平，每一批次的产品的一致性4、是否得到广大客户的一致认同。
高功率连续光纤激光器用途
高功率连续光纤激光器用途高功率连续光纤激光器是一种能够输出高功率连续激光束的光学设备。
它利用了光纤的优异特性，如高效率、高光束质量和长寿命等，成为各种应用领域中不可或缺的重要工具。
以下是高功率连续光纤激光器的一些主要用途。
1. 材料加工：高功率连续光纤激光器在材料加工方面具有广泛的应用。
例如，在金属切割和焊接领域，激光器的高功率和高能量密度使其能够轻松地处理各种金属材料，如钢、铝和铜等。
此外，激光器还可以用于刻蚀、打标和钻孔等细微的材料修饰任务。
2. 激光医疗：高功率连续光纤激光器在激光医疗领域中也有广泛的应用。
激光器的高功率和可调谐的波长使其成为眼科手术、皮肤修复和毛发去除等多种医疗程序的理想选择。
此外，激光器还可以用于癌症治疗、疤痕修复和血管疾病等其他医疗应用。
3. 科学研究：高功率连续光纤激光器也是科学研究中不可或缺的工具之一。
例如，在物理学和化学领域，激光器可以用来进行光谱分析、光散射和拉曼光谱等实验研究。
此外，激光器还可以用于光学显微镜、干涉测量和光学相干断层扫描等高分辨率成像技术。
4. 通信：高功率连续光纤激光器在通信领域中也有重要的应用。
激光器的高功率输出和大带宽使其成为高速光纤通信系统的关键部件。
激光器可以用于光纤放大器、光纤光栅和光纤耦合器等设备，用于增强、调制和传输光信号。
5. 军事应用：高功率连续光纤激光器在军事应用领域中有着广泛的需求。
例如，激光器可以用于目标照明、精确定位和激光导引等任务。
此外，激光器还可以用于激光雷达、光电子战和远程探测等系统。
6. 光通信：高功率连续光纤激光器在光通信领域也有着重要的作用。
激光器的高功率输出和高光束质量使其成为光纤通信系统中的关键光源。
激光器可以用于长距离、高速的光纤通信系统，提供稳定、高效的光信号传输。
7. 光学测量：高功率连续光纤激光器在光学测量方面也有广泛的应用。
例如，在激光雷达和光学测距仪中，激光器的高功率和短脉冲宽度使其成为精确测量目标距离和速度的理想选择。
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全 相 同并 实 现统 一运 维和 管理 ．全 面符 合 当前 宽
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非 常 成 熟 。 据 了解 ， 国 内 目 前 已 经 有 超 过 ２ ５个
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日前 ．中兴 通 讯在 ２ １ ０ ０中 国国 际信 息 通 信 展 览 会 上 宣 布 推 出其 基 于 Ａ Ｉ ＳＣ芯 片 的 １ ０Ｇ
Ｅ Ｏ 系 列 产 品 和 相 应 解 决 方 案 。 这 是 中 兴 通 讯 Ｐ Ｎ
取 得竞争 优 势 ，有 助 于推进 三 网融 合 和普及 高 清 视 频业 务 ，有利 于 无线 ３Ｇ宽 带业 务 承载 和有 线 无线 宽带 融 合 ，有 利 于 网络管 道 和终端 设备 的 统
设 备 和 光 纤 到 户 的 单 用 户 型 Ｏ Ｔ设 备 ，其 产 品 形 Ｎ
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