三极管的工作原理
三极管原理全总结
三极管原理全总结三极管是一种深具影响力的半导体电子器件，广泛应用于电子电路中的放大、开关和稳压等功能。
下面是对三极管原理的全面总结：一、三极管的基本结构三极管由三个掺杂不同材料的半导体层片组成，分别是发射区、基区和集电区。
发射区和集电区分别是n型和p型半导体，基区是p型半导体。
发射区和集电区之间通过基区相互连接。
二、三极管的工作原理1.放大作用：当输入信号施加在三极管的基极上时，如果正相输入，即基极向正偏压施加，会使得基区内的少数载流子浓度增加，这样会缩小基区的电阻，使得大量的电子从发射极注入到基区中，即电流通过三极管的基极。
2.输出作用：当三极管的发射极和集电极之间施加正向电压时，集电极上会有较大的电压和电流输出，且集电电流与发射电流间存在放大比例。
三、三极管的工作模式1.放大模式：当发射极到基极的电压为正时，三极管处于放大工作模式。
此时，基极电压和基极电流间的关系为非线性关系，输出电流的变化可配合输入信号进行放大。
2.饱和模式：当发射极到基极的电压为负且发射电流很小时，三极管处于饱和工作模式。
此时，输出电流取决于输入电流，而与输出电压无关。
3.截止模式：当发射极到基极的电压为负且发射电流为零时，三极管处于截止工作模式。
此时，输出电流和输出电压均为零。
四、三极管动态特性1.转输特性：描述了三极管的输入电流和输出电流之间的关系，即输出电流与输入电流之间的比例。
2.频率特性：三极管的频率响应以及对不同频率信号的放大程度。
三极管的频率特性随着频率的增大而降低，一般需要根据需要选择合适的三极管型号。
3.非线性失真：三极管在放大信号时，存在一定程度上的非线性失真。
当输入信号的幅度过大时，输出信号的波形可能会失真。
4.温度特性：三极管的性能受温度的影响较大。
一般情况下，温度越高，三极管的放大能力越差。
五、三极管的应用1.放大器：三极管的放大功能使其广泛应用于各种放大器电路中，如音频放大器、功率放大器等。
2.开关：通过控制输入信号的使能，利用三极管的饱和和截止特性，实现信号转换和开关操作。
三极管的工作原理与应用
三极管的工作原理与应用一、工作原理：三极管是一种半导体器件，由三个控制电极组成：发射极、基极和集电极。
它是一种双极型晶体管，通过控制基极电流，可以调节集电极电流的放大倍数。
三极管的工作原理基于PN结的电子输运和控制。
1. PN结电子输运：三极管的基本结构是由两个不同掺杂的半导体材料构成的PN结。
当基极与发射极之间的PN结正向偏置时，发射极的电子从N区向P区注入，形成电子云。
同时，基极与集电极之间的PN结反向偏置，形成一个薄的耗尽区域，阻止电子从集电极流向基极。
2. 控制基极电流：当在基极电流（IB）的作用下，发射极的电子云会受到吸引，一部分电子会穿越耗尽区域，进入集电极。
这样，小的基极电流可以控制大的集电极电流，实现信号的放大。
3. 工作模式：根据三极管的工作区域，可以分为三种模式：放大模式、截止模式和饱和模式。
在放大模式下，基极电流控制集电极电流的放大倍数。
在截止模式下，基极电流很小，集电极电流接近于零。
在饱和模式下，基极电流足够大，集电极电流接近于最大值。
二、应用领域：三极管作为一种重要的电子器件，在各个领域都有广泛的应用。
1. 放大器：三极管可以将微弱的信号放大成较大的信号，用于音频放大器、射频放大器等电子设备中。
通过调节基极电流，可以实现对信号的放大和控制。
2. 开关：三极管可以作为开关控制电路中的关键元件，用于控制电流的开关状态。
在数字电路中，三极管可以实现逻辑门电路的功能，如与门、或门等。
3. 振荡器：三极管可以用于构建振荡器电路，产生稳定的高频信号。
振荡器广泛应用于无线通信、雷达、计算机等领域。
4. 温度传感器：三极管的温度特性可以用于温度传感器。
通过测量三极管的电流和温度之间的关系，可以实现对环境温度的测量。
5. 电源稳压：三极管可以用于构建稳压电路，通过调节基极电流，实现对电源输出电压的稳定控制。
总结：三极管的工作原理基于PN结的电子输运和控制，通过调节基极电流，可以实现对集电极电流的放大和控制。
三极管的工作原理
三极管的工作原理三极管（Transistor）是一种电子器件，被广泛应用于各种电子设备中。
它是晶体管的一种，由两个或多个P型半导体物质和一个N型半导体物质构成。
三极管是一种用于放大和开关电路的半导体器件。
现今的电子器件需要三极管的稳定与可靠工作，那么三极管背后的工作原理是如何的呢？一、三极管的构成和基本原理三极管的构成有n型物质和p型物质组成。
它包括了三个电极，分别是：发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。
其中，发射极和基极之间形成一个p-n结，而基极和集电极之间形成另一个p-n结。
三极管的性能是由三个区域和两个pn结的互作关系所决定的。
三个区域的掺杂浓度关系及极间电势所形成的电场是三极管正常工作的基础。
二、三极管的工作原理三极管存在三种工作状态：放大状态，截止状态和饱和状态。
放大状态是指集电极到基极的电流大于发射极到基极的电流时的状态，此时三极管可以完成放大功能。
截止状态是指电流尽可能小，此时三极管的电路相当于开路状态。
饱和状态是指集电极到基极的电流小于发射极到基极的电流时的状态，此时三极管可以完成开关功能。
三极管的工作原理如下：当我们把集电极和基极之间的电压加大，就会使得三极管处于放大状态。
此时，电子从发射极进入基区，并被集电极收集，其结果是大量的集电电流流经电路。
符合物理原理，通过控制基区的电压即可控制放大指数，因此三极管可以像电阻一样被任意控制放大，从而完成放大器的功能。
不过，我们也需要注意到一个问题，随着电压的增加，发射电流也会增加，直至三极管处于饱和状态。
此时，进一步的电压增加不再导致电流增加。
反之，当我们把集电极和基极之间的电压缩小，此时三极管处于截止状态。
由于基区和发射极之间的电压不足，电子不能穿过这个pn结并达到集电极，此时所有电流都被截止。
此时，三极管对电路相当于一个开路状态，且不耗能。
三、三极管的应用由于三极管具有分贝高、放大范围广、发射电流容易控制，以及稳定的特点，这种器件在电子电路中得到了广泛应用。
三极管的工作原理与应用
三极管的工作原理与应用一、工作原理：三极管是一种半导体器件，由三个掺杂不同材料的半导体层组成。
它的工作原理基于PN结的特性和电场控制。
三极管的结构包括一个发射极（Emitter）、一个基极（Base）和一个集电极（Collector）。
发射极和基极之间形成一个PN结，而基极和集电极之间形成另一个PN结。
当三极管处于正向偏置时，发射极和基极之间的PN结处于正向偏置，而基极和集电极之间的PN结处于反向偏置。
在正向偏置下，发射极注入大量的载流子（电子或者空穴）进入基极区域。
这些载流子会被基区的电场吸引，并通过基极进入集电极区域。
而在反向偏置下，基极和集电极之间的PN结形成一个反向击穿区域，阻挠电流通过。
根据电场控制的原理，当在基极区域注入的载流子数量增加时，会导致集电极区域的电流增加。
因此，三极管可以通过控制基极电流来控制集电极电流的大小。
二、应用：1. 放大器：三极管可以作为放大器使用。
在放大器电路中，三极管的基极电流被调整，从而控制集电极电流的大小。
通过适当的电路设计，可以将输入信号的弱小变化放大为输出信号的较大变化。
2. 开关：三极管也可以作为开关使用。
当三极管的基极电流为零时，三极管处于截止状态，集电极电流为零。
当基极电流增加时，三极管进入饱和状态，集电极电流达到最大值。
因此，可以利用三极管的开关特性控制电路的通断。
3. 振荡器：三极管还可以用于构建振荡器电路。
通过适当的电路连接和反馈，可以使三极管在特定频率下产生连续的振荡信号。
4. 温度传感器：三极管的工作状态和温度密切相关。
通过测量三极管的电流和电压，可以推算出环境的温度变化。
5. 电压调节器：三极管还可以用于构建电压调节器电路。
通过控制三极管的工作状态，可以稳定输出电压，保护后续电路免受过高或者过低的电压影响。
总结：三极管是一种重要的半导体器件，具有广泛的应用领域。
它的工作原理基于PN结和电场控制的特性，可以作为放大器、开关、振荡器、温度传感器和电压调节器等多种电路中的关键组件。
三极管工作原理
三极管工作原理三极管是一种半导体器件，是现代电子技术中经常使用的一种元件。
它是由三个掺杂不同材料的半导体层构成，通常是两个P型半导体层夹着一个N型半导体层。
在三极管中，最外侧的P型半导体层称为集电极（C），中间的N型半导体层称为基极（B），而内侧的P型半导体层则称为发射极（E）。
三极管的工作原理可以通过两种基本的工作模式来解释：放大模式和开关模式。
在放大模式下，三极管被用作信号放大器。
当基极与发射极之间的电压（即基极电压）为0.6-0.7伏时，三极管处于正常工作状态。
此时，集电极和发射极之间的电压被称为集-发电压（Vce），集电极电流被称为集电流（Ic）。
如果在集电极电压为正时，向基极输入一个小的正信号，该信号将引起基极电流的变化，从而改变集电极电流。
由于集电极电流的变化相对于输入信号的变化较大，三极管可以作为放大器来放大信号。
在开关模式下，三极管被用作开关。
当基极与发射极之间的电压小于0.6伏时，三极管处于截止状态，无电流通过。
当基极与发射极之间的电压大于0.6伏时，三极管处于饱和状态，集电极电流可以流过。
因此，通过改变基极电压，可以控制三极管的开关状态。
三极管的工作原理是基于半导体材料的特性。
在P-N结的边界上，存在一个电势垒，其作用是阻止电子和空穴的自由扩散。
当基极与发射极之间的电压为0.6-0.7伏时，电势垒被克服，电子从N型半导体层向P型半导体层扩散，同时空穴从P型半导体层向N型半导体层扩散，形成电流流动。
三极管的放大原理可以通过结构特点来解释。
在三极管中，电子从基极注入发射极，进而在集电极上形成集电流。
这个过程是由于基极与发射极之间的电压使基极电流扩散到发射极，并由于集电极的电势吸引电子流入。
当基极输入信号时，基极电流会受到变化，而这种变化会通过集电极电流的变化来放大。
三极管的开关原理是基于电压的变化来实现的。
当基极电压小于0.6伏时，电势垒会禁止电流流动，三极管处于截止状态。
当基极电压大于0.6伏时，电势垒被克服，电流可以流动，三极管处于饱和状态。
三极管npn的工作原理
三极管npn的工作原理
NPN三极管是一种常用的双极型晶体管，在电子器件中应用广泛。
它由三个掺杂不同类型的半导体材料构成，分别是N 区（负电荷载流子区）、P区（正电荷载流子区）和N区（负电荷载流子区）。
NPN三极管的工作原理如下：
1. 开关状态：当无外加电压时，NPN三极管处于关闭状态，没有电流流过。
此时，基区没有电流通过，无法使集电极和发射极之间产生足够的电压来放大输入信号。
2. 放大状态：当在基极和发射极之间施加一个电压时，基区会形成电流，这个电流也称为基电流。
当基电流足够大时，它会将NPN三极管推至工作状态，这时集电极和发射极之间存在较大的电压差，从而形成放大效应。
通过调节基电流的大小，可以调整NPN三极管的放大倍数。
具体工作过程如下：
1. 输入：将输入信号（例如电压或电流）加到基极，通过控制基电流的大小来控制NPN三极管的放大倍数。
2. 放大：当正向偏置电压（例如外加电压）施加到集电极和发射极之间时，电子从发射极流向基极，同时由于浓度差异，少数载流子空穴从基极进入集电极，形成电流放大效应。
3. 输出：输出信号从集电极取出。
总之，NPN三极管的工作原理是基于控制基电流从而控制集电极和发射极之间的电压差，以实现信号放大的效果。
详解三极管的工作原理
一、什么是三极管？三极管全称是“晶体三极管”，也被称作“晶体管”，是一种具有放大功能的半导体器件。
通常指本征半导体三极管，即BJT管。
典型的三极管由三层半导体材料，有助于连接到外部电路并承载电流的端子组成。
施加到晶体管的任何一对端子的电压或电流控制通过另一对端子的电流。
三极管实物图三极管有哪三极？▪基极：用于激活晶体管。
（名字的来源，最早的点接触晶体管有两个点接触放置在基材上，而这种基材形成了底座连接。
）▪集电极：三极管的正极。
（因为收集电荷载体）▪发射极：三极管的负极。
（因为发射电荷载流子）1、三极管的分类三极管的应用十分广泛，种类繁多，分类方式也多种多样。
2、根据结构▪NPN型三极管▪PNP型三极管3、根据功率▪小功率三极管▪中功率三极管▪大功率三极管4、根据工作频率▪低频三极管▪高频三极管5、根据封装形式▪金属封装型▪塑料封装型6、根据PN结材料▪锗三极管▪硅三极管▪除此之外，还有一些专用或特殊三极管二、三极管的工作原理这里主要讲一下PNP和NPN。
1、PNPPNP是一种BJT，其中一种n型材料被引入或放置在两种p型材料之间。
在这样的配置中，设备将控制电流的流动。
PNP晶体管由2个串联的晶体二极管组成。
二极管的右侧和左侧分别称为集电极-基极二极管和发射极-基极二极管。
2、NPNNPN中有一种p 型材料存在于两种n 型材料之间。
NPN晶体管基本上用于将弱信号放大为强信号。
在NPN 晶体管中，电子从发射极区移动到集电极区，从而在晶体管中形成电流。
这种晶体管在电路中被广泛使用。
PNP和NPN 符号图三、三极管的 3 种工作状态分别是截止状态、放大状态、饱和状态。
接下来分享在其他公众号看到的一种通俗易懂的讲法：1、截止状态三极管的截止状态，这应该是比较好理解的，当三极管的发射结反偏，集电结反偏时，三极管就会进入截止状态。
这就相当于一个关紧了的水龙头，水龙头里的水是流不出来的。
三极管工作原理-截止状态截止状态下，三极管各电极的电流几乎为0，集电极和发射极互不相通。
三极管工作原理详解
三极管工作原理详解三极管是一种电子元件，是由半导体材料制成的，常用于电子电路中作为放大器、开关等功能。
三极管的工作原理是基于半导体材料的特性，通过控制输入信号的大小和方向来控制输出信号的放大或开关功能。
三极管由三个区域组成，分别是发射区、基区和集电区。
发射结和集电结都是PN结，而基区是P型材料。
三极管的主要工作原理是基于PN结的整流特性。
当三极管的正极（Anode）连接到正电源，负极（Cathode）连接到负电源时，发射结和集电结都处于反向偏置状态。
此时未加保护电极Ube的三极管处于断开状态，没有电流流过三极管。
当在基区施加正电压时，P型的基区中的空穴会向发射区（N型）移动，同时基区与集电区（N型）之间建立起导电通道。
此时，当集电区施加正电压时，由于导电通道的形成，集电结处于正向偏置状态，电流开始从集电区流入三极管。
三极管的放大功能是通过控制输入信号的大小来实现的。
当输入信号的幅值增大时，基区中的空穴数量也增加，导致电流集中区域的面积增大。
这样，三极管的电流增加，输出信号的放大效果就会增强。
这种现象被称为电流放大。
在三极管作为放大器的情况下，输入信号通过输入信号Uin的变化，控制输入端口的电压Ube上所通过的电流量的变化。
而输出电流Ic的变化则远大于输入端口的电流量的变化，从而形成了对输入信号的放大。
此外，三极管还可以作为开关来使用。
当输入端施加一个高电平时（通常为正电压），三极管处于导通状态，电流可以从集电极流过。
而当输入端施加低电平时（通常为零电压），三极管处于截止状态，电流无法通过三极管。
这样，三极管的开关功能就能实现。
总的来说，三极管的工作原理是基于PN结的整流特性，通过控制输入信号的大小和方向来控制输出信号的放大或开关功能。
通过合理的设计和使用，三极管在电子电路中发挥着重要的作用，广泛应用在放大器、开关、数字逻辑电路等领域。
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三极管的工作原理对三极管放大作用的理解，切记一点：能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不会产生能量。
但三极管厉害的地方在于：它可以通过小电流去控制大电流。
放大的原理就在于：通过小的交流输入，控制大的静态直流。
假设三极管是个大坝，这个大坝奇怪的地方是，有两个阀门，一个大阀门，一个小阀门。
小阀门可以用人力打开，大阀门很重，人力是打不开的，只能通过小阀门的水力打开。
所以，平常的工作流程便是，每当放水的时候，人们就打开小阀门，很小的水流涓涓流出，这涓涓细流冲击大阀门的开关，大阀门随之打开，汹涌的江水滔滔流下。
如果不停地改变小阀门开启的大小，那么大阀门也相应地不停改变，假若能严格地按比例改变，那么，完美的控制就完成了。
在这里，Ube就是小水流，Uce就是大水流，人就是输入信号。
当然，如果把水流比为电流的话，会更确切，因为三极管毕竟是一个电流控制元件。
如果某一天，天气很旱，江水没有了，也就是大的水流那边是空的。
管理员这时候打开了小阀门，尽管小阀门还是一如既往地冲击大阀门，并使之开启，但因为没有水流的存在，所以，并没有水流出来。
这就是三极管中的截止区。
饱和区是一样的，因为此时江水达到了很大很大的程度，管理员开的阀门大小已经没用了。
如果不开阀门江水就自己冲开了，这就是二极管的击穿。
在模拟电路中，一般阀门是半开的，通过控制其开启大小来决定输出水流的大小。
没有信号的时候，水流也会流，所以，不工作的时候，也会有功耗。
而在数字电路中，阀门则处于开或是关两个状态。
当不工作的时候，阀门是完全关闭的，没有功耗。
结构与操作原理三极管的基本结构是两个反向连结的pn接面，如图1所示，可有pnp和npn 两种组合。
三个接出来的端点依序称为射极（emitter, E）、基极（base, B）和集极（collector, C），名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。
图中也显示出 npn与pnp三极管的电路符号，射极特别被标出，箭号所指的极为n型半导体，和二极体的符号一致。
在没接外加偏压时，两个pn接面都会形成耗尽区，将中性的p型区和n型区隔开。
图1 pnp(a)与npn(b)三极管的结构示意图与电路符号。
三极管的电特性和两个pn接面的偏压有关，工作区间也依偏压方式来分类，这里我们先讨论最常用的所谓”正向活性区”(forward active)，在此区EB极间的pn接面维持在正向偏压，而BC极间的pn接面则在反向偏压，通常用作放大器的三极管都以此方式偏压。
图2(a)为一pnp三极管在此偏压区的示意图。
EB接面的空乏区由于在正向偏压会变窄，载体看到的位障变小，射极的电洞会注入到基极，基极的电子也会注入到射极；而BC接面的耗尽区则会变宽，载体看到的位障变大，故本身是不导通的。
图2(b)画的是没外加偏压，和偏压在正向活性区两种情形下，电洞和电子的电位能的分布图。
三极管和两个反向相接的pn二极管有什么差别呢？其间最大的不同部分就在于三极管的两个接面相当接近。
以上述之偏压在正向活性区之pnp三极管为例,射极的电洞注入基极的n型中性区，马上被多数载体电子包围遮蔽，然后朝集电极方向扩散，同时也被电子复合。
当没有被复合的电洞到达BC接面的耗尽区时，会被此区内的电场加速扫入集电极，电洞在集电极中为多数载体，很快藉由漂移电流到达连结外部的欧姆接点，形成集电极电流IC。
IC 的大小和BC间反向偏压的大小关系不大。
基极外部仅需提供与注入电洞复合部分的电子流IBrec，与由基极注入射极的电子流InB? E（这部分是三极管作用不需要的部分）。
InB? E在射极与与电洞复合，即InB? E=I。
pnpErec 三极管在正向活性区时主要的电流种类可以清楚地在图3(a)中看出。
图2 (a)一pnp三极管偏压在正向活性区；(b)没外加偏压，和偏压在正向活性区两种情形下，电洞和电子的电位能的分布图比较。
图3(a) pnp三极管在正向活性区时主要的电流种类；(b)电洞电位能分布及注入的情形；(c)电子的电位能分布及注入的情形。
一般三极管设计时，射极的掺杂浓度较基极的高许多，如此由射极注入基极 的射极主要载体电洞（也就是基极的少数载体）IpE? B电流会比由基极注入射极 的载体电子电流InB? E大很多，三极管的效益比较高。
图3(b)和(c)个别画出电洞 和电子的电位能分布及载体注入的情形。
同时如果基极中性区的宽度WB愈窄， 电洞通过基极的时间愈短，被多数载体电子复合的机率愈低，到达集电极的有效电 洞流IpE? C愈大，基极必须提供的复合电子流也降低，三极管的效益也就愈高。
集电极的掺杂通常最低，如此可增大CB极的崩溃电压，并减小BC间反向偏压的 pn接面的反向饱和电流，这里我们忽略这个反向饱和电流。
由图4(a)，我们可以把各种电流的关系写下来： 射极电流 基极电流 集电极电流三极管的工作原理(2)三极管截止与饱合状态截止状态三极管作为开关使用时，仍是处于下列两种状态下工作。
1.截止(cut off)状态:如图5所示，当三极管之基极不加偏压或加上反向偏压使BE极截止时(BE极之特性和二极管相同，须加上大于0.7V之正向偏压时才态导通)，基极电流IB=0，因为IC=β IB，所以IC=IE=0，此时CE极之间相当于断路，负载无电流。
a)基极(B)不加偏压使基极电流IB 等于零 (b)基极(B)加上反向偏 压使基极电流IB 等于零 (c)此时集极(C)与射极(E) 之间形同段路，负载无电流通过图5 三极管截止状态饱合状态饱合(saturation)状态:如图6所示，当三极管之基极加入驶大的电流时，因为IC≒IE=β×IB，射极和集极的电流亦非常大，此时，集极与射极之间的电压降非常低(VCE 为0.4V 以下)，其意义相当于集极与射极之间完全导通，此一状态称为三极管饱合。
图6(a)基极加上足够的顺向 (b)此时C-E 极间视同偏压使IB 足够大导通状态晶体管的电路符号和各三个电极的名称如下图7 PNP 型三极管 图8 NPN 型三极管三极管的特性曲线1、输入特性图2 （b)是三极管的输入特性曲线，它表示Ib随Ube的变化关系，其特点是：1）当Uce在0-2伏范围内，曲线位置和形状与Uce有关，但当Uce高于2伏后，曲线Uce基本无关通常输入特性由两条曲线（Ⅰ和Ⅱ）表示即可。
2）当Ube＜UbeR时，Ib≈O称（0～UbeR)的区段为“死区”当Ube＞UbeR时，Ib随Ube增加而增加，放大时，三极管工作在较直线的区段。
3）三极管输入电阻，定义为:rbe=(△Ube/△Ib)Q点，其估算公式为：rbe=rb+(β+1)(26毫伏/Ie毫伏） rb 为三极管的基区电阻，对低频小功率管，rb约为300欧。
2、输出特性输出特性表示Ic随Uce的变化关系（以Ib为参数）从图9（C）所示的输出特性可见，它分为三个区域：截止区、放大区和饱和区。
截止区当Ube＜0时，则Ib≈0，发射区没有电子注入基区，但由于分子的热运动，集电集仍有小量电流通过，即Ic=Iceo称为穿透电流，常温时Iceo约为几微安，锗管约为几十微安至几百微安，它与集电极反向电流Icbo的关系是：Icbo=(1+β)Icbo常温时硅管的Icbo小于1微安，锗管的Icbo约为10微安，对于锗管，温度每升高12℃，Icbo数值增加一倍，而对于硅管温度每升高8℃， Icbo数值增大一倍，虽然硅管的Icbo随温度变化更剧烈，但由于锗管的Icbo值本身比硅管大，所以锗管仍然受温度影响较严重的管，放大区，当晶体三极管发射结处于正偏而集电结于反偏工作时，Ic随Ib近似作线性变化，放大区是三极管工作在放大状态的区域。
饱和区当发射结和集电结均处于正偏状态时，Ic基本上不随Ib而变化，失去了放大功能。
根据三极管发射结和集电结偏置情况，可能判别其工作状态。
图9三极管的主要参数1、直流参数（1）集电极一基极反向饱和电流Icbo，发射极开路（Ie=0)时，基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流，它只与温度有关，在一定温度下是个常数，所以称为集电极一基极的反向饱和电流。
良好的三极管，Icbo 很小，小功率锗管的Icbo约为1～10微安，大功率锗管的Icbo可达数毫安培，而硅管的Icbo则非常小，是毫微安级。
（2）集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流）基极开路（Ib=0）时，集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流。
Iceo大约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受温度影响极大，它们是衡量管子热稳定性的重要参数，其值越小，性能越稳定，小功率锗管的Iceo比硅管大。
（3）发射极---基极反向电流Iebo集电极开路时，在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流，它实际上是发射结的反向饱和电流。
（4）直流电流放大系数β1（或hEF）这是指共发射接法，没有交流信号输入时，集电极输出的直流电流与基极输入的直流电流的比值，即： β1=Ic/Ib2、交流参数（1）交流电流放大系数β（或hfe）这是指共发射极接法，集电极输出电流的变化量△Ic与基极输入电流的变化量△Ib之比，即：β= △Ic/△Ib一般电晶体的β大约在10-200之间，如果β太小，电流放大作用差，如果β太大，电流放大作用虽然大，但性能往往不稳定。
（2）共基极交流放大系数α（或hfb）这是指共基接法时，集电极输出电流的变化是△Ic与发射极电流的变化量△Ie之比，即：α=△Ic/△Ie因为△Ic＜△Ie，故α＜1。
高频三极管的α＞0.90就可以使用 α与β之间的关系：α= β/（1+β）β= α/（1-α）≈1/（1-α）（3）截止频率fβ、fα当β下降到低频时0.707倍的频率，就什发射极的截止频率fβ；当α下降到低频时的0.707倍的频率，就什基极的截止频率fαo fβ、 fα是表明管子频率特性的重要参数，它们之间的关系为：fβ≈（1-α）fα（4）特征频率fT因为频率f上升时，β就下降，当β下降到1时，对应的fT 是全面地反映电晶体的高频放大性能的重要参数。
3、极限参数（1）集电极最大允许电流ICM当集电极电流Ic增加到某一数值，引起β值下降到额定值的2/3或1/2，这时的Ic值称为ICM。
所以当Ic超过ICM时，虽然不致使管子损坏，但β值显著下降，影响放大品质。
（2）集电极----基极击穿电压BVCBO当发射极开路时，集电结的反向击穿电压称为BVEBO。
（3）发射极-----基极反向击穿电压BVEBO当集电极开路时，发射结的反向击穿电压称为BVEBO。
（4）集电极-----发射极击穿电压BVCEO当基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，使用时如果Vce＞BVceo，管子就会被击穿。