三极管原理全总结
三极管原理全总结
三极管原理全总结三极管是一种深具影响力的半导体电子器件，广泛应用于电子电路中的放大、开关和稳压等功能。
下面是对三极管原理的全面总结：一、三极管的基本结构三极管由三个掺杂不同材料的半导体层片组成，分别是发射区、基区和集电区。
发射区和集电区分别是n型和p型半导体，基区是p型半导体。
发射区和集电区之间通过基区相互连接。
二、三极管的工作原理1.放大作用：当输入信号施加在三极管的基极上时，如果正相输入，即基极向正偏压施加，会使得基区内的少数载流子浓度增加，这样会缩小基区的电阻，使得大量的电子从发射极注入到基区中，即电流通过三极管的基极。
2.输出作用：当三极管的发射极和集电极之间施加正向电压时，集电极上会有较大的电压和电流输出，且集电电流与发射电流间存在放大比例。
三、三极管的工作模式1.放大模式：当发射极到基极的电压为正时，三极管处于放大工作模式。
此时，基极电压和基极电流间的关系为非线性关系，输出电流的变化可配合输入信号进行放大。
2.饱和模式：当发射极到基极的电压为负且发射电流很小时，三极管处于饱和工作模式。
此时，输出电流取决于输入电流，而与输出电压无关。
3.截止模式：当发射极到基极的电压为负且发射电流为零时，三极管处于截止工作模式。
此时，输出电流和输出电压均为零。
四、三极管动态特性1.转输特性：描述了三极管的输入电流和输出电流之间的关系，即输出电流与输入电流之间的比例。
2.频率特性：三极管的频率响应以及对不同频率信号的放大程度。
三极管的频率特性随着频率的增大而降低，一般需要根据需要选择合适的三极管型号。
3.非线性失真：三极管在放大信号时，存在一定程度上的非线性失真。
当输入信号的幅度过大时，输出信号的波形可能会失真。
4.温度特性：三极管的性能受温度的影响较大。
一般情况下，温度越高，三极管的放大能力越差。
五、三极管的应用1.放大器：三极管的放大功能使其广泛应用于各种放大器电路中，如音频放大器、功率放大器等。
2.开关：通过控制输入信号的使能，利用三极管的饱和和截止特性，实现信号转换和开关操作。
三极管npn工作原理
三极管npn工作原理
三极管（NPN型）是一种常见的电子器件，其工作原理如下：
1. 构造：NPN型三极管由两个P型半导体和一个N型半导体
构成，中间的N型半导体称为基极（B），两侧的P型半导体
分别称为发射极（E）和集电极（C）。
发射极和集电极之间
的区域称为发射结，而基极和发射结之间的区域称为基结。
2. 基本原理：当在基极-发射结之间施加正向电压（正极连接
在发射极，负极连接在基极）时，发射结处于导通状态，电流可以流动。
而当基极-发射结之间施加反向电压时，发射结处
于截止状态，电流不流动。
3. 放大功能：三极管的一大特点是可以对输入信号进行放大，即小信号输入可以得到较大的输出信号。
具体来说，当Vbe （基极-发射极间电压）大于某一临界电压时，三极管开始工作，此时B极电流增大，将影响B极与C极之间的电流流动，进而导致C极电流增大。
这种作用可实现信号的放大。
4. 开关作用：当三极管处于工作状态时，可用作开关。
当Vbe 小于截止电压时，三极管处于截止状态，导通电流极小；而当Vbe大于临界电压时，三极管处于饱和状态，导通电流较大。
因此，可以利用三极管的开关作用来控制其它电路的通断。
需要注意的是，以上是简单的描述，而实际的三极管工作涉及更复杂的电流流动和电场效应。
不同的三极管具有不同的参数
和性能，所以在实际应用中，需要根据具体的工作要求进行选择。
三极管工作原理及详解
三极管工作原理及详解三极管是一种半导体器件，也被称为双极型晶体管。
它是由三个不同掺杂的半导体材料（P型、N型和P型）构成的。
三极管主要有三个区域，分别是发射区（Emitter）、基极区（Base）和集电区（Collector）。
三极管的工作原理是基于PN结和两个PN结之间的正偏压。
在三极管中，发射区被正向偏置，基极区与发射区之间的PN结是正向偏置的，而基极区与集电区之间的PN结是反向偏置的。
在正向偏置下，发射区和基极之间形成强烈的电子流。
三极管的工作原理可以通过以下过程来解释：1.关闭状态：当没有外部电压时，三极管处于关闭状态。
这时，发射区和基极之间的PN结是反向偏置的，导致电子无法通过这个结。
同时，基极区和集电区之间的PN结也是反向偏置的，阻止电流通过结。
2.开通状态：当在发射区和基极之间施加一定的正偏压时，发射区与基极之间的PN结将变得导电。
这时，电子从N区进入P区，然后重新组合成空穴进入基极区。
由于基极区非常薄，电子容易通过这个区域，这导致电子流从发射区进入基极区。
3.放大状态：在开通状态下，当电子进入基极区时，它们在基极区中会重新复合成空穴。
然而，由于基极区非常薄，复合的速度非常慢。
因此，大部分电子通过基极区，进入集电区而没有复合。
这样，发射区的电子流被放大，从而实现电流的放大功能。
总结起来，三极管的工作原理可以归结为以下三个步骤：1）施加正向偏压，使发射区和基极之间的PN结导电；2）电子从发射区进入基极区；3）电子在基极区中重新组合成空穴，并通过集电区。
除了电流放大功能之外，三极管还有其他重要的应用。
例如，它可以用于开关电路、放大电路和振荡电路。
在开关电路中，三极管可以用来控制开关的打开和关闭。
在放大电路中，三极管可以利用小信号输入来放大电流或电压。
在振荡电路中，三极管可以通过反馈来产生振荡信号。
总而言之，三极管是一种基本的半导体器件，其工作原理基于PN结和正向偏压的使用。
通过电子的流动和复合，三极管可以实现电流的放大和控制，从而为电子器件带来许多应用。
三极管的工作原理
三极管的工作原理三极管（Transistor）是一种电子器件，被广泛应用于各种电子设备中。
它是晶体管的一种，由两个或多个P型半导体物质和一个N型半导体物质构成。
三极管是一种用于放大和开关电路的半导体器件。
现今的电子器件需要三极管的稳定与可靠工作，那么三极管背后的工作原理是如何的呢？一、三极管的构成和基本原理三极管的构成有n型物质和p型物质组成。
它包括了三个电极，分别是：发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。
其中，发射极和基极之间形成一个p-n结，而基极和集电极之间形成另一个p-n结。
三极管的性能是由三个区域和两个pn结的互作关系所决定的。
三个区域的掺杂浓度关系及极间电势所形成的电场是三极管正常工作的基础。
二、三极管的工作原理三极管存在三种工作状态：放大状态，截止状态和饱和状态。
放大状态是指集电极到基极的电流大于发射极到基极的电流时的状态，此时三极管可以完成放大功能。
截止状态是指电流尽可能小，此时三极管的电路相当于开路状态。
饱和状态是指集电极到基极的电流小于发射极到基极的电流时的状态，此时三极管可以完成开关功能。
三极管的工作原理如下：当我们把集电极和基极之间的电压加大，就会使得三极管处于放大状态。
此时，电子从发射极进入基区，并被集电极收集，其结果是大量的集电电流流经电路。
符合物理原理，通过控制基区的电压即可控制放大指数，因此三极管可以像电阻一样被任意控制放大，从而完成放大器的功能。
不过，我们也需要注意到一个问题，随着电压的增加，发射电流也会增加，直至三极管处于饱和状态。
此时，进一步的电压增加不再导致电流增加。
反之，当我们把集电极和基极之间的电压缩小，此时三极管处于截止状态。
由于基区和发射极之间的电压不足，电子不能穿过这个pn结并达到集电极，此时所有电流都被截止。
此时，三极管对电路相当于一个开路状态，且不耗能。
三、三极管的应用由于三极管具有分贝高、放大范围广、发射电流容易控制，以及稳定的特点，这种器件在电子电路中得到了广泛应用。
三极管原理全总结
三极管原理全总结1、三极管的正偏与反偏：给PN结加的电压和PN结的允许电流⽅向⼀致的叫正偏，否则就是反偏。
即当P区（阳极）电位⾼于N区电位时就是正偏，反之就是反偏。
例如NPN型三极管，位于放⼤区时，Uc>Ub集电极反偏，Ub>Ue发射极正偏。
总之，当p型半导体⼀边接正极、n型半导体⼀边接负极时，则为正偏，反之为反偏。
NPN和PNP主要是电流⽅向和电压正负不同。
NPN是⽤B—E的电流（IB）控制C—E的电流（IC），E极电位最低，且正常放⼤时通常C极电位最⾼，即VC>VB>VE。
PNP是⽤E—B的电流（IB）控制E—C的电流（IC），E极电位最⾼，且正常放⼤时通常C极电位最低，即VC2、三极管的三种⼯作状态：放⼤、饱和、截⽌（1）放⼤区：发射结正偏，集电结反偏。
对于NPN管来说，发射极正偏即基极电压Ub>发射极电压Ue，集电结反偏就是集电极电压Uc>基极电压Ub。
放⼤条件：NPN管：Uc>Ub>Ue；PNP管：Ue>Ub>Uc。
（2）饱和区：发射结正偏、集电结正偏--BE、CE两PN结均正偏。
即饱和导通条件：NPN管：Ub>Ue,Ub>Uc，PNP型管：Ue>Ub,Uc>Ub。
饱合状态的特征是：三极管的电流Ib、Ic 都很⼤，但管压降Uce 却很⼩，Uce≈0。
这时三极管的c、e 极相当于短路，可看成是⼀个开关的闭合。
饱和压降，⼀般在估算⼩功率管时，对硅管可取0.3V，对锗管取0.1V。
此时的，iC⼏乎仅决定于Ib，⽽与Uce⽆关，表现出Ib对Ic的控制作⽤。
（3）截⽌区：发射结反偏，集电结反偏。
由于两个PN 结都反偏，使三极管的电流很⼩，Ib≈0，Ic≈0，⽽管压降Uce 却很⼤。
这时的三极管c、e 极相当于开路。
可以看成是⼀个开关的断开。
3、三极管三种⼯作区的电压测量如何判断电路中的⼀个NPN硅晶体管处于饱和,放⼤,截⽌状态？⽤电压表测基极与射极间的电压Ube。
三极管的工作原理
三极管的工作原理引言概述：三极管是一种重要的半导体器件，广泛应用于电子电路中。
它是由三个掺杂不同的半导体材料构成的，具有放大、开关等功能。
本文将详细介绍三极管的工作原理。
一、三极管的结构1.1 发射极：发射极是三极管的输入端，负责输入控制信号。
1.2 基极：基极是三极管的控制端，控制电流的流动。
1.3 集电极：集电极是三极管的输出端，负责输出放大后的信号。
二、三极管的工作原理2.1 漏极电压：当基极与发射极之间的电压大于一定阈值时，三极管处于导通状态。
2.2 饱和区和截止区：三极管在饱和区时，电流最大；在截止区时，电流几乎为零。
2.3 放大作用：三极管能够将输入信号放大，并输出到集电极，实现信号放大的功能。
三、三极管的类型3.1 NPN三极管：发射极和集电极之间是N型材料，基极是P型材料。
3.2 PNP三极管：发射极和集电极之间是P型材料，基极是N型材料。
3.3 不同类型的三极管在电路中的应用略有不同，需要根据具体情况选择合适的类型。
四、三极管的应用4.1 放大器：三极管可以作为放大器，将输入信号放大后输出。
4.2 开关：三极管还可以作为开关，控制电路的通断。
4.3 振荡器：三极管还可以组成振荡器，产生高频信号。
五、三极管的特点5.1 小体积：三极管具有小体积、轻量化的特点，适合在各种电子设备中应用。
5.2 高可靠性：三极管具有高可靠性，使用寿命长。
5.3 稳定性好：三极管在一定工作条件下，稳定性较好，能够满足电路的要求。
总结：通过本文的介绍，我们可以了解到三极管的结构、工作原理、类型、应用和特点。
三极管作为一种重要的半导体器件，在电子领域有着广泛的应用，对于我们理解电子电路原理和设计具有重要意义。
三极管的工作原理与应用
三极管的工作原理与应用三极管是一种重要的电子器件，广泛应用于电子电路中。
它具有放大、开关和稳压等功能，是现代电子技术中不可或者缺的元件之一。
本文将详细介绍三极管的工作原理和应用。
一、三极管的工作原理1. PN结的形成三极管是由两个PN结组成的，其中P型材料富含正电荷，N型材料富含负电荷。
当P型材料和N型材料相接触时，形成PN结。
在PN结的界面处，会形成一个电场，这个电场被称为空间电荷区。
2. 基本结构三极管由三个区域组成：发射区、基区和集电区。
发射区和集电区都是N型材料，基区是P型材料。
发射区和基区之间的PN结被称为发射结，基区和集电区之间的PN结被称为集电结。
3. 工作原理当三极管处于正常工作状态时，发射结被正向偏置，集电结被反向偏置。
这样，发射结的空间电荷区会变窄，集电结的空间电荷区会变宽。
当在基区加之一个小的输入信号时，发射结的空间电荷区会发生变化，进而影响到集电结的空间电荷区。
这种变化会引起集电电流的变化，从而实现信号的放大。
二、三极管的应用1. 放大器三极管最常见的应用是作为放大器。
通过控制输入信号的大小，可以使输出信号得到放大。
三极管的放大性能由其参数决定，如电流放大倍数、最大功率和频率响应等。
2. 开关三极管还可以作为开关使用。
当输入信号的电压为高电平时，三极管处于导通状态，输出信号为低电平；当输入信号的电压为低电平时，三极管处于截止状态，输出信号为高电平。
这种开关功能可以用于数字电路和摹拟电路中。
3. 振荡器三极管也可以用于振荡器电路的构建。
振荡器是一种产生连续交流信号的电路，常用于无线电通信和时钟电路中。
三极管可以通过反馈回路产生正反馈，从而使电路产生自激振荡。
4. 稳压器三极管还可以用作稳压器。
稳压器是一种电路，用于保持输出电压恒定不变。
通过调整三极管的工作点，可以实现对输出电压的稳定调节。
5. 逻辑门三极管还可以用于构建逻辑门电路，如与门、或者门、非门等。
逻辑门是数字电路中常用的基本逻辑元件，用于实现逻辑运算。
三极管原理全总结
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１、三极管的正偏与反偏:给PN结加的电压和ＰN结的允许电流方向一致的叫正偏，否则就是反偏。即当P区（阳极)电位高于N区电位时就是正偏，反之就是反偏。例如NＰN型三极管,位于放大区时，Ｕc＞Uｂ集电极反偏，Uｂ>Ｕe发射极正偏。总之，当ｐ型半导体一边接正极、n型半导体一边接负极时,则为正偏,反之为反偏。
截止区:Ub＜=Ｕce且Uce>Ube
放大区:Ube>Uｏn且UCE>=Ube,即Uｃ>Ub＞Ｕe。
饱和区:Uｂｅ＞Uoｎ且Uce<Ubｅ
NＰN型三极管导通时（饱和状态)ce间电压约为０．3V，ＰNP型三极管饱和导通条件Ve>Vb,Vc>Vb,eｃ间电压也约等于０.３V。ＮPN型三极管截止时只需发射极反偏即可，ＰNP型三极管与NPN型三极管截止条件相同。
(3)截止区:发射结反偏，集电结反偏。由于两个PＮ结都反偏,使三极管的电流很小,Iｂ≈0,Ic≈0，而管压降Ucｅ却很大。这时的三极管c、e极相当于开路。可以看成是一个开关的断开。
3、三极管三种工作区的电压测量
如何判断电路中的一个NPN硅晶体管处于饱和，放大,截止状态?用电压表测基极与射极间的电压Ube。
共射极电路的电流放大系数为β,共基极电路的电流放大倍数为α。α的值小于1但接近于1,而β的值则远大于１(通常在几十到几百的范围内)，所以Ic>>Ib。由于这个缘故，共射极电路不但能得到电压放大,还可得到电流放大,致使共射极电路是目前应用最广泛的一种组态。
4、三极管用于开关电路的原理
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1、三极管的正偏与反偏：给PN结加的电压和PN结的允许电流方向一致的叫正偏，否则就是反偏。
即当P区（阳极）电位高于N区电位时就是正偏，反之就是反偏。
例如NPN型三极管，位于放大区时，Uc>Ub集电极反偏，Ub>Ue发射极正偏。
总之，当p型半导体一边接正极、n型半导体一边接负极时，则为正偏，反之为反偏。
NPN和PNP主要是电流方向和电压正负不同。
NPN是用B—E的电流（IB）控制C—E的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C极电位最高，即VC>VB>VE。
PNP是用E—B的电流（IB）控制E—C的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C极电位最低，即VC<VB<VE。
2、三极管的三种工作状态：放大、饱和、截止（1）放大区：发射结正偏，集电结反偏。
对于NPN管来说，发射极正偏即基极电压Ub>发射极电压Ue，集电结反偏就是集电极电压Uc>基极电压Ub。
放大条件：NPN管：Uc>Ub>Ue；PNP管：Ue>Ub>Uc。
（2）饱和区：发射结正偏、集电结正偏--BE、CE两PN结均正偏。
即饱和导通条件：NPN管：Ub>Ue,Ub>Uc，PNP型管：Ue>Ub,Uc>Ub。
饱合状态的特征是：三极管的电流Ib、Ic 都很大，但管压降Uce 却很小，Uce≈0。
这时三极管的c、e 极相当于短路，可看成是一个开关的闭合。
饱和压降，一般在估算小功率管时，对硅管可取0.3V，对锗管取0.1V。
此时的，iC几乎仅决定于Ib，而与Uce无关，表现出Ib对Ic的控制作用。
（3）截止区：发射结反偏，集电结反偏。
由于两个PN 结都反偏，使三极管的电流很小，Ib≈0，Ic≈0，而管压降Uce 却很大。
这时的三极管c、e 极相当于开路。
可以看成是一个开关的断开。
3、三极管三种工作区的电压测量如何判断电路中的一个NPN硅晶体管处于饱和,放大,截止状态？用电压表测基极与射极间的电压Ube。
饱和状态 eb有正偏压约0.65V左右,ce电压接近0V.放大状态 eb有正偏压约0.6V,ce电压大于0.6V小于电源电压.截止状态 eb电压低于0.6V,ce电压等于或接近电源.在实际工作中，可用测量BJT各极间电压来判断它的工作状态。
NPN型硅管的典型数据是：饱和状态Ube=0.7V，Uce=0.3V；放大区Ube=0.7V；截止区Ube=0V。
这是对可靠截止而言，实际上当Ube<0.5V时，即已进入截止状态。
对于PNP管，其电压符号应当相反。
截止区：就是三极管在工作时，集电极电流始终为0。
此时，集电极与发射极间电压接近电源电压。
对于NPN型硅三极管来说，当Ube在0～0.5V 之间时，Ib很小，无论Ib怎样变化，Ic都为0。
此时，三极管的内阻（Rce）很大，三极管截止。
当在维修过程中，测得Ube低于0.5V或Uce接近电源电压时，就可知道三极管处在截止状态。
放大区：当Ube在0.5～0.7V 之间时，Ube的微小变化就能引起Ib的较大变化，Ib随Ube基本呈线性变化，从而引起Ic的较大变化（Ic=βIb）。
这时三极管处于放大状态，集电极与发射极间电阻（Rce）随Ube可变。
当在维修过程中，测得Ube在0.5～0.7V之间时，就可知道三极管处在放大状态。
饱和区：当三极管的基极电流（Ib）达到某一值后，三极管的基极电流无论怎样变化，集电极电流都不再增大，一直处于最大值，这时三极管就处于饱和状态。
三极管的饱和状态是以三极管集电极电流来表示的，但测量三极管的电流很不方便，可以通过测量三极管的电压Ube及Uce来判断三极管是否进入饱和状态。
当Ube略大于0.7V后，无论Ube怎样变化，三极管的Ic将不能再增大。
此时三极管内阻（Rce）很小，Uce低于0.1V，这种状态称为饱和。
三极管在饱和时的Uce 称为饱和压降。
当在维修过程中测量到Ube在0.7V 左右、而Uce低于0.1V 时，就可知道三极管处在饱和状态。
截止区：Ub<=Uce且Uce>Ube放大区：Ube>Uon且UCE>=Ube，即Uc>Ub>Ue。
饱和区：Ube>Uon且Uce<UbeNPN型三极管导通时（饱和状态）ce间电压约为0.3V，PNP型三极管饱和导通条件Ve>Vb,Vc>Vb，ec间电压也约等于0.3V。
NPN型三极管截止时只需发射极反偏即可，PNP型三极管与NPN型三极管截止条件相同。
4、三极管用于开关电路的原理两个PN结都导通，三极管导通，这时三极管处于饱和状态，即开关电路的“开”状态，这时CE极间电压小于BE极间电压。
两个PN结均反偏，即为开关电路的“关”状态，三极管截止。
5.三极管构成放大器有三种电路连接方式共射极放大器，发射极为公共端，基极为输入端，集电极为输出端。
共集极放大器，集电极为公共端，基极为输入端，发射极为输出端。
共基极放大器，基极为公共端，发射极为输入端，集电极为输出端。
6、PNP管和NPN管的用法a.如果输入一个高电平，而输出需要一个低电平时，首选择NPN。
b.如果输入一个低电平，而输出需要一个低电平时，首选择PNP。
c.如果输入一个低电平，而输出需要一个高电平时，首选择NPN。
d.如果输入一个高电平，而输出需要一个高电平时，首选择PNP。
NPN基极高电压，极电极与发射极短路(导通).低电压，极电极与发射极开路.也就是不工作。
PNP基极高电压,极电极与发射极开路，也就是不工作。
如果基极加低电位，集电极与发射极短路（导通）。
7、晶体三极管是一种电流控制元件。
在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻(在三极管的集电极与电源之间接一个电阻)转变为电压放大作用。
共射极电路的电流放大系数为β，共基极电路的电流放大倍数为α。
α的值小于1但接近于1，而β的值则远大于1（通常在几十到几百的范围内），所以Ic>>Ib。
由于这个缘故，共射极电路不但能得到电压放大，还可得到电流放大，致使共射极电路是目前应用最广泛的一种组态。
8、三极管在电路的应用由于单片机的输出电流很小，不能直接驱动LED，需要加装扩流电路，最简单的就是加装一个射极跟随器（共集电极电路）足以驱动LED了。
射极跟随器的发射极接负载，集电极接地，基极接单片机IO口。
共射极接法和共集电极接法的区别共集、共基、共射指的是电路，是三极管电路的连接状态而不是三极管。
所谓“共”，就是输入、输出回路共有的部分。
其判断是在交流等效电路下进行的。
在交流通路下，电源正极相当于接地。
哪一个极接地，就是共哪个极电路。
共集电极电路----三极管的集电极接地，集电极是输入与输出的公共极；共基极电路----三极管的基极接地，基极是输入与输出的公共极；共发射极电路----三极管的发射极接地，发射极是输入与输出的公共极。
8.1、NPN管在电路中的应用区别很大。
首先，你的图有些问题，在B极、E或C极回路上必须要有限流电阻，不然会烧元件或者拉低电压的。
Q1应该是共集电极电路吧，Q2算共射电路。
此处输入电压3V3代表3.3V。
一般情况不使用Q1电路，都使用Q2电路。
Q1电路中，随着Q1的导通，E极电压上升，升到E极电压上升到3V（锗管）或2.6V（硅管）时，Q1的BE结电压开始减小，使Q1欲退出饱和状态，如此Q1的电压就钳在3V或2.6V左右，Q1的输出电压相对较低，不可能超过3V（按锗管算，BE也得0.3V的压降）。
因为Ube=0.7V（硅管）/0.3V（锗管）。
Q1电路无法进入饱和状态?如果Q1进入饱和状态,电流Ic增大,集电极本来就有限流电阻R,Ic*R>Vcc-Ie*Rled? Rled为LED的电阻。
Q2电路简单，只要BE电压达到0.3V（锗管）或0.7V（硅管），Q2饱和导通，5V电压就加于负载。
负载电压不受B极驱动电压的影响。
综上所述：NPN管（高电平导通）采用共集电极接法时输出电压较低，采用共射极接法时输出电压相对较高。
8.2 PNP管在电路中的应用两种接法各有用途，不能说哪种更好左边是共发射极接法，右边是共集电极接法，由于发射极和基极间的电位只差0.7V，大致可看成Ve=Vb，因此又叫做射级跟随器。
当目的是要驱动一个数字量器件（如继电器/蜂鸣器）时，左边的共射电路是最标准的用法：T1要么截止要么饱和导通，导通时T1上的压降很小，电源电压几乎都落到负载B1上，T1相当于一个开关。
采用右图的射随接法继电器/蜂鸣器虽也能工作，但因三极管不会饱和，使得负载得不到接近电源的电压，反而要使三极管的功耗增大，是值得注意的。
左图：拉低T1的基极电平使其导通（限流电阻不可省），T1即饱和，Vce 仅约0.2V。
右图：拉低T2的基极电平（假设为0.3V），T2虽导通但无法完全饱和，因导通的条件是Vbe（实际应为Veb）上有0.7V，所以T2的Vce（实际应为Vec）=0.3+0.7=1V。
可见左右两种电路在三极管c-e上的压降不同，右图三极管的功耗要大于左图，负载上得到的电压则较低。
综上所述，PNP管（低电平导通）采用共集电极接法时无法进入饱和状态，采用共射极接法时饱和压降低。
所以在电路中不管是PNP管还是NPN管一般采用共射极接法，即集电极接负载；共集电极接法（又称射级跟随器）有电流放大而无电压放大。
如果把三极管当开关用，负载最好接在集电极（不管是NPN还是PNP管），这样接导通时饱和压降小一点。
接在集电极作负载的是电压放大，接在发射极做负载的是电流放大。
不管是NPN还是PNP三极管负载可以接在集电极也可以接在发射极，至于哪种接法要根据放大电路的要求来定，负载接在集电极的叫共射放大电路，具有电压放大作用，另一种负载接在发射极的称共集电极放大电路，具有电流放大作用，具有高输入阻抗，低输出阻抗的特点，同样是一种放大电路又称阻抗匹配电路。
8.3 一般典型用法是三极管基极接单片机IO口（P0-P3）。
三极管的集电极电流（Ic）小可以更容易进入饱和状态。
三极管的饱和电流由C极负载决定,这里说的是e极上无电阻的情况. 一般说负载大是指电流大,也就是电阻小。
怎么使三极管进入饱和状态？（此处NPN三极管基极接单片机IO口，发射极接地，集电极通过负载接5V电源）答案：增加基极电流，使基极电流乘以放大倍数大于集电流。
因为三极管放大倍数有离散性,所以计算时要用你所用一三极管中可能的最小放大倍数。
用最小放大倍数算,放大倍数较大的管子上去也能用,只是饱和深度深些,多少影响点响应速度。
用最大放大倍数算,放大倍数较小的管子上去就不能保证饱和。
如果单片机输出电流不够就要加放大级。
假如发射极直接接地而不串联电阻，如果三极管是NPN管，单片机IO口输出高电平，则加在三极管的电流会过大而烧毁三极管。