材料科学基础第3-4章小结及习题课

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材料科学基础各章习题

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材料科学基础各章习题图2-1第⼀章⾦属的晶体结构1.试证明四⽅晶系中只有简单四⽅和体⼼四⽅两种点阵类型。

2.为什么密排六⽅结构不能称作为⼀种空间点阵3.标出⾯⼼⽴⽅晶胞中(111)⾯上各点的坐标,并判断是否位于(111)⾯上,然后计算⽅向上的线密度。

4.标出具有下列密勒指数的晶⾯和晶向:a) ⽴⽅晶系,,,,;b) 六⽅晶系 )1112(,)0111(,)2123(,,]1321[。

5.在⽴⽅晶系中画出晶⾯族的所有晶⾯,并写出{123}晶⾯族和﹤221﹥晶向族中的全部等价晶⾯和晶向的密勒指数。

6.在⽴⽅晶系中画出以为晶带轴的所有晶⾯。

7.试证明在⽴⽅晶系中,具有相同指数的晶向和晶⾯必定相互垂直。

8.已知纯钛有两种同素异构体,低温稳定的密排六⽅结构Ti -α和⾼温稳定的体⼼⽴⽅结构Ti -β,其同素异构转变温度为℃,计算纯钛在室温(20℃)和900℃时晶体中(112)和(001)的晶⾯间距(已知a a 20℃=, c a 20℃=, a β900℃=)。

9.试计算⾯⼼⽴⽅晶体的(100),(110),(111)等晶⾯的⾯间距和⾯致密度,并指出⾯间距最⼤的⾯。

10.平⾯A 在极射⾚平⾯投影图中为通过NS 极和点0°N ,20°E 的⼤圆,平⾯B 的极点在30°N ,50°W 处,a)求极射投影图上两极点A 、B 间的夹⾓;b)求出A 绕B 顺时针转过40°的位置。

说明在fcc 的(001)标准极射⾚⾯投影图的外圆上,⾚道线上和0°经线上的极点的指数各有何特点b)在上述极图上标出、、极点。

12.由标准的(001)极射⾚⾯投影图指出在⽴⽅晶体中属于[110]晶带轴的晶带,除了已在图2-1中标出晶⾯外,在下列晶⾯中那些属于[110]晶带)212(),231(),131(),210(),211(。

13.不⽤极射投影图,利⽤解析⼏何⽅法,如何确定⽴⽅晶系中a) 两晶向间的夹⾓θ;b) 两晶⾯夹⾓θ;c) 两晶⾯交线的晶向指数;d) 两晶向所决定的晶⾯指数。

武汉理工材料科学基础第三章部分习题

武汉理工材料科学基础第三章部分习题

瓷釉结构中各离子所处的位置。 5、 在硅酸盐玻璃和硼酸盐玻璃中,随着R2O的引入(<25mol%), 玻璃熔体的粘度怎样变化?试用聚合物理论解释。 6、 解释B2O3含量10mol%,SiO2含量90mol%的熔体,在冷却过 程中各自形成两个互不相容的分层玻璃,而加入适量Na2O后, 能得到均匀的玻璃。 7、 论证形成玻璃必须具有混合键。 8、 说明为什么镁橄榄石熔体不易形成玻璃而长石熔体易形成玻 璃?
分析:要应用关系式,必须换算成mol%。
解:玻璃组成
Na2O
CaO
SiO2
wt%
mol mol%
13
0.21 12.6
13
0.23 13.8
74
1.23 73.6
O 12.6 13.8 73.6 2 R = = = 2.36 Si 73.6
Z=4
X=2R-Z=2×2.36-4=0.72 Y=Z-X=4-0.72=3.28
3-7 (b) 上述数据是在恒压下取得,在恒容下,预计活化能 会有所不同。因为恒容时熔体所受压力应增加,这将使其粘
度增大,从而改变了活化能值。
3-9 在SiO2中应加入多少Na2O,使玻璃的O/Si=2.5,此时析晶能力是增强还是 削弱?
解;假定引入的Na2O的mol含量为 x , 则SiO2的mol含量为 1-x
网络状,且聚合程度高,故可形成玻璃。但当O/Si=3时, 由于碱金属氧化物明显增加,使熔体中分子较小的低聚合 物增加,熔体粘度变小,故可易结晶而不易形成玻璃。
3、 在硅酸盐熔体析晶的成核速率、生长速率随T变化的关系图 中,标出哪一条曲线代表成核速率,哪一条曲线代表生长速率? 为什么?
速 率
u IV
第三章 熔体和玻璃体

《材料科学基础》习题附答案

《材料科学基础》习题附答案

第二章思考题与例题1. 离子键、共价键、分子键和金属键的特点,并解释金属键结合的固体材料的密度比离子键或共价键固体高的原因?2. 从结构、性能等方面描述晶体与非晶体的区别。

3. 何谓理想晶体?何谓单晶、多晶、晶粒及亚晶?为什么单晶体成各向异性而多晶体一般情况下不显示各向异性?何谓空间点阵、晶体结构及晶胞?晶胞有哪些重要的特征参数?4. 比较三种典型晶体结构的特征。

(Al、α-Fe、Mg三种材料属何种晶体结构?描述它们的晶体结构特征并比较它们塑性的好坏并解释。

)何谓配位数?何谓致密度?金属中常见的三种晶体结构从原子排列紧密程度等方面比较有何异同?5. 固溶体和中间相的类型、特点和性能。

何谓间隙固溶体?它与间隙相、间隙化合物之间有何区别?(以金属为基的)固溶体与中间相的主要差异(如结构、键性、性能)是什么?6. 已知Cu的原子直径为 2.56A,求Cu的晶格常数,并计算1mm3Cu的原子数。

7. 已知Al相对原子质量Ar(Al)=26.97,原子半径γ=0.143nm,求Al晶体的密度。

8 bcc铁的单位晶胞体积,在912℃时是0.02464nm3;fcc铁在相同温度时其单位晶胞体积是0.0486nm3。

当铁由bcc转变为fcc时,其密度改变的百分比为多少?9. 何谓金属化合物?常见金属化合物有几类?影响它们形成和结构的主要因素是什么?其性能如何?10. 在面心立方晶胞中画出[012]和[123]晶向。

在面心立方晶胞中画出(012)和(123)晶面。

11. 设晶面(152)和(034)属六方晶系的正交坐标表述,试给出其四轴坐标的表示。

反之,求(31)及(2112)的正交坐标的表示。

(练习),上题中均改为相应晶向指数,求12相互转换后结果。

12.在一个立方晶胞中确定6个表面面心位置的坐标,6个面心构成一个正八面体,指出这个八面体各个表面的晶面指数,各个棱边和对角线的晶向指数。

13. 写出立方晶系的{110}、{100}、{111}、{112}晶面族包括的等价晶面,请分别画出。

材料科学基础课后习题及答案_第三章

材料科学基础课后习题及答案_第三章

第三章答案3-2略。

3-2试述位错的基本类型及其特点。

解:位错主要有两种:刃型位错和螺型位错。

刃型位错特点:滑移方向与位错线垂直,符号⊥,有多余半片原子面。

螺型位错特点:滑移方向与位错线平行,与位错线垂直的面不是平面,呈螺施状,称螺型位错。

3-3非化学计量化合物有何特点?为什么非化学计量化合物都是n型或p型半导体材料?解:非化学计量化合物的特点:非化学计量化合物产生及缺陷浓度与气氛性质、压力有关;可以看作是高价化合物与低价化合物的固溶体;缺陷浓度与温度有关,这点可以从平衡常数看出;非化学计量化合物都是半导体。

由于负离子缺位和间隙正离子使金属离子过剩产生金属离子过剩(n型)半导体,正离子缺位和间隙负离子使负离子过剩产生负离子过剩(p型)半导体。

3-4影响置换型固溶体和间隙型固溶体形成的因素有哪些?解:影响形成置换型固溶体影响因素:(1)离子尺寸:15%规律:1.(R1-R2)/R1>15%不连续。

2.<15%连续。

3.>40%不能形成固熔体。

(2)离子价:电价相同,形成连续固熔体。

(3)晶体结构因素:基质,杂质结构相同,形成连续固熔体。

(4)场强因素。

(5)电负性:差值小,形成固熔体。

差值大形成化合物。

影响形成间隙型固溶体影响因素:(1)杂质质点大小:即添加的原子愈小,易形成固溶体,反之亦然。

(2)晶体(基质)结构:离子尺寸是与晶体结构的关系密切相关的,在一定程度上来说,结构中间隙的大小起了决定性的作用。

一般晶体中空隙愈大,结构愈疏松,易形成固溶体。

(3)电价因素:外来杂质原子进人间隙时,必然引起晶体结构中电价的不平衡,这时可以通过生成空位,产生部分取代或离子的价态变化来保持电价平衡。

3-5试分析形成固溶体后对晶体性质的影响。

解:影响有:(1)稳定晶格,阻止某些晶型转变的发生;(2)活化晶格,形成固溶体后,晶格结构有一定畸变,处于高能量的活化状态,有利于进行化学反应;(3)固溶强化,溶质原子的溶入,使固溶体的强度、硬度升高;(4)形成固溶体后对材料物理性质的影响:固溶体的电学、热学、磁学等物理性质也随成分而连续变化,但一般都不是线性关系。

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第一章材料的结构一、解释以下基本概念空间点阵、品格、品胞、配位数、致密度、共价键、离子键、金属键、组元、合金、相、固溶体、中间相、间隙固溶体、置换固溶体、固溶强化、第二相强化。

二、填空题1、材料的键合方式有四类,分别是(),(),(),()。

2、金属原子的特点是最外层电子数(),且与原子核引力(),因此这些电子极容易脱离原子核的束缚而变成()。

3、我们把原子在物质内部呈()排列的固体物质称为品体,品体物质具有以下三个特点,分别是(),(),()。

4、三种常见的金属品格分别为(),()和()。

5、体心立方品格中,品胞原子数为(),原子半径与品格常数的关系为(),配位数是(),致密度是(),密排品向为(),密排品面为(),品胞中八面体间隙个数为(),四面体间隙个数为(),具有体心立方晶格的常见金属有()。

6、面心立方晶格中,品胞原子数为(),原子半径与品格常数的关系为(),配位数是(),致密度是(),密排品向为(),密排品面为(),品胞中八面体间隙个数为(),四面体间隙个数为(),具有面心立方品格的常见金属有()。

7、密排六方品格中,品胞原子数为(),原子半径与品格常数的关系为(),配位数是(),致密度是(),密排品向为(),密排品面为(),具有密排六方品格的常见金属有()。

8、合金的相结构分为两大类,分别是()和()。

9、固溶体按照溶质原子在品格中所占的位置分为()和(),按照固溶度分为()和(),按照溶质原子与溶剂原子相对分布分为()和()。

10、影响固溶体结构形式和溶解度的因素主要有()、()11、金属化合物(中间相)分为以下四类,分别是(),(),(),()。

12、金属化合物(中间相)的性能特点是:熔点()、硬度()、脆性(),因此在合金中不作为()相,而是少量存在起到第二相()作用。

13、C uZn、Cu5Zn8x Cu3Sn 的电子浓度分别为(),(),()。

14、如果H M表示金属,用X表示非金属,间隙相的分子式可以写成如下四种形式,分别是(), (),(),()<,15、F e,C的铁、碳原子比为(),碳的重量百分数为(),它是()的主要强化相。

材料科学基础课后习题及答案

材料科学基础课后习题及答案

第二章答案2-1略。

2-2〔1〕一晶面在x、y、z轴上的截距分别为2a、3b、6c,求该晶面的晶面指数;〔2〕一晶面在x、y、z轴上的截距分别为a/3、b/2、c,求出该晶面的晶面指数。

答:〔1〕h:k:l==3:2:1,∴该晶面的晶面指数为〔321〕;〔2〕h:k:l=3:2:1,∴该晶面的晶面指数为〔321〕。

2-3在立方晶系晶胞中画出以下晶面指数和晶向指数:〔001〕与[],〔111〕与[],〔〕与[111],〔〕与[236],〔257〕与[],〔123〕与[],〔102〕,〔〕,〔〕,[110],[],[]答:2-4定性描述晶体构造的参量有哪些.定量描述晶体构造的参量又有哪些.答:定性:对称轴、对称中心、晶系、点阵。

定量:晶胞参数。

2-5依据结合力的本质不同,晶体中的键合作用分为哪几类.其特点是什么.答:晶体中的键合作用可分为离子键、共价键、金属键、范德华键和氢键。

离子键的特点是没有方向性和饱和性,结合力很大。

共价键的特点是具有方向性和饱和性,结合力也很大。

金属键是没有方向性和饱和性的的共价键,结合力是离子间的静电库仑力。

范德华键是通过分子力而产生的键合,分子力很弱。

氢键是两个电负性较大的原子相结合形成的键,具有饱和性。

2-6等径球最严密堆积的空隙有哪两种.一个球的周围有多少个四面体空隙、多少个八面体空隙.答:等径球最严密堆积有六方和面心立方严密堆积两种,一个球的周围有8个四面体空隙、6个八面体空隙。

2-7n个等径球作最严密堆积时可形成多少个四面体空隙、多少个八面体空隙.不等径球是如何进展堆积的.答:n个等径球作最严密堆积时可形成n个八面体空隙、2n个四面体空隙。

不等径球体进展严密堆积时,可以看成由大球按等径球体严密堆积后,小球按其大小分别填充到其空隙中,稍大的小球填充八面体空隙,稍小的小球填充四面体空隙,形成不等径球体严密堆积。

2-8写出面心立方格子的单位平行六面体上所有结点的坐标。

答:面心立方格子的单位平行六面体上所有结点为:〔000〕、〔001〕〔100〕〔101〕〔110〕〔010〕〔011〕〔111〕〔0〕〔0〕〔0〕〔1〕〔1〕〔1〕。

材料科学基础课后习题第1-第4章

材料科学基础课后习题第1-第4章

材料科学基础课后习题第1-第4章第一篇:材料科学基础课后习题第1-第4章《材料科学基础》课后习题答案第一章材料结构的基本知识4.简述一次键和二次键区别答:根据结合力的强弱可把结合键分成一次键和二次键两大类。

其中一次键的结合力较强,包括离子键、共价键和金属键。

一次键的三种结合方式都是依靠外壳层电子转移或共享以形成稳定的电子壳层,从而使原子间相互结合起来。

二次键的结合力较弱,包括范德瓦耳斯键和氢键。

二次键是一种在原子和分子之间,由诱导或永久电偶相互作用而产生的一种副键。

6.为什么金属键结合的固体材料的密度比离子键或共价键固体为高?答:材料的密度与结合键类型有关。

一般金属键结合的固体材料的高密度有两个原因:(1)金属元素有较高的相对原子质量;(2)金属键的结合方式没有方向性,因此金属原子总是趋于密集排列。

相反,对于离子键或共价键结合的材料,原子排列不可能很致密。

共价键结合时,相邻原子的个数要受到共价键数目的限制;离子键结合时,则要满足正、负离子间电荷平衡的要求,它们的相邻原子数都不如金属多,因此离子键或共价键结合的材料密度较低。

9.什么是单相组织?什么是两相组织?以它们为例说明显微组织的含义以及显微组织对性能的影响。

答:单相组织,顾名思义是具有单一相的组织。

即所有晶粒的化学组成相同,晶体结构也相同。

两相组织是指具有两相的组织。

单相组织特征的主要有晶粒尺寸及形状。

晶粒尺寸对材料性能有重要的影响,细化晶粒可以明显地提高材料的强度,改善材料的塑性和韧性。

单相组织中,根据各方向生长条件的不同,会生成等轴晶和柱状晶。

等轴晶的材料各方向上性能接近,而柱状晶则在各个方向上表现出性能的差异。

对于两相组织,如果两个相的晶粒尺度相当,两者均匀地交替分布,此时合金的力学性能取决于两个相或者两种相或两种组织组成物的相对量及各自的性能。

如果两个相的晶粒尺度相差甚远,其中尺寸较细的相以球状、点状、片状或针状等形态弥散地分布于另一相晶粒的基体内。

《材料科学与工程基础》顾宜 第三章 课后答案

《材料科学与工程基础》顾宜 第三章 课后答案

3-1.解释以下名词:金属键、晶格、晶胞、合金、组元、相、机械混合物、铁素体、奥氏体、渗碳体、马氏体、黄铜、青铜、形变铝合金、非晶态金属键:是化学键的一种,主要在金属中存在。

由自由电子及排列成晶格状的金属离子之间的静电吸引力组合而成。

无方向性和饱和性.晶格:表示晶体结构周期重复规律的简单几何图形.晶胞:晶体内部的基本重复单元(最小重复单元).合金:是由两种或两种以上的金属与金属或非金属经一定方法所合成的具有金属特性的混合物。

一般通过熔合成均匀液体和凝固而得。

组元:组成合金的独立的、最基本的单元称为组元,组元可以是组成合金的元素或稳定的化合物。

相:指一个宏观物理系统所具有的一组状态,也通称为物态。

机械混合物:指由两种或以上的互不相溶晶体结构(纯金属、固溶体或化合物)机械地混合而形成的显微组织。

机械混合物的性能主要取决于组成它的各组成物的性能以及其数量、形状、大小和分布情况。

铁素体:是碳溶解在α-Fe中的间隙固溶体,常用符号F表示。

具有体心立方晶格,其溶碳能力很低.奥氏体:是钢铁的一种层片状的显微组织,通常是ɣ-Fe中固溶少量碳的无磁性固溶体,也称为沃斯田铁或ɣ-Fe。

一般由等轴状的多边形晶粒组成,晶粒内有孪晶。

渗碳体:铁与碳形成的稳定化合物,其化学式为Fe3C。

渗碳体的含碳量为ωc=6.69%,熔点为1227℃。

其晶格为复杂的正交晶格,硬度很高HBW=800,塑性、韧性几乎为零,脆性很大。

马氏体:是黑色金属材料的一种组织名称,是碳在α-Fe中的过饱和固溶体黄铜:由铜和锌所组成的合金,由铜、锌组成的黄铜就叫作普通黄铜,如果是由二种以上的元素组成的多种合金就称为特殊黄铜。

黄铜有较强的耐磨性能,黄铜常被用于制造阀门、水管、空调内外机连接管和散热器等。

青铜:是金属冶铸史上最早的合金,在纯铜(紫铜)中加入锡或铅的合金,有特殊重要性和历史意义,与纯铜(紫铜)相比,青铜强度高且熔点低(25%的锡冶炼青铜,熔点就会降低到800℃。

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2.大角度晶界

间的晶界都属于大角度晶界。 重合位臵点阵模型:在大角度晶界结构中将存在一定数量 重合点阵原子。

3. 晶界能
晶界能:形成单位晶界面时,系统的自由能变化。J/㎡。

晶界能量与θ有关:γ= γ0θ(A-lnθ) ,式中γ0 = Gb/4п(1-ν) 大角度晶界能量与 θ 无关,基本上为一恒定值, 0.25— 1.0J/㎡
第三章 晶体缺陷
晶体缺陷分类及特征(几何形态、相对于晶体的尺寸、影响范围) :
1. 点缺陷:特征是三维空间的各个方面上尺寸都很小,尺寸
范围约为一个或几个原子尺度,包括空位、间隙原子、杂质 和溶质原子。
2. 线缺陷:特征是在两个方向上尺寸很小,另外一个方面上
很大,如各类位错。
3. 面缺陷:特征是在一个方向上尺寸很小,另外两个方向上

表面能(γ):产生单位面积新表面所做的功。
表示法:①γ= dw/ds ②γ= T/L (N/m) ③γ= [被割断的结合键数/形成单位新表面]×[能量/每个键] 影响γ的因素:
(1)晶体表面原子排列的致密程度。
(2)晶体表面曲率。 (3)外部介质的性质。 (4)晶体性质。
3.3.1 晶界和亚晶界
很大,包括表面、晶界、亚晶界、相界、孪晶界等。
3.1.2 点缺陷的产生

平衡点缺陷及其浓度
点缺陷都是由于原子的热运动产生的,它们的产生和 存在使体系的自由能发生一定的变化。
在绝对零度以上的任何温度,晶体中最稳定的状态是含有 一定浓度的点缺陷的状态。
平衡点缺陷数目: C = n/N = exp(△Sf/k)exp(-△Ev/kT) = Aexp(-△Ev/kT)
3.用柏氏矢量判断位错类型
用柏氏矢量判断位错类型: (1) 刃型位错 ξe⊥be 右手法则 : 食指指向位错线方向,中指指向柏氏矢量 方向,拇指指向代表多余半面子面位向,向上为正, 向下为负。 (2) 螺型位错 ξs∥bs 正向(方向相同)为右螺旋位错,负向(方向相反) 为左螺旋位错。 (3) 混合位错 柏氏矢量与位错线方向成夹角φ 刃型分量be 螺型分量bs 用矢量图解法表示位错:数量积、向量积等
3.2 位


位错是一种线缺陷,它是晶体中某处一列或若干列原子发 生了有规律错排现象;错排区是细长的管状畸变区,长度 可达几百至几万个原子间距,宽仅几个原子间。 3.2.1 位错的基本类型和特征
3.2.2 柏氏矢量
3.2.3 位错的运动 3.2.5 位错的生成和增殖 3.2.6 实际晶体结构中的错位
C与T、Ev之间呈指数关系,T上升、C升高。

过饱和点缺陷的产生
在点缺陷的平衡浓度下晶体的自由能最低,系统最 稳定。当在一定的温度下,晶体中点缺陷的数目明显超 过其平衡浓度时,这些点缺陷称为过饱和点缺陷,通常 有三种方式产生: 淬火(quenching) 冷加工(cold working) 辐照(radiation)
依照形成原因不同分为:变形孪晶、生长孪晶、退火孪晶
3.3.3 相界

相界:具有不同结构的两相之间的分界面

按相界面上原子间匹配程度分为:
共格界面、半共格界面、非共格界面
从相界能的角度来看,从共格至半共格到非共格相 界依次递增。
主要内容
扩散的表象理论
扩散的热力学分析
扩散的原子理论
影响扩散的因素
4.1 表象理论
扩散 原子或分子的迁移现象称为扩散。 扩散本质 原子依靠热运动从一个位臵迁移到另一个 位臵。
扩散是固体中原子迁移的唯一方式。
固态材料中扩散的4个条件:
1. 温度( T )要足够高。只有 T 足够高,才能使原子 具有足够的激活能,足以克服周围原子的束缚而发 生迁移。 2. 时间(t)要足够长。


单位位错:柏氏矢量等于单位点阵矢量的位错 全位错:柏氏矢量等于点阵矢量或其整数倍的位错 不全位错(部分位错):柏氏矢量不等于点阵矢量整数倍的位错
典型晶体结构中单位位错的柏氏矢量 结构类型 柏氏矢量 简单立方 a<100> 方向 <100> <110>
b
数量 3 6
a
1 2a 2 1 3a 2
面心立方 a/2<110>

晶界:属于同一固相但位向不同的晶粒之间的界面 称为晶界。 亚晶界:每个晶粒有时又由若干个位向稍有差异的 亚晶粒所组成,相邻亚晶粒间的界面称为亚晶界。


确定晶界位臵方法: (1)两晶粒的位向差θ (2)晶界相对于一个点阵某一平面的夹角φ。 晶界分类(按θ的大小): 小角度晶界θ<10º 大角度晶界θ>10º
表达式:
d J D dx
扩散系数D:描述扩散速度的物理量。D越大,则扩 散越快。
4.2 扩散的热力学分析
1. 扩散分类
和浓度梯度有关的扩散:顺扩散(高浓度→低浓度), 逆扩散(低浓度→高浓度)
2. 系统变化驱动力:系统变化总是向吉布斯自由能降低的方
向进行,自由能最低态是系统的平衡状态,过程的自由能 变化是系统变化的驱动力。
3.混合位错
(1) 混合位错定义: 晶体中位错线既不平行也不垂直于滑移方向,即 滑移矢量与位错线成任意角度,这种晶体缺陷称为混 合型位错。 (2) 混合位错特征: 混合位错可分为刃型分量和螺型分量,它们分别具有 刃位错和螺位错的特征。 刃:ξ⊥b ; 螺: ξ∥b ; 位错环是一种典型的混合位错。
(4)刃型位错特征: ① 有一额外的半原子面,分正和负刃型位错; ② 可理解为是已滑移区与未滑移区的边界线,可是直线也 可是折线和曲线,但它们必与滑移方向和滑移矢量垂直; ③ 只能在同时包含有位错线和滑移矢量的滑移平面上滑移; ④ 位错周围点阵发生弹性畸变,有切应变,也有正应变;
⑤ 位错畸变区只有几个原子间距,是狭长的管道,故是线 缺陷。
5. 柏氏矢量表示法:
与晶向指数相似,只不过晶向指数没有“大小”的概 念,而柏氏矢量必须在晶向指数的基础上把矢量的模也表 示出来,因此柏氏矢量的大小和方向要用它在各个晶轴上 的分量,即点阵矢量a,b和c来表示。 立方晶系中 b=(a/n)[uvw] ,其大小成为位错强度,用模 表示 ,模的大小表示该晶向上原子间的距离。
两种位错特征的比较
刃型位错 螺型位错
(1)有一个额外半原子面; (1) 无额外半原子面; (2) 位错线是一个具有一定宽度的 (2) 位错线是一个具有一定宽度的 细长晶格畸变管道,其中既有正应 细长的晶格畸变管道,其中只有切 变,又有切应变; 应变,而无正应变; (3)位错线与晶体滑移的方向垂直, (3) 位错线与滑移方向平行,位错 即位错线运动的方向垂直于位错线。 线运动的方向与位错线垂直。

1. 小角度晶界的结构 分类:
(1) 对称倾斜界面: 晶界平面为两个相邻晶粒
的对称面。是由一列平行的刃型位错所组成。
(2)不对称倾斜界面: 两晶粒不以二者晶界为
对称的晶界看成两组互相垂直的刃型位错排列而 成的。
(3) 扭转晶界: 两部分晶体绕某一轴在一个共
同的晶面上相对扭转一个θ角所构成的,扭转轴 垂直于这一共同的晶面。可看成是由互相交叉的 螺位错所组成。
a 2 2 b u v w2 n
六方晶系中: b=(a/n)[uvtw] 同一晶体中,柏氏矢量愈大,表明该位错导致点阵畸变愈 严重,它所在处的能量也愈高。
3.2.3 位错的运动
基本形式:滑移和攀移

滑移(slip):三种位错的滑移过程 攀移(climb):在垂直于滑移面方向上运动, 实质:刃位错多余半原子面的扩大和缩小。只有刃 型位错才能发生攀移 交割(cross/interaction)和扭折(kink)
3. 扩散驱动力:扩散的驱动力并不是浓度梯度,而应是化学
势梯度;
4. 扩散效果:
浓度梯度与化学位梯度一致,顺扩散,成分趋于均匀, 浓度梯度与化学位梯度不一致,逆扩散,成分趋于不均匀。
5. 上(下)坡扩散
根据扩散方向是否与浓度梯度( dρ/dx )的方向 ( 浓度变化 趋势)相同分类 (1)下坡扩散:沿浓度降低方向进行的扩散,扩散使浓度 趋向均匀化。均匀化退火 、化学热处理
体心立方 a/2<111>
<111>
4
3
密排六方 a/3<1120> <1120>
a
密排方向表示
3. 位错反应:
位错间的相互转化(合成或分解)过程。 位错反应满足条件: (1)几何条件 柏氏矢量守恒性 即: ∑bs = ∑bh
(2)能量条件 反应过程能量降低 即:∑︱bs ︱² ﹥ ∑ ︱ bh ︱ ²
(6)晶界腐蚀速度比晶内快。 (7)晶界具有不同与晶内的物理性质。
3.3.2 孪晶界
1. 孪晶的定义:
孪晶是指两个晶体 (或一个晶体的两部分)沿一个公共晶面构 成镜面对称的位向关系 。
2.孪晶分类:
①共格孪晶面
②非共格孪晶面 孪晶的形成常常与晶体中的堆垛层错有密切关系,γ高不易 形成孪晶。 fcc结构 孪晶面为{111}
3.3

表面与界面
面缺陷: 界面通常包含几个原子层厚的区域,该区域内的原 子排列甚至化学成分往往不同于晶体内部,又因它系 二维结构分布,故也称为晶体的面缺陷。界面的存在
对晶体的物理、化学和力学等性能产生重要的影响。

面缺陷类型:
外表面:固体材料与气体或液体的分界面
内界面:晶界、亚晶界、孪晶界、相界、层错
4. 晶界特征
(1)晶界处点阵畸变大,存在晶界能。
(2)常温下晶界的存在会对位错的运动起阻碍运动,使塑 型变形抗力提高,使晶体(材料)的硬度和强度提高。
(3)晶界处原子具有较高的动能,且晶界处存在大量缺陷。 原子在晶界处扩散比晶内快得多。
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