腐蚀工艺教程
晒纹完全教程
晒纹完全教程晒纹教程⼀, 基础知识模具蚀纹，模具咬花，模具晒纹，模具烂纹，模具烂花，模具蚀刻之类都是模具⾥的同⼀⼯艺，只是名称叫法不同。
⾥⾯⼜有幼纹，细纹，粗纹，⽪纹等纹路粗细的种类。
英⽂⼀般如下写法mould texture，mold texture，mould texturing，mold texturing。
模具蚀纹的应⽤：4 C P6 q K' X* C) u(1)起装饰产品的作⽤，使产品更加美观，⾼雅;(2)克服了印字，喷漆易磨掉的缺点；(3)满⾜了视觉要求：由于光洁如镜的产品表⾯极易划伤，易沾上灰尘和指纹，⽽且在形成过程中产⽣的疵点、丝痕和波纹会在产品的光洁表⾯上暴露⽆疑，⽽⼀些⽪⾰纹、橘⽪纹、⽊纹、⾬花纹、亚光⾯等装饰花纹，可以隐蔽产品表⾯在成形过程中产⽣的缺点，使产品外观美观，迎合视觉的需要。
(4)制作花纹，可以使产品表⾯与型腔表⾯之⾯能容纳少许的空⽓，不致形成真空吸附，使得脱模变得容易。
(5)防滑、防转、有良好的⼿感。
(6)制成⿇⾯或亚光⾯，防⽌光线反射、消除眼部疲劳等等。
: k3 c6 m4 g$ t模具蚀纹的⽅式：. i' P$ g9 ^/ u% e+ D- r花技术是经过化学药⽔作⽤，在不同⾦属制品的表⾯造成各类图案，例如：沙纹、条纹、图象、⽊纹、⽪纹及绸缎图案等。
不同的技术流程制作出不同的纹路风格。
其中也包括喷纹程序，例如：办公室⽂件器材、录⾳机、录映机、照相机、汽车的防撞架、镜⾯、花盆、餐具等表⾯都是⽤喷纹制作⽽成。
模具蚀纹的流程：洗膜－粘膜－化学检验－表⾯处理－印花处理－化学蚀刻－表⾯处理－QC－防锈处理－包装7 A* D3 O6 @8 D1 C0 ?" K模具纹分类：有对称形图纹如正⽅形对应，圆形对应，⾮对称形图纹，花纹，⽊纹，类似家装材料瓷砖的图纹，这个纹理当然不是平的，是有纹理的，有⽴体感的，有凹凸不来的。
还有包括蚀字等。
⼀般可以总体概括：各种塑料⼯模⽪纹、⽊纹、布纹、⽴体纹、（电视，电脑，电话，⼿机，汽车，摩托，空调，冰箱等）⼤⼩电器外壳各类花纹滚筒；鞋底纹、不锈钢、压铸模蚀刻、凹凸⽂字商标、图案、喷沙. 可能有些同仁不知道做了晒纹是⼲什么⽤的，其实就是利⽤晒出来的钢板然后通过油墨转印到软质PVC，橡胶（TPR）上（在这⾥只针对这两种材料），钢板是硬的，⽽前⾯提到的那两种塑料是软的，⼆者相互挤压，使钢板上的油膜贴附到移印头上去，然后将移印头部的油膜再转印到产品上去。
腐蚀工艺教程
腐蚀工艺教程（湿法清洗部分）一、什么是半导体?半导体是介于导体和绝缘体之间的物质,它的电阻率在10-3～109范围内。
自然界中属于半导体的物质很多，用于制造半导体的材料主要是硅(Si)、锗(Ge）、砷化镓（GaAs）。
纯净的半导体电阻率很高，几乎不导电。
但在特定的条件下，如光照、掺杂等，它的电阻率可以降到几十欧姆甚至更低，并且随掺入的杂质不同呈不同的导电特性。
我们分别称之为P(空穴导电)型半导体和N（电子导电）型半导体。
P型半导体和N型半导体相接触时,在接触面就形成了PN结。
PN结具有正向导通反向截止的特性,利用它可以制得常用的二极管。
在集成电路制造中，常用的衬底材料是硅单晶片，根据圆片加工过程中硅单晶切割的晶格方向的不同，可把它分为<100>和<111>等晶向。
在mos集成电路制造中,选用的是<100〉晶向的圆片。
二、什么是集成电路？不同导电类型的半导体组合在一起，可以做成二极管、三极管、电容、电阻，如果把这些元件做在同一块芯片上，完成一定的电路功能,就称之为集成电路。
集成电路可分为双极集成电路和MOS集成电路，MOS集成电路又可分为nMOS集成电路、pMOS集成电路和CMOS集成电路。
三、集成电路中的常用薄膜。
多晶硅常用在MOS器件中作为栅电极.也可用于高电阻的电阻器,及局部电路的短连线二氧化硅集成电路中使用的二氧化硅膜可分为热二氧化硅和CVD淀积二氧化硅两类。
在MOS集成电路中，它有以下几种用途:作为对付掺杂剂注入或扩散进硅的掩膜,提供表面钝化,使器件一部分与一部分隔离，作为MOS器件的一个组成部分（如栅介质），作为金属步线之间的电绝缘。
氮化硅能阻挡钠离子的扩散，几乎不透潮气并具有很低的氧化速率。
用低压CVD（LPCVD）方法淀积的氮化硅膜，主要用作平面工艺的氧化掩膜;用等离子淀积(PECVD)的氮化硅膜，能在较低温度下生成,可作为钝化保护层。
Al—Si-Cu用在集成电路中作为金属互连线。
铝氧化工艺教程
铝与铝合金的氧化处理铝及铝合金在大气中虽能自然形成一层氧化膜，但膜薄（40～50A）而疏松多孔，为非晶态的、不均匀也不连续的膜层，不能作为可靠的防护一装饰性膜层。
1、随着铝制品加工工业的不断发展，在工业上越来越广泛地采用阳极氧化或化学氧化的方法，在铝及铝合金制件表面生成一层氧化膜，以达到防护一装饰的目的。
经化学氧化处理获得的氧化膜，厚度一般为0.3～4um，质软、耐磨和抗蚀性能均低于阳极氧化膜。
所以，除有特殊用途外，很少单独使用。
但它有较好的吸附能力，在其表面再涂漆，可有效地提高铝制品的耐蚀性和装饰性。
2、经阳极氧化处理获得的氧化膜，厚度一般在5～20um，硬质阳极氧化膜厚度可达60～2500um。
其膜层还具有似下特性：（1）硬度较高纯铝氧化膜的硬度比铝合金氧化膜的硬度高。
通常，它的硬度大小与铝的合金成份、阳极氧化时电解液的工艺条件有关。
阳极氧化膜不仅硬度较高，而且有较好的耐磨性。
尤其是表面层多孔的氧化膜具有吸附润滑剂的能力，还可进一步改善表面的耐磨性能。
（2）有较高的耐蚀性这是由于阳极氧化膜有较高的化学稳定性。
经测试，纯铝的阳极氧化膜比铝合金的阳极氧化膜耐蚀性好。
这是由于合金成分夹杂或形成金属化合物不能被氧化或被溶解，而使氧化膜不连续或产生空隙，从而使氧化膜的耐蚀性大为降低。
所以，一般经阳极氧化后所得的膜必须进行封闭处理，才能提高其耐蚀性能。
（3）有较强的吸附能力铝及铝合金的阳极氧化膜为多孔结构，具有很强的吸附能力，所以给孔内填充各种颜料、润滑剂、树脂等可进一步提高铝制品的防护、绝缘、耐磨和装饰性能。
（4）有很好的绝缘性能铝及铝合金的阳极氧化膜，已不具备金属的导电性质，而成为良好的绝缘材料。
（5）绝热抗热性能强这是因为阳极氧化膜的导热系数大大低于纯铝·阳极氧化膜可耐温1500℃左右，而纯铝只能耐660℃。
好综上所述，铝和铝合金经化学氧化处理，特别是阳极氧化处理后，在其表面形成的氧化膜具有良好的防护一装饰等特性。
结晶氯化铝工艺流程
结晶氯化铝工艺流程结晶氯化铝是一种重要的无机化工原料，广泛应用于冶金、化工、医药等领域。
本文将详细描述结晶氯化铝的工艺流程，包括原料准备、反应过程、结晶过程和产品处理等环节。
一、原料准备:1. 氯化铝: 性质稳定的氯化铝片或粉末作为主要原料，质量应符合相关标准。
2. 氯气: 用于反应过程的氯化剂，需使用高纯度的氯气。
二、反应过程:1. 反应釜: 选择耐腐蚀的反应釜，按照设计要求进行装置。
2. 加热: 将适量的氯化铝和氯气加入反应釜中，加热至一定温度。
3. 反应: 在一定温度下，氯气与氯化铝发生反应生成氯化铝气体。
4. 冷却：反应结束后，采用合适的方法进行冷却，以便进行后续操作。
5. 产物收集: 收集反应产生的气体，并进行分离和净化处理。
三、结晶过程:1. 溶液准备: 将反应产生的氯化铝气体溶解于水中，形成氯化铝溶液。
2. 过滤: 通过滤纸或其他适当的材料对氯化铝溶液进行过滤，去除杂质。
3. 浓缩: 将过滤后的氯化铝溶液加热蒸发，使其逐渐浓缩。
4. 结晶: 继续加热浓缩后的溶液，使其达到饱和状态，然后冷却至一定温度，促使氯化铝结晶形成固体结晶物。
5. 过滤与洗涤: 将结晶物进行过滤，用适量的水进行洗涤，以去除杂质。
6. 干燥: 取出洗涤后的结晶物，进行适当的干燥，使其达到规定的含水量。
四、产品处理:1. 产品收集: 将经过干燥的结晶物收集储存。
2. 包装: 根据需求，将结晶氯化铝装入合适的包装容器中。
3. 质检: 对产品进行质量检测，确保符合相关标准。
4. 存储: 将质检合格的结晶氯化铝储存于适宜的仓库中，注意防潮、防火等措施。
本文详细介绍了结晶氯化铝的工艺流程，包括原料准备、反应过程、结晶过程和产品处理等环节。
正确的操作流程和严格的质量控制是确保结晶氯化铝质量稳定的关键。
通过了解工艺流程，人们能够更好地理解结晶氯化铝生产的流程和每个环节的作用。
只有在正确的操作下，才能获得高质量的结晶氯化铝产品。
浅谈氮化硅的刻蚀及其应用
浅谈氮化硅的刻蚀及其应用引言氮化硅（silicon nitride）薄膜是无定形的绝缘材料，具有以下特性：（1）对扩散来说，它具有非常强的掩蔽能力，尤其是钠和水汽在氮化硅中的扩散速度非常慢；（2）通过PECVD可以制备出具有较低压应力的氮化硅薄膜；（3）可以对底层金属实现保形覆盖；（4）薄膜中的针孔很少。
作为选择氧化的掩蔽层时，可以把氮化硅直接淀积到硅衬底的表面上，有时考虑到氮化硅与硅直接接触产生应力，形成界面态，往往在硅表面上先淀积一层二氧化硅作为缓冲层，然后再淀积一层作为掩蔽层的氮化硅。
因氮化硅氧化速度非常慢，只要氮化硅具有一定的厚度，它将保护下面的硅不被氧化。
目前我们就是采用在Si3N4下面再做一层SiO2的方法，使Si3N4起掩蔽的作用，通过一些试验研究出它的干法、湿法刻蚀工艺条件，还发现了它在光刻版上的应用。
1、Si3N4薄膜的制备1.1Si3N4薄膜制备原理氮化硅可替代氧化硅使用，特别是对顶部保护层，在铝金属层上淀积时，其温度要足够低。
PECVD的出现开始了不同化学源的使用，其中之一是硅烷与氨气或氮气在氩气等离子体状态下反应。
3SiH4+4NH3→Si3N4+12H2然而，PECVD制作的氮化硅往往是非化学配比的，含有相当数量的氢原子（10%～30%），因此有时候化学表示式写为SixNyHz。
由SiH4-N2制备的薄膜含有较少的氢和较多的氮。
PECVD氮化硅的淀积反应式如下：1.2制备Si3N4薄膜利用等离子增强型化学气相淀积，在较低温度生长Si3N4薄膜，选用的设备为PECVD（等离子化学气相淀积）根据以上工艺条件在9000Å氧化层上淀积Si3N4薄膜2、Si3N4薄膜的刻蚀刻蚀是利用化学或物理方式对氧化硅膜、氮化硅膜和金属膜等进行刻蚀加工的工艺。
刻蚀湿法腐蚀和干法刻蚀两种方法。
湿法刻蚀是利用溶液中发生化学反应来进行腐蚀的方法。
以光刻胶作为掩蔽，湿法刻蚀在纵、横两方向将以同样比例进行腐蚀，称此为各向同性腐蚀。
最新硫酸盐法制浆教程
第一章纸和浆1.1纸的重要性：在现代生活中纸与纸产品对每个人的重要性是显而易见的，还没有哪一种制品对人类活动的各个领域比她有更深远的地作用了。
纸和纸板，储存和传播信息的手段；实际上所有书写和印刷任务都是纸张承当的，它是应用最广泛的包装材料，而且是重要的建筑材料。
纸和纸产品的用途实际上是无限的，新的专用产品不断地开发。
与此同时，造纸工业也觉察到了来自其它方面（特别是塑料和电子媒体）对传统上由纸张占领的市场的入侵和挑战。
值得提出的是，由于新技术和新方法的不断扩大造纸工业会有更大的市场。
1.2纸、纸浆和纸板的定义：纸张传统上的定义是，纤维水悬浮液在一个细筛网上所形成的粘连状薄片。
除了大多数纸张含有非纤维性辅助（添加剂）外，目前纸产品一般与该定义是相符合的。
干成型方法只用于制造少数特种纸产品。
纸浆是抄纸的纤维原料。
纸浆纤维通常来源与植物，其它如动物，矿物或化学合成的纤维也可以用于特定场合。
用化学药品加工形成非纸张类产品的纸浆称为溶解浆。
纸和纸板之间的区别主要在于产品的厚度和定量，通常将所有超过0.3mm厚度的薄片归入纸板类；但也有不少例外使这样的区别有些模糊化。
1.3制浆造纸技术发展简史：古埃及人通过锤打和压合植物茎（芦苇状植物纸莎草）的薄片，制成世界上第一张书写用的材料，但它没有像真正抄纸那样完全的纤维解离作用。
早在公元100年，我们的祖先首先利用竹子和桑树纤维悬浮液进行了真正意义上的纸张抄造（公元105年，东汉蔡伦发明用破布，鱼网，废麻等原料造纸）。
随后我们的祖先将抄纸工艺发展成为一项高度熟练的技术。
在经历数个世纪后，造纸技术传入中东，稍后抵达欧洲，在欧洲，棉麻破布成了主要原料。
15世纪初，在西班牙，意大利，德国和法国有许多纸厂。
制浆造纸历史发展的若干重要里程碑见下表。
这些发明及其研制的模型机奠定了现代造纸工业的基础。
在20世纪这类早期的和相当原始的技术有了迅速的革新和改进，并开发出了诸如连续蒸煮，连续多段漂白，机内纸张涂布，双网成形等技术。
316不锈钢的晶间腐蚀行为的研究
0. 002 75 0. 003 25 0. 002
0. 003 75 0. 003 75 0. 003 5
0. 006 25 0. 005 25 0. 004 5
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图 1中 1- 9的实验 条件依次为 25 10m in、25 15m in、 有的相伴概率值 ( A symp. S ig) 都大 于显著 性水平 0. 01, 所以
25 20m in、30 10m in、30 15m in、30 20m in、35 10m in、 认为沟槽晶界 宽度服 从正 态分布。 因此可 以用 沟槽 宽度的
1. 1 试样及溶液 实验材料 为商品 316不锈钢棒材, 用线切割成 10 10
10mm 的试样。固溶态试样为在 1 050 下保温 30m in后空冷 至室温后得到 的试样。不同敏化程度的试样为在 650 下分 别保温 30m in、2h、4h后用自然冷却后得到的试样。
腐蚀溶液 采用体积比为 1: 8的硫酸水溶液。 1. 2 实验过程
ZHANG Sheng han, L I Na, YANG N i
( No rth Ch ina E lectric Pow er Un iversity, Baoding 071003, China)
Abstrac t: T he chem ical etch ing m ethod determ in ing intergranular corrosion o f 316 stainless steel is deve loped, the spec i m en we re heat trea ted under d ifferen t cond itions, looking for the optima l corrosive fluid, then under d ifferent cond ition to e tch the 316 sta in less stee,l the essay find the m ax imum etch to 316 sta inless stee l and at the sam e time not to the crysta l g ra in. Statistica l testm ethod based on K S test. The result shows tha t: the intergranular co rrosion groove w idth o f 316 stain less stee l eroded w ith dilute su lphuric ac id so lution accords w ith no rm al distr ibution. The degree o f intergranular corros ion m ay be mo re seriously when the 316 sta in less stee l was treated for sensitiza tion. T he intergranular corrosion g roove w idth goes m ore broadly w ith the longer tim e o f sensitiza tion heat treatm ent. K ey word s: stain less stee;l in tergranu lar corrosion; sensit ization; norm al d istribution
碰砂零件化学氧化工艺作业
碰砂零件化学氧化工艺作业
碰砂零件化学氧化是一种常用的表面处理工艺，可以提高零件的耐腐蚀性和美观度。
下面是碰砂零件化学氧化的工艺步骤：
1. 准备工作：清洗零件表面，去除表面的污垢和油脂，确保表面干净。
2. 碰砂处理：通过碰砂工艺处理零件表面，使其表面变得粗糙，增加表面的附着力。
3. 酸洗处理：将零件浸泡在酸性溶液中，去除表面的氧化层和其他杂质。
4. 化学氧化：将零件浸泡在含有氧化剂的溶液中，进行化学氧化处理，形成一层氧化膜。
5. 封孔处理：对于有孔零件，需要进行封孔处理，防止氧化剂渗入孔内。
6. 清洗和干燥：将零件清洗干净，去除化学处理残留物，然后进行干燥处理。
通过以上工艺步骤，可以使零件表面形成一层均匀、致密的氧化层，提高零件的耐腐蚀性和美观度。
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腐蚀工艺教程（湿法清洗部分）一、什么是半导体？半导体是介于导体和绝缘体之间的物质，它的电阻率在10-3~109范围内。
自然界中属于半导体的物质很多，用于制造半导体的材料主要是硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓（GaAs）。
纯净的半导体电阻率很高，几乎不导电。
但在特定的条件下，如光照、掺杂等，它的电阻率可以降到几十欧姆甚至更低，并且随掺入的杂质不同呈不同的导电特性。
我们分别称之为P （空穴导电）型半导体和N（电子导电）型半导体。
P型半导体和N型半导体相接触时，在接触面就形成了PN结。
PN结具有正向导通反向截止的特性，利用它可以制得常用的二极管。
在集成电路制造中，常用的衬底材料是硅单晶片，根据圆片加工过程中硅单晶切割的晶格方向的不同，可把它分为<100>和<111>等晶向。
在mos集成电路制造中，选用的是<100>晶向的圆片。
二、什么是集成电路？不同导电类型的半导体组合在一起，可以做成二极管、三极管、电容、电阻，如果把这些元件做在同一块芯片上，完成一定的电路功能，就称之为集成电路。
集成电路可分为双极集成电路和MOS集成电路，MOS集成电路又可分为nMOS集成电路、pMOS集成电路和CMOS集成电路。
三、集成电路中的常用薄膜。
多晶硅常用在MOS器件中作为栅电极。
也可用于高电阻的电阻器，及局部电路的短连线二氧化硅集成电路中使用的二氧化硅膜可分为热二氧化硅和CVD淀积二氧化硅两类。
在MOS集成电路中，它有以下几种用途：作为对付掺杂剂注入或扩散进硅的掩膜，提供表面钝化，使器件一部分与一部分隔离，作为MOS器件的一个组成部分（如栅介质），作为金属步线之间的电绝缘。
氮化硅能阻挡钠离子的扩散，几乎不透潮气并具有很低的氧化速率。
用低压CVD（LPCVD）方法淀积的氮化硅膜，主要用作平面工艺的氧化掩膜；用等离子淀积（PECVD）的氮化硅膜，能在较低温度下生成，可作为钝化保护层。
Al-Si-Cu用在集成电路中作为金属互连线。
四、什么是刻蚀集成电路的制造，需要将各种不同的元件（晶体管、电阻、电容）做在同一块芯片上去，需要在芯片上做出不同的图形。
把光刻确定的图形转移到构成器件的薄膜上，把不需要的薄膜去除，这一过程称为刻蚀。
刻蚀分为干法腐蚀和湿法腐蚀。
五、常用湿法腐蚀工艺1. HF去二氧化硅说明：HF酸漂去二氧化硅配比：HF：H2O=1：10温度：室温流程：HF酸漂洗（依漂去二氧化硅厚度定时）→溢流5分钟→冲水10次→甩干2. 磷酸去氮化硅说明：推阱及场氧后LPSIN的剥离配比：98%磷酸温度：160℃流程：HF酸漂洗30sec→溢流5分钟→磷酸槽60min→溢流5分钟→Ⅱ槽清洗→冲水10次→甩干3、BOE腐蚀二氧化硅说明：非关键尺寸二氧化硅图形窗口的腐蚀配比：BOE温度：室温流程：浸润剂浸润10秒(上下搅拌10次)→BOE漂（依须腐蚀二氧化硅厚度定时）→溢流10分钟→冲水10次→甩干→镜检有无异常（如黄斑）注意：1）由于圆片上带有光刻胶，腐蚀前须热坚膜，条件是120℃30min，若腐蚀时间超过3min，腐蚀前热坚膜120℃30min+150℃15min，每腐蚀1min30sec加烘120℃30min。
2）甩干后由操作员镜检有无异常情况（如黄斑），如发现异常立即报告带班技术员，交技术员处理。
如一切正常，继续下道工序。
4、混合酸（去背面）说明：多晶淀积后的背面多晶去除配比：5.59L HNO3 + 0.134L HF + 2.27L H2O温度：常温流程：热坚膜（150℃30min）→混合酸(1min~2min，上下搅动)→溢流5分钟→冲水→甩干→片检有无异常→BOE漂（背面脱水）→溢流5分钟→湿法去胶→甩干→镜检有无异常5、硫酸双氧水去胶说明：去除光刻胶和颗粒配比：H2SO4：H2O2=3：1温度：140℃流程：1槽5分钟→溢流5分钟→2槽5分钟→冲水10次→甩干6、EKC清洗说明：金属腐蚀及通孔腐蚀干法去胶后的清洗，去除因干法腐蚀而残留在图形边缘的聚合物配比：EKC265/IPA温度：EKC265 65℃IPA 室温流程：EKC槽30min→IPAⅠ槽2min→IPAⅡ槽2min→冲水10次→甩干六、湿法去胶1) 对于未通电的湿法台，打开EMO,按POWER键；对于通电的湿法台，直接进行下一步。
2) 如需配液，则戴好一次性手套，小心配制腐蚀液（H2SO4：H2O=3：1）于Ⅰ、Ⅱ槽中，直到浸没黑线为止。
先加双氧水、后加硫酸。
3) 给腐蚀槽加热按HEAT ON键，温度设定为140℃。
4) 查看工艺流程单、片号、片数是否一致，如发现异常，立即报告线长或带班长。
5) 确认无误后，从传送盒里取出片架，用硅片转换器转换到白色的片架里。
6) 待温度升高140℃左右，把白色的片架浸泡在Ⅰ号槽中，按TIME RUN，并不断搅动，到时间后按TIME RUN键，取出白色的片架放入溢流槽中，按ON键，清洗5分钟，完后按OFF键。
7) 从溢流槽中取出白片架放入Ⅱ号槽中，并按TIME RUN键，到时间后按TIME STOP键，取出白片架放入快冲槽中，按START键，冲好后按STOP键。
8) 取出白片架去甩干。
9) 开甩干机门，放稳白片架，关紧门，按START键，甩好后，取出白片架，放上新的白片架，关上门。
10) 用硅片转换器将硅片转换到原传送盒片架里。
11) 到显微镜下查看硅片，有无异常现象，若无异常现象，认真如实填写好流程单，送下一工序。
12) 若不工作时，Ⅰ、Ⅱ号槽按HEAT OFF处于HOLD状态。
再次去胶时需加点双氧水，步骤如3～12。
*操作过程中始终保持戴洁净的手套七、清洗机碎片处理（试行）规定：A. 甩干机碎片：（分新旧机，菜单会不同）1) 取出花篮，剔除碎片，将整批圆片和花篮送氧化做兆声清洗2) 清除甩干机内碎片，将甩干机冲水时间设定为3600sec，rinse、purge、dry1、dry2转速定为300转/秒，空甩一次。
3) 将甩干机程序改回原菜单4) 测颗粒：要求>0.5um颗粒增加<10个B. 酸槽内碎片：1) 取出花篮，快冲10次，剔除碎片，将整批圆片和花篮送氧化组做兆声清洗；将快冲槽冲水10次。
2) 将酸槽降温，排酸，冲水清洗；清除槽内碎片，DI water 冲洗，注满，排空5次。
3) 将石英槽注满DI water，干净颗粒片浸泡3min、甩干，测颗粒。
干净颗粒片快冲10次，甩干，测颗粒。
要求：>0.5um颗粒增加<10个。
C. 快冲槽内碎片：1) 取出花篮，剔除碎片，将整批圆片和花篮送氧化组做兆声清洗；将快冲槽冲水10次测颗粒：干净颗粒片快冲10次，甩干，测颗粒。
D. 溢流槽内碎片：1) 取出花篮，快冲10次，剔除碎片，将整批圆片和花篮送氧化组做兆声清洗；将快冲槽冲水10次，将溢流槽连续溢流20min。
2) 测颗粒：干净颗粒片溢流5min，甩干，测颗粒。
其它清洗槽内碎片，请比照上述处理程序执行。
八、湿法搅拌规定：适用范围：本规定适用于HF酸漂SiO2、BOE漂SiO2、H2SO4 / H2O2去胶、混合酸去多晶、EKC和IPA清洗。
控制要求和工作程序1 . 搅拌次数要求1.1 HF酸漂SiO2：a）进槽时搅拌5下以上。
b）中间每隔1分钟搅拌一次，每次搅拌不少于3下。
c）出槽前搅拌5下以上。
1.2 BOE漂SiO2：从进槽到出槽不停地搅拌。
1.3 H2SO4 / H2O2去胶：a）进槽时搅拌5下以上。
c）出槽前搅拌5下以上。
1.4 混合酸去多晶：从进槽到出槽不停地搅拌。
1.5 混合酸去背面（先用混合酸去多晶，然后用BOE漂SiO2）：从进槽到出槽不停地搅拌。
1.6 浸润剂浸润：从进槽到出槽不停地搅拌。
1.7 IPA1、IPA2：进槽和出槽时搅拌5下以上。
1.8 EKC清洗：a）进槽时搅拌5下以上。
b）中间可以不搅拌。
c）出槽前搅拌5下以上。
2. 搅拌操作动作要领2.1 进行湿法搅拌时，应注意安全，穿戴好防护器具。
2.2 搅拌动作不宜过大，以免化学试剂溅出和擦伤硅片。
搅拌时整个花蓝必须保持在液面下，硅片不能露出液面。
2.3 搅拌时先将花蓝往后拉2 cm左右，再缓慢向前推进4 cm，然后返回，称为搅拌一下。
要求搅拌一下的时间不少于2秒钟。
3. 搅拌的管理要求3.1 湿法腐蚀中的搅拌对产品质量影响极大。
但搅拌系人工操作，是否按规定操作完全取决于操作人员的自觉性。
因此这个岗位需要选择自觉性高的人员，并对操作人员是否按规定进行操作进行不定期监督检查。
3.2 在工作安排上必须确保操作人员具有足够的时间按上述规定进行搅拌。
九、湿法清洗中注意事项：1.换液规定及注意事项：换液时，应注意安全，戴好防护器具，不得将腐蚀液溢出滴在隔栅、墙壁和地面上，以防造成沾污，并且不允许将酸瓶直接放在台面上倒液（台面上只准放手柄、白花篮及量杯）。
特别是换EKC液时，应将槽中的废液抽尽，同时，不得让废液溢出回收桶或滴在隔栅、墙壁和地面上，以防造成沾污。
一旦废液溅出，必须立即处理干净，如有大量废液流至隔栅下，立即报告技术员。
2. 溢流时间要严格控制溢流后不冲水直接需要转换清洗台时，需溢流十分钟，避免酸液滴在地面上，隔栅下，造成沾污。
3. 操作规范化手拿白花篮操作并走动时，需严格按照规范化操作，不得跑步，嬉闹，更不得单手各捧一个白花篮（尤其是花篮满片时）走动。
4. 镜检规定湿法腐蚀结束本道工艺需镜检时，一定要启动选片架，避免划伤。