IR2110引脚功能及特点简介
ir2110工作原理
IR2110工作原理
概述
IR2110是一种高性能的MOSFET和IGBT驱动器芯片，用于控制和驱动电源开关设备。
它能够提供高电流和高速度的驱动信号，在电源开关应用中具有广泛的应用。
这个芯片具有低功耗和抗电磁干扰的特性，能够提供短路保护和电源反转保护。
它的工作原理主要基于内部的PWM模块和电流放大器。
工作原理
IR2110的工作原理可以总结为以下几个步骤：
1.输入信号触发：当输入信号到达芯片时，触发电路将其转换为合适的PWM
信号。
2.驱动信号生成：基于触发信号，内部的PWM模块将其转换为完整的驱动
信号。
3.电流放大：驱动信号经过电流放大器后，能够提供足够的电流来控制
MOSFET或IGBT设备。
4.输出驱动：放大后的驱动信号将被输出到MOSFET或IGBT设备，控制
其导通和截止。
5.保护功能：IR2110还包含了短路保护和电源反转保护，确保系统的安全
运行。
应用领域
IR2110在很多领域中得到广泛应用，包括但不限于：
•功率逆变器
•电机驱动
•电源开关
•电子变压器
•光伏逆变系统
通过使用IR2110，这些应用可以实现高效、高性能的电源开关控制，提高系统的可靠性和效率。
IR2110驱动电路设计
3 IR2110驱动电路设计
IR2110是一种高压高速功率MOSFET 驱动器，有独立的高端和低端输出驱动通道，其内部 功能原理框图如图1所示。
它包括输入/输出逻辑电路、电平移位电路、输出驱动电路欠压保护和自举电路等部分。
各引出端功能分别是：1端(LO)是低通道输出；2端(COM)是公共端；);3端(VCC)是低端固定电源电压；5端(US)是高端浮置电源偏移电压；6端(UB)是高端浮置电源电压；7端(HO)是高端输出；9端(VDD)是逻辑电路电源电压；10端(HIN)是高通道逻辑输入；11端(SD)是输入有效与否的选择端，可用来过流过压保护；12端(LIN)是低通道输入；13端(VSS)是逻辑电路的地端。
如图所示：在BUCK 变换器中只需驱动单个MOEFET ，因此仅应用了IR2110的高端驱动，此时将12端(LIN)低通道输入接地、1端(LO)低通道输出悬空。
5端(US)和6端(UB)间连接一个自举电容C1，自举电容通常为1F μ和0.1F μ并联使用。
正常工作时，电源对自举电容C1的充电是在续流二级管D1的导通期间进行。
此时，MOEFET 截止，其源极电位接近地电位，,+12v 电源通过D2给C1充电，使C1上的电压接近+12v ，当MOEFET 导通而D1截止时，C1自举，D2截止，C1上存储电荷为IR2110的高端驱动输出提供电源。
实际应用中，逻辑电源VDD 接+5V ，低端固定电源电压VCC 接+12V ；对驱动电路测试时需将VS 端接地。
自举电容C1的值不能太小，否则其上的自举电压达不到12V ，驱动脉冲的幅值不够！自举电容通常为1F μ和0.1F μ并联使用或（105）1F μ。
ir2110中文资料_数据手册_参数
IR2110（-1-2）（S）的PBF / IR2113（-1-2）（S）的PBF功能框图铅定义符号说明 V乙 SD LIN V DD脉冲 GEN [R小号 Q V SS UV 检测延迟 HV水平转移 V CC脉冲过滤 UV检测 V DD / V CC水平转移 V DD / V CC水平转移 LO V小号 COM [R小号 Q [R小号 RQ HIN HO V DD逻辑供应 HIN高端栅极驱动器输出（HO）的逻辑输入，同相 SD逻辑输入关闭 LIN低端栅极驱动器输出（LO） 的逻辑输入，IR2110同相 V SS逻辑地 V B高端浮动供应 HO高端栅极驱动输出 V S高端浮动供应回报 V CC低端供应 LO低端栅极 驱动输出 COM低端回报 关断时间与V CC / V BS 电源电压的关系图9A.关机时间与温度的关系 0 50 100 150 200 250 10 12 14 16 18 20大.典型. 0 50 100 150 200 250 -50 -25 0 25 50 75 100 125温度（°C）大.典型. 0 50 100 150 200 250 02 46 8 10 12 14 16 18 20 VDD电源电压（V）马克斯 .典型 图 9C. 关断时间与V DD IR2110电源电压的关系图10A.上升时间与温度的关系 0 20 40 60 80 100 -50 -25 0 25 50 75 100 125温度（°C） 大.典型.图10B.打开上升时间与电压的关系 0 20 40 60 80 100 10 12 14 16 18 20 V BIAS IR2110电源电压（V）大.典型.图11A.关闭下降 时间与温度的关系 0 10 20三十 40 50 -50 -25 0 25 50 75 100 125温度（°C）大.典型. V CC / V BS 电源电压（V） 图19B. V DD 电源电流与V DD 电压的关系图20A.逻辑“1”输入电流与温度的关系 0 20 40 60 80 100 -50 -25 0 25 50 75 100 125温度 （°C）大.典型. 图17B. V BS 电源电流与电压的关系 0 100 200 300 400 500 10 12 14 16 18 20 V BS 浮动电源电压（V）大.典型. 图 18A. V CC 电源电流与温度的关系 0 125 250 375 500 625 -50 -25 0 25 50 75 100 125温度（°C）大.典型. 图18B. V CC 电源电流与电压 的关系 0 125 250 375 500 625 10 12 14 16 18 20 V CC 固定电源电压（V）大.典型. 图19A. V DD 电源电流与温度的关系 0 20 40 60 80 100 -50 -25 0 25 50 75 100 125温度（°C）大.典型. 0 10 20三十 40 50 60 02468 10 12 14 16 18 20 V DD 逻辑电源电压 PBF功能框图铅定义符号说明 V乙 SD LIN V DD脉冲 GEN [R小号 Q V SS UV检测延迟 HV水平转移 V CC脉冲过滤 UV检测 V DD / V CC水平转移 V DD / V CC水平转移 LO V小号 COM [R小号 Q [R小号 RQ HIN HO V DD逻辑供应 HIN高端栅极驱动器输 出（HO）的逻辑输入，同相 SD逻辑输入关闭 LIN低端栅极驱动器输出（LO）的逻辑输入，同相 V SS逻辑地 V B高端浮动供应 HO高端栅极驱动输出 V S高端浮动供应回报 V CC低端供应 LO低端栅极驱动输出 COM低端回报
ir20原理
ir20原理IR2110是一种用于驱动MOSFET的单片双路驱动器，常用于交流电机驱动、变换器、逆变器等应用中。
它具有高速驱动和高耐受电压等特点，能够为大功率应用提供可靠的控制。
IR2110的工作原理如下：1. 供电电压Vcc通过电流限制器进行限制，然后通过内部的负压控制电路将电压反相得到-Vcc。
2.通过集电极驱动电路分别控制高侧（HO、HOI）和低侧（LO、LOI）输出级，实现对两个MOSFET的驱动。
3.控制输入引脚（IN、INI）接收外部输入信号，然后通过驱动器将信号放大后送入双路输出级。
4.驱动器将输入信号转换为PWM信号，通过比较器和SR锁存器实现清零和置位信号的生成。
5.清零和置位信号通过双路输出极驱动引脚向MOSFET的门极施加相应的电压，实现MOSFET的开关控制。
IR2110具有以下几个重要特点：1.高速驱动能力：IR2110具有高速开关和关断能力，可快速切换MOSFET的导通和关断状态，从而提高系统的动态响应速度。
2.高电压耐受能力：IR2110的内部电源级可耐受高达600V的反向电压，适用于高压应用领域。
3.高峰值输出电流能力：IR2110的输出级能够提供高达2A的峰值输出电流，可以满足大电流需求的应用。
4. 低干扰：IR2110的PWM信号通过高速di/dt控制和屏蔽技术，可以减少开关电源中的共模和差模噪声，降低系统的干扰电平。
5.内置欠压锁存保护：IR2110内部集成了欠压锁存保护功能，可以在输入电压低于一定阈值时保持MOSFET关断，以防过压损坏。
6.双路驱动设计：IR2110具有双路驱动输出，可以独立控制高侧和低侧MOSFET的开关，提高系统的灵活性和可靠性。
IR2110应用广泛，例如在交流电机驱动中，高速的开关能力可以实现高效的电机控制；在变换器和逆变器中，IR2110的高电压耐受能力和高峰值输出电流能力可以提供稳定的电压和电流输出。
总的来说，IR2110是一款功能强大的MOSFET驱动器，通过高速驱动和高耐受电压等特点，实现了对大功率应用的稳定控制。
IR2110初认识
5）驱动电路设计IR2110 是美国国际整流器公司（International Rectifier Company）于 1990 年前后开发并投放市场至今独家生产的大功率MOSFET 专用驱动集成电路。
IR2110 的研制成功，使 MOSFET 驱动电路设计大为简化，又具有快速完整的保护功能，因而它的应用可极大地提高控制系统的可靠性并缩小控制板的尺寸。
IR2110 自举技术(自举电路也叫升压电路，利用自举升压二极管,自举升压电容等电子元件，使电容放电电压和电源电压叠加，从而使电压升高．有的电路升高的电压能达到数倍电源电压.自举二极管的作用，是利用其单向导电性完成电位叠加自举，二极管导通时，电容充电到U1 ，二极管截止时，电路通过电容放电时U1 与电路串联叠加自举！)同时输出两路驱动信号,驱动逆变桥中高压侧与低压侧 MOSFET，它的内部为自举工作设计了悬浮电源，悬浮电源保证了 IR2110 直接可用于母线电压为-4——+500V 的系统中来驱动功率 MOSFET。
同时器件本身允许驱动信号的电压上升率达±50V/μs，芯片自身有整形功能，实现了不论其输入信号前后沿陡度如何，都可保证加到被驱动 MOSFET 栅极上的驱动信号前后沿很陡，因而可极大地减少被驱动功率器件的开关时间，降低开关损耗。
IR2110 的功耗很小，故可极大地减小应用它来驱动功率 MOS 器件时栅极驱动电路的电源容量。
从而可减小栅极驱动电路的体积和尺寸，当其工作电源电压为 15V 时，其功耗仅为 1.6mW。
IR2110 的合理设计，使其输入级电源与输出级电源可应用不同的电压值，因而保证了其输入与 CMOS 或 TTL 电平兼容，而输出具有较宽的驱动电压范围，它允许的工作电压范围为 5-20V。
同时，允许逻辑地与工作地之间有-5--+5V 的电位差。
在 IR2110 内部不但集成有独立的逻辑电源实现与用户脉冲匹配，而且还集成有滞后和下拉特性的施密特触发器作为输入级，保证当驱动电路电压不足时封锁驱动信号，防止被驱动功率 MOS 器件退出饱和区、进入放大区而损坏。
功率驱动器IR2110自举电路分析及应用
功率驱动器IR2110自举电路分析及应用唐宁【摘要】对自举武功率驱动器IR2110的功能与结构进行了简单介绍,详细分析了其高边自举电路的结构原理及工作方式.对自举电容、自举二极管及功率MOS管等自举电路构成元件的选取方法与原则进行了介绍,经公式推导并结合项目经验给出了自举电容的最小值,计算了电路中高边功率MOS管的最大导通时间,并给出自举二极管的选择条件.利用IR2110搭建了一个直流电机调速驱动电路,成功实现了利用自举电路对直流电机进行调速.【期刊名称】《微处理机》【年(卷),期】2018(039)004【总页数】4页(P25-28)【关键词】IR2110驱动器;自举;耐高压;电机驱动【作者】唐宁【作者单位】中国电子科技集团公司第四十七研究所,沈阳110032【正文语种】中文【中图分类】TN471 引言IR2110功率驱动器在开关电源和电机控制调速等需要中小功率能量转换场合中使用广泛[1]。
IR2110可使电路系统体积得到有效精简、响应速度快、可耐受600V电压、驱动输出电流2A、带有欠压锁定功能并且有端口可外接过流检测电路[2]。
其承受高压的高边外围电路采用自举方式，可有效减少电源路数[3]。
但IR2110若设计疏于考虑，自举外围电路参数选取不当容易影响系统工作稳定性甚至损坏系统。
因此结合实际项目经验介绍其功能、自举电路参数选择和在电机调速系统中的应用。
2 IR2110功能介绍IR2110是一种高电压的高速大功率MOSFET和IGBT驱动器，带有独立的高边和低边输出沟道[4]。
具有专利高压集成电路和可避免闩锁CMOS技术的单片结构。
逻辑输入兼容标准的CMOS和LSTTL输出[5]。
输出驱动器具有为了最小化驱动器的交叉传导所设计的死区时间。
为了简化在高频应用中的使用方式，匹配了传输延迟。
浮动的沟道可用于驱动N沟道功率MOSFET或者IGBT，在高边结构中操作电压可达到600V。
表1所示为IR2110引脚功能表。
Ir2110的外围电路
HO IR2110v DD HIN SD LIN VSS V B V S
COM LO V CC v DD
HIN
SD
LIN
VSS
V CC
Ir2110的外围电路 高路输出端波形
低路输出端波形
1 ，IR2110的Vss（13管脚）和Com（2管脚）端是共地的吗？SD（11管脚）端是干嘛用的？怎么用？
2110是珊极驱动器，高低端相互独立，低端逻辑输入，高端驱动开关管。
可以共地。
sd为低电平关断芯片，高是正常工作。
dip14 封装引脚和sioc16的部分不同，但是符号一样的，功能就一样，比如dip14脚的13号引脚VSS对应soic16的15号引脚VSS。
固 14脚的VSS和com 可以共地。
SD 为低电平关断芯片，高是正常工作。
2，ir2110的输入与ttl电平兼容是什么意思？
就是说我从单片机输出经过光耦输出以后的pwm波可以直接就加在ir2110上了吗？
那么ir2110兼有光耦和电磁隔离的特点又是指什么呢？就是说不用加光耦，直接可以接单片机输出的pmw波了吗？
愿闻其详，有加分，谢谢
一般电源电压是5V的单片机输出的信号就是TTL电平，信号幅度为0~5V，PWM 直接接到ir2110上就行。
驱动芯片IR2110功能简介
驱动芯片IR2110功能简介您现在的位置是：主页>>>电子元器件资料>>>正文在功率变换装置中，根据主电路的结构，起功率开关器件一般采用直接驱动和隔离驱动两种方式.美国IR公司生产的IR2110驱动器，兼有光耦隔离和电磁隔离的优点，是中小功率变换装置中驱动器件的首选。
IR2110引脚功能及特点简介内部功能如图4.18所示:LO（引脚1）:低端输出COM（引脚2）:公共端Vcc（引脚3）:低端固定电源电压Nc（引脚4）: 空端Vs（引脚5）:高端浮置电源偏移电压VB (引脚6):高端浮置电源电压HO（引脚7）:高端输出Nc（引脚8）: 空端VDD（引脚9）:逻辑电源电压HIN（引脚10）: 逻辑高端输入SD（引脚11）:关断LIN（引脚12）:逻辑低端输入Vss（引脚13）:逻辑电路地电位端，其值可以为0VNc（引脚14）:空端IR2110的特点：（1）具有独立的低端和高端输入通道。
（2）悬浮电源采用自举电路，其高端工作电压可达500V。
（3）输出的电源端（脚3）的电压范围为10—20V。
（4）逻辑电源的输入范围（脚9）5—15V，可方便的与TTL，CMOS电平相匹配，而且逻辑电源地和功率电源地之间允许有V的便移量。
（5）工作频率高，可达500KHz。
（6）开通、关断延迟小，分别为120ns和94ns。
（7）图腾柱输出峰值电流2A。
IR2110的工作原理IR2110内部功能由三部分组成：逻辑输入；电平平移及输出保护。
如上所述IR2110的特点，可以为装置的设计带来许多方便。
尤其是高端悬浮自举电源的设计，可以大大减少驱动电源的数目，即一组电源即可实现对上下端的控制。
高端侧悬浮驱动的自举原理：IR2110驱动半桥的电路如图所示，其中C1，VD1分别为自举电容和自举二极管，C2为VCC的滤波电容。
假定在S1关断期间C1已经充到足够的电压（VC1 VCC）。
当HIN为高电平时如图4.19 ：VM1开通，VM2关断，VC1加到S1的栅极和源极之间，C1通过VM1，Rg1和栅极和源极形成回路放电，这时C1就相当于一个电压源，从而使S1导通。
IR2110驱动电路设计
3 IR2110驱动电路设计
IR2110是一种高压高速功率MOSFET 驱动器，有独立的高端和低端输出驱动通道，其内部 功能原理框图如图1所示。
它包括输入/输出逻辑电路、电平移位电路、输出驱动电路欠压保护和自举电路等部分。
各引出端功能分别是：1端(LO)是低通道输出；2端(COM)是公共端；);3端(VCC)是低端固定电源电压；5端(US)是高端浮置电源偏移电压；6端(UB)是高端浮置电源电压；7端(HO)是高端输出；9端(VDD)是逻辑电路电源电压；10端(HIN)是高通道逻辑输入；11端(SD)是输入有效与否的选择端，可用来过流过压保护；12端(LIN)是低通道输入；13端(VSS)是逻辑电路的地端。
如图所示：在BUCK 变换器中只需驱动单个MOEFET ，因此仅应用了IR2110的高端驱动，此时将12端(LIN)低通道输入接地、1端(LO)低通道输出悬空。
5端(US)和6端(UB)间连接一个自举电容C1，自举电容通常为1F μ和0.1F μ并联使用。
正常工作时，电源对自举电容C1的充电是在续流二级管D1的导通期间进行。
此时，MOEFET 截止，其源极电位接近地电位，,+12v 电源通过D2给C1充电，使C1上的电压接近+12v ，当MOEFET 导通而D1截止时，C1自举，D2截止，C1上存储电荷为IR2110的高端驱动输出提供电源。
实际应用中，逻辑电源VDD 接+5V ，低端固定电源电压VCC 接+12V ；对驱动电路测试时需将VS 端接地。
自举电容C1的值不能太小，否则其上的自举电压达不到12V ，驱动脉冲的幅值不够！自举电容通常为1F μ和0.1F μ并联使用或（105）1F μ。
IR2110的简单使用方法
IR2110的简单使用方法
IR2110采用HVIC 和闩锁抗干扰CMOS制造工艺，DIP14脚封装。
具有独立的低端和高端输入通道；悬浮电源采用自举电路，其高端工作电压可达500V，dv/dt=±50V/ns，15V 下静态功耗仅116mW；输出的电源端（脚3,即功率器件的栅极驱动电压）电压范围10～20V；逻辑电源电压范围（脚9）5～15V，可方便地与TTL，CMOS 电平相匹配，而且逻辑电源地和功率地之间允许有±5V 的偏移量；工作频率高，可达500kHz；开通、关断延迟小，分别为120ns 和94ns；图腾柱输出峰值电流为2A。
图一
一个IR2110可以驱动两个开关管，即高端输出和低端输出，高端通道驱动开关管时需要自举电源的工作，而自举电源的工作需要接上负载，即开关管上电。
在实际运用中，如果需要单个2110驱动单个开关管，完全可以舍弃高通道不用而选择较简单的低通道。
只使用地通道的外围电路接法如图二。
图二
需要注意的是两个GND和整个电路的地是相接的，3脚所接的Vcc的值可为+12或+15。
2110的工作效果是将输入的低幅值PWM 信号转换为大幅值的方波信号，以此来驱动开关管。
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在功率变换装置中，
根据主电路的结构，起功率开关器件一般采用直接驱动和隔离驱动两种方式.美国IR公司生产的IR2110驱动器，兼有光耦隔离和电磁隔离的优点，是中小功率变换装置中驱动器件的首选。
IR2110引脚功能及特点简介
内部功能如图4.18所示:
LO（引脚1）:低端输出
COM（引脚2）:公共端
Vcc（引脚3）:低端固定电源电压
Nc（引脚4）: 空端
Vs（引脚5）:高端浮置电源偏移电压
VB (引脚6):高端浮置电源电压
HO（引脚7）:高端输出
Nc（引脚8）: 空端
VDD（引脚9）:逻辑电源电压
HIN（引脚10）: 逻辑高端输入
SD（引脚11）:关断
LIN（引脚12）:逻辑低端输入
Vss（引脚13）:逻辑电路地电位端，其值可以为0V
Nc（引脚14）:空端
IR2110的特点：
（1）具有独立的低端和高端输入通道。
（2）悬浮电源采用自举电路，其高端工作电压可达500V。
（3）输出的电源端（脚3）的电压范围为10—20V。
（4）逻辑电源的输入范围（脚9）5—15V，可方便的与TTL，CMOS电平相匹配，而且逻
辑电源地和功率电源地之间允许有V的便移量。
（5）工作频率高，可达500KHz。
（6）开通、关断延迟小，分别为120ns和94ns。
（7）图腾柱输出峰值电流2A。
IR2110的工作原理
IR2110内部功能由三部分组成：逻辑输入；电平平移及输出保护。
如上所述IR2110的特点，可以为装置的设计带来许多方便。
尤其是高端悬浮自举电源的设计，可以大大减少驱动电源的数目，即一组电源即可实现对上下端的控制。
高端侧悬浮驱动的自举原理：
IR2110驱动半桥的电路如图所示，其中C1，VD1分别为自举电容和自举二极管，C2为VCC 的滤波电容。
假定在S1关断期间C1已经充到足够的电压（VC1 VCC）。
当HIN为高电平时如图4.19 ：VM1开通，VM2关断，VC1加到S1的栅极和源极之间，C1通过VM1，Rg1和栅极和源极形成回路放电，这时C1就相当于一个电压源，从而使S1导通。
由于LIN与HIN是一对互补输入信号，所以此时LIN为低电平，VM3关断，VM4导通，这时聚集在S2栅极和源极的电荷在芯片内部通过Rg2迅速对地放电，由于死区时间影响使S2在S1开通之前迅速关断。
当HIN为低电平时如图4.20：VM1关断，VM2导通，这时聚集在S1栅极和源极的电荷在芯片内部通过Rg1迅速放电使S1关断。
经过短暂的死区时间LIN为高电平，VM3导通，VM4关断使VCC经过Rg2和S2的栅极和源极形成回路，使S2开通。
在此同时VCC经自举二极管，C1和S2形成回路，对C1进行充电，迅速为C1补充能量，如此循环反复。