《集成电路工艺原理(芯片制造)》课程试题2016
《集成电路工艺原理(芯片制造)》课程 试题2016
一、填空题（30分=1分*30）10题/章晶圆制备1．用来做芯片的高纯硅被称为（半导体级硅），英文简称（GSG ），有时也被称为（电子级硅）。
2．单晶硅生长常用（CZ法）和（区熔法）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（硅锭）。
3．晶圆的英文是（wafer ），其常用的材料是（硅）和（锗）。
4．晶圆制备的九个工艺步骤分别是（单晶生长）、整型、（切片）、磨片倒角、刻蚀、（抛光）、清洗、检查和包装。
5．从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（100 ）、（110 ）和（111 ）。
6．CZ直拉法生长单晶硅是把（融化了的半导体级硅液体）变为（有正确晶向的）并且（被掺杂成p型或n型）的固体硅锭。
7．CZ直拉法的目的是（实现均匀掺杂的同时并且复制仔晶的结构，得到合适的硅锭直径并且限制杂质引入到硅中）。
影响CZ直拉法的两个主要参数是（拉伸速率）和（晶体旋转速率）。
8．晶圆制备中的整型处理包括（去掉两端）、（径向研磨）和（硅片定位边和定位槽）。
9．制备半导体级硅的过程：1（制备工业硅）；2（生长硅单晶）；3（提纯）。
氧化10．二氧化硅按结构可分为（）和（）或（）。
11．热氧化工艺的基本设备有三种：（卧式炉）、（立式炉）和（快速热处理炉）。
12．根据氧化剂的不同，热氧化可分为（干氧氧化）、（湿氧氧化）和（水汽氧化）。
13．用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分：（工艺腔）、（硅片传输系统）、气体分配系统、尾气系统和（温控系统）。
14．选择性氧化常见的有（局部氧化）和（浅槽隔离），其英语缩略语分别为LOCOS和（STI ）。
15．列出热氧化物在硅片制造的4种用途：（掺杂阻挡）、（表面钝化）、场氧化层和（金属层间介质）。
16．可在高温设备中进行的五种工艺分别是（氧化）、（扩散）、（）、退火和合金。
17．硅片上的氧化物主要通过（热生长）和（淀积）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（薄膜）。
(完整版)集成电路工艺原理期末试题
电子科技大学成都学院二零一零至二零一一学年第二学期集成电路工艺原理课程考试题A卷（120分钟）一张A4纸开卷教师：邓小川一二三四五六七八九十总分评卷教师1、名词解释：(7分)答：Moore law：芯片上所集成的晶体管的数目，每隔18个月翻一番。
特征尺寸：集成电路中半导体器件能够加工的最小尺寸。
Fabless：IC 设计公司，只设计不生产。
SOI：绝缘体上硅。
RTA：快速热退火。
微电子：微型电子电路。
IDM：集成器件制造商。
Chipless：既不生产也不设计芯片，设计IP内核，授权给半导体公司使用。
LOCOS：局部氧化工艺。
STI：浅槽隔离工艺。
2、现在国际上批量生产IC所用的最小线宽大致是多少，是何家企业生产？请举出三个以上在这种工艺中所采用的新技术（与亚微米工艺相比）？(7分) 答：国际上批量生产IC所用的最小线宽是Intel公司的32nm。
在这种工艺中所采用的新技术有：铜互联；Low-K材料；金属栅；High-K材料；应变硅技术。
3、集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺，为什么？(7分)答：集成电路制造工艺中，主要有局部氧化工艺－LOCOS；浅槽隔离技术－STI两种隔离工艺。
主流深亚微米隔离工艺是：STI。
STI与LOCOS工艺相比，具有以下优点：更有效的器件隔离；显著减小器件表面积；超强的闩锁保护能力；对沟道无侵蚀；与CMP兼容。
4、在集成电路制造工艺中，轻掺杂漏（LDD）注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场，从而防止热载流子的产生？(7分)答：如果没有LDD形成，在晶体管正常工作时会在结和沟道区之间形成高电场，电子在从源区向漏区移动的过程中，将受此电场加速成高能电子，它碰撞产生电子空穴对，热电子从电场获得能量，造成电性能上的问题，如被栅氧化层陷阱俘获，影响器件阈值电压控制。
LDD注入在沟道边缘的界面区域产生复杂的横向和纵向杂质剖面。
LDD降低的杂质浓度减小了结和沟道区间的电场，把结中的最大电场位置与沟道中的最大电流路径分离，从而防止热载流子产生。
电子与通信技术：集成电路工艺原理必看考点(强化练习)
电子与通信技术：集成电路工艺原理必看考点（强化练习）1、判断题成品率是指在一片晶圆上所有芯片中好芯片所占的百分比。
正确答案：对2、填空题用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分（）、（）、气体分配系统、尾气系统和（）。
答（江南博哥）案：工艺腔；硅片传输系统；温控系统3、问答题封装中涉及到的主要材料有哪些？正确答案：引线材料；引线框架材料；芯片粘结材料；模塑料；焊接材料；封装基板材料。
4、判断题大马士革工艺的名字来源于几千年前叙利亚大马士革的一位艺术家发明的一种技术。
正确答案：对5、判断题集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。
简而言之，这些操作可以分为四大基本类：薄膜制作、刻印、刻蚀和掺杂。
正确答案：对6、问答题矩形片式电阻由哪几部分组成？各部分的主要作用是什么？正确答案：基板：基板要具有良好的电绝G8P-1A4PDC12缘性、导热性和机械强度高等特征。
一般基板的材科多采用高纯度的（96%）AL203陶瓷。
其工艺要求表面平整、划线准确，以确保电阻、电极浆料印制到位。
电极：片式电阻器一般都采用三层电极结构，最内层的是内层电极，它是连接电阻体位于中间层的是中间电极，它是镀镍（Ni）层，也被称为阻挡层，其主要作用是提高电阻器在焊接时的耐热性，避免造成内层电极被溶蚀。
位于最外层的是外层电极，它也被称为可焊层，该层除了使电极具有良好的可焊性外，还可以起到延长电极保存期的作用。
通常，外层电极采用锡一铅（S。
-PB.合金电镀而成。
电阻膜：电阻膜是采用具有一定电阻率的电阻浆料印制在陶瓷基板上，然后再经过烧结而成的厚膜电阻。
保护层：保护层位于电阻膜的外部，主要起保护作用。
它通常可以细分为封包玻璃保护膜、玻璃釉涂层和标志玻璃层。
7、判断题20世纪90年代初期使用的第一台CMP设备是用样片估计抛光时间来进行终点检测的。
正确答案：对8、问答题SMT电路基板（SMB）的主要特点？正确答案：高密度：SMB引脚数增加，线宽和间距缩小。
集成电路技术集成电路工艺原理试卷(练习题库)(2023版)
集成电路技术集成电路工艺原理试卷（练习题库）1、用来做芯片的高纯硅被称为（），英文简称（），有时也被称为（）。
2、单晶硅生长常用（）和（）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（）。
3、晶圆的英文是（），其常用的材料是（）和（）。
4、晶圆制备的九个工艺步骤分别是（）、整型、（）、磨片倒角、刻蚀、（）、清洗、检查和包装。
5、从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（）、O 和（）。
6、CZ直拉法生长单晶硅是把（）变为（）并且（）的固体硅锭。
7、CZ直拉法的目的是（）。
8、影响CZ直拉法的两个主要参数是O和（）。
9、晶圆制备中的整型处理包括（）、（）和（）。
10、制备半导体级硅的过程：1、（）；2、（）；3、O011、热氧化工艺的基本传输到芯片的不同部分。
77、多层金属化指用来连接硅片上高密度堆积器件的那些金属层。
78、阻挡层金属是淀积金属或金属塞，其作用是增加上下层材料的附着。
79、关键层是指那些线条宽度被刻蚀为器件特征尺寸的金属层。
80、传统互连金属线的材料是铝，即将取代它的金属材料是铜。
81、溅射是个化学过程，而非物理过程。
82、表面起伏的硅片进行平坦化处理，主要采用将低处填平的方法。
83、化学机械平坦化，简称CMP,它是一种表面全局平坦化技术。
84、平滑是一种平坦化类型，它只能使台阶角度圆滑和侧壁倾斜，但高度没有显著变化。
85、反刻是一种传统的平坦化技术，它能够实现全局平坦化。
86、电机电流终点检测不适合用作层间介质的化学机械平坦化。
87、在CMP为零的转换器。
133、CD是指硅片上的最小特征尺寸。
134、集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。
简而言之，这些操作可以分为四大基本类：薄膜135、人员持续不断地进出净化间，是净化间沾污的最大来源。
136、硅片制造厂可分为六个的区域，各个区域的照明都采用同一种光源以达到标准化。
137、世界上第一块集成电路是用硅半导体材料作为衬底制造的。
(完整版)集成电路工艺原理期末试题
Ti/TiN；Al/AlCu；TiN。
：接触层金属和阻挡层金属。
：导电层；
：阻挡层金属和抗反射涂层。
、 离子注入后为什么要退火，高温退火和快速热处理哪个更优越，为什么？
分)
离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格。如果注入的剂量很
这些间隙杂质只有经过高温退火过程才能被激活。退火能够加
∴ t2
＋0.5tox＝0.2×(2 +0.25)；即 tox＝ 0.4659μm
2 h内湿氧水汽氧化所生成的SiO
厚度为0.4659μm。
总的硅片氧化生成的二氧化硅厚度t
＝ 0.0855 +0.4659 =0.5514μm
∴ 消耗的硅层厚度为t
＝0.5514×0.45=0.2481μm
(a) ∵ t2
+ Atox＝B(t + τ)，又∵初始氧化层厚度为0；
∴ τ
＝ ( t2ox + Atox ) / B = 0 h
∵ t2
＋Atox＝B(t1 +τ1)，又∵ t1=0.5 h；
∴ t2
＋0.09tox＝0.03×(0.5 +0)；即 tox＝ 0.0855 μm
1.44的水溶液，光刻机使用的光源为波长193nm的准分子激光器，k
0.6，试求此镜头的数值孔径NA、焦深和光刻机的分辨率。(10分)
(1) 数值孔径： NA = (n)sinθ
≈(n)透镜半径/透镜的焦长≈6/10≈0.6
焦深： DOF = λ/2(NA)2 = 193/2*(0.6)2 =268 nm
20分）
、硅片热氧化生长遵从如下公式：t2
＋Atox＝B(t + τ)，其中tox为硅片经过t时
《集成电路工艺原理(芯片制造)》课程+试题库
一、填空题（30分=1分*30）10题/章晶圆制备1．用来做芯片的高纯硅被称为（半导体级硅），英文简称（GSG ），有时也被称为（电子级硅）。
2．单晶硅生长常用（CZ法）和（区熔法）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（硅锭）。
3．晶圆的英文是（wafer ），其常用的材料是（硅）和（锗）。
4．晶圆制备的九个工艺步骤分别是（单晶生长）、整型、（切片）、磨片倒角、刻蚀、（抛光）、清洗、检查和包装。
5．从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（100 ）、（110 ）和（111 ）。
6．CZ直拉法生长单晶硅是把（融化了的半导体级硅液体）变为（有正确晶向的）并且（被掺杂成p型或n型）的固体硅锭。
7．CZ直拉法的目的是（实现均匀掺杂的同时并且复制仔晶的结构，得到合适的硅锭直径并且限制杂质引入到硅中）。
影响CZ直拉法的两个主要参数是（拉伸速率）和（晶体旋转速率）。
8．晶圆制备中的整型处理包括（去掉两端）、（径向研磨）和（硅片定位边和定位槽）。
9．制备半导体级硅的过程：1（制备工业硅）；2（生长硅单晶）；3（提纯）。
氧化10．二氧化硅按结构可分为（）和（）或（）。
11．热氧化工艺的基本设备有三种：（卧式炉）、（立式炉）和（快速热处理炉）。
12．根据氧化剂的不同，热氧化可分为（干氧氧化）、（湿氧氧化）和（水汽氧化）。
13．用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分：（工艺腔）、（硅片传输系统）、气体分配系统、尾气系统和（温控系统）。
14．选择性氧化常见的有（局部氧化）和（浅槽隔离），其英语缩略语分别为LOCOS和（STI ）。
15．列出热氧化物在硅片制造的4种用途：（掺杂阻挡）、（表面钝化）、场氧化层和（金属层间介质）。
16．可在高温设备中进行的五种工艺分别是（氧化）、（扩散）、（）、退火和合金。
17．硅片上的氧化物主要通过（热生长）和（淀积）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（薄膜）。
电子与通信技术：集成电路工艺原理考试资料(题库版)
电子与通信技术：集成电路工艺原理考试资料（题库版）1、问答题简述引线框架材料？正确答案：引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料（金丝、铝丝、铜丝）实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关（江南博哥）键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用。
引线框架材料的要求为：热匹配，良好的机械性能，导电、导热性能好，使用过程无相变，材料中杂质少，低价，加工特性和二次性能好。
2、问答题简述MCM的概念、分类与特性？正确答案：概念：将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。
分类：MCM-L是采用片状多层基板的MCM、MCM-C是采用多层陶瓷基板的MCM、MCM-D是采用薄膜技术的MCM。
特性：尺寸小、技术集成度高、数据速度和信号质量高、可靠性高、成本低、PCB板设计简化、提高圆片利用率、降低投资风险。
可大幅度提高电路连线密度，增加封装效率；可完成轻、薄、短、小的封装设计；封装的可靠性提升。
3、问答题矩形片式电阻由哪几部分组成？各部分的主要作用是什么？正确答案：基板：基板要具有良好的电绝G8P-1A4PDC12缘性、导热性和机械强度高等特征。
一般基板的材科多采用高纯度的（96%）AL203陶瓷。
其工艺要求表面平整、划线准确，以确保电阻、电极浆料印制到位。
电极：片式电阻器一般都采用三层电极结构，最内层的是内层电极，它是连接电阻体位于中间层的是中间电极，它是镀镍（Ni）层，也被称为阻挡层，其主要作用是提高电阻器在焊接时的耐热性，避免造成内层电极被溶蚀。
位于最外层的是外层电极，它也被称为可焊层，该层除了使电极具有良好的可焊性外，还可以起到延长电极保存期的作用。
通常，外层电极采用锡一铅（S。
-PB.合金电镀而成。
电阻膜：电阻膜是采用具有一定电阻率的电阻浆料印制在陶瓷基板上，然后再经过烧结而成的厚膜电阻。
保护层：保护层位于电阻膜的外部，主要起保护作用。
它通常可以细分为封包玻璃保护膜、玻璃釉涂层和标志玻璃层。
广工集成电路工艺原理复习题目与答案(全)
1、将硅单晶棒制成硅片的过程包括哪些工艺？答：滚圆，x射线定位，切片，倒角，研磨，清洗，化学腐蚀，热处理2、切片可决定晶片的哪四个参数/答：切片决定了硅片的四个重要参数：晶向、厚度、斜度、翘度和平行度。
3、硅单晶研磨清洗的重要性。
答：硅片清洗的重要性：硅片表面层原子因垂直切片方向的化学键被破坏成为悬挂键，形成表面附近的自由力场，极易吸附各种杂质，如颗粒、有机杂质、无机杂质、金属离子等，造成磨片后的硅片易发生变花发蓝发黑等现象，导致低击穿、管道击穿、光刻产生针孔，金属离子和原子易造成pn结软击穿，漏电流增加，严重影响器件性能与成品率4、硅片表面吸附杂质的存在状态有哪些？清洗顺序？答：被吸附杂质的存在状态：分子型、离子型、原子型清洗顺序：去分子－去离子－去原子－去离子水冲洗－烘干、甩干5、硅片研磨及清洗后为什么要进行化学腐蚀，腐蚀的方法有哪些？答：工序目的：去除表面因加工应力而形成的损伤层及污染腐蚀方式：喷淋及浸泡6、什么是CMP工艺？有哪些控制参数？化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程1.抛光时间：影响磨掉材料的数量、平整性2.磨头压力（向下压力）：影响抛光速率、平坦化和非均匀性3.转盘速率；影响抛光速率、非均匀性4.磨头速度：影响非均匀性5.磨料化学成分；材料选择比（同时磨掉几种材料）、抛光速率6.磨料流速：影响抛光垫上的磨料数量和设备的润滑性能7.抛光垫修整：影响抛光速率、非均匀性、CMP工艺的稳定性8.硅片/磨料温度：影响抛光速率9.硅片背压：影响非均匀性（中央变慢）、碎片7、SiO2按结构特点分为哪些类型？热氧化生长的SiO2属于哪一类？答：二氧化硅按结构特点可将其分为结晶形跟非结晶形，热氧化生长的SiO2为非结晶态。
8、何谓桥键氧，非桥键氧？它们对SiO2密度有何影响？答：连接两个Si—O四面体的氧原子称桥联氧原子，只与一个四面体连接的氧原子称非桥联氧原子。
桥联的氧原子数目越多，网络结合越紧密，反之则越疏松9、二氧化硅的主要作用有哪些？1.在MOS电路中作为MOS器件的绝缘栅介质，器件的组成部分2.扩散时的掩蔽层，离子注入的阻挡层3.作为集成电路的隔离介质材料4.作为电容器的绝缘介质材料（二氧化硅击穿电压高，温度系数小）5.作为多层金属互连层之间的介质材料6.作为对器件和电路进行钝化的钝化层材料7.二氧化硅膜用于其他半导体器件：光探测器、光电池表面防反射层10、SiO2中杂质有哪些类型？作用有何不同？网络形成者：能代替Si-O四面体中心的Si、并能与氧形成网络的杂质。
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一、填空题（30 分=1 分*30 ）10 题/章晶圆制备1．用来做芯片的高纯硅被称为（半导体级硅），英文简称（GSG ），有时也被称为（电子级硅）。
2．单晶硅生长常用（CZ 法）和（区熔法）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（硅锭）。
3 ．晶圆的英文是（wafer ），其常用的材料是（硅）和（锗）。
4．晶圆制备的九个工艺步骤分别是（单晶生长）、整型、（切片）、磨片倒角、刻蚀、（抛光）、清洗、检查和包装。
5．从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（100 ）、（110 ）和（111 ）。
6．CZ 直拉法生长单晶硅是把（融化了的半导体级硅液体）变为（有正确晶向的）并且（被掺杂成p 型或n 型）的固体硅锭。
7．CZ 直拉法的目的是（实现均匀掺杂的同时并且复制仔晶的结构，得到合适的硅锭直径并且限制杂质引入到硅中）。
影响CZ 直拉法的两个主要参数是（拉伸速率）和（晶体旋转速率）。
8．晶圆制备中的整型处理包括（去掉两端）、（径向研磨）和（硅片定位边和定位槽）。
9．制备半导体级硅的过程：1 （制备工业硅）；2（生长硅单晶）；3 （提纯）。
氧化10 ．二氧化硅按结构可分为（）和（）或（）。
11 ．热氧化工艺的基本设备有三种：（卧式炉）、（立式炉）和（快速热处理炉）。
12 ．根据氧化剂的不同，热氧化可分为（干氧氧化）、（湿氧氧化）和（水汽氧化）。
13 ．用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分：（工艺腔）、（硅片传输系统）、气体分配系统、尾气系统和（温控系统）。
14．选择性氧化常见的有（局部氧化）和（浅槽隔离），其英语缩略语分别为LOCOS 和（STI ）。
15．列出热氧化物在硅片制造的 4 种用途：（掺杂阻挡）、（表面钝化）、场氧化层和（金属层间介质）。
16 ．可在高温设备中进行的五种工艺分别是（氧化）、（扩散）、（）、退火和合金。
17 ．硅片上的氧化物主要通过（热生长）和（淀积）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（薄膜）。
18 ．热氧化的目标是按照（）要求生长（）、（）的二氧化硅薄膜。
19 ．立式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所，它由垂直的（石英工艺腔）、（加热器）和（石英舟）组成。
淀积20 ．目前常用的CVD 系统有：（APCVD ）、（LPCVD ）和（PECVD ）。
21 ．淀积膜的过程有三个不同的阶段。
第一步是（晶核形成），第二步是（聚焦成束），第三步是（汇聚成膜）。
22 . 缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（等离子体增强化学气相淀积）、（低压化学气相淀积）、高密度等离子体化学气相淀积、和（常压化学气相淀积）。
23. 在外延工艺中，如果膜和衬底材料（相同），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（同质外延）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（异质外延）。
24. 如果淀积的膜在台阶上过度地变薄，就容易导致高的（膜应力）、（电短路）或者在器件中产生不希望的（诱生电荷）。
25. 深宽比定义为间隙得深度和宽度得比值。
高的深宽比的典型值大于（）。
高深宽比的间隙使得难于淀积形成厚度均匀的膜，并且会产生（）和（）。
26. 化学气相淀积是通过（）的化学反应在硅片表面淀积一层（）的工艺。
硅片表面及其邻近的区域被（）来向反应系统提供附加的能量。
27. 化学气相淀积的基本方面包括：（）；（）；（）。
28. 在半导体产业界第一种类型的CVD 是（），其发生在（）区域，在任何给定的时间，在硅片表面（）的气体分子供发生反应。
29. HDPCVD 工艺使用同步淀积和刻蚀作用，其表面反应分为：（）、（）、（）、热中性CVD 和反射。
金属化30. 金属按其在集成电路工艺中所起的作用，可划分为三大类：（）、（）和（）。
31. 气体直流辉光放电分为四个区，分别是：无光放电区、汤生放电区、辉光放电区和电弧放电区。
其中辉光放电区包括前期辉光放电区、（）和（），则溅射区域选择在（）。
32. 溅射现象是在（）中观察到的，集成电路工艺中利用它主要用来（），还可以用来（）。
33. 对芯片互连的金属和金属合金来说，它所必备一些要求是：（导电率）、高黏附性、（淀积）（、平坦化）、可靠性、抗腐蚀性、应力等。
34. 在半导体制造业中，最早的互连金属是（铝），在硅片制造业中最普通的互连金属是（铝），即将取代它的金属材料是（铜）。
35. 写出三种半导体制造业的金属和合金（Al ）、（Cu ）和（铝铜合金）。
36. 阻挡层金属是一类具有（高熔点）的难熔金属，金属铝和铜的阻挡层金属分别是（W ）和（W ）37. 多层金属化是指用来（）硅片上高密度堆积器件的那些（）和（）。
38. 被用于传统和双大马士革金属化的不同金属淀积系统是：（）、（）、（）和铜电镀。
39. 溅射主要是一个（）过程，而非化学过程。
在溅射过程中，（）撞击具有高纯度的靶材料固体平板，按物理过程撞击出原子。
这些被撞击出的原子穿过（），最后淀积在硅片上平坦化40 . 缩略语PSG、BPSG、FSG的中文名称分别是（）、（）和（）。
41 . 列举硅片制造中用到CMP的几个例子：（）、LI氧化硅抛光、（）、（）、钨塞抛光和双大马士革铜抛光。
42. 终点检测是指（CMP 设备、的一种检测到平坦化工艺把材料磨到一个正确厚度的能力。
两种最常用的原位终点检测技术是（电机电流终点检测、和（光学终点检测、。
43. 硅片平坦化的四种类型分别是（平滑、、部分平坦化、（局部平坦化、和（全局平坦化、。
44. 20 世纪80 年代后期，（、开发了化学机械平坦化的（、，简称（、，并将其用于制造工艺中对半导体硅片的平坦化45 ． 传统的平坦化技术有（ ）、（ ）和（ ）46 ． CMP 是一种表面（ 全局平坦化 ）的技术，它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面， 在硅片和抛光头之间有（ 磨料 ），并同时施加（ 压力 ）。
47 ． 磨料是精细研磨颗粒和化学品的混合物，在（ ）中用来磨掉硅片表面的特殊材料。
常用的有（ ）、金 属钨磨料、（ ）和特殊应用磨料。
48 ． 有两种 CPM 机理可以解释是如何进行硅片表面平坦化的：一种是表面材料与磨料发生化学反应生成一层容 易去除的表面层，属于（ ）；另一种是（ ），属于（ ）。
49 ． 反刻属于（ ）的一种，表面起伏可以用一层厚的介质或其他材料作为平坦化的牺牲层，这一层牺牲材料填 充（ ），然后用（ ）技术来刻蚀这一牺牲层，通过用比低处快的刻蚀速率刻蚀掉高处的图形来使表面的平坦 化。
光刻50． 现代光刻设备以光学光刻为基础，基 本包括 ：（ ）、光学系统、（ ）、对准系统和 （ ）。
51 ． 光刻包括两种基本的工艺类型： 负性光刻和（ 正性光刻 ），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同， 前者是（ 负性光刻胶 ），后者是（ 正性光刻胶 ）。
52． 写出下列光学光刻中光源波长的名称： 436nmG 线、 405nm （ （）、 193nm 深紫外、 157nm （）。
53 ． 光学光刻中，把与掩膜版上图形（ ）的图形复制到硅片表面的光刻是（ 同的图形复制到硅片表面的光刻是（ ）性光刻。
54 ． 有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为（ ）、（ ）和（ ）。
55 . I 线光刻胶的4种成分分别是（ ）、（）、（）和添加剂。
56． 对准标记主要有四种：一是（ ），二是（ ），三是精对准，四是（ ）。
57． 光刻使用（ ）材料和可控制的曝光在硅片表面形成三维图形， 光刻过程的其它说法是（）、光刻、掩膜和（ ）59． 光学光刻的关键设备是光刻机， 其有三个基本目标：（使硅片表面和石英掩膜版对准并聚焦，过对光刻胶曝光，把高分辨率的投影掩膜版上图形复制到硅片上） 格的硅片）。
刻蚀60． 在半导体制造工艺中有两种基本的刻蚀工艺： （ ）和（）。
前者是（ ）尺寸下刻蚀器件的最主要方法，后者一般只是用在大于 3 微米的情况下。
61 ． 干法刻蚀按材料分类，主要有三种： （）、（）和（）。
62． 在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（ 化学作用 ）、（ 物理作用 ）和（ 化学作用与物理作用混 合 ）。
63． 随着铜布线中大马士革工艺的引入， 金属化工艺变成刻蚀 （ 介质 ）以形成一个凹槽， 然后淀积（ 金属 ） 来覆盖其上的图形，再利用（ CMP ）把铜平坦化至 ILD 的高度。
64． 刻蚀是用（ 化学方法 ）或（ 物理方法 ）有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目 标是（ 在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形 ）。
65 ． 刻蚀剖面指的是（ 被刻蚀图形的侧壁形状 ），有两种基本的刻蚀剖面： （ 各向同性 ）刻蚀剖面和 （ 各向异性 ）刻蚀剖面。
）、 365nmI 线、 248nm）性光刻；把与掩膜版上相 58 ． 对于半导体微光刻技术，在硅片表面涂上（ ）来得到一层均匀覆盖层最常用的方法是旋转涂胶， 其有 4 个步骤：（）、旋转铺开、旋转甩掉和（）包括图形）；（通；（在单位时间内生产出足够多的符合产品质量规66 ．一个等离子体干法刻蚀系统的基本部件包括：（）、（）、气体流量控制系统和（）。
67 ．在刻蚀中用到大量的化学气体，通常用氟刻蚀（）；用氯和氟刻蚀（）；用氯、氟和溴刻蚀硅；用氧去除（）。
68 ．刻蚀有9 个重要参数：（）、（）、刻蚀偏差、（）、均匀性、残留物、聚合物形成、等离子体诱导损伤和颗粒污染。
69 ．钨的反刻是制作（）工艺中的步骤，具有两步：第一步是（）；第二步是（）。
扩散70 ．本征硅的晶体结构由硅的（）形成，导电性能很差，只有当硅中加入少量的杂质，使其结构和（）发生改变时，硅才成为一种有用的半导体，这一过程称为（）。
71 ．集成电路制造中掺杂类工艺有（）和（）两种，其中（）是最重要的掺杂方法。
72 ．掺杂被广泛应用于硅片制作的全过程，硅芯片需要掺杂（）和VA 族的杂质，其中硅片中掺入磷原子形成（）硅片，掺入硼原子形成（）硅片。
73 ．扩散是物质的一个基本性质，分为三种形态：（气相）扩散、（液相）扩散和（固相）扩散。
74 ．杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（间隙式扩散机制）扩散和（替代式扩散机制）扩散。
杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（激活杂质后），才有助于形成半导体硅。
75 ．扩散是物质的一个基本性质，描述了（一种物质在另一种物质中的运动）的情况。
其发生有两个必要条件：（一种材料的浓度必须高于另一种材料的浓度）和（系统内必须有足够的能量使高浓度的材料进入或通过另一种材料）。
76 ．集成电路制造中掺杂类工艺有（热扩散）和（离子注入）两种。
在目前生产中，扩散方式主要有两种：恒定表面源扩散和（）。