整流二极管的作用及其整流电路

整流二极管的作用及其整流电路
整流二极管的作用及其整流电路

整流二极管的作用及其整流电路

整流二极管的作用及其整流电路

一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结,有阳极和阴极两个端子。

P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子,在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时,位垒降低,位垒两侧附近产生储存载流子,能通过大电流,具有低的电压降(典型值为0.7V),称为正向导通状态。

若加相反的电压,使位垒增加,可承受高的反向电压,流过很小的反向电流(称反向漏电流),称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性,。

整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造。这种器件的结面积较大,能通过较大电流(可达上千安),但工作频率不高,一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频整流电路。

二极管整流电路

一、半波整流电路

图5-1、是一种最简单的整流电路。它由电源变压器B 、整流二极管D 和负载电阻Rfz ,组成。变压器把市电电压(多为220伏)变换为所需要的交变电压e2,D 再把交流电变换为脉动直流电。

下面从图5-2的波形图上看着二极管是怎样整流的。

变压器砍级电压e2,是一个方向和大小都随时间变化的正弦波电压,它的波形如图5-2(a)所示。在0~K时间,e2为正半周即变压器上端为正下端为负。此时二极管承受正向电压面导通,e2通过它加在负载电阻Rfz上,在π~2π时间,e2为负半周,变压器次级下端为正,上端为负。这时D承受反向电压,不导通,Rfz,上无电压。在π~2π时间,重复0~π时间的过程,而在3π~4π时间,又重复π~2π时间的过程…这样反复下去,交流电的负半周就被"削"掉了,只有正半周通过Rfz,在Rfz上获得了一个单一右向(上正下负)的电压,如图5-2(b)所示,达到了整流的目的,但是,负载电压Usc。以及负载电流的大小还随时间而变化,因此,通常称它为脉动直流。

这种除去半周、留下半周的整流方法,叫半波整流。不难看出,半波整说是以"牺牲"一半交流为代价而换取整流效果的,电流利用率很低(计算表明,整流得出的半波电压在整个周期的平均值,即负载上的直流电压

Usc =0.45e2 )因此常用在高电压、小电流的场合,而在一般无线电装置中很少采用。

二、全波整流电路(单向桥式整流电路)

如果把整流电路的结构作一些调整,可以得到一种能充分利用电能的全波整流电路。图5-3 是全波整流电路的电原理图。

全波整流电路,可以看作是由两个半波整流电路组合成的。变压器次级线圈中间需要引出一个抽头,把次组线圈分成两个对称的绕组,从而引出大小相等但极性相反的两个电压e2ae2aRfz与e2b 、D2、Rfz ,两个通电回路。、D1、、e2b ,构成

全波整流电路的工作原理,可用图5-4 所示的波形图说明。

★在0~π间,e2aD1 导通,在Rfz 上得到上正下负的电压;e2b 对D2为反向电压,D2 不导通(见图5-4(b)。

★在π-2π时间,e2b 对D2为正向电压,D2导通,在Rfz 上得到的仍然是上正下负的电压;e2aD1为反向电压,D1 不导通(见图5-4(C)。对Dl为正向电压,

如此反复,由于两个整流元件D1、D2轮流导电,结果负载电阻Rfz 上在正、负两个半周作用期间,都有同一方向的电流通过,如图5-4(b)所示的那样,因此称为全波整流,全波整流不仅利用了正半周,而且还巧妙地利用了负半周,从而大提高了整流效率(Usc=0.9e2,比半波整流时大一倍)。

图5-3所示的全波整滤电路,需要变压器有一个使两端对称的次级中心抽头,这给制作上带来很多的麻烦。另外,这种电路中,每只整流二极管承

受的最大反向电压,是变压器次级电压最大值的两倍,因此需用能承受较高电压的二极管。

图5-5(a )为桥式整流电路图,(b)图为其简化画法。

三、桥式整流电路

桥式整流电路是使用最多的一种整流电路。这种电路,只要增加两只二极管口连接成"桥"式结构,便具有全波整流电路的优点,而同时在一定程度上克服了它的缺点。

桥式整流电路的工作原理如下:e2为正半周时,对D1、D3和方向电压,Dl,D3导通;对D2、D4加反向电压,D2、D4截止。电路中构成e2、Dl、Rfz 、D3通电回路,在Rfz ,上形成上正下负的半波整洗电压,e2为负半周时,对D2、D4加正向电压,D2、D4导通;对D1、D3加反向电压,D1、D3截止。电路中构

成e2、D2Rfz 、D4通电回路,同样在Rfz 上形成上正下负的另外半波的整流电压。

上述工作状态分别如图5-6(A)(B)所示。

如此重复下去,结果在Rfz ,上便得到全波整流电压。其波形图和全波整流波形图是一样的。从图5-6中还不难看出,桥式电路中每只二极管承受的反向电压等于变压器次级电压的最大值,比全波整洗电路小一半!

四、整流元件的选择和运用

需要特别指出的是,二极管作为整流元件,要根据不同的整流方式和负载大小加以选择。如选择不当,则或者不能安全工作,甚至烧了管子;或者大材小用,造成浪费。表5-1 所列参数可供选择二极管时参考。

另外,在高电压或大电流的情况下,如果手头没有承受高电压或整定大电滤的整流元件,可以把二极管串联或并联起来使用。

图5-7 示出了二极管并联的情况:两只二极管并联、每只分担电路总电流的一半,三只二极管并联,每只分担电路总电流的三分之一。总之,有几只二极管并联,"流经每只二极管的电流就等于总电流的几分之一。但是,在实际并

联运用时",由于各二极管特性不完全一致,不能均分所通过的电流,会使有的管子困负担过重而烧毁。因此需在每只二极管上串联一只阻值相同的小电阻器,使各并联二极管流过的电流接近一致。这种均流电阻R一般选用零点几欧至几十欧的电阻器。电流越大,R应选得越小。

图5-8示出了二极管串联的情况。显然在理想条件下,有几只管子串联,每只管子承受的反向电压就应等于总电压的几分之一。但因为每只二极管的反向电阻不尽相同,会造成电压分配不均:阻大的二极管,有可能由于电压过高而被击穿,并由此引起连锁反应,逐个把二极管击穿。在二极管上并联的电阻R,可以使电压分配均匀。

整流二极管的作用及其整流电路

整流二极管的作用及其整流电路 整流二极管的作用及其整流电路 一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结,有阳极和阴极两个端子。 P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子,在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时,位垒降低,位垒两侧附近产生储存载流子,能通过大电流,具有低的电压降(典型值为0.7V),称为正向导通状态。 若加相反的电压,使位垒增加,可承受高的反向电压,流过很小的反向电流(称反向漏电流),称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性,。 整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造。这种器件的结面积较大,能通过较大电流(可达上千安),但工作频率不高,一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频整流电路。 二极管整流电路 一、半波整流电路 图5-1、是一种最简单的整流电路。它由电源变压器B 、整流二极管D 和负载电阻Rfz ,组成。变压器把市电电压(多为220伏)变换为所需要的交变电压e2,D 再把交流电变换为脉动直流电。 下面从图5-2的波形图上看着二极管是怎样整流的。

变压器砍级电压e2,是一个方向和大小都随时间变化的正弦波电压,它的波形如图5-2(a)所示。在0~K时间内,e2为正半周即变压器上端为正下端为负。此时二极管承受正向电压面导通,e2通过它加在负载电阻Rfz上,在π~2π时间内,e2为负半周,变压器次级下端为正,上端为负。这时D承受反向电压,不导通,Rfz,上无电压。在π~2π时间内,重复0~π时间的过程,而在3π~4π时间内,又重复π~2π时间的过程…这样反复下去,交流电的负半周就被"削"掉了,只有正半周通过Rfz,在Rfz上获得了一个单一右向(上正下负)的电压,如图5-2(b)所示,达到了整流的目的,但是,负载电压Usc。以及负载电流的大小还随时间而变化,因此,通常称它为脉动直流。 这种除去半周、留下半周的整流方法,叫半波整流。不难看出,半波整说是以"牺牲"一半交流为代价而换取整流效果的,电流利用率很低(计算表明,整流得出的半波电压在整个周期内的平均值,即负载上的直流电压 Usc =0.45e2 )因此常用在高电压、小电流的场合,而在一般无线电装置中很少采用。 二、全波整流电路(单向桥式整流电路) 如果把整流电路的结构作一些调整,可以得到一种能充分利用电能的全波整流电路。图5-3 是全波整流电路的电原理图。

二极管整流电路试题知识分享

二极管整流电路试题

晶体二极管及整流电路试题(一) 姓名学号 一、填空 1、纯净的半导体称为,它的导电能力很。在纯净的半导体中掺入少量的价元素,可形成P型半导体,又称型半导体,其中多数载流子为,少数载流子为。 2、在本征半导体中掺入价元素,可形成N型半导体,其中多数载流子为,少数载流子为,它的导电能力比本征半导 体。 3、如图,这是材料的二极管的____ 曲线,在正向电压超过 V 后,二极管开始导通,这个电压称为 电压。正常导通后,此管的正向压降约 为 V。当反向电压增大到 V时, 即称为电压时,反向电流会急剧 增大,该现象为。若反向电压 继续增大,容易发生现象。其中 稳压管一般工作在区。

4、二极管的伏安特性指和关系,当正向电压超过_____后,二极管导通。正常导通后,二极管的正向压降很小,硅管约为V,锗管约为 V。 5、二极管的重要特性是,具体指:给二极管加电压,二极管导通;给二极管加电压,二极管截止。 6、PN结的单向导电性指,当反向电压增大到 时,反向电流会急剧增大,这种现象称。 7、二极管的主要参数有 ________、____ ___、 _ 和,二极管的主要特性是。 8、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时,若两次测得的阻值都较小,则表明二极管内部;若两次测得的阻值都较大,则表明二极管内部。两次测的阻值相差越大,则说明二极管的 性能越好。 9、整流是指_______________________________________,单相整流电路分、和电路。 10、有一直流负载R L =9Ω,需要直流电压V L =45V,现有 2CP21(I FM =3000mA,V RM =100V)和2CP33B(I FM =500mA, V RM =50V) 两种型号的二极 管,若采用桥式整流电路,应选用型二极管只。

整流滤波电路详解

为电感对直流的阻抗小,交流的阻抗大,因此能够得到较好的滤波效果而直流损失小。电感滤波缺点是体积大,成本高. 桥式整流电感滤波电路如图2所示。电感滤波的波形图如图2所示。根据电感的特点,当输出电流发生变化时,L中将感应出一个反电势,使整流管的导电角增大,其方向将阻止电流发生变化。 图2电感滤波电路 在桥式整流电路中,当u2正半周时,D1、D3导电,电感中的电流将滞后u2不到90°。当u2超过90°后开始下降,电感上的反电势有助于D1、D3继续导电。当u2处于负半周时,D2、D4导电,变压器副边电压全部加到D1、D3两端,致使D1、D3反偏而截止,此时,电感中的电流将经由D2、D4提供。由于桥式电路的对称性和电感中电流的连续性,四个二极管D1、D3;D2、D4的导电角θ都是180°,这一点与电容滤波电路不同。 图3电感滤波电路波形图 已知桥式整流电路二极管的导通角是180°,整流输出电压是半个半个正弦波,其平均值约为。电感滤波电路,二极管的导通角也是180°,当忽略电感器L的电阻时,负载上输出的电压平均值也是。如果考虑滤波电感的直流电阻R,则电感滤波电路输出的电压平均值为 要注意电感滤波电路的电流必须要足够大,即RL不能太大,应满足wL>>RL,此时IO(AV)可用下式计算 由于电感的直流电阻小,交流阻抗很大,因此直流分量经过电感后的损失很小,但是对于交流分量,在wL和上分压后,很大一部分交流分量降落在电感上,因而降低了输出电压中的脉动成分。电感L愈大,RL愈小,则滤波效果愈好,所以电感滤波适用于负载电流比较大且变化比较大的场合。采用电感滤波以后,延长了整流管的导电角,从而避免了过大的冲击电流。 电容滤波原理详解 1.空载时的情况 当电路采用电容滤波,输出端空载,如图4(a)所示,设初始时电容电压uC为零。接入电源后,当u2在正半周时,通过D1、D3向电容器C充电;当在u2的负半周时,通过D2、D4向电容器C充电,充电时间常数为

第1章 晶体二极管和二极管整流电路

第1章 晶体二极管和 二极管整流电路 教学重点 1.了解半导体的基本知识:本征半导体、掺杂半导体;掌握PN 结的基本特性。 2.理解半导体二极管的伏安特性和主要参数。 3.了解几种常用的二极管:硅稳压二极管、变容二极管、发光二极管、光电二极管等。 4.掌握单相半波、桥式全波整流电路的电路组成、工作原理与性能特点;了解电容滤波电路的工作原理。 5.了解硅稳压管的稳压特性及稳压电路的稳压原理。 教学难点 1.PN 结的单向导电特性。 2.整流电路和滤波电路的工作原理。 3.硅稳压管稳压电路的稳压过程。 学时分配 1.1 晶体二极管 1.1.1 晶体二极管的单向导电特性 ???体三极管等器件:晶体二极管、晶 等、变压器、电感电容、 元件:电阻电子元器件T)()()()(L C R

1.晶体二极管 (1) 外形 如图1.1.1(a )所示,晶体二极管由密封的管体和两条正、负电极引线所组成。管体外壳的标记通常表示正极。 (2) 图形、文字符号 如图1.1.1(b )所示,晶体二极管的图形由三角形和竖杠所组成。其中,三角形表示正极,竖杠表示负极。V 为晶体二极管的文字符号。 2.晶体二极管的单向导电性 动画 晶体二极管的单向导电性 (1) 正极电位>负极电位,二极管导通; (2) 正极电位<负极电位,二极管截止。 即二极管正偏导通,反偏截止。这一导电特性称为二极管的单向导电性。 [例1.1.1] 图1.1.3所示电路中,当开关S 闭合后,H 1、H 2两个指示灯,哪一个可能发光? 解 由电路图可知,开关S 闭合后,只有二极管V 1 正极电位高于负极电位,即处于正向导通状态,所以H 1指示灯发光。 1.1.2 PN 结 二极管由半导体材料制成。 动画 PN 结 1.半导体 导电能力介于导体与绝缘体之间的一种物质。如硅(Si )或锗(Ge )半导体。 半导体中,能够运载电荷的的粒子有两种: —载流子—均可运载电荷量的正电空穴:带与自由电子等自由电子:带负电???? ?? 载流子:在电场的作用下定向移动的自由电子和空穴,统称载流子。如图1.1.4所示。 2.本征半导体 不加杂质的纯净半导体晶体。如本征硅或本征锗。 本征半导体电导率低,为提高导电性能,需掺杂,形成杂质半导体。 3.杂质半导体 为了提高半导体的导电性能,在本征半导体(4价)中掺入硼或磷等杂质所形成的半导体。 根据掺杂的物质不同,可分两种: 图1.1.4 半导体的两种载流子 图1.1.3 [例1.1.1]电路图 图1.1.1 晶体二极管的外形和符号

全波整流滤波电路

二极管全波整流滤波电路 ①下面分两部分介绍其工作原理,即桥式整流电路与滤波电路两部分。 首先,介绍桥式整流电路,其工作原理为如下: 电路图 图10.02(a) 在分析整流电路工作原理时,整流电路中的二极管是作为开关运用,具有单向导电性。根据图10.02(a)的电路图可知:当正半周时二极管D1、D3导通,在负载电阻上得到正弦波的正半周。 当负半周时二极管D2、D4导通,在负载电阻上得到正弦波的负半周。 在负载电阻上正负半周经过合成,得到的是同一个方向的单向脉动电压。单相桥式整流电路的波形图见图10.02(b)。

下面介绍滤波电路的工作原理: (1)滤波的基本概念 滤波电路利用电抗性元件对交、直流阻抗的不同,实现滤波。电容器C对直流开路,对交流阻抗小,所以C应该并联在负载两端。电感器L对直流阻抗小,对交流阻抗大,因此L 应与负载串联。经过滤波电路后,既可保留直流分量、又可滤掉一部分交流分量,改变了交直流成分的比例,减小了电路的脉动系数,改善了直流电压的质量。 (2)电容滤波电路 现以单相桥式电容滤波整流电路为例来说明。电容滤波电路如图10.06所示,在负载电阻上并联了一个滤波电容C。 若电路处于正半周,二极管D1、D3导通,变压器次端电压v2给电容器C充电。此时C相当于并联在v2上,所以输出波形同v2,是正弦形。当v2到达90°时,v2开始下降。先假设二极管关断,电容C就要以指数规律向负载RL放电。指数放电起始点的放电速率很大。 在刚过90°时,正弦曲线下降的速率很慢。所以刚过90°时二极管仍然导通。在超过90°后的某个点,正弦曲线下降的速率越来越快,当刚超过指数曲线起始放电速率时,二极管关断。 所以,在t1到t2时刻,二极管导电,C充电,v C=v L按正弦规律变化;t2到t3时刻二极管关断,v C=v L按指数曲线下降,放电时间常数为R L C。通过以上分析画出波形图如下:

《晶体二极管及二极管整流电路》试题

《晶体二极管及二极管整流电路》试题 一、判断题(每空2分,共36分) 1 1. N型半导体中,主要依靠自由电子导电,空穴是少数载流子。() 2. 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结。() 3. 半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。() 4. 二极管是线性器件。() 5. 二极管处于导通状态,呈现很大的电阻,在电路中相当于开关的断开特性。() 6. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。() 7. PN结的单向导电性,就是PN结正向偏置时截止,反向偏置时导通。() 8. 二极管两端加反向电压时,反向电流不随反向电压变化而变化,这时二极管的状态为截止。() 9. 二极管只要工作在反向击穿区,就一定会被击穿损坏。() 10. 热击穿和电击穿过程都是不可逆的。() 11. 所谓理想二极管,就是当其正向偏置时,结电阻为零,等效成开关闭合;当其反向偏置时,结电阻为无穷大,等效成开关断开。() 12. 使用稳压管时应阳极接高电位,阴极接低电位。 13. 稳压二极管如果反向电流超过允许范围,二极管将会发生热击穿,所以,与其配合的电阻往往起到限流的作用。() 14. 整流电路由二极管组成,利用二极管的单向导电性把直流电变为交流电。() 15. 用两只二极管就可实现单相全波整流,而单相桥式整流电路却用了四只二极管,这样做虽然多用了两只二极管,但降低了二极管承受的反向电压。() 16. 在电容滤波整流电路中,滤波电容可以随意选择( ) 17. 在电容滤波整流电路中,电容耐压值要大于负载开路时整流电路的输出电压。() 18.电容滤波器中电容器容量越小滤波效果越好。() 二、单选题(每空2分,共32分) 1. 本征半导体是()。 A. 掺杂半导体 B. 纯净半导体 C. P型半导体 D. N型半导体

(完整版)整流滤波电路实验报告

整流滤波电路实验报告 姓名:XXX 学号:5702112116 座号:11 时间:第六周星期4 一、实验目的 1、研究半波整流电路、全波桥式整流电路。 2、电容滤波电路,观察滤波器在半波和全波整流电路中的滤波效果。 3、整流滤波电路输出脉动电压的峰值。 4、初步掌握示波器显示与测量的技能。 二、实验仪器 示波器、6v交流电源、面包板、电容(10μF*1,470μF*1)、变阻箱、二极管*4、导线若干。 三、实验原理 1、利用二极管的单向导电作用,可将交流电变为直流电。常用的二极管整 流电路有单相半波整流电路和桥式整流电路等。 2、在桥式整流电路输出端与负载电阻RL并联一个较大电容C,构成电容滤 波电路。整流电路接入滤波电容后,不仅使输出电压变得平滑、纹波显著成小,同时输出电压的平均值也增大了。 四、实验步骤 1、连接好示波器,将信号输入线与6V交流电源连接,校准图形基准线。 2、如图,在面包板上连接好半波整流电路,将信号连接线与电阻并联。

3、如图,在面包板上连接好全波整流电路,将信号输入线与电阻连接。

4、在全波整流电路中将电阻换成470μF的电容,将信号接入线与电容并联。 5、如图,选择470μF的电容,连接好整流滤波电路,将信号接入线与电阻并联。 改变电阻大小(200Ω、100Ω、50Ω、25Ω)

200Ω100Ω50Ω

25Ω 6、更换10μF的电容,改变电阻(200Ω、100Ω、50Ω、25Ω)200Ω 100Ω

50Ω 25Ω 五、数据处理 1、当C 不变时,输出电压与电阻的关系。 输出电压与输入交流电压、纹波电压的关系如下: avg)r m V V V (输+= 又有i avg R C V ??=输89.2V )(r 所以当C 一定时,R 越大 就越小 )(r V avg 越大 输V

经验整流电路简单的计算公式

整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造。这种器件的结面积较大,能通过较大电流(可达上千安),但工作频率不高,一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频整流电路。 整流电路分类: 单向、三相与多项整流电路; 还可分为半波、全波、桥式整流电路; 又可分为可控与不可控;当全部或部分整流元件为可控硅(晶闸管)时称可控整流电路 (一)不可控整流电路 1、单向二极管半波整流电路 半波整说是以"牺牲"一半交流为代价而换取整流效果的,电流利用率很低;因此常用在高电压、小电流的场合,而在一般无线电装置中很少采用。 输出直流电压U=0.45U2 流过二极管平均电流I=U/RL=0.45U2/RL 二极管截止承受的最大反向电压是Um反=1.4U2 2、单向二极管全波整流电路 因此称为全波整流,全波整流不仅利用了正半周,而且还巧妙地利用了负半周,从而大大地提高了整流效率(Usc=0.9e2,比半波整流时大一倍) 另外,这种电路中,每只整流二极管承受的最大反向电压,是变压器次级电压最大值的两倍,因此需用能承受较高电压的二极管。 输出直流电压U=0.9U2

流过二极管平均电流只是负载平均电流的一半,即流过负载的电流I=0.9U2/RL流过二极管电流I=0.45U2/RL 二极管截止时承受2.8U2的反向电压 因此选择二极管参数的依据与半波整流电路相比有所不同,由于交流正负两个半周均有电流流过负载,因此变压器的利用率比半波整流高。 二极管全波整流的另一种形式即桥式整流电路,是目前小功率整 流电路最常用的整流电路。 3、二极管全波整流的结论都适用于桥式整流电路,不同点仅是每个二 极管承受的反向电压比全波整流小了一半。 桥式电路中每只二极管承受的反向电压等于变压器次级电压的最大值,比全波整洗电路小一半! U=0.9U2 流过负载电流I=0.9U2/RL 流过二极管电流I=0.45U2/RL 二极管截止承受反向电压U=1.4U2 另外,在高电压或大电流的情况下,如果手头没有承受高电压或整定大电滤的整流元件,可以把二极管串联或并联起来使用。 图5-7 示出了二极管并联的情况:两只二极管并联、每只分担电路总电流的一半,三只二极管并联,每只分担电路总电流的三分之一。总之,有几只二极管并联,"流经每只二极管的电流就等于总电流的几分之一。但是,在实际并联运用时",由于各二极管特性不完全一致,不能均分所通过的电流,会使有的管子困负担过重而烧毁。因此需在每只二极管上串联一只阻值相同的小电阻器,使各并联二极管流过的电流接近一致。这种均流电阻R 一般选用零点几欧至几十欧的电阻器。电流越大,R应选得越小。

(完整版)整流二极管

整流二极管 整流二极管是一种能够将交流电能转化成为直流电能的半导体器件,整流二极管具有明显的单向导电性,是一种大面积的功率器件,结电容大,工作频率较低,一般在几十千赫兹,反向电压从25V到3000V. 硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好,通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造,这种器件结面积大,能通过较大电流(通常可以达到数千安),但工作频率不高,一般在几十千赫兹以下,整流二极管主要用于各种低频整流电路。 整流二极管的常用参数 (1)最大平均整流电流IF:指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值,并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。 (2)最高反向工作电压VR:指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值,则反向电流(IR)剧增,二极管的单向导电性被破坏,从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V,1N4007的VR为1OOOV (3)最大反向电流IR:它是二极管在最高反向工作电压下允许流过的反向电流,此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小,表明二极管质量越好。 (4)击穿电压VR:指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时,则指给定反向漏电流条件下的电压值。 (5)最高工作频率fm:它是二极管在正常情况下的最高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定,若工作频率超过fm,则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。 (6)反向恢复时间tre:指在规定的负载、正向电流及最大反向瞬态电压下的反向恢复时间。 (7)零偏压电容CO:指二极管两端电压为零时,扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是,由于制造工艺的限制,即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围,若测试条件改变,则相应的参数也会发生变化,例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于1OuA,而在100°C时IR则变为小于500uA。 整流二极管的选用 整流二极管一般为平面型硅二极管,用于各种电源整流电路中。 选用整流二极管时,主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。 普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管,对截止频率的反向恢复时间要求不高,只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。例如,1N

晶体二极管和整流电路测试题

晶体二极管和整流电路测试题 一.填空题:(每空2分,共40分) 1.二极管的P 区接电位 端,极管的N 区接电位 端,称正向偏置,二极管导通;反之称反向偏置,二极管截止;所二极管具有 性。 2.二极管的PN 结面积不同可分为点接触型、面接触型和 型; 型二极管适用于高频、小电流的场合, 型二极管适用于低频、大电流的场合。 3.普通二极管工作时要避免工作于 ,而稳压管通常工作于 。 4.单相 用来将交流电压变换成单相脉动直流电压。 5.直流电源中,除电容滤波电路外,其它形式的滤波电路包括 、 等。 6.W7805的输出电压为 V ,额定输出电流为 A ; 7.开关稳压电源的调整管工作在 状态,依靠调节调整管 的比例来实现稳压。 8.发光二极管能将电信号转换成 信号,它工作时需要加 偏置电压;光电二极管能将 转换成电信号,它工作时需要加 偏置电压; 二.判断题:(每题2分,共10分) 1.二极管在反向电压超过最高反向工作电压V RM 时会损坏。 ( ) 2.稳压二极管在工作中只能作反向连接。 ( ) 3.电容滤波电路适用于小负载电流,而电感滤波电路适用于大负载电流。( ) 4.在单相桥式整流电容滤波电路中,若有一只整流管断开,输出电压的平均值变为原来的一半。 ( ) 5.二极管的反向漏电流越小,其单相导电性能越好。 ( ) 三.选择题:(每题2分,共10分) 1.图1.17所示符号中,表示发光二极管的为 ( ) 2.从二极管的伏安特性可以看出,二极管两端压降大于( )时,处于正向导通状态。 ( ) A .0 B .死区电压 C .反向击穿电压 D .正向压降 3..用万用表电阻挡测量小功率二极管性能好坏时,应把量程开关旋到 ( )位置。 A .R ×100 B .R ×1K C .R ×1 D .R ×10K 4.直流稳压电源中,滤波电路的作用是 ( ) A .将交流电变为较平滑的直流电 B .将交流电变为稳定的直流电 C .滤除直流电中的交流成分 D .将交流电变为脉动直流电 5.开关稳压电源效率高的主要原因是 ( ) A .调整管工作在开关状态 B .输出端有L C 滤波电路 C .省去电源变压器 D .电路元件少 四.技能实践题:(每题10分,共20分) A . B . C .D .图1.17

最新《晶体二极管整流电路》说课稿

《晶体二极管整流电路》说课稿 宿城区职教中心王翠荣 一、教材分析: 1.地位和作用:本节内容选自陈其纯编著的《电子线路》§1.2内容,此内容既是第一章的重点和难点,也是整个教材的重点,教材的第一节介绍了晶体二极管的结构与特性,而整流电路正是晶体二极管单向导电性的具体应用。同时,该内容也是后面滤波、稳压电路的基础。因此,本节课的内容就显得尤为重要。 2.学生现状:所任班的学生,为电子专业二年级的学生,与平行班相比,学生学习习惯总体较好,相关的课程《电工基础》刚学完,由于《电子线路》这门专业课本身的特点,入门难,学生又是刚开始学,学生在学习过程中普遍感到困难,有少数学生学习较被动,还未 掌握好一定的学习方法。 3.学习目标及确立依据 (1)学习目标 (2)确立依据:首先根据现行教学大纲的要求,电路组成、整流工作原理及整流电路的计算是学生必须掌握的内容,由此确立了学习目标的知识目标。而根据学生的现状,学生虽有一定的学习能力,但学习方式仍较被动,还处于一种简单的记忆、接受和模仿的阶段,为了使学生的学习方式有所改变,引导学生主动参与、独立思考,学会合作探究、与人交流,从而提高学生主动获取新知识、分析和解决问题的能力,故确立了学习目标能力目标。 4.教学重点与难点:根据大纲及学生的实际情况确立了本节课的重点和难点。整流电路工作原理的分析需要学生在理解二极管的单向导电性的基础上,根据电位的高低判断二极管的状态,从而准确画出整流电流通路,此为分析电压和电流波形、计算负载上电压和电流及二极管选择的关键所在。而这又需要学生有一定的运用知识的能力,故工作原理的分析既 是难点也是重点。 二、教学设计理论基础及研究重点: 1.教学设计理论基础:(1)建构主义的教学理论,更加强调学习者的主观认识,更加重视建立有利于学习者主动探索知识的情境,始终保持教师与学生、学生与学生之间有效的互动过程。(2)根据探究教学理论,学生学习应在教师指导下运用探究的方法学习,让学生能够主动获取知识,从而发展学生的能力,培养学生的创新精神和实践能力。 2.研究重点与教学模式及方法:本节课采用的是“达标式问题情景的创设”的教学模式,该模式的关键是如何创设问题情境,故研究重点是问题情境的创设。《电子线路》课由于其理论性强,抽象不易理解,学生普遍感到难学,为了分解难点,创设便于学生学习的问题情境,通过一个个问题的解决,激发学生的求知欲望和学习兴趣,引导学生进入探索、认识、解决问题的情境,从而提高学生的自主学习的能力,加强学生的创新意识。 本节课采用启发讲授、实验演示、讨论、练习等教学方法。 三、教学过程的设计: (一)复习导入 设计了3个复习练习,通过复习题,让学生掌握二极管伏安特性,这既是上节课的重点内容,也是本节课学生学习的基础;而整流电路正是晶体二极管单向导电性的具体应用。由 此自然引入新课。 (二)新课内容 1、电路将电路直接呈现给学生,并让学生进行比较单相半波、变压器中心抽头式整 流电路,桥式电路。

二极管及整流电路练习题

二极管及整流电路练习题 一、填空 1、纯净的半导体称为,它的导电能力很。在纯净的半导体中掺入少 量的价元素,可形成P型半导体,又称型半导体,其中多数载流子为, 少数载流子为。 2、在本征半导体中掺入价元素,可形成N型半导体,其中多数载流子 为,少数载流子为,它的导电能力比本征半导体。 3、如图,这是材料的二极管的____ 曲线,在正向电压超过 V 后,二极管开始导通,这个电压称为 电压。正常导通后,此管的正向压降约 为 V。当反向电压增大到 V时, V 即称为电压。其中 稳压管一般工作在区。 4、二极管的伏安特性指和 _____后,二极管导通。正常导通后,二极管的正向压降很小,硅管约为 V, 为 V。 5、二极管的重要特性是,具体指:给二极管加电压,二极管 导通;给二极管加电压,二极管截止。 6、PN结的单向导电性指,当反向电压增大到 时,反向电流会急剧增大,这种现象称。 7、二极管的主要参数有 ________、_________和,二极管的主要 特性是。 8、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时,若两次测得的阻值都较 小,则表明二极管内部;若两次测得的阻值都较大,则表明二极管内部。 两次测的阻值相差越大,则说明二极管的性能越好。 9、整流是指_______________________________________,整流电路分可为: 和电路。将交流电转换成较稳定的直流电,一般要经过以下过程: ___________ →____________ →____________ →____________ 10、有一直流负载R L=9Ω,需要直流电压V L=45V,现有2CP21(I FM=3000mA,V RM=100V) 和2CP33B(I FM=500mA, V RM=50V) 两种型号的二极管,若采用桥式整流电路,应选用 型二极管只。 11、稳压二极管的稳压特性指,动态电阻r Z越大,说明稳 压性能越。 12、滤波器的作用是将整流电路输出的中的成分滤去, 获得比较的直流电,通常接在电路的后面。它一般分为、 和三类。 13、有一锗二极管正反向电阻均接近于零,表明该二极管已_______ ,又有一硅二

晶体二极管和二极管整流电路

第1章 晶体二极管和二极管整流电路 教学重点 1.了解半导体的基本知识:本征半导体、掺杂半导体;掌握PN 结的基本特性。 2.理解半导体二极管的伏安特性和主要参数。 3.了解几种常用的二极管:硅稳压二极管、变容二极管、发光二极管、光电二极管等。 4.掌握单相半波、桥式全波整流电路的电路组成、工作原理与性能特点;了解电容滤波电路的工作原理。 5.了解硅稳压管的稳压特性及稳压电路的稳压原理。 教学难点 1.PN 结的单向导电特性。 2.整流电路和滤波电路的工作原理。 3.硅稳压管稳压电路的稳压过程。 学时分配 晶体二极管 1.1.1 晶体二极管的单向导电特性 ???体三极管等器件:晶体二极管、晶 等、变压器、电感电容、 元件:电阻电子元器件T)()()()(L C R 1.晶体二极管 (1) 外形

如图1.1.1(a)所示,晶体二极管由密封的管体和两条正、负电极引线所组成。管体外壳的标记通常表示正极。 (2) 图形、文字符号 如图1.1.1(b)所示,晶体二极管的图形由三角形和竖杠所组成。其中,三角形表示正极,竖杠表示负极。V 为晶体二极管的文字符号。 2.晶体二极管的单向导电性 动画 晶体二极管的单向导电性 (1) 正极电位>负极电位,二极管导通; (2) 正极电位<负极电位,二极管截止。 即二极管正偏导通,反偏截止。这一导电特性称为二极管的单向导电性。 [例1.1.1] 图所示电路中,当开关S 闭合后,H 1、H 2 两个指示灯,哪一个可能发光 解 由电路图可知,开关S 闭合后,只有二极管V 1正极电位高于负极电位,即处于正向导通状态,所以H 1指示灯发光。 1.1.2 PN 结 二极管由半导体材料制成。 动画 PN 结 1.半导体 导电能力介于导体与绝缘体之间的一种物质。如硅(Si)或锗(Ge)半导体。 半导体中,能够运载电荷的的粒子有两种: —载流子—均可运载电荷量的正电空穴:带与自由电子等自由电子:带负电???? ?? 载流子:在电场的作用下定向移动的自由电子和空穴,统称载流子。如图1.1.4所示。 2.本征半导体 不加杂质的纯净半导体晶体。如本征硅或本征锗。 本征半导体电导率低,为提高导电性能,需掺杂,形成杂质半导体。 3.杂质半导体 为了提高半导体的导电性能,在本征半导体(4价)中掺入硼或磷等杂质所形成的半导体。 根据掺杂的物质不同,可分两种: (1) P 型半导体:本征硅(或锗)中掺入少量硼元素(3价)所形成的半导体,如P 型硅。其中,多数载流子为空穴,少数载流子为电子。 图 1.1.4 半导体的两种 载流子 图1.1.3 [例电路图 图1.1.1 晶体二极管的外形和

(一)晶体二极管及二极管整流电路(终稿)2017-11-26

晶体二极管及二极管整流电路 一、判断题 1.半导体的导电能力在不同条件下有很大差别,若提高环境温度导电能力会减 弱。 2.本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 3.N型半导体中,主要依靠自由电子导电,空穴是少数载流子。 4.P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。 5.PN结正向偏置时,其内外电场方向一致。 6.晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结。 7.半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。 8.二极管具有单向导电性。 9.二极管是线性器件。 10.二极管和三极管都是非线性器件。 11.二极管处于导通状态,呈现很大的电阻,在电路中相当于开关的断开特性。 12.二极管两端加上正向电压就一定会导通。 13.二极管的核心是一个PN结,PN结具有单向导电特性。 14.PN结的单向导电性,就是PN结正向偏置时截止,反向偏置时导通。 15.二极管两端加上反向电压时,反向电流不随反向电压变化而变化,这时二极 管的状态为截止。 16.二极管的截止特性是其两端的反向电压增加时,而反向电流基本不变。 17.二极管只要工作在反向击穿区,就一定会被击穿损坏。 18.点接触型二极管其PN结的静电容量小,适用于高频电路。 19.整流二极管多为面接触型的二极管,结面积大、结电容大,但工作频率低。 20.整流二极管多为点接触型的二极管,结面积小、结电容大,但工作频率低。 21.点接触型二极管只能使用于大电流和整流。 22.制作直流稳压电源元件中,整流二极管按照制造材料可分为硅二极管和锗二 极管 23.半导体二极管按结构的不同,可分为点接触型和面接触型,各自能承受的正 向电流值有较大区别。 24.晶体二极管击穿后立即烧毁。

各类整流电路图及工作原理

桥式整流电路图及工作原理介绍 桥式整流电路如图1所示,图(a)、(b)、(c)是桥式整流电路的三种不同画法。由电源变压器、四只整流二极管D1~4 和负载电阻RL组成。四只整流二极管接成电桥形式,故称桥式整流。 图1 桥式整流电路图 桥式整流电路的工作原理 如图2所示。

在u2的正半周,D1、D3导通,D2、D4截止,电流由TR次级上端经D1→ RL →D3回到TR 次级下端,在负载RL上得到一半波整流电压。 在u2的负半周,D1、D3截止,D2、D4导通,电流由Tr次级的下端经D2→ RL →D4 回到Tr次级上端,在负载RL 上得到另一半波整流电压。 这样就在负载RL上得到一个与全波整流相同的电压波形,其电流的计算与全波整流相同,即 UL = 0.9U2 IL = 0.9U2/RL 流过每个二极管的平均电流为 ID = IL/2 = 0.45 U2/RL 每个二极管所承受的最高反向电压为 什么叫硅桥,什么叫桥堆 目前,小功率桥式整流电路的四只整流二极管,被接成桥路后封装成一个整流器件,称"硅桥"或"桥堆",使用方便,整流电路也常简化为图Z图1(c)的形式。桥式整流电路克服了全波整流电路要求变压器次级有中心抽头和二极管承受反压大的缺点,但多用了两只二极管。在半导体器件发展快,成本较低的今天,此缺点并不突出,因而桥式整流电路在实际中应用较为广泛。 二极管整流电路原理与分析 半波整流 二极管半波整流电路实际上利用了二极管的单向导电特性。

当输入电压处于交流电压的正半周时,二极管导通,输出电压v o=v i-v d。当输入电压处于交 流电压的负半周时,二极管截止,输出电压v o=0。半波整流电路输入和输出电压的波形如图所 示。 二极管半波整流电路 对于使用直流电源的电动机等功率型的电气设备,半波整流输出的脉动电压就足够了。但对于电子电路,这种电压则不能直接作为半导体器件的电源,还必须经过平滑(滤波)处理。平滑处理电路实际上就是在半波整流的输出端接一个电容,在交流电压正半周时,交流电源在通过二极管向负载提供电源的同时对电容充电,在交流电压负半周时,电容通过负载电阻放电。 电容输出的二极管半波整流电路仿真演示 通过上述分析可以得到半波整流电路的基本特点如下: (1)半波整流输出的是一个直流脉动电压。 (2)半波整流电路的交流利用率为50%。 (3)电容输出半波整流电路中,二极管承担最大反向电压为2倍交流峰值电压(电容输出 时电压叠加)。 (3)实际电路中,半波整流电路二极管和电容的选择必须满足负载对电流的要求。

第一章 晶体二极管和二极管整流电路(习题一)

第一章 晶体二极管和二极管整流电路 一、填空 1.纯净的半导体称为 ;在纯净的半导体中掺入少量的硼元素,可形成 型半导体,其中多数载流子为 ,少数载流子为 ,所以又称 型半导体,。 2.在本征半导体中掺入磷元素,可形成N 型半导体,其中多数载流子为 ,少数载流子为 ,它的导电能力比本征半导体 。 3.如图,这是 材料的二极管的____ 曲线,在正向电压超过 V 后,二极管开始导通,这个电压称为 电压。正常导通后,此管的正向压降约 为 V 。当反向电压增大到 V 时, 即称为 电压时,反向电流会急剧 增大,该现象为 。若反向电压 继续增大,容易发生 现象。其中 稳压管一般工作在 区。 4.二极管的伏安特性指 和 关系,当正向电压超过 _____后,二极管导通。正常导通后,二极管的正向压降很小,硅管约为 V,锗管约为 V 。 5.二极管的重要特性是 ,具体指:给二极管加 电压,二极管导通;给二极管加 电压,二极管截止。 6.用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时,若两次测得的阻值都较小,则表明二极管内部 ;若两次测得的阻值都较大,则表明二极管内部 。两次测的阻值相差越大,则说明二极管的 性能越好。 7.有一锗二极管正反向电阻均接近于零,表明该二极管已_______ ,又有一硅二极管正反向电阻均接近于无穷大,表明该二极管已_______ 。 8.整流是指_______________________________________。 9.滤波是指 。 10.如图,V 为理想二极管。 状态 , V AB = V 11 .图中,V 为硅二极管。 与A 接通时, V 的状态 ,V MN = V 与B 接通时, 的状态 ,V MN = V 6V

二极管整流电路原理与分析

半波整流 二极管半波整流电路实际上利用了二极管的单向导电特性。 当输入电压处于交流电压的正半周时,二极管导通,输出电压v o=v i-v d。当输入电压处于交流电压的负半周时,二极管截止,输出电压v o=0。半波整流电路输入和输出电压的波形如图所示。 二极管半波整流电路仿真演示 设输入交流电压为正弦波,其有效值为V rsm,则半波整流输出脉动电压的有效值为: 其中V m为输入电压的最大值,V m=V rms。 对于使用直流电源的电动机等功率型的电气设备,半波整流输出的脉动电压就足够了。但对于电子电路,这种电压则不能直接作为半导体器件的电源,还必须经过平滑(滤波)处理。平滑处理电路实际上就是在半波整流的输出端接一个电容,在交流电压正半周时,交流电源在通过二极管向负载提供电源的同时对电容充电,在交流电压负半周时,电容通过负载电阻放电。

电容输出的二极管半波整流电路仿真演示 通过上述分析可以得到半波整流电路的基本特点如下: (1)半波整流输出的是一个直流脉动电压。 (2)半波整流电路的交流利用率为50%。 (3)电容输出半波整流电路中,二极管承担最大反向电压为2倍交流峰值电压(电容输出时电压叠加)。 (3)实际电路中,半波整流电路二极管和电容的选择必须满足负载对电流的要求。 全波整流 当输入电压处于交流电压的正半周时,二极管D1导通,输出电压V o=v i-V D1。当输入电压处于交流电压的负半周时,二极管D2导通,输出电压V o=v i-V D2。 二极管全波整流电路仿真演示 由上述分析可知,二极管全波整流电路输出的仍然是一个方向不变的脉动电压,但脉动频率是半波整流的一倍。 通过与半波整流相类似的计算,可以得到全波整流输出电压有效值V orsm=0.9U rsm。 全波整流输出的直流脉动电压仍然不能满足电子电路对直流电源的要求,必须经过平滑(滤波)处理。与半波整流相同,平滑处理电路是在全波整流的输出端接一个电容。电容在脉动电压的两个峰值之间向负载放电,使输出电压得到相应的平滑。

最新三相整流滤波电路教学内容

三相整流滤波电路 单相整流电路的功率一般不超过一千瓦,对于大功率的整流电路则需要采用三相整流电路,因为大功率的交流电源是三相供电形式。图14-1-3是一个电阻负载三相桥式整流电路,它有六个二极管,D1、D3、D5接成共阴极形式,共阴极用P表示;D2、D4、D6接成共阳极形式,共阳极用M表示;零线用N表示。 三相桥式整流电路二极管导电的规律 三相整流电路中各个二极管如何导电?基本原则仍然是二极管的阳极电位高于阴极电位时二极管导电,反之不导电。因三相电比单相电复杂,在图14-1-4中根据各相波形相交的情况,按30°为一段进行时间段的划分,在图的最下方用1、2、3、4、5、6、7、…表示。 图14-1-4 三相桥式整流电路的波形图 三相整流电路的工作原理 先看时间段1:此时间段A相电位最高,B相电位最低,因此跨接在A相B相间的二极管D1、D4导电。电流从A相流出,经D1,负载电阻,D4,回到B相,见图14-1-3中红色箭头指示的路径。此段时间内其他四个二极管均承受反向电压而截止,因D4导通,B相电压最低,且加到D2、D6的阳极,故D2、D6截止;,因D1导通,A相电压最高,且加到D3、D5的阴极,故D3、D5截止。其余各段情况如下:

时间段2:此时间段A相电位最高,C相电位最低,因此跨接在A相C相间的二极管D1、D6导电。 时间段3:此时间段B相电位最高,C相电位最低,因此跨接在A相C相间的二极管D3、D6导电。 时间段4:此时间段B相电位最高,A相电位最低,因此跨接在B相A相间的二极管D3、D2导电。 时间段5:此时间段C相电位最高,A相电位最低,因此跨接在C相A相间的二极管D5、D2导电。 三相桥式电阻负载整流电路的输出电压波形见图14-1-4 时间段6:此时间段C相电位最高,B相电位最低,因此跨接在C相B相间的二极管D5、D5导电。 三相桥式整流电路的性能参数 1.输出电压的平均值UO 三相桥式电阻负载整流电路的输出电压波形见图14-1-4的下半部分,它是由相应时间段导电二极管所对应的两相电压之差得到的。由于输出电压是以共阳极线M为参考地电位,对于其中时间段1,可由A相和B相电压之差得到,见图14-1-5,同理可得到其他时间段的输出波形。这样在一个工频周期内,输出电压有六个波头,相当于300赫兹,这有利于提高输出电压的平均值,同时有利于滤波,减小输出的纹波。 图11-1-5 三相桥式整流电路输出电压波形的合成 求输出电压一个波头的平均值再乘以6,即可得到输出电压的平均值,积分从30°到90°。 中班健康活动:小兔钻树洞(动作发展)

整流滤波电容的选择

对半波整流电路来说,接入了滤波电容器后,空载时输出直流电压 U L 与交流电压 U2 近似相等(U L ≈U2 );对全波整流电路,接上滤波电容器后,空载时 U L 可以上升到等于 U2 的倍左右(U L ≈ )。由此可见,电容滤波电路不仅使输出电压变得平滑,还提高了输出电压。 电容器检测方法与经验 1固定电容器的检测 A检测10pF以下的小电容 因10pF以下的固定电容器容量太小,用万用表进行测量,只能定性的检查其是否有漏电,内部短路或击穿现象。测量时,可选用万用表R×10k挡,用两表笔分别任意接电容的两个引脚,阻值应为无穷大。若测出阻值(指针向右摆动)为零,则说明电容漏电损坏或内部击穿。 B检测10PF~001μF固定电容器是否有充电现象,进而判断其好坏。万用表选用R×1k挡。两只三极管的β值均为100以上,且穿透电流要小。可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用,把被测电容的充放电过程予以放大,使万用表指针摆幅度加大,从而便于观察。应注意的是:在测试操作时,特别是在测较小容量的电容时,要反复调换被测电容引脚接触A、B两点,才能明显 地看到万用表指针的摆动。 C对于001μF以上的固定电容,可用万用表的R×10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电,并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。2电解电容器的 检测 A因为电解电容的容量较一般固定电容大得多,所以,测量时,应针对不同容量选用合适的量程。根据经验,一般情况下,1~47μF间的电容,可用R×1k挡测量,大于47μF的电容可用R×100 挡测量。 B将万用表红表笔接负极,黑表笔接正极,在刚接触的瞬间,万用表指针即向右偏转较大偏度(对于同一电阻挡,容量越大,摆幅越大),接着逐渐向左回转,直到停在某一位置。此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻,此值略大于反向漏电阻。实际使用经验表明,电解电容的漏电阻一般应在几百kΩ以上,否则,将不能正常工作。在测试中,若正向、反向均无充电的现象,即表针不动,则说明容量消失或内部断路;如果所测阻值很小或为零,说明电容漏电大或已击穿损坏, 不能再使用。 C对于正、负极标志不明的电解电容器,可利用上述测量漏电阻的方法加以判别。即先任意测一下漏电阻,记住其大小,然后交换表笔再测出一个阻值。两次测量中阻值大的那一次便是正向接法,即黑表笔接的是正极,红表笔接的是负极。 D使用万用表电阻挡,采用给电解电容进行正、反向充电的方法,根据指针向右摆动幅度的大 小,可估测出电解电容的容量。 3可变电容器的检测

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