第3章多级放大电路习题
多级放大电路单元测试题解读
多级放大电路单元测试题一、单选题(每题2分)1.关于复合管，下述正确的是（）A．复合管的管型取决于第一只三极管B．复合管的输入电阻比单管的输入电阻大C．只要将任意两个三极管相连，就可构成复合管D．复合管的管型取决于最后一只三极管2.已知两共射极放大电路空载时电压放大倍数绝对值分别为A1u 和A2u，若将它们接成两级放大电路，则其放大倍数绝对值（）。
A. A1u A2uB. A1u+A2uC. 大于A1uA2uD. 小于A1uA2u3.设计一个两级放大电路，要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于2000，第一级和第二级应分别采用。
A. 共射电路、共射电路B. 共源电路、共集电路C. 共基电路、共漏电路D. 共源电路、共射电路4.电容耦合放大电路 ( )信号。
A. 只能放大交流信号B. 只能放大直流信号C. 既能放大交流信号，也能放大直流信号D. 既不能放大交流信号，也不能放大直流信号5.直接耦合放大电路 ( )信号。
A. 只能放大交流信号B. 只能放大直流信号C. 既能放大交流信号，也能放大直流信号D. 既不能放大交流信号，也不能放大直流信号6.设计一个两级放大电路，要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10M Ω，输出电阻小于100Ω，第一级和第二级应分别采用( )。
A. 共漏电路、共射电路B. 共源电路、共集电路C. 共基电路、共漏电路D. 共源电路、共射电路二、判断题(每题2分)1.多级放大电路的输入电阻等于第一级的输入电阻，输出电阻等于末级的输出电阻。
（）2.只有直接耦合的放大电路中三极管的参数才随温度而变化，电容耦合的放大电路中三极管的参数不随温度而变化，因此只有直接耦合放大电路存在零点漂移。
（）3.直接耦合的多级放大电路，各级之间的静态工作点相互影响；电容耦合的多级放大电路，各级之间的静态工作点相互独立。
（）4.直接耦合放大电路存在零点漂移主要是由于晶体管参数受温度影响。
第3章 多级放大电路典型例题
AHA12GAGGAGAGGAFFFFAFAF【例1】（共射+共射）计算如图多级放大电路的A u 、R i 和R o 。
分析：（1）中频等效电路（微变等效电路或交流等效电路）（2）计算A u ])1([72be25i2be1i231u1R r //R R r R //R A ββ++=-=其中：be172be2531u1]})1([{r R r //R //R A ββ++-=或者：72be2L62u2)(1R r R //R A ββ++-=u2u1u A A A ⋅=AHA12GAGGAGAGGAFFFFAFAF（3）计算R i ：be121i r //R //R R =（4）计算R o ：6o R R =AHA12GAGGAGAGGAFFFFAFAF【例2】（共射+共集）计算如图多级放大电路的A u 、R i 和R o 。
分析：（1）中频等效电路（微变等效电路或交流等效电路）（2）计算A u 32be2i2be11i2211u 1R )(r R r R )R //R (A ββ++=+-=其中：be11322211u })1([{r R R r //R A be +++-=ββ或者： 1)1()1(u2322322u ≈+++=A R r R A be 或者：ββ u2u1u A A A ⋅=（3）计算R i ：be11i r R R +=AHA12GAGGAGAGGAFFFFAFAF（4）计算R o ：22be23o 1β++=R r //R RAHA12GAGGAGAGGAFFFFAFAF【例3】（共集+共射）计算如图多级放大电路的A u 、R i 和R o 。
分析：（1）中频等效电路（微变等效电路或交流等效电路）（2）计算A u21u A A A ⋅= （3）计算R i123be211be1123be2(1)()1(1)()R R r A A r R R r ββ+==++∥∥ 或者 ∥∥242be2R A r β=-i 1be1123be2[(1)()]R R r R R r β=++∥∥∥AHA12GAGGAGAGGAFFFFAFAF （4）计算R o静态工作点的计算同单管放大电路的方法，此处略。
模拟电子技术基础及实验 第3章 多级放大
扩展到n级： A uA u1A u2 A un
注意：在算前级放大 倍数时，要把后级的 输入阻抗作为前级的 负载！
2019/10/14
3、 输入电阻 Ri=Ri（最前级） (一般情况下）
+
+
ui
-
+
Ri
A1 Ro1 +
Ri1
uo1
uo1 -
A2
Ro2 Ri2
uo2
+
+
uo
RL
-
+
e2
+
βib2 Rc2 uo -
+
Ro
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直接耦合放大电路的特殊问题——零点漂移
uo
1、零漂现象：
输 入 ui=0 时 ， ， 输 出 有 缓 慢 变化的电压产生。
0
2、产生零漂的原因：
由温度变化引起的。当温度变化
使第一级放大器的静态工作点发
生微小变化时，这种变化量会被
后面的电路逐级放大，最终在输
Ro 负载
4、输出电阻 Ro=Ro（最后级） (一般情况下）
2019/10/14
举例1：两级放大电路如下图示，求Q点、Au、Ri、Ro
设：1=2==100，UBE1=UBE2=0.7 V。
Rb1
51 k
Cb1
+
+
ui Rb2 - 20k
+
Rc1 5.1 k
Re2
3.9 k
+V CC
Ce2
T1 Re1 2.7k Ce1
.
Au
UO
.
IeRe
.
U ..
模电(第四版)习题解答
自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k Ω时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
模电第四版习题解答
模电第四版习题解答 YUKI was compiled on the morning of December 16, 2020模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √)GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( ×)二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
多级放大电路答案
科目:模拟电子技术题型:填空题章节:第三章多级放大电路难度:全部-----------------------------------------------------------------------1. 某放大器由三级组成，已知各级电压增益分别为16dB，20dB，24dB，放大器的总增益为60dB 。
2. 某放大器由三级组成，已知各级电压增益分别为16dB，20dB，24dB，放大器的总电压放大倍数为 103。
3. 在差动式直流放大电路中，发射极电阻Re的作用是通过电流负反馈来抑制管子的零漂，对共模信号呈现很强的负反馈作用。
4. 在双端输入、输出的理想差动放大电路中，若两输入电压U i1=U i2，则输出电压U o= 0 。
5. 在双端输入、输出的理想差动放大电路中，若U i1=+1500μV，U i2=+500μV，则可知差动放大电路的差模输入电压U id= 1000uV 。
6. 多级放大电路常用的耦合方式有三种，它们是直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。
7. 多级放大电路常用的耦合方式有三种，它们是直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。
8. 多级放大电路常用的耦合方式有三种，它们是阻容耦合、直接耦合和变压器耦合。
9. 多级放大电路常用的耦合方式有三种，其中直接耦合方式易于集成，但存在零点漂移现象。
10. 多级放大电路常用的耦合方式有三种，其中直接耦合方式易于集成，但存在零点漂移现象。
11. 若三级放大电路的A u1=A u2=30dB，A u3=20 dB，则其总电压增益为 80 dB。
12. 若三级放大电路的A u1=A u2=30dB，A u3=20 dB，则其总电压放大倍数折合为 104倍。
13. 在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级负载电阻的，而前级的输出电阻则也可视为后级的信号源内阻。
14. 在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的负载电阻，而前级的输出电阻则也可视为后级的信号源。
第3章 多级放大电路(Qchsh_2015)
VC1=VB2；
VC2=VB2+VCB2＞VC1
这样，集电极电位就要逐级提高，为此后面的放大级要加入较大 的发射极电阻，从而无法设置正确的工作点。这种方式只适用于级 数较少的电路。
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计算机与软件学院_钱承山
NANJING UNIVERSITY OF INFORMATION SCIENCE & TECHNOLOGY
克服温漂的方法：引入直流负反馈，温度补偿。 典型电路：差分放大电路
3.3.2 基本差分放大电路
一、电路组成：对称性，由两个共射极电路组成。 Rb1=Rb2 Rc1=Rc2 在任何温度下T1和T2的特性 和参数均完全相同。 特点： 电路对称，有两个输入端，有 两个输出端 。
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直接耦合使各放大级的工作点互相影响，这是构成直接耦 合多级放大电路时必须要加以解决的问题。 （1）直接耦合放大电路的改进形式
其动态输出级与负载的阻抗匹配，
以获得有效的功率传输。
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变压器耦合阻抗匹配的原理见图：
V1 N1 n(匝数比或称变比 ) V2 N2 V 1I 1 V 2 I 2
阻容耦合：各级之间通过耦合电容连接的耦合方式。
优点：阻容耦合放大电路的直流通路是相互独立的，电 路的分析、计算和调试比较容易，是分立元件放大电路的主 要耦合方式。 缺点：低频特性差，不能放大缓慢变化的 信号；由于耦 合电容容量较大，所以不便于集成化。
模拟电子技术课程习题 第三章 多级放大电路
第三章多级放大电路3.1 放大电路产生零点漂移的主要原因是[ ]A.放大倍数太大B.采用了直接耦合方式C.晶体管的噪声太大D.环境温度变化引起参数变化3.2 差动放大电路的设置是为了[ ]A.稳定放大倍数B.提高输入电阻C.克服温漂D.扩展频带3.3 差动放大电路用恒流源代替Re是为了[ ]A.提高差模电压放大倍数B.提高共模电压放大倍数C.提高共模抑制比D.提高差模输出电阻3.4 在长尾式差动放大电路中, Re的主要作用是[ ]A.提高差模电压放大倍数B.抑制零点漂移C.增大差动放大电路的输入电阻D.减小差动放大电路的输出电阻3.4 差动放大电路的主要特点是[ ]A.有效地放大差模信号，强有力地抑制共模信号B.既可放大差模信号，也可放大共模信号C.只能放大共模信号，不能放大差模信号D.既抑制共模信号，又抑制差模信号3.5 若三级放大电路的AV1=AV2=20dB,AV3=30 dB，则其总电压增益为[ ]A. 50dBB. 60dBC. 70dBD. 12000dB3.6 设计一个输出功率为10W的扩音机电路，若用乙类推挽功率放大，则应选两个功率管的功率至少为[ ]A. 1WB. 2WC. 4WD. 5W3.7 与甲类功率放大方式比较，乙类推挽方式的主要优点是[ ]A.不用输出变压器B.不用输出端大电容C.无交越失真D.效率高3.8 乙类放大电路是指放大管的道通角等于[ ]A.360oB.180oC.90oD.小于 90o3.9 集成功率放大器的特点是[ ]A.温度稳定性好，电源利用率高，功耗较低，非线性失真较小。
B.温度稳定性好，电源利用率高，功耗较低，但非线性失真较大。
C.温度稳定性好，功耗较低，非线性失真较小，但电源利用率低。
D.温度稳定性好，非线性失真较小，电源利用率高，功耗也高。
3.10 填空。
1、在三级放大电路中，已知|Au1|=50，|Au2|=80，|Au3|=25，则其总电压放大倍数|Au|= ，折合为 dB。
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解：RW滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流分析如下：
Ad和Ri分析如下：
3.8电路如图P3.8所示，T1管和T2管的β均为40，rbe均为3kΩ。试问：若输入直流信号uI1=20mv，uI2=10mv，则电路的共模输入电压uIC=？差模输入电压uId=？输出动态电压△uO=?
图P3.8
解：电路的共模输入电压uIC、差模输入电压uId、差模放大倍数Ad和动态电压△uO分别为
由于电路的共模放大倍数为零，故△uO仅由差模输入电压和差模放大倍数决定。
3.9电路如图P3.9所示，晶体管的β=50， =100Ω。
（1）计算静态时T1管和T2管的集电极电流和集电极电位；
（2）用直流表测得uO=2V，uI=？若uI=10mv，则uO=？
故在不失真的情况下，输入电压最大有效值Uimax
若Ui＝10mV，则Uo＝1V（有效值）。
若R3开路，则T1和T3组成复合管，等效β≈β1β3，T3可能饱和，使得uO≈－11V（直流）。
若R3短路，则uO≈11.3V（直流）。
（1）写出RW的滑动端在中点时Ad的表达式；
（2）写出RW的滑动端在最右端时Ad的表达式，比较两个结果有什么不同。
图P3.6
解：（1）RW的滑动端在中点时Ad的表达式为
（2）RW的滑动端在最右端时
所以Ad的表达式为
比较结果可知，两种情况下的Ad完全相等；但第二种情况下的 。
3.7图P3.7所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50， =100Ω，UBEQ≈0.7。试计算RW滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流IEQ，以及动态参数Ad和Ri。
3.14电路如图3.14所示。已知电压放大倍数为－100，输入电压uI为正弦波，T2和T3管的饱和压降｜UCES｜=1V。试问：
（1）在不失真的情况下，输入电压最大有效值Uimax为多少伏？
（2）若Ui＝10mv(有效值)，则Uo＝？若此时R3开路，则Uo=？若R3短路，则Uo=？
图P3.14
解：（1）最大不失真输出电压有效值为
第
习题
3.1判断图P3.1所示各两级放大电路中，T1和T2管分别组成哪种基本接法的放大电路。设图中所有电容对于交流信号均可视为短路。
图P3.1
解：（a）共射，共基（b）共射，共射（c）共射，共射
（d）共集，共基（e）共源，共集（f）共基，共集
3.2设图P3.2所示各电路的静态工作点均合适，分别画出它们的交流等效电路，并写出 、Ri和Ro的表达式。
图P3.2
解：（1）图示各电路的交流等效电路如解图P3.2所示。
（2）各电路 、Ri和Ro的表达式分别为
图（a）
图（b）
图（c）
图（d）
解图P3.2
3.3基本放大电路如图P3.3（a）（b）所示，图（a）虚线框内为电路Ⅰ，图（b）虚线框内为电路Ⅱ。由电路Ⅰ、Ⅱ组成的多级放大电路如图（c）、（d）、（e）所示，它们均正常工作。试说明图（c）、（d）、（e）所示电路中
图P3.9
解：（1）用戴维宁定理计算出左边电路的等效电阻和电源为
静态时T1管和T2管的集电极电流和集电极电位分别为
（2）先求出输出电压变化量，再求解差模放大倍数，最后求出输入电压，如下：
△uO＝uO－UCQ1≈－1.23V
若uI=10mv，则
3.10试写出图P3.10所示电路Ad和Ri的近似表达式。设T1和T2的电流放大系数分别为β1和β2，b-e间动态电阻分别为rbe1和rbe2。
解：在图（a）所示电路中
在图（b）所示电路中
3.5电路如图P3.1（c）（e）所示，晶体管的β均为80，rbe均为1.5kΩ，场效应管的gm为3mA/V；Q点合适。求解 、Ri和Ro。
解：在图（c）所示电路中
在图（e）所示电路中
3.6图P3.6所示电路参数理想对称，β1＝β2＝β，rbe1＝rbe2＝rbe。
图P3.12
解：首先求出输出电压和输入电压的变化量，然后求解差模放大倍数。
，若rbe=1kΩ，则Ad＝－540。
3.13电路如图P3.13所示，T1～T5的电流放大系数分别为β1～β5，b-e间动态电阻分别为rbe1～rbe5，写出 、Ri和Ro的表达式。
图P3.13
解: 、Ri和Ro的表达式分析如下：
（1）哪些电路的输入电阻比较大；
（2）哪些电路的输出电阻比较小；
（3）哪个电路的 = 最大。
图P3.3
解:（1）图（d）、（e）所示电路的输入电阻较大。
（2）图（c）、（e）所示电路的输出电阻较小。
（3）图（e）所示电路的 最大。
3.4电路如图P3.1（a）（b）所示，晶体管的β均为50，rbe均为1.2kΩ，Q点合适。求解 、Ri和Ro。
图P3.10
解：Ad和Ri的近似表达式分别为
3.11电路如图P3.11所示，T1和T2的低频跨导gm均为2mA/V。试求解差模放大倍数和输入电阻。
图P3.11
解：差模放大倍数和输入电出图P3.12所示电路的Ad。设T1与T3的低频跨导gm均为2mA/V，T2和T4的电流放大系数β均为80。