APD光电二极管
APD光电二极管特性(精)
APD光电二极管特性
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内容
1.APD光电二极管一般性能
2.倍增因子
3.过剩噪声因子
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目标
1．了解PIN光电二极管一般性能2．ຫໍສະໝຸດ 解倍增因子3．了解过剩噪声因子
重点
难点
1、掌握查看APD光电二极管的参数表，并根据参数表选型。
教学
方法
讲授、讨论、总结
教学
过程
讲授：
1.APD光电二极管一般性能
例举Si材料和InGaAs材料的雪崩光电二极管的参数表格，APD光电二极管的参数
包括光谱响应范围、峰值波长、灵敏度、量子效率、击穿电压、击穿电压温度系数、暗电流、截止波长、结电容、附加噪声指数和增益等。以及两者的特点和应用场合。
2.倍增因子
倍增因子是APD输出光电流和一次光生电流的比值，APD的响应度比PIN增加了g
倍。现有的APD的g值已达几十甚至上百，随反向偏压、波长和温度变化
3.过剩噪声因子
过剩噪声因子F是由于雪崩效应的随机性引起噪声增加的倍数。附加噪声指数与器件所用的材料和工艺相关，并例举了硅、锗和铟镓砷几种材料的附加噪声指数。
小结：
课堂总结
雪崩光电二极管的缺点
雪崩光电二极管的缺点
雪崩光电二极管（Avalanche Photodiode, APD）具有以下缺点：
1. 噪声较高：由于雪崩效应的引入，APD会产生额外的噪声，其中包括增殖噪声和雪崩噪声。
增殖噪声是由于光子在增殖区域内被增殖过程引入的噪声，而雪崩噪声是由于雪崩效应引起的电子雪崩和底部级的噪声。
2. 温度敏感性强：APD的性能会受到环境温度的影响。
具体
而言，温度的变化会引起雪崩区域能带的改变，进而影响增益和噪声特性。
3. 光电效率较低：虽然APD的增益较高，但其光电效率相对
较低。
这是由于雪崩效应所需要的高压偏置，以及本身内部的损耗和反射等原因造成的。
4. 比较脆弱：相比于普通光电二极管，APD在外部机械或热
应力下更容易破裂或损坏，因此在使用和处理时需要特别小心。
5. 成本较高：APD的制造工艺相对复杂，需要高质量的材料
和严格的制作过程，因此其成本较高，使得其在某些应用场景中不太经济实用。
综上所述，虽然雪崩光电二极管具有高增益和高灵敏度的优点，但其也存在噪声较高、温度敏感性强、光电效率较低、易损坏和成本较高等一些缺点。
因此，在具体应用中需要根据实际需求和场景来选择是否使用APD。
雪崩光电二极管特点
雪崩光电二极管特点雪崩光电二极管（Avalanche Photodiode，简称APD）是一种用于光电转换的器件，它具有一些独特的特点和优势。
本文将对雪崩光电二极管的特点进行详细解释，并在标题中心扩展下进行描述。
1. 雪崩放大效应：雪崩光电二极管通过雪崩放大效应来增强光电转换的效率。
当光子入射到APD中时，产生的电子被高电场加速，撞击到晶格中的原子，使其激发出更多的载流子。
这种级联的雪崩效应可以将光子能量转化为电流信号，并使其放大，从而提高光电转换的灵敏度。
2. 高增益：与传统的光电二极管相比，雪崩光电二极管具有更高的增益。
其内部的雪崩效应可以使电子数目成倍增加，从而大幅度提高输出信号的强度。
这使得雪崩光电二极管在弱光条件下具有更高的信噪比和探测灵敏度，可以探测到较弱的光信号。
3. 宽波长响应范围：雪崩光电二极管的波长响应范围较宽，可以覆盖可见光、红外光等多个波段。
这使得它在不同应用领域具有广泛的适用性。
例如，可以用于光通信、光谱分析、光电检测等领域。
4. 低噪声：雪崩光电二极管具有较低的噪声特性，这是因为它在雪崩放大过程中产生的噪声被级联放大后被抑制。
这使得它在高速光通信和高精度测量等应用中具有优势。
5. 高速响应：由于雪崩放大过程的快速响应特性，雪崩光电二极管具有较高的响应速度。
它可以快速转换光信号为电流信号，适用于高速光通信和高速数据传输等应用。
6. 低工作电压：相比于光电二极管，雪崩光电二极管的工作电压较低。
这使得它在功耗上具有优势，可以降低系统的能耗。
7. 较小尺寸：雪崩光电二极管具有较小的尺寸，重量轻，体积小。
这使得它在集成光学系统和微型设备中的应用更加方便。
雪崩光电二极管具有雪崩放大效应、高增益、宽波长响应范围、低噪声、高速响应、低工作电压和较小尺寸等特点。
这些特点使得它在光通信、光谱分析、光电检测等领域具有广泛的应用前景。
未来随着技术的进一步发展，相信雪崩光电二极管将在更多领域展现出其独特的优势和潜力。
APD光电二极管特性测试实验
APD光电二极管特性测试实验一、实验目的1、学习掌握APD光电二极管的工作原理2、学习掌握APD光电二极管的基本特性3、掌握APD光电二极管特性测试方法4、了解APD光电二极管的基本应用二、实验内容1、A PD光电二极管暗电流测试实验2、A PD光电二极管光电流测试实验3、A PD光电二极管伏安特性测试实验4、A PD光电二极管雪崩电压测试实验5、A PD光电二极管光电特性测试实验6、A PD光电二极管时间响应特性测试实验7、A PD光电二极管光谱特性测试实验三、实验仪器1、光电探测综合实验仪2、光通路组件3、光照度计4、光敏电阻及封装组件1套5、2#迭插头对（红色，50cm）10根6、2#迭插头对（黑色，50cm）10根7、三相电源线1根8、实验指导书1本9、示波器1台四、实验原理雪崩光电二极管APD—Avalanche Photodiode是具有内部增益的光检测器，它可以用来检测微弱光信号并获得较大的输出光电流。
雪崩光电二极管能够获得内部增益是基于碰撞电离效应。
当PN结上加高的反偏压时，耗尽层的电场很强，光生载流子经过时就会被电场加速，当电场强度足够高（约3x105V / cm）时，光生载流子获得很大的动能，它们在高速运动中与半导体晶格碰撞，使晶体中的原子电离，从而激发出新的电子一空穴对，这种现象称为碰撞电离。
碰撞电离产生的电子一空穴对在强电场作用下同样乂被加速，重复前一过程，这样多次碰撞电离的结果使载流子迅速增加，电流也迅速增大，这个物理过程称为雪崩倍增效应。
图6-1为APD的一种结构。
外侧与电极接触的P区和N区都进行了重掺杂，分别以P+和N+表示；在I区和\+区中间是宽度较窄的另一层P区。
APDJ：作在大的反偏压下，当反偏压加大到某一值后，耗尽层从\+-P结区一直扩展（或称拉通）到P+区，包括了中间的P层区和I区。
图4的结构为拉通型APD的结构。
从图中可以看到，电场在I区分布较弱，而在\+-P区分布较强，碰撞电离区即雪崩区就在\+-P区。
apd二极管原理
apd二极管原理APD二极管原理引言•介绍APD二极管的基本概念•提出文章的目的和结构什么是APD二极管•APD二极管是一种高增益光电探测器•APD全称为Avalanche Photodiode，中文译为雪崩光电二极管•基于PN结构构建，具有正向偏置电压•在光照射下产生光电效应，从而产生电流光电效应•光电效应是指光子与材料相互作用，导致材料中的电子被激发•光子能量大于材料中的禁带宽度，才能激发电子跃迁•典型光电效应包括光致电离、内光电效应等PN结构•PN结构由两种材料（P型和N型）通过P-N结连接而成•P型材料富含空穴，N型材料富含自由电子•在P-N结处会形成耗尽层，形成电场雪崩效应•雪崩效应是APD二极管的关键特性•在高电场作用下，载流子产生雪崩增加•高能电子与原子碰撞，释放更多电子和空穴•形成二次电子和空穴，进一步增强载流子增益工作原理•APD二极管在正向偏置电压下工作•光子通过PN结被吸收，产生电子空穴对•电子空穴被电场加速，进入耗尽层•电子空穴经历雪崩效应，产生二次电子空穴对•电流增加，进一步放大光电信号应用领域•通信领域：APD二极管用于高速光通信系统，提供更高的增益和灵敏度•激光雷达：APD二极管用于激光雷达接收模块，提供远距离探测能力•生物医学：APD二极管用于医学成像，加强低强度光信号的检测结论•总结APD二极管的原理和工作机制•强调APD二极管在各个领域的应用前景以上即为APD二极管原理的相关解释和应用，希望本文能帮助读者对APD二极管有更深入的了解。
参考文献： - 参考文献1 - 参考文献2增益机制•APD二极管的增益是通过雪崩效应实现的•雪崩效应是指在高电场下，载流子的能量足够高，可以撞击晶格产生二次电子和空穴•这种雪崩过程导致载流子数量指数级增加，从而放大光电信号构造和材料•APD二极管的结构与普通的光电二极管类似，但在PN结处加入了雪崩区域•雪崩区域通常是由高掺杂的P型或N型材料构成，以保证高电场条件•常用的材料有硅（Si）和锗（Ge），具有良好的光电特性工作原理详解光子吸收•当光照射到APD二极管上时，光子的能量被吸收，激发出电子空穴对•光子的能量必须大于材料的禁带宽度，才能激发出电子空穴对加速过程•得到电子空穴对后，加速电场将它们分离•电子受到负电场的作用，向P型区移动；空穴受到正电场的作用，向N型区移动•这个过程称为电子和空穴的漂移运动雪崩过程•当电子或空穴足够靠近雪崩区域时，电场将其能量加速到足够高•在高能电子或空穴与原子碰撞时，会释放更多电子和空穴•释放的电子和空穴进一步加速，形成二次电子空穴对•这个过程称为雪崩效应，导致载流子数量增加信号放大•雪崩过程中产生的二次电子空穴对会继续被加速•因此，光电信号得到了放大，就像一个雪球滚雪一样•这个增益效应使APD二极管能够检测到非常微弱的光信号总结APD二极管通过雪崩效应实现高增益，光子被吸收后产生电子空穴对，加速电场将其分离，并在雪崩区域产生二次电子空穴对，最终实现光电信号的放大。
apd原理
apd原理APD原理。
APD（Avalanche Photodiode）是一种光电二极管，它具有内部增益，能够将光信号转换为电信号。
在光通信、激光雷达、光谱分析等领域，APD被广泛应用，其原理和特性对于光电子技术有着重要的意义。
APD的工作原理是基于光电效应和雪崩放大效应。
当光子进入APD的活动区时，会激发电子-空穴对的产生，这些电子-空穴对会在电场的作用下被加速，产生电流。
与普通的光电二极管相比，APD具有内部增益，这是因为在电场的作用下，电子-空穴对会发生雪崩放大效应，产生更多的载流子，从而使光信号得到放大。
APD的内部增益使得它具有更高的灵敏度和更低的噪声水平。
这使得APD在低光功率条件下能够提供更好的信噪比，从而提高了光信号的检测性能。
因此，APD在弱光信号检测方面具有明显的优势。
此外，APD还具有快速响应速度和宽波长范围的特点。
由于雪崩放大效应的存在，APD的响应速度比普通光电二极管更快，这使得它在高速光通信和激光雷达等领域有着广泛的应用。
同时，APD对于波长的响应范围也比较宽，能够接收多种波长的光信号，这使得它在光谱分析和光学成像等方面具有重要的作用。
然而，APD也存在一些缺点，比如工作电压较高、温度敏感性强、制造工艺复杂等。
这些缺点使得APD的应用受到一定的限制，需要在实际应用中加以注意和克服。
总的来说，APD作为一种重要的光电器件，在光通信、激光雷达、光谱分析等领域发挥着重要作用。
它的内部增益特性使得它在低光功率条件下具有优越的性能，快速响应速度和宽波长范围也使得它有着广泛的应用前景。
随着光电子技术的不断发展，相信APD在未来会有更广泛的应用和更深入的研究。
雪崩光电二极管
雪崩光电二极管（APD）1. 简介雪崩光电二极管（Avalanche Photodiode，简称APD）是一种特殊类型的光电二极管，通过利用光电效应将光能转化为电能。
与常规光电二极管相比，APD具有更高的增益和更低的噪声特性，使其在光通信、光电探测、光谱分析等领域中被广泛应用。
本文将介绍雪崩光电二极管的工作原理、特性以及应用领域等内容。
2. 工作原理APD的工作原理基于光电效应和雪崩效应。
光电效应：当光照射到APD的光敏区域时，光子激发了其中的电子，使其获得足够的能量越过禁带，成为自由电子。
这些自由电子在电场的作用下会向电极方向移动，产生电流。
雪崩效应：在雪崩区域，APD的结构被特别设计，使电子在电场的加速下能获得更高的能量，足够激发带负电量的离子。
这些离子再次被电场加速，撞击晶体结构，从而释放出更多的电子，形成一次雪崩放大效应。
这样，通过雪崩效应，每个光子都可以导致多个电子的释放，从而使APD具有较高的增益。
3. 特性APD具有以下几个主要特性：3.1 增益APD具有极高的增益特性，通常在100倍到1000倍以上。
这使得APD能够检测非常弱的光信号，并提供更高的信号到噪声比。
高增益也意味着APD可以克服光电二极管的缺点，如光元件的电子热噪声和放大噪声。
3.2 噪声APD的噪声水平相对较低，主要由雪崩噪声和暗电流噪声构成。
雪崩噪声是由于雪崩效应引起的电荷起伏。
暗电流噪声是与温度相关的内部电流，可以通过降低工作温度来减少。
3.3 响应速度APD的响应速度较高，可以达到几百兆赫兹的范围。
这使得APD适合于高速通信和高频率测量应用。
3.4 饱和功率APD具有饱和功率的概念，也称为最大接收功率。
这是指当光强度超过一定阈值时，APD的增益将不再增加，并导致其输出信号畸变。
因此，在设计APD应用时，需要注意光功率的控制，以避免饱和和信号畸变。
4. 应用领域APD在以下领域中得到了广泛应用：4.1 光通信APD可以提供高增益和低噪声的特性，使其成为光通信系统中常用的接收器元件。
apd原理
apd原理APD原理。
APD（Avalanche Photodiode）是一种特殊的光电二极管，它利用光电效应将光信号转换为电信号。
与普通的光电二极管相比，APD具有更高的灵敏度和更低的噪声，因此在光通信、光雷达、光谱分析等领域有着广泛的应用。
APD的工作原理主要基于光电效应和雪崩效应。
当光子照射在APD的PN结上时，光子的能量被转化为电子的动能，从而在PN结中产生电子-空穴对。
这些电子-空穴对会在电场的作用下被分离，电子被加速向P区，空穴被加速向N区，最终在PN结中产生电流。
这一过程就是光电效应的基本原理。
而在APD中，由于PN结中的电场非常强，当电子-空穴对被加速时，它们会获得足够的能量，使得在碰撞过程中每个电子都能够激发更多的电子-空穴对。
这种现象被称为雪崩效应，它使得APD具有了放大光信号的能力。
因此，APD可以将弱光信号放大到可以被检测的水平，从而提高了光检测的灵敏度。
除了雪崩效应，APD还具有其他一些特点。
例如，由于雪崩效应的存在，APD 的噪声非常低，这使得它在低光水平下的性能优于普通光电二极管。
此外，APD还具有较快的响应速度和较宽的频率响应范围，这使得它在高速通信和高频率信号检测中有着广泛的应用。
在实际应用中，APD的性能受到许多因素的影响。
例如，APD的工作温度、偏置电压、光子入射角度等都会对其性能产生影响。
因此，在设计和使用APD时，需要综合考虑这些因素，以保证其性能达到最佳状态。
总的来说，APD是一种具有放大功能的光电二极管，它利用光电效应和雪崩效应将光信号转换为电信号，并具有灵敏度高、噪声低、响应速度快等特点。
在光通信、光雷达、光谱分析等领域有着广泛的应用前景。
通过对APD工作原理的深入理解，可以更好地发挥其在各种应用中的优势，推动光电子技术的发展。
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实验六 APD光电二极管特性测试
一、实验目的
1、学习掌握APD光电二极管的工作原理
2、学习掌握APD光电二极管的基本特性
3、掌握APD光电二极管特性测试方法
4、了解APD光电二极管的基本应用
二、实验内容
1、APD光电二极管暗电流测试实验
2、APD光电二极管光电流测试实验
3、APD光电二极管伏安特性测试实验
4、APD光电二极管雪崩电压测试实验
5、APD光电二极管光电特性测试实验
6、APD光电二极管时间响应特性测试实验
7、APD光电二极管光谱特性测试实验
三、实验仪器
1、光电探测综合实验仪 1个
2、光通路组件 1套
3、光照度计 1台
4、光敏电阻及封装组件 1套
5、2#迭插头对（红色，50cm） 10根
6、2#迭插头对（黑色，50cm） 10根
7、三相电源线 1根
8、实验指导书 1本
9、示波器 1台
四、实验原理
雪崩光电二极管APD—Avalanche Photodiode是具有内部增益的光检测器，它可以用来检测微弱光信号并获得较大的输出光电流。
雪崩光电二极管能够获得内部增益是基于碰撞电离效应。
当PN 结上加高的反偏压时，耗尽层的电场很强，光生载流子经过时就会被电场加速，当电场强度足够高(约3x105V／cm)时，光生载流子获得很大的动能，它们在高速运动中与半导体晶格碰撞，使晶体中的原子电离，从而激发出新的电子一空穴对，这种现象称为碰撞电离。
碰撞电离产生的电子一空穴对在强电场作用下同样又被加速，重复前一过程，这样多次碰撞电离的结果使载流子迅速增加，电流也迅速增大，这个物理过程称为雪崩倍增效应。
图6-1为APD的一种结构。
外侧与电极接触的P区和N区都进行了重掺杂，分别以P+和N+表示；在I区和N+区中间是宽度较窄的另一层P区。
APD工作在大的反偏压下，当反偏压加大到某一值后，耗尽层从N+-P结区一直扩展(或称拉通)到P+区，包括了中间的P层区和I 区。
图4的结构为拉通型APD的结构。
从图中可以看到，电场在I区分布较弱，而在N+-P区分布较强，碰撞电离区即雪崩区就在N+-P区。
尽管I区的电场比N+-P区低得多，但也足够高(可达2x104V／cm)，可以保证载流子达到饱和漂移速度。
当入射光照射时，由于雪崩区较窄，不能充分吸收光子，相当多的光子进入了I区。
I区很宽，可以充分吸收光子，提高光电转换效率。
我们把I区吸收光子产生的电子-空穴对称为初级电子-空穴对。
在电场的作用下，初级光生电子从I区向雪崩区漂移，并在雪崩区产生雪崩倍增；而所有的初级空穴则直接被P+层吸收。
在雪崩区通过碰撞电离产生的电子-空穴对称为二次电子-空穴对。
可见，I区仍然作为吸收光信号的区域并产生初级光生电子-空穴对，此外它还具有分离初级电子和空穴的作用，初级电子在N+-P区通过碰撞电离形成更多的电子-空穴对，从而实现对初级光电流的放大作用。
图6-1 APD的结构及电场分布
碰撞电离产生的雪崩倍增过程本质上是统计性的，即为一个复杂的随机过程。
每一个初级光生电子-空穴对在什么位置产生，在什么位置发生碰撞电离，总共碰撞出多少二次电子一空穴对，这些都是随机的。
因此与PIN光电二极管相比，APD的特性较为复杂。
APD的雪崩倍增因子M定义为
M=I P/I P0
式中：I P是APD的输出平均电流；I P0是平均初级光生电流。
从定义可见，倍增因子是APD的电流增益系数。
由于雪崩倍增过程是一个随机过程，因而倍增因子是在一个平均之上随机起伏的量，雪崩倍增因子M的定义应理解为统计平均倍增因子。
M随反偏压的增大而增大，随W的增加按指数增长。
APD的噪声包括量子噪声、暗电流噪声、漏电流噪声、热噪声和附加的倍增噪声。
倍增噪声是APD中的主要噪声。
倍增噪声的产生主要与两个过程有关，即光子被吸收产生初级电子-空穴对的随机性和在增益区产生二次电子-空穴对的随机性。
这两个过程都是不能准确测定的，因此APD倍增因子只能是一个统计平均
的概念，表示为<M>，它是一个复杂的随机函数。
由于APD具有电流增益，所以APD的响度比PIN的响应度大大提高，有
R0=<M>(I P/P)=<M>(ηq／hf)
量子效率只与初级光生载流子数目有关，不涉及倍增问题，故量子效率值总是小于1。
APD的线性工作范围没有PIN宽，它适宜于检测微弱光信号。
当光功率达到几uw以上时，输出电流和入射光功率之间的线性关系变坏，能够达到的最大倍增增益也降低了，即产生了饱和现象。
、APD的这种非线性转换的原因与PIN类似，主要是器件上的偏压不能保持恒定。
由于偏压降低，使得雪崩区变窄，倍增因子随之下降，这种影响比PIN的情况更明显。
它使得数字信号脉冲幅度产生压缩，或使模拟信号产生波形畸变，因而应设法避免。
在低偏压下APD没有倍增效应。
当偏压升高时，产生倍增效应，输出信号电流增大。
当反偏压接近某一电压V B时，电流倍增最大，此时称APD被击穿，电压V B称作击穿电压。
如果反偏压进一步提高，则雪崩击穿电流使器件对光生载流子变的越来越不敏感。
因此APD的偏置电压接近击穿电压，一般在数十伏到数百伏。
须注意的是击穿电压并非是APD的破坏电压，撤去该电压后APD仍能正常工作。
APD的暗电流有初级暗电流和倍增后的暗电流之分，它随倍增因子的增加而增加；此外还有漏电流，漏电流没有经过倍增。
APD的响应速度主要取决于载流子完成倍增过程所需要的时间，载流子越过耗尽层所需的渡越时间以及二极管结电容和负载电阻的RC时间常数等因素。
而渡越时间的影响相对比较大，其余因素可通过改进结构设计使影响减至很小。
五、实验准备
1、实验之前，请仔细阅读光电探测综合实验仪说明，弄清实验箱各部分的功能及拨位开关的意义；
2、当电压表和电流表显示为“1＿”是说明超过量程，应更换为
合适量程；
3、连线之前保证电源关闭。
4、实验过程中，请勿同时拨开两种或两种以上的光源开关，这样会造成实验所测试的数据不准确。
六、实验步骤
1、APD光电二极管暗电流测试
实验装置原理框图如图6-2所示
图6-2
（1）组装好光通路组件，将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连（红为正极，黑为负极），将光源调制单元J4与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。
（2）“光源驱动单元”的三掷开关BM2拨到“静态特性”，将拨位开关S1，S2，S3，S4，S5，S6，S7均拨下。
（3）“光照度调节”调到最小，连接好光照度计，直流电源调至最小，打开照度计，此时照度计的读数应为0。
（4）按图6-2所示的电路连接电路图，直流电源选择电源1,负载R L选择R L11=100K欧,电流表选择200uA档.
（5）打开电源开关，缓慢调节直流电源电位器,直到微安表显示有读数为止,记录此时电压表U和电流表的读数I.I即为APD光电二极管在U偏压下的暗电流.
(注:在测试暗电流时,应先将光电器件置于黑暗环境中30分钟以
上,否则测试过程中电压表需一段时间后才可稳定)
（6实验完毕，直流电源调至最小,关闭电源，拆除所有连线。
2、APD光电二极管光电流测试
（1）组装好光通路组件，将照度计显示表头与光通路组件照度计
探头输出正负极对应相连（红为正极，黑为负极），将光源调制单元
J4与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。
（2）“光源驱动单元”的三掷开关BM2拨到“静态特性”，将拨位
开关S1拨上，S2，S3，S4，S5，S6，S7均拨下。
（3）按图6-2所示的电路连接电路图，直流电源选择电源1,负载
R L选择R L11=100K欧,电流表选择200uA档.
（4）打开电源，缓慢调节光照度调节电位器，直到光照为300lx （约为环境光照），缓慢调节直流电源电位器,直到微安表显示有读数
有较大变化为止,记录此时电压表U和电流表的读数I.I即为APD光电
二极管在U偏压下的光电流.
（5）实验完毕，将光照度调至最小，直流电源调至最小，关闭电源，拆除所有连线。
3、APD光电二极管伏安特性
（1）组装好光通路组件，将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连（红为正极，黑为负极），将光源调制单元J4与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。
（2）“光源驱动单元”的三掷开关BM2拨到“静态”，将拨位开关S1拨上，S2，S3，S4，S5，S6，S7均拨下。
（3）按图6-2所示的电路连接电路图，直流电源选择电源1，负
载R L选择R L11=100K欧。
（3）打开电源顺时针调节照度调节旋钮，使照度值为200Lx，保持光照度不变，调节电源电压电位器，使反向偏压为0V、50V，100V、120V、130V、140V、150V、160V、170V、180V时的电流表读数，填入下表，关闭电源。
(注:在测试过程中应缓慢调节电位器,待电压表和电流表稳定后方。