光电二极管的特性及原理
光电二极管的特点
光电二极管的特点光电二极管是一种能将光能转化为电能的半导体器件。
它具有以下特点：1. 光电转换效率高：光电二极管能够将光能有效转换为电能。
当光照射到光电二极管的PN结时，光子的能量会被转移到导带内的电子上，使其跃迁到导带上形成电流。
光电转换效率高意味着光电二极管能够更有效地将光能转化为电能，提高能源利用效率。
2. 灵敏度高：光电二极管对光的响应速度快，能够实时感受光的变化。
当光照强度改变时，光电二极管能够迅速产生对应的电流变化。
这种高灵敏度使得光电二极管在光控制、光测量等领域有广泛的应用。
3. 响应频率宽：光电二极管对光信号的响应频率范围广，可以接收从红外到紫外的各种波长的光信号。
不同材料制成的光电二极管对不同波长的光信号有不同的响应范围，可根据需求选择合适的光电二极管。
4. 反向漏电流小：光电二极管在反向电压下的漏电流很小，这是因为在正向偏置时，PN结的电子和空穴会被推向相反的方向，从而减小了反向电流。
这种特性使得光电二极管在需要保持较低电流的应用中非常有效，例如在光传感器中。
5. 工作电压低：光电二极管在正向偏置时的工作电压一般较低，通常在几伏至十几伏之间。
这使得光电二极管可以通过低电压驱动，降低了能耗，提高了电路的稳定性。
6. 结构简单、体积小：光电二极管的结构相对简单，通常由一个PN结构组成。
这使得光电二极管的制造成本较低，便于大规模生产。
此外，光电二极管的体积小，重量轻，便于集成和嵌入到各种设备中。
光电二极管作为光电转换器件，具有高转换效率、高灵敏度和快速响应等特点，被广泛应用于各个领域。
在通信领域，光电二极管用于接收和发送光信号，实现光纤通信。
在光测量领域，光电二极管用于测量光强、光谱分析和光学检测等。
在光控制领域，光电二极管可以用于光敏开关、光敏电路等。
此外，光电二极管还广泛应用于光电传感器、光电显示器、太阳能电池等领域。
光电二极管具有高效、快速、灵敏、稳定等特点，是一种重要的光电转换器件。
光电二极管工作在什么状态-光电二极管的特性和工作原理
光电二极管工作在什么状态?光电二极管的特性和工作原理一个典型的光电二极管模型包含以下关键元素，一个二极管并联一个电流源，并且电流源与光强成正比。
寄生元件CD和RD会影响器件性能。
光伏模式-光电流在如图2所示的环路中流淌，并且给二极管供应正向偏置。
由于二极管的电压电流间成对数关系，因此空载的输出电压与光电流间近似成对数关系，并且通过RD 上的一个小电流得到修正。
所以输出电压与光强之间是高度非线性的关系。
某些应用将很受益于对数关系,由于在很大的范围内，光强的转变(眼睛是完善的对数型)会使电压发生类似的转变。
由于二极管电压电流特性与温度相关，电压与光强之间的肯定关系很差。
在光伏模式下，二极管电容限制了频率响应。
光强的快速转变会对CD进行充放电。
这并不是用于快速响应的模式。
输出端可以引入缓冲，或者输出端也可以进行同相放大。
为了实现低的输入偏置电流，可以使用CMOS或者JFET的运算放大器。
从而在低的光强的状况下，运放不至于成为光电二极管的负载。
在光伏模式下的输出功率，当输出端引入负载时电压会有明显的下降。
为了输出最高的功率，所采纳的负载值由光强打算。
光敏模式-二极管电压为常量，如图3所示，通常为0V。
通常会使用跨阻放大器来将光电流转换为电压。
可以通过对光电二极管加反向偏置的方法来降低它的电容，但这会造成暗电流的泄露。
当二极管两端没有正向电压的时候，响应与光强之间是成线性关系的。
此外，二极管电容两端的电压不会随着光强的转变而转变，因此频率响应大大改善了。
由于电容在负反馈的回路中形成了一个极点，因此很有必要降低电容的值。
为了实现稳定性的，通常引入一个反馈电容CF。
仅仅通过加载一个大约50欧姆左右的阻值的光电二极管，你就可以从光敏模式中得到许多好处。
假如二极管电压没超过20 mV，就没必要对二极管进行正向偏置，同时响应也是是合理的并且快速的。
然而灵敏度会很低。
雪崩式光电二极管是特别的模式，需要对其供应接近于击穿电压的反向偏置电压。
物理实验技术中的光电二极管特性测量与分析
物理实验技术中的光电二极管特性测量与分析光电二极管是一种能够将光能转化为电能的器件，广泛应用在光电传感器、光通信、光电测量和光谱分析等领域。
在物理实验技术中，测量和分析光电二极管的特性对于研究光电效应、了解器件性能以及优化实验设计都具有重要意义。
一、光电二极管原理和基本特性光电二极管的原理是基于光电效应，利用光照射在PN结上产生电子-空穴对，使得PN结两端产生电压。
其关键特性包括响应频率、光电流、暗电流、光电流增益等。
测量这些特性需要合适的实验装置和方法来获取准确的结果。
二、光电二极管特性的测量方法1. 频响特性测量频响特性测量是评估光电二极管对光信号变化的响应速度的重要方法。
常用的实验装置包括函数发生器、光源和示波器。
通过改变函数发生器输入的正弦光信号频率，测量光电二极管输出的电流或电压的变化，从而得到频响特性曲线。
这些曲线反映了光电二极管的截止频率、带宽和相移等信息。
2. 光电流和暗电流测量光电流和暗电流是衡量光电二极管敏感度的重要指标。
光电流指的是光照射下二极管产生的输出电流，可以通过连接电流表或电流放大器进行测量。
而暗电流是指在没有光照射的情况下，二极管自身产生的微弱电流。
暗电流直接影响光电二极管的信噪比和稳定性，需要特殊的实验装置和方法进行测量。
三、光电二极管特性分析测量得到的光电二极管特性数据可以通过分析得到有关器件性能的重要信息。
以下是几个典型的分析方法：1. 截止频率和带宽分析利用频响特性曲线可以确定光电二极管的截止频率和带宽。
截止频率是指光电二极管对信号频率的响应达到3dB衰减的频率，可以通过对频响特性进行插值计算得到。
带宽是指光电二极管在特定条件下能够传输信号的频率范围，可以根据频响特性曲线的满足条件进行判断。
2. 光电流增益分析光电流增益是指光电二极管单位光功率入射时输出电流的增益。
可以通过将测得的光电流与已知的入射光功率相除得到。
光电流增益反映了光电二极管对光信号的放大效果，是评估器件性能的重要指标。
光电二极管的工作原理与特性
光电二极管的工作原理与特性光电二极管是一种能够将光能转化为电能的器件，广泛应用于电子和通信领域。
它的工作原理主要依赖于光电效应和半导体材料的特性。
本文将从两个方面探讨光电二极管的工作原理和特性。
一、光电效应和光电二极管的原理光电效应是指当光照射到物质表面时，光的能量被吸收，使得物质中的电子受到激发而被释放出来。
光电二极管利用光电效应将光转化为电流。
当光照射到光电二极管的PN结上时，光子的能量使得PN结区域的电子跃迁到导带能级，形成电子空穴对。
PN结是光电二极管的核心结构，是由P型半导体和N型半导体接触形成的。
P 型半导体中的杂质原子需要提供电子，而N型半导体中的杂质原子需要接受电子。
当两者结合时，形成一个电子富集区和一个电子亏损区。
当光照射到PN结上时，光子的能量使得PN结中的电子跃迁到导带能级，空穴留在价带能级上。
这样，导体区域就形成了电子流，产生了电压和电流。
二、光电二极管的特性1. 灵敏度：光电二极管的灵敏度指的是对光信号的响应能力。
灵敏度通常由两个因素决定：一是光电二极管的材料，二是光电二极管的面积。
在相同条件下，材料的光吸收能力越强、面积越大，光电二极管的灵敏度就越高。
2. 响应时间：光电二极管的响应时间指的是从光照射到电流形成的时间。
这个时间取决于载流子在半导体材料中的移动速度。
通常情况下，硅双向二极管的响应时间约为微秒级，而光电二极管的响应时间可以达到纳秒级。
3. 饱和电流和暗电流：在没有光照射时，光电二极管的导电能力是极低的，这时的电流被称为暗电流。
当光照射到光电二极管上时，电流会迅速增加，最终趋于稳定，这时的电流被称为饱和电流。
饱和电流和暗电流的大小与光强度和温度有关。
4. 光电二极管的频率特性：光电二极管对不同频率的光信号有不同的响应能力。
在较低的频率下，光电二极管的响应能力较高；而在较高的频率下，由于载流子的移动速度限制，光电二极管的响应能力会下降。
总结：光电二极管是一种利用光电效应将光能转化为电能的器件。
光电检测实验报告光电二极管
光电检测实验报告光电二极管
与实验报告有关
一、实验目的
本实验旨在探究光电二极管的基本特性，了解不同参数对光电二极管
的作用原理。
二、实验原理
光电二极管是一种特殊的半导体器件，由一个P半导体和一个N半导
体组成。
其结构类似于普通的二极管，它是由一块金属片和一块硅片组成的。
金属片在表面覆盖着一层半导体材料层，而硅片则覆盖着一层P沟槽，形成一个PN结构，这就是光电二极管的基本结构。
当光电二极管接受到
外部光照时，在P层和N层之间就会产生电子-空穴对，并促使电子向N
层移动，从而在P层和N层之间构成一个电流，也就是由光引起的电流。
三、实验设备
1、光源：LED灯泡；
2、示波器：用于测量光电二极管的输出电流与电压；
3、电源：用于给光电二极管提供电势；
4、电阻：用于限制光电二极管的输出电流；
5、光电二极管：本次实验使用的是JH-PJN22；
6、多用表：用于测量电流、电压。
四、实验步骤
1、用多用表测量光电二极管JH-PJN22的参数，测量其正向电压和正向电流与LED照射强度的关系；
2、设置由电源、电阻和光电二极管组成的电路，并使用示波器测量输出电流和电压；。
光电二极管的工作原理
光电二极管的工作原理光电二极管是一种常见的半导体光电转换器件，它广泛应用于光电传感、通信、显示器、光电探测等领域。
本文将详细介绍光电二极管的工作原理，从材料结构到工作机制，力求给读者一个全面准确的了解。
一、材料结构光电二极管的基本结构由P型和N型半导体材料构成，两种材料之间形成PN结。
P型材料中有过量的空穴，N型材料中有过量的电子。
当两种材料通过合适的技术处理后，形成PN结，其中N区为光电二极管的负极（阳极），P区为正极（阴极）。
PN结两侧的PN结空间区域成为势垒区。
二、工作原理光电二极管的工作原理基于光电效应和PN结的正向偏置。
当有外加电压施加在PN结上并使得P区为正极，N区为负极时，即形成正向偏置，光电二极管处于导通状态。
在正向偏置下，当光线照射到势垒区时，光子能量被传递给PN结的电子和空穴。
光子能量充足时，晶格中的电子将吸收能量跃迁到导带中，而空穴也能从导带中被光子激发出来。
这种光电激发过程导致PN结势垒区的载流子数目增加，进而提高了光电二极管的导电性能。
光电二极管的电流与光照强度之间呈正比关系。
当光照强度增加时，吸收的光子数量也增加，导致PN结势垒区载流子数量增加，电流增大。
而当无光照射时，光电二极管处于关断状态，电流极低。
三、特性和应用1. 光电二极管具有快速响应的特点，响应时间在纳秒级别，适合高频光信号传输；2. 具有高灵敏度，能够感应并转换微弱光信号，广泛应用于光电探测领域；3. 具有低噪声和低功耗的特点，在通信和光信号传输领域应用广泛；4. 具有较大的工作温度范围，适应各种环境条件。
在实际应用中，光电二极管被广泛应用于各个领域。
在光电传感方面，光电二极管常用于光电计、光电门、光电开关等产品中，能够感应到光线的变化并转换成电信号。
在通信领域，光电二极管用于光通信设备中的接收光模块，实现光信号的接收和转换。
此外，光电二极管也广泛应用于光电探测、光源检测、光电显示器和光电传感器等领域。
光电二极管及其放大电路设计
光电二极管及其放大电路设计引言：光电二极管作为一种常见的光电转换元件，具有灵敏度高、响应速度快等优点，在光电传感、光通信等领域得到广泛应用。
本文将介绍光电二极管的原理和特性，并详细说明光电二极管放大电路的设计过程。
一、光电二极管的原理和特性光电二极管是一种PN结构的半导体器件，其工作原理基于内部光电效应。
当光照射到PN结上时，光子激发了半导体材料中的载流子，使得PN结两侧形成电势差，从而产生电流。
光电二极管的响应频率范围广泛，从红外到紫外均可覆盖。
光电二极管具有以下特性：1. 高灵敏度：光电二极管能够转换光信号为电信号，其灵敏度高于一般的光敏元件。
2. 快速响应：光电二极管的响应速度快，能够实现高频率的光信号检测和转换。
3. 低噪声：光电二极管的噪声水平较低，能够提供较为清晰的信号输出。
4. 宽波长范围：光电二极管的响应波长范围广，可用于各种光学应用。
二、光电二极管放大电路设计为了提高光电二极管的信号输出，常常需要设计放大电路来增强信号的幅度和稳定性。
以下将介绍光电二极管放大电路的设计步骤。
1. 选择适当的放大电路类型根据应用需求和光电二极管的特性，可以选择不同类型的放大电路，如共射放大电路、共基放大电路和共集放大电路等。
其中，共射放大电路是最常用的一种，具有较高的电流增益和输入阻抗。
2. 确定电路元件参数根据光电二极管的特性和输入信号的要求，确定放大电路的电路参数，如电阻、电容和功率源等。
通过计算和仿真，可以获得最佳的电路参数组合。
3. 进行电路布局和连接根据电路设计原理，进行电路布局和元件连接。
要注意保持电路的简洁和稳定，避免干扰和噪声。
4. 进行电路测试和优化完成电路布局和连接后，进行电路测试和优化。
可以通过示波器和信号发生器等设备，观察光电二极管输出信号的波形和幅度，并对电路进行调整和优化。
5. 确定电路的工作点和稳定性在电路测试和优化后，需要确定电路的工作点和稳定性。
通过调整偏置电压和电流，使得电路在正常工作范围内，输出稳定的放大信号。
光电二极管等效电路
光电二极管等效电路1. 介绍光电二极管（Photodiode）是一种能够将光信号转换为电信号的半导体器件。
它广泛应用于光电探测、通信以及光测量等领域。
光电二极管的等效电路模型是对其工作原理的简化和抽象，可以用于分析和设计光电二极管电路。
本文将全面介绍光电二极管的等效电路以及其相关内容，包括光电二极管的基本原理、等效电路模型及其参数、光电二极管的特性和应用等方面。
2. 光电二极管基本原理光电二极管是一种由PN结构构成的器件，其工作原理基于内部的光伏效应。
当光照射到光电二极管的PN结上时，光子的能量被转化为电子的能量，进而产生电流。
光电二极管的基本原理可以用以下几个步骤来描述：•光子的能量被吸收，产生电子-空穴对；•电子和空穴被电场分离并被导电路径收集；•电流流过串联电阻，形成电压输出。
3. 光电二极管等效电路模型及参数为了方便分析和设计光电二极管电路，人们引入了等效电路模型来代替光电二极管的复杂结构。
光电二极管的等效电路模型包括电流源、电阻和光照控制开关。
3.1 等效电路模型光电二极管的等效电路模型如下图所示：┌── Co ── Rs ──┐──►│ ◄──└── Il ───────┘其中，•Co代表光电二极管的电容，主要反映了光电二极管的响应速度；•Rs代表串联电阻，用于限制电流，同时也是光电二极管的输出电压与输入光照强度之间的关系；•Il代表光电流源，源的电流大小与光照强度成正比。
3.2 参数说明•响应时间（Response Time）：光电二极管从开始接收光信号到输出电流稳定的时间；•光电流（Photocurrent）：由光照射到光电二极管上产生的电流；•光电二极管的电容（Photodiode Capacitance）：由光电二极管本身结构引起的电容；•波长响应特性（Wavelength Response Characteristic）：光电二极管对不同波长光的响应情况。
4. 光电二极管特性光电二极管具有许多独特的特性，对于光电二极管的选型和应用有着重要的影响。
简述光电二极管的工作原理
光电二极管的工作原理一、光电二极管的基本概念1.1 光电二极管的定义光电二极管（Photodiode）是一种能够将光信号转换为电信号的半导体器件。
它是一种光电转换器件，能够将光子的能量转变为电子的能量，并产生电流输出。
1.2 光电二极管的分类根据不同的工作原理和结构，光电二极管可以分为以下几类： 1. PN结光电二极管 2. 管式光电二极管 3. 稳压光电二极管 4. 反射式光电二极管 5. PIN结光电二极管二、PN结光电二极管的工作原理2.1 PN结光电二极管的结构PN结光电二极管是一种最常见且应用最广泛的光电二极管。
它由P型和N型半导体材料组成，中间形成PN结。
在PN结的两端设置正负电源，形成一个正向偏置的二极管。
2.2 PN结光电二极管的工作原理当光线照射到PN结上时，会产生光生电子及空穴对。
其中，光生电子会被PN结的电场分离，向N区移动；而空穴会被电场分离，向P区移动。
这样，就在PN结两侧建立了阳极和阴极之间的电压，从而产生电流。
但需要注意的是，PN结的工作原理并不是简单的光生电子和空穴对的分离。
在实际应用中，还需要考虑PN结的正向偏压、载流子的扩散和漂移过程、缺陷等因素。
三、光电二极管的特性参数3.1 光电流和光电压光电流（Photocurrent）是光照射到光电二极管时产生的电流。
当光强度增大时，光电流也会相应增大。
光电压（Photovoltage）是光电二极管在光照射下产生的电压。
其大小与光电二极管的尺寸和材料参数有关。
3.2 光电二极管的响应速度光电二极管的响应速度是指光电二极管对光信号变化的快慢程度。
它取决于光电载流子的寿命、扩散长度和漂移速度等因素。
3.3 光电二极管的谱响应范围光电二极管的谱响应范围是指在光照射下，光电二极管能够产生电流的波长范围。
不同材料的光电二极管具有不同的谱响应范围。
四、光电二极管的应用4.1 光电二极管在光通信中的应用光电二极管在光通信中广泛应用于光信号检测、光电转换和光检测等领域。
光电二极管有光输出低电平无光输出高电平
光电二极管是一种用于将光信号转换为电信号的器件，其在现代电子技术领域有着广泛的应用。
光电二极管基本工作原理是在光照射下产生电流，从而改变电阻，使得电压输出发生变化。
具体来说，光电二极管有光输出低电平无光输出高电平的特性，这一特性使得它在光敏电路中被广泛应用。
以下就光电二极管的工作原理、特性以及应用进行详细介绍：一、光电二极管的工作原理1. 光电二极管利用半导体材料的光电效应来产生电流。
当光照射到光电二极管上时，光子能量会被半导体材料吸收，激发其中的电子，使得电子从价带跃迁到导带，从而在外加电压的作用下产生电流。
2. 光电二极管通常由P-N结构构成，当光照射到P-N结的P区时，产生电子-空穴对，从而引起电流的变化。
二、光电二极管的特性1. 光电二极管具有快速的响应速度。
由于光电二极管利用光信号直接产生电流，因此其响应速度非常快，能够满足各种高速信号的需求。
2. 光电二极管的灵敏度较高。
光电二极管对光的响应灵敏度较高，能够捕捉到微弱的光信号，并将其转换为电信号输出。
3. 光电二极管的输出特性。
根据光照强度的不同，光电二极管的输出电压也有所不同。
在有光照射的情况下，光电二极管的输出电压较低，而无光照射时，其输出电压较高。
三、光电二极管的应用1. 光电传感器。
光电二极管常被用于光电传感器中，通过光电二极管对光信号的敏感特性，可以实现对于光信号的捕捉和测量，广泛应用于光电开关、光电计数器等领域。
2. 光通信。
光电二极管也被广泛应用于光通信领域，通过将光信号转换为电信号，实现了光通信系统中的信号检测和接收。
3. 光电显示。
光电二极管还可以用于光电显示器件中，通过其对光信号的转换作用，实现了光电显示应用。
总结：光电二极管具有光输出低电平无光输出高电平的特性，这一特性使得其在光敏电路中有着广泛的应用，包括光电传感器、光通信、光电显示等领域。
随着现代电子技术的不断发展，光电二极管的应用前景将更加广阔。
光电二极管（Photodiode）是一种用于将光信号转换为电信号的器件，其在现代电子技术领域具有极其广泛的应用。
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光电二极管
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以光导模式工作的结型光伏探测器称为光电二极管
种类：PN结型光电二极管（也称PD）PIN结型光电二极管
雪崩光电二极管（记为APD）
肖特基势垒光电二极管
光电三极管
……
定义：
•制造一般光电二极管的材料几乎
全部选用硅或锗的单晶材料。
•由于硅器件较之锗器件暗电流温
度系数小得多
•制作硅器件采用平面工艺使其管
芯很容易精确控制
因此硅光电二极管得到广泛应用
3
硅光电二极管的结构
硅光电二极管的两种典型结构，其中(a)是采用N型单晶硅和扩散工艺，称为p＋n结构。
它的型号是2CU型。
而(b)是采用P型单晶和磷扩散工艺，称n＋p结构。
它的型号为2DU型。
2CU型
2DU型
p+n结构硅光电二极管(2CU)
反向电压偏置
5
6
硅光电二极管的封装
光敏二极管
光敏二极管的反向偏置接线及
光照特性示意图
•在没有光照时，
由于二极管反向偏
置，反向电流（暗
电流）很小。
当光照增加
时，光电流I Φ与
光照度成正比关
系。
光敏光敏二极二极管的反向
偏置接法
R L 光照
光敏二极管外形
包含1024个InGaAs元件
的线性光电二极管阵列，可用
于分光镜。
硅光电二极管的特性
1.光谱特性
2.伏安特性
3.频率特性
4.温度特性
（1）光谱响应特性
通常将其峰值响应波长的电流灵敏度作为光电二极管的电流灵敏度。
硅光电二极管的电流响应率通常在0.4~05µA/µW
Si光电二极管光谱响
应范围：0.4~1.1µm
峰值响应波长约为
0.9 µm
（2）伏安特性
由图可见，在低反压下电
流随光电压变化非常敏感。
这是由于反向偏压增加使耗尽层加宽、结电场增强，它对于结区光的吸收率及光生裁流子的收集效率影响很大。
当反向偏压进一步增加时，光生载流子的收集已达极限，光电流就趋于饱和。
这时，光电流与外加反向偏压几乎无关，而仅取决于入射光功率。
光电二极管在较小负载电阻下，入射光功率与光电流之间呈现较好的线性关系。
图示出了在一定的负偏压下，光电二极管光电流输出特性。
（3）频率响应特性
光电二极管的频率特性响应主要由三个因素决定：
(a)光生载流子在耗尽层附近的扩散时间；
(b)光生载流子在耗尽层内的漂移时间；
(c)与负载电阻R L并联的结电容Ci所决定的电路时间常数。
频率特性优于光电导探
测器,适宜于快速变化的
光信号探测。
某些光敏二极管的特性参数
2、PIN光电二极管原理
由于PN结耗尽层只有几微米，大部分入射光被中性区吸收，因而光电转换效率低，响应速度慢。
为改善器件的特性，在PN结中间设置一层本征半导体(称为I)，这种结构便是常用的PIN光电二极管。
P-Si
I-Si
N-Si
PN管结构
PIN管结构
PIN 管结构示意图
PIN PIN管的结构：在管的结构：在管的结构：在P P 型半导体和型半导体和N
N 型半导体之间夹着一层本征半导体。
层本征半导体。
因为本征层相对于
因为本征层相对于P 区和N 区是高阻区这样，这样，PN PN PN结的内电场就基本上全集中于结的内电场就基本上全集中于结的内电场就基本上全集中于 I I 层中。
层中。
P-Si
N-Si
I-Si
I层很厚，吸收系数很小，入射光很容易进入材料内部被充分吸收而产生大量电子- 空穴对，因而大幅度提高了光电转换效率，从而使灵敏度得以提高。
两侧P层和N层很薄，吸收入射光的比例很小，I层几乎占据整个耗尽层，因而光生电流中漂移分量占支配地位，从而大大提高了响应速度。
P-Si
I-Si
N-Si
I层所起的作用:
本征层的引入，明显增大了p+区的耗尽层的厚度，这有利于缩短载流子的扩散过程。
耗尽层的加宽，也可以明显减少结电容C j,从尔使电路常数减小。
同时耗尽加宽还有利于对长波区的吸收。
性能良好的PIN光电二极管，扩散和漂移时间一般在10-10 s数量级，频率响应在千兆赫兹。
实际应用中决定光电二极管的频率响应的主要因素是电路的时间常数。
合理选择负载电阻是一个很重要的问题。
PN结PIN结
� 频带宽（可达频带宽（可达10GHz 10GHz 10GHz）
）� 灵敏度高� 线性输出范围宽� 噪声低PIN 光电二极管的特点
PIN硅光电二极管特点：
频带宽，可达10GHz。
另一个特点是线性输出范围宽。
由耗尽层宽度与外加电压的关系可知，增加反向偏压会使耗尽层宽度增加，从而结电容要进一步减小，使频带宽度变宽。
不足：I层电阻很大，管子的输出电流小，一般多为零点几微安至数微安。
电
流
照度
PIN光电二极管性能
3、雪崩光电二极管（APD）
PIN型光电二极管提高了PN结光电二极管的时间响应，但对器件的灵敏度没有多少改善。
为了提高光电二极管的灵敏度，人们设计了雪崩光电二极管，使光电二极管的光电灵敏度提高到需要的程度。
雪崩光电二极管是利用PN结在高反向电压下产生的雪崩效应来工作的一种二极管。
雪崩光电二极管是具有内增益的一种光伏器件。
它利用光生载流子在强电场内的定向运动产生雪崩效应，以获得光电流的增益。
在雪崩过程中，光生载流子在强电场的作用下高速定向运动，具有很高动能的光生电子或空穴与晶格原子碰撞，使晶格原子电离产生二次电子－空穴对；二次电子和空穴对在电场的作用下获得足够的动能，又使晶格原子电离产生新的电子－空穴对，此过程像“雪崩”似地继续下去。
电离产生的载流子数远大于光激发产生的光生载流子数，这时雪崩光电二极管的输出电流迅速增加。
APD 载流子雪崩式倍增示意图
+-I 0
N
P P(N)
高速运动的电子和晶格原子相碰撞， 使晶格原子电离，产生新的电子 - 空穴对。
新产生的二次电子再次和原子碰撞。
如此多次碰撞，产生连锁反应，致使载流子雪崩式倍增。
所以这种器件就称为雪崩光电二极管(APD)。
� 雪崩光电二极管(APD )
U
I 0
0U B
雪崩光电二极管输出电流I 和反偏压U 的关系示于图。
随着反向偏压的增加，开始光电流基本保持不变。
当反向偏压增加到一定数值时，光电流急剧增加，最后器件被击穿，这个电压称为击穿电压U B 。
光电二极管输出电流I 和反向偏压U 的关系
雪崩光电二极管的电流增益用倍增系数或雪崩增益M表示，它定义为:
倍增系数M与PN结所加的反向偏压有关。
一般在100～200V。
也有的管子工作电压更高。
0 i i
M=
i为输出电流，i0为倍增前的电流.
雪崩光电二极管特点:
•雪崩光电二极管具有电流增益大，灵敏度高，频率响应快，带宽可达100GHz。
是目前响应最快的一种光敏二极管。
它在微弱辐射信号的探测方向被广泛地应用。
•在设计雪崩光敏二极管时，要保证载流子在整个光敏区的均匀倍增，这就需要选择无缺陷的材料，必须保持更高的工艺和保证结面的平整。
•其缺点是工艺要求高，受温度影响大。
APD光电二极管性能。