半导体制造技术总结教学文案
半导体工艺期末总结
半导体工艺期末总结一、引言半导体工艺是指将半导体材料制备成电子器件的过程，它是半导体技术的重要组成部分。
随着电子技术的不断发展，半导体工艺在各个领域中扮演着至关重要的角色。
本文将对半导体工艺进行总结，包括工艺流程、材料制备、设备使用等方面的内容。
二、半导体工艺流程半导体工艺流程是整个制造过程的核心部分。
一般而言，半导体工艺流程主要包括掩膜制备、腐蚀与刻蚀、沉积与生长、光刻涂胶与曝光、清洗与去胶等多个步骤。
这些流程步骤各自有不同的工艺条件、设备和材料要求，需要进行精确的操作与控制。
1. 掩膜制备掩膜制备是半导体工艺流程的起始步骤。
通常情况下，掩膜是通过光刻技术在硅片表面制备的。
光刻是一种利用光敏材料对光进行化学反应的技术，常用的光刻材料有光刻胶、光刻膜等。
光刻涂胶是在硅片上涂敷光刻胶，然后对光刻胶进行光刻曝光，形成所需形状的掩膜图案。
2. 腐蚀与刻蚀腐蚀与刻蚀是用来改变材料表面形貌与物理性质的工艺步骤。
常用的刻蚀方法有湿刻蚀和干刻蚀两种。
湿刻蚀是利用化学液体对材料进行腐蚀，常用的湿刻蚀液有硝酸、氟酸等。
干刻蚀是利用离子束或等离子体对材料表面进行刻蚀，常用的干刻蚀设备有反应离子刻蚀机 (RIE) 和平衡磁控溅射机 (PECVD)。
3. 沉积与生长沉积与生长是制备薄膜或材料电子元件的基础步骤。
主要包括化学气相沉积 (CVD)、物理气相沉积 (PVD)、溅射等技术。
其中，化学气相沉积是在封闭容器中将前体材料的气体传送到衬底上，沉积出所需的薄膜。
物理气相沉积是利用溅射或热蒸发的方式将材料沉积在衬底上，通常需要较高的真空度。
4. 光刻涂胶与曝光光刻涂胶与曝光是半导体工艺中重要的步骤，用来制备掩膜。
通常，涂胶需要先将硅片进行清洗，然后通过旋涂机将光刻胶涂敷在硅片表面。
之后，将涂敷光刻胶的硅片放入光刻机中进行曝光。
曝光是利用掩膜上的图案通过光照到硅片表面，使光刻胶进行固化形成掩膜图案。
5. 清洗与去胶清洗与去胶是半导体工艺中的最后步骤，用来去除不需要的杂质与胶层。
半导体技术工作总结
半导体技术工作总结一、引言随着科技的飞速发展，半导体技术在各种领域中发挥着至关重要的作用。
在过去的一年中，我有幸参与了半导体技术的研究与开发工作。
本文将对我的工作内容进行详细的阐述，并对所取得的成果进行总结和评价。
二、工作背景与目标我所参与的半导体技术项目主要集中在芯片设计和制造过程中。
项目的目标是提高芯片的性能、降低功耗，同时优化制造成本。
为了实现这一目标，我们采用了先进的材料和工艺技术，并致力于解决实际制造过程中遇到的技术难题。
三、工作内容1、研究与开发：在项目周期内，我对半导体材料和工艺进行了深入研究。
我参与了材料选择与优化、电路设计、仿真与优化等方面的工作。
此外，我还与团队成员密切合作，共同解决了在研发过程中遇到的技术难题。
2、数据分析与报告：我对实验数据进行了详细分析，通过对比不同材料和工艺的优劣，为团队提供了有价值的参考意见。
我还负责撰写技术报告，向项目负责人汇报研究成果。
3、沟通与协作：我积极参与团队内部的讨论与交流，与团队成员分享经验和知识。
我还负责与其他部门进行沟通，确保项目的顺利进行。
四、成果总结经过团队的不懈努力，我们取得了以下成果：1、成功研发出一种新型的半导体材料，该材料具有优异的导电性能和稳定性，为提高芯片性能提供了有力保障。
2、通过优化电路设计和制造工艺，我们成功降低了芯片的功耗。
相较于传统芯片，我们的芯片在保持高性能的同时，功耗降低了20%。
3、通过精细化管理和优化生产流程，我们成功降低了芯片的制造成本。
相较于传统芯片，我们的芯片制造成本降低了15%。
4、我们成功解决了在研发和制造过程中遇到的关键技术难题，为项目的顺利进行提供了有力支持。
五、结论与展望在过去的的一年中，我参与的半导体技术项目取得了显著的成果。
通过深入研究、数据分析与报告以及沟通与协作，我们成功研发出一种新型的半导体材料，优化了电路设计和制造工艺，降低了芯片的功耗和制造成本。
这些成果为公司在半导体领域的发展提供了有力支持。
“半导体材料总结”教案讲义
“半导体材料总结”教案讲义标题：半导体材料总结教案讲义一、教学背景分析半导体材料是现代电子技术中最重要的材料之一，广泛应用于集成电路、太阳能电池、发光二极管等领域。
本教案将通过对半导体材料的总结，帮助学生深入了解半导体材料的特性、分类及应用。
二、教学目标1.了解半导体材料的定义及基本特性。
2.掌握半导体材料的分类并了解各自特点。
3.了解半导体材料的主要应用领域。
三、教学重点与难点1.掌握半导体材料的基本特性和分类。
2.理解半导体材料的应用。
四、教学步骤及内容Step 1：引入（5分钟）通过图片或视频展示一些常见的半导体材料和应用例子，引发学生对半导体材料的兴趣。
Step 2：讲解半导体材料的定义及基本特性（15分钟）1.定义：半导体材料是介于导体和绝缘体之间的一类材料，具有在一定条件下能导电或控制电流流动性能的特点。
2.基本特性：a.能带结构：介绍半导体材料的价带和导带的能量位置，以及价带和导带之间的禁带宽度。
b.电子与空穴：解释电子和空穴在半导体中的运动特性和性质。
c.温度特性：说明半导体材料的温度对导电性能的影响。
Step 3：分类与特点（20分钟）1.半导体材料的分类：a.元素半导体：以硅（Si）和锗（Ge）为代表，具有较纯净的晶体结构。
b.化合物半导体：由不同元素化学结合形成，如GaAs、InP等。
c.有机半导体：以含碳化合物为主，如聚合物和小分子材料。
2.各类半导体材料的特点：a.元素半导体：稳定、易制备、表面质量好，但禁带宽度较大。
b.化合物半导体：禁带宽度可调节、载流子迁移率高，但制备难度大。
c.有机半导体：可塑性好、制备方便，但载流子迁移率低。
Step 4：应用领域（15分钟）1.集成电路：半导体材料作为集成电路的基础材料，广泛应用于计算机、手机等电子产品中。
2.太阳能电池：半导体材料通过光电效应将光能转化为电能，成为太阳能电池的核心材料。
3.发光二极管：利用半导体材料发生复合效应导致发光，被广泛应用于照明、显示等领域。
半导体培训总结范文
半导体培训总结范文在当今高科技领域中，半导体技术的重要性不言而喻。
作为电子器件的核心组成部分，半导体在计算机、通信、医疗设备等各个领域发挥着至关重要的作用。
因此，为了满足市场需求并培养高素质的半导体专业人才，半导体培训显得尤为重要。
我有幸参加了一次半导体培训，这次经历让我对半导体技术有了更深入的了解，并且提升了我的实践能力和解决问题的能力。
在培训过程中，我学到了许多关于半导体材料、器件和工艺的知识。
首先，培训课程深入浅出地介绍了半导体材料的基本概念和特性。
我了解到，半导体是一种介于导体和绝缘体之间的材料，其导电性能可以通过控制材料的掺杂来改变。
此外，我还了解到半导体材料的能带结构对其电子输运性能的影响，并学习了常见的半导体材料，如硅和砷化镓。
其次，培训课程详细介绍了半导体器件的种类和原理。
我学习了二极管、晶体管和集成电路等常见的半导体器件，并深入了解了它们的工作原理和应用。
这些知识使我能够更好地理解和分析电路中的问题，并能够根据需求选择适当的器件。
在培训的实践环节中，我有机会亲自操作半导体器件并进行相关实验。
这些实践活动不仅加深了我对半导体器件的理解，还培养了我的实验技能和团队合作能力。
通过与同学们一起解决实验中遇到的问题，我学会了如何快速分析和解决实际情况下的技术挑战。
此外，培训还介绍了半导体工艺的基本概念和流程。
我了解到，半导体器件的制造过程包括清洗、掺杂、沉积、蚀刻等多个步骤，每个步骤都需要严格的操作和控制。
通过学习这些工艺知识，我更加意识到半导体器件制造的复杂性和精确性要求，进一步加深了我对半导体技术的敬畏之心。
通过这次半导体培训，我不仅学到了丰富的专业知识，还培养了实践能力和解决问题的能力。
我相信这些技能将对我未来的职业发展产生积极的影响。
同时，我也认识到半导体技术的发展迅猛，需要不断学习和更新知识。
因此，我将继续努力学习，并积极参与相关的培训和研讨活动，以不断提升自己在半导体领域的专业水平。
半导体技术年度总结(3篇)
第1篇一、引言2023年，全球半导体行业经历了前所未有的挑战与机遇。
从技术突破到市场变革，从国际合作到竞争加剧，半导体技术领域呈现出多元化的发展趋势。
本文将对2023年半导体技术领域的重大事件、创新成果和市场动态进行总结，以期为广大读者提供一幅2023年半导体技术的全景图。
二、技术创新与突破1. 芯片制造工艺- 3nm工艺：台积电宣布成功生产3nm芯片，成为全球首个实现3nm工艺量产的半导体公司。
该工艺采用GAA（栅极全环绕）晶体管技术，大幅提升芯片性能和能效。
- 2nm工艺：三星宣布2025年量产2nm芯片，继续推动半导体工艺创新。
该工艺采用先进的后端供电网络技术和MBCFET架构，进一步提升性能和能效。
2. 芯片设计- Chiplet技术：Chiplet技术成为芯片设计领域的新宠，通过将芯片分割成多个小芯片（Chiplet），实现灵活的设计和快速迭代。
- AI芯片：随着人工智能技术的快速发展，AI芯片需求旺盛。
多家企业推出高性能AI芯片，如华为的昇腾系列、英伟达的A100等。
3. 新材料与器件- 第三代半导体：氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等第三代半导体材料在功率器件、射频器件等领域得到广泛应用。
- 新型存储器：新型存储器如存储类内存（ReRAM）、铁电存储器（FeRAM）等逐渐走向市场，有望替代传统的闪存和DRAM。
三、市场动态1. 全球半导体市场：2023年，全球半导体市场规模达到5143亿美元，同比增长9.8%。
其中，中国市场占比达到32.2%，成为全球最大的半导体市场。
2. 中国半导体产业：中国政府加大对半导体产业的扶持力度，推动产业快速发展。
2023年，中国半导体产业增加值达到1.1万亿元，同比增长12.4%。
3. 并购与投资：全球半导体行业并购活动频繁，如英特尔收购Mobileye、英伟达收购Arm等。
同时，多家半导体企业获得巨额投资，如高通、台积电等。
四、国际合作与竞争1. 国际合作：全球半导体产业合作日益紧密，如台积电与三星、英特尔与Arm等企业之间的合作。
半导体课程总结心得体会(2篇)
第1篇随着科技的飞速发展，半导体技术已经成为现代社会不可或缺的一部分。
在大学期间，我有幸学习了半导体课程，通过这门课程的学习，我对半导体技术有了更加深入的了解。
以下是我对这门课程的学习心得体会。
一、课程概述半导体课程是一门研究半导体材料、器件及其应用的学科。
它涵盖了半导体物理、半导体器件原理、集成电路设计等多个方面。
通过这门课程的学习，我们可以了解到半导体技术的基本原理、发展历程、应用领域以及未来的发展趋势。
二、课程内容回顾1. 半导体物理在半导体物理部分，我们学习了半导体材料的性质、能带结构、载流子输运等基本概念。
通过对半导体物理的学习，我了解到半导体材料是如何通过掺杂、能带调控等手段实现导电性的。
此外，还学习了半导体器件的基本原理，如二极管、晶体管等。
2. 半导体器件原理在半导体器件原理部分，我们重点学习了晶体管的工作原理、特性及其在集成电路中的应用。
通过对晶体管的学习，我认识到晶体管是现代电子技术的基础，其性能直接影响着集成电路的性能。
3. 集成电路设计集成电路设计部分主要介绍了集成电路的基本概念、设计方法、工艺流程等。
通过学习，我了解到集成电路设计是一个复杂的过程，需要综合考虑电路性能、工艺制程、成本等多方面因素。
4. 半导体技术发展与应用在半导体技术发展与应用部分，我们了解了半导体技术的应用领域，如通信、计算机、消费电子等。
同时，还学习了我国半导体产业的发展现状及未来发展趋势。
三、学习心得体会1. 深入理解半导体技术的重要性通过学习半导体课程，我深刻认识到半导体技术在现代社会中的重要性。
半导体技术是信息时代的基石，它的发展对国家经济、国防、民生等领域都具有重要意义。
2. 培养严谨的学术态度在半导体课程的学习过程中，我逐渐养成了严谨的学术态度。
在学习过程中，我注重理论与实践相结合，努力将所学知识运用到实际问题中。
3. 提高创新能力半导体技术发展迅速，新理论、新技术层出不穷。
在学习过程中，我努力培养自己的创新能力，敢于质疑、勇于探索，为我国半导体技术的发展贡献自己的力量。
半导体制造技术实践总结
半导体制造技术实践总结报告姓名：学号：学科：学院：导师姓名：指导教师：2014 年春季学期一、实践目的通过生产实习学习半导体器件与集成电路相关制造工艺原理，掌握半导体工艺设备的结构原理、操作方法和半导体制造工艺技术以及工艺过程测试与分析方法，并学以致用、理论联系实际，巩固和理解所学的理论知识。
同时了解半导体器件和集成电路的新工艺和新技术，积累实践知识，拓宽专业知识面，为器件和集成电路的设计与制造奠定基础。
另外，培养在实际生产过程中发现问题、分析问题、解决问题和独立工作的能力，增强综合实践能力，建立劳动观念、实践观念和创新意识，树立实事求是、严肃认真的科学态度，提高综合素质。
同时生产实践也是了解本专业发展现状、把握科技前沿脉搏和半导体相关专业理论知识在生产实际中应用状况的重要课堂，开阔专业视野，拓宽专业知识面。
从而巩固专业思想，明确努力方向。
二、实践安排三、实践过程和具体内容学习太阳能电池板的制作过程来了解各个工艺步骤，帮助巩固所学理论知识，初步了解半导体器件的生产实际，提高知识应用和实际动手能力。
1、太阳能电池工作原理太阳能电池板是通过吸收太阳光，将太阳辐射能通过光电效应或者光化学效应直接或间接转换成电能的装置，大部分太阳能电池板的主要材料为“硅”。
太阳电池是一种对光有响应并能将光能转换成电力的器件。
能产生光伏效应的材料有许多种，如：单晶硅，多晶硅，非晶硅，砷化镓，硒铟铜等。
它们的发电原理基本相同，现以晶体硅为例描述光发电过程。
P型晶体硅经过掺杂磷可得N 型硅，形成P-N结。
当光线照射太阳电池表面时，一部分光子被硅材料吸收;光子的能量传递给了硅原子，使电子发生了跃迁，成为自由电子在P-N结两侧集聚形成了电位差，当外部接通电路时，在该电压的作用下，将会有电流流过外部电路产生一定的输出功率。
这个过程的实质是：光子能量转换成电能的过程。
一、太阳能发电方式太阳能发电有两种方式，一种是光—热—电转换方式，另一种是光—电直接转换方式。
半导体专业的工作总结报告
半导体专业的工作总结报告
作为半导体专业的从业者，我深知这个行业的重要性和挑战性。
在过去的一段时间里，我有幸参与了许多项目和工作，积累了丰富的经验，也遇到了不少困难和挑战。
在这篇工作总结报告中，我将分享我在半导体专业工作中所取得的成绩和经验，以及遇到的问题和解决方案。
首先，作为半导体专业的工作者，我参与了多个项目，包括芯片设计、工艺制程优化、设备维护等。
在这些项目中，我不仅提升了自己的专业技能，还学会了团队合作和沟通。
在芯片设计方面，我深入研究了先进的半导体工艺和器件物理，不断优化设计方案，提高了芯片的性能和可靠性。
在工艺制程优化方面，我参与了工艺参数的调试和优化工作，解决了许多生产过程中的技术难题，提高了生产效率和产品质量。
在设备维护方面，我学会了快速定位和解决设备故障，保障了生产线的稳定运行。
其次，我在工作中也遇到了一些问题和挑战。
例如，某些项目需要与不同部门的同事合作，需要协调各方资源和利益；某些技术难题需要深入研究和试验，需要耐心和毅力。
为了解决这些问题，我不断学习和提升自己的综合素质，提高了沟通能力和团队合作能力，也增强了自己的问题解决能力和抗压能力。
最后，我对未来的工作充满信心和期待。
半导体行业是一个充满挑战和机遇的行业，我将继续努力学习和提升自己的专业技能，不断创新和突破，为半导体行业的发展做出更大的贡献。
总之，作为半导体专业的工作者，我将继续努力，不断提升自己的专业素质，为行业的发展贡献自己的力量。
希望通过这篇工作总结报告，能够对同行们有所启发和帮助。
谢谢！。
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第一章2、列出20世纪上半叶对半导体产业发展做出贡献的4种不同产业。
P2答：真空管电子学、无线电通信、机械制表机及固体物理。
3、什么时间、什么地点、由谁发明了固体晶体管？P3 答：1947年12月16日在贝尔电话实验室由威廉·肖克利、约翰·巴丁和沃尔特·布拉顿发明了固体晶体管。
5、列出5个集成时代，指出每个时代的时间段，并给出每个时代每个芯片上的元件数。
P46、什么是硅片？什么是衬底？什么是芯片？答：芯片也称为管芯（单数和复数芯片或集成电路），硅圆片通常被称为衬底8、列出集成电路制造的5个重要步骤，简要描述每个步骤。
P410、列出提高微芯片制造技术相关的三个重要趋势，简要描述每个趋势。
P811、什么是芯片的关键尺寸？这种尺寸为何重要？P9 13、什么是摩尔定律？它预测了什么？这个定律正确吗？P1014、自1947年以来靠什么因素使芯片价格降低？给出这种变化的两个原因。
16、描述硅片技师和设备技师的职责。
P16第三章11.解释pn结反偏时发生的情况。
P45答：导致通过二极管的电流很小，甚至没有电流。
12.解释pn结正偏时发生的情况。
P45答：将一正偏施加于pn结，电路中n区电子从偏压电源负极被排斥。
多余的电子从负极注入到充满空穴的p区，使n区中留下电子的空穴。
同时，p区的空穴从偏压电源正极被排斥。
由偏压电源正极提供的空穴中和由偏压电源负极提供的电子。
空穴和电子在结区复合以及克服势垒电压大大的减小了阻止电流的行为。
只要偏压对二极管能维持一个固定的空穴和电子注入，电流就将持续的通过电路。
13.双极晶体管有多少个电极、结和类型？电极的名称分别是什么？类型名称分别是什么？P46答：有三电极和两个pn结、两种类型。
电极名称：发射极、基极、集电极。
类型名称：pnp、npn.16．BJT是什么类型的放大器器件？它是怎么根据能量要求影响它的应用的？P47答：驱动电流的电流放大器件。
发射极和集电极都是n型的重掺杂，比如砷或磷。
基极是p型杂质硼的轻掺杂。
基极载流子减少，基极吸引的电流将明显地比集电极吸引的电流小。
这种差别说明了晶体管从输入到输出电流的增益。
晶体管能线性地将小的输入信号放大几百倍来驱动输出器件。
18.双极技术有什么显著特征？双极技术的最大缺陷是什么？P48 答：高速、耐久性、功率控制能力。
缺陷：功耗高。
19.场效应晶体管（FET）有什么优点？P49答：利于提高集成度和节省电能。
22.FET的最大优势是什么？P49答：低电压和低功耗。
25.FET的两种基本类型是什么？他们之间的主要区别是什么？P50答：结型（JFET）和金属-氧化物型（MOSFET）半导体。
区别是：MOSFET作为场效应晶体管输入端的栅极由一层薄介质与晶体管的其他两极绝缘。
JFET的栅极实际上同晶体管其他电极形成物理的pn结。
26.MOSFET有哪两种类型？它们怎么区分？P50答：nMOS(n沟道)和pMOS（p沟道）。
每种类型可由各自器件的多数载流子来区分。
第四章1.列举得到半导体级硅的三个步骤。
半导体级硅有多纯？P644.描述非晶材料。
为什么这种硅不能用于硅片？P659.为什么要用单晶进行硅片制造？P6714.什么是CZ单晶生长法？P6822.为什么要用区熔法生长硅晶体？P7123.描述区熔法。
P7125.给出更大直径硅片的三大好处。
P7226.什么是晶体缺陷？P7337.在直径为200mm及以上硅片中切片是怎么进行的？P7741.为什么要对硅片表面进行化学机械平坦化？P7843.列举硅片的7种质量要求。
P79第五章1.什么是物质的四种形态？试分别描述之。
P876.描述三种温标，哪一种是科学工作中最常用的温标？P898.给出真空的定义。
什么是最常用的真空单位，它是怎么定义的？P919.给出冷凝和蒸发的定义。
吸收和吸附之间有什么不同？P91-9211.给出升华和凝华的定义。
P9213.什么是表面张力？P9314.给出材料的热膨胀系数P94。
20.什么是酸？列出在硅片厂中常用的三种酸。
P9521.什么是碱？列出在硅片厂中常用的三种碱。
P9623.什么是溶剂？列出在硅片厂中常用的三种溶剂。
P9724.描述在硅片厂中使用的去离子水的概念。
P9731.什么是处理特殊气体所面临的最大挑战？P9938.描述三种特殊气体并分别举例。
P101第六章4.说明五类净化间沾污。
P1076.解释半导体制造中可以接受的颗粒尺寸的粗略规则。
P1089.什么是MIC?P10913.解释自然氧化层。
识别由自然氧化层引起的三种问题。
P11015.给出在硅片制造中由ESD引起的三种问题。
P11116.列举硅片制造厂房中7种沾污源。
P11230.列举并解释ESD的三种控制方法。
P11734.描述反渗透(RO)过滤。
什么是超过滤？P11939.列举并讨论四类过滤器。
P12142.描述工艺气体的过滤。
P12149.描述微环境，解释为何这种环境在净化间内改善了沾污控制。
P12553.描述RCA清洗工艺。
P12661.列出典型的硅片湿法清洗顺序。
什么是清洗槽？P127第七章1.什么是测量学？集成电路制造中测量学的目的是什么？P1402.缺陷的定义。
硅片缺陷密度是怎样定义的？P1406.半导体质量测量的定义。
列出在集成电路制造中12种不同的质量测量。
陈述使用不同质量测量的工艺。
P142 10.解释四探针法，并给出测方块电阻四探针法的优点。
P144-14512.解释等值线图。
P14513.解释椭偏仪的基本原理。
用椭偏仪测薄膜厚度有哪些优点？P145-14617.用X射线怎样测薄膜厚度？XRF是什么的缩写。
什么是全反射XRF?P14724.什么是亮场探测？什么是暗场探测？P15128.解释什么是每步每片上的颗粒数（PWP）。
P15329.哪些是硅片关键尺寸的主要测量工具。
P15430.解释SEM的主要操作。
P15433.什么是套准精度？陈述并解释测量套准精度的主要技术。
P15636.描述二次离子质谱仪（SMIS）。
P16038.解释什么是原子加力显微镜。
P16241.解释透射电子能显微镜。
P16343.描述聚焦离子束加工并解释它的好处。
P165第八章1．什么是工艺腔？它的五项功能是什么？P1714．半导体制造业中的真空由有什么优点？P1737．什么是平均自由程？为什么它很重要？P17312．描述冷凝泵的原理，并解释其过程。
P17616．列出气流控制中4个基本的对工艺腔的要求。
P178 19．质量流量计的原理是什么？P17823．什么是等离子体？它对工艺腔有什么益处？P181 27．为什么潮湿是工艺腔的一大问题.P18328．列出减少设备维修中的沾污的必要步骤。
P184第九章1．列出芯片厂中6个不同的生产区域并对每一个区域做简单的描述。
P188-1893．举出在高温设备中进行的5步工艺。
P1894．光刻的目的是什么？P18911．举出薄膜区用到的4种不同的设备和工艺。
P191 13．列出典型的CMOS工艺的14个主要生产步骤。
P192 17．离子注入后进行退火工艺的原因是什么？P194 19．什么是浅槽隔离？它取代了什么工艺？P194 25．轻掺杂漏（LDD）注入是如何减少沟道漏电流效应的？P19726．解释侧墙的目的。
P19829．什么是局部互连？P20031．什么是通孔？什么是钨塞？P201第十章1．生长氧化层与淀积氧化层间的区别是什么？P210 3．热预算的定义，解释为什么其不受欢迎。
P211 11．列出热氧化物在硅片制造的6种用途，并给出各种用途的目的。
不懂这题。
14．如果热生长氧化层厚度为2000A，那么硅消耗多少？920A17．举出氧化工艺中掺氯的两个优点。
P21724．解释晶体晶向对氧化物生长的影响。
P218 27．LOCOS是什么，热氧化中如何使用？鸟嘴效应是什么，为什么它不受欢迎？P22028．解释浅槽隔离（STI）。
P22032．什么是热壁炉？P22233．列出卧式炉和立式炉的五个性能因素，判断哪种炉体是最适合的。
P22347．什么是快速热处理（RTP）？相比于传统炉其6大优点是什么？P228第十一章1．什么是多层金属化？它对芯片加工来说为什么是必需的？P2403．解释ILD层的作用。
在芯片中，ILD-1层所在的位置是哪里？P2414．什么是薄膜？列举并描述可接受的薄膜的8个特征。
P2425．什么是深度比？为什么高深度比对ULSI器件很重要？P2436．列举并描述薄膜生长的三个阶段。
P2447．列举淀积的5种主要技术。
P2458．什么是CVD?P24611．识别并描述CVD反应中的8个步骤。
P24720．为什么LPCVD较APCVD更普遍？描述LPCVD的工艺过程。
P25327．什么是PECVD?PECVD和LPCVD的主要差别是什么？P25740．什么是外延？解释自掺杂和外扩散。
P26741．列举并讨论外延的三种方法。
P268第十二章9．列出并讨论引入铜金属化的5大优点。
P28317．描述钨塞填充，并讨论它是怎样被用于多层金属化的？P28918．为什么蒸发作为金属淀积系统被取代？P290 30．在高级IC中，什么是产生钨填充的典型方法？32．解释铜电镀的基本过程。
P29935．列出双大马士革金属化过程的10个步骤。
P302第十三章1．什么是光刻？P3102．描述投影掩膜版和掩膜版的区别。
P3114，定义分辨率。
P3125．什么是套准精度？它对掩膜版的套准容差有什么作用？P3136．讨论工艺宽容度。
P3147．解释负性和正性光刻的区别。
P3148．描述亮场掩膜版。
P31510．列出光刻的8个步骤，并对每一步做出简要解释。
P316 14．HMDS是什么？起到什么作用？P31717．给出硅片制造中光刻胶的两种目的。
P32228．列出并描述I线光刻胶的4种成分。
P32529．负胶的两大缺点是什么？P32634．给出I线正胶具有良好分辨率的原因。
P32735．为什么I线光刻胶不能用在深紫外波长？P328 42．列出并描述旋转涂胶的4个基本步骤。
P330 45．描述边圈去除。
P33346．陈述软烘的4个原因。
P333第十四章3．步进光刻机的三个基本目标是什么？P3427．列出并解释两种形式的光波干涉。
什么是滤波器？P344 8．什么是电磁波谱，什么是UV范围？P3459．列出并描述光刻中使用的两种UV曝光光源。
P346 13．哪种激光器用做248nm的光源？193nm的光源是什么？P34814．什么是空间想干？为什么在光刻中控制它？P348 24．什么是数值孔径？陈述它的公式，包括近似公式。
P353 26．列出并解释硅片表面光反射引起的最主要的两个问题。
P35427．什么是抗反射涂层，它是怎样减小驻波的？P354 28．陈述分辨率公式。