芯片中文手册
OLED驱动芯片SH1106-CN中文数据手册
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5.作者：执著DE心QQ：7820202555.最后修改时间：2018.12.28SH1106中文数据手册特性■支持最大132×64点阵面板■行重新映射和列重新映射（ADC）■嵌入式132×64位SRAM■垂直滚动■工作电压：■片内振荡器-逻辑电源：V DD1=1.65V-3.5V■可编程内部电荷泵电路输出-DC-DC电源：V DD2=3.0V-4.2V■单色无源OLED面板上的256步对-OLED工作电源电压：比度控制外部V PP电源=6.4V-14.0V■功耗低内部V PP发生器=6.4V-9.0V睡眠模式：<5μA■最大段输出电流：200μA VDD1=0V，VDD2=3.0V–4.2V:<5μA■最大公共灌电流：27mA VDD1,2=0V，VPP=6.4V–14.0V:<5μA■8位6800系列并行接口，8位8080■宽工作温度范围：-40至+85°C系列并行接口，3线和4线串行外设■提供COG形式，厚度：300μm接口，400KHz快速I2C总线接口■可编程帧频和复用率一般说明SH1106是一款单芯片CMOS OLED/PLED驱动器，带有控制器，用于有机/聚合物发光二极管点阵图形显示系统。
SH1106由132个段组成，64个公共端可支持132×64的最大显示分辨率。
它专为共阴极型OLED面板而设计。
SH1106嵌入了对比度控制，显示RAM振荡器和高效的DC-DC转换器，减少了外部元件的数量和功耗。
SH1106适用于各种紧凑型便携式应用，如手机，计算器和MP3播放器的子显示器等。
LM5116中文手册(DOC)
LM5116宽范围同步降压控制器概述该LM5116是一个同步降压控制器，适用于高输入电压或宽输入电压的环境中。
其控制方式是电流模式控制，该控制方式是利用一个模拟出来的电流斜坡。
电流模式控制提供了固有的线路前馈，以周期电流限制和易于循环的环路补偿。
电流模式控制提供固有的线性前馈，周期性循环的电流限制以及环路补偿。
仿真控制斜坡的使用可以减少脉宽调制电路的噪声灵敏度，是高输入电压应用中实现小占空比的可靠控制所必需的。
其工作频率可编程，从50kHz 至1MHz。
LM5116是驱动外部高边和低边的NMOS电源开关，这两个MOS管有自适应的死区时间控制。
可由用户选择二极管仿真的模式使芯片在轻负载时能够提高不连续工作模式的效率。
低静态关断电流就能使芯片不工作，并消耗总输入电流中的10μA。
其它特点包括一个高压偏置调节器、能自动切换到外部偏置以提高效率、热关断、频率同步、周期性限流、以及自适应线性欠压锁定。
该芯片选用TSSOP-20的封装，具有一个额外的焊盘以增加散热，这种封装方式在大功率模式下是十分有效的。
特色仿峰值电流模式输入电压范围可达100V低关断电流能驱动标准或逻辑级的MOS管栅极驱动电流可高达3.5A自由运行或同步操作到1MHz可选择的二极管仿真模式输出电压范围1.215V——80V电压基准精度为1.5%可编程限流可编程软启动可编程的线性欠压锁定自动切换到外部偏置电压TSSOP-20EP裸露焊盘热关断典型电路引脚名称描述1 VIN 芯片电源电压，输入电压2 UVLO 如果UVLO引脚的电压低于1.215V，调节器会进入待机模式（VCC调节器工作，开关驱动电路不工作）。
如果UVLO引脚电压高于1.215V，这个调节器正常工作。
可以通过外部分压器来设置欠压关断的阈值。
当EN引脚为高时，这个引脚存在一个固定的5μA上拉电流。
在工作在电流限制模式时，UVLO会每隔256个时钟周期被拉到地。
3 RT/SYNC 内部晶振可以通过一个该引脚和地之间的电阻来设置。
CH395中文手册
交换机 PC
路由器 等网络设备
TXP TXN RXP RXN 以太网信号
2、特点
● 内部自带以太网介质传输层（MAC）和物理层(PHY)。 ● 支持 10/100M，全双工/半双工自适应，兼容 802.3 协议。 ● 支持多种模式的地址过滤。 ● 与 802.3x 全双工流控和半双工背压流控完全兼容。 ● 支持 MDI/MDIX 线路自动转换。 ● 内置 TCP/IP 协议簇，支持 IPv4、DHCP 、ARP、ICMP、IGMP、UDP、TCP 协议。 ● 内置 PPPOE 协议，支持 PAP 和 CHAP 认证。 ● 提供 8 个独立的 Socket 对，可以同时进行数据收发。 ● 提供高速 8 位被动并行接口，支持连接到单片机的并行数据总线。 ● 提供最高 30MHz 速度的 SPI 设备接口，支持连接到单片机的 SPI 串行总线。
长度(2)
获取 Socket 接收数据长度
READ_RECV_BUF_SN 3CH
Socket 索引 长度(2)
数据流(N) 从 Socket 接收缓冲区接收数据
3DH
CLOSE_SOCKET_SN
Socket 索引
关闭 Socket
3EH
SET_IPRAW_PRO_SN
Socket 索引 IP 协议字段
104
52
ELINK 输出
以太网连接通讯指示灯驱动引脚
(注：本表中标注为灰色的引脚，只能承受 3.3V 输入电压，未标注的引脚可承受 3.3V 和 5V 输入。)
CH395 手册（一）
５
5、命令
本手册中的数据，后缀 B 为二进制数，后缀 H 为十六进制数，否则为十进制数。
CH412 中文手册说明书
ESD 保护芯片CH412中文手册 版本：1B 1、概述CH412是四路ESD 保护二极管阵列，能够承受IEC 61000-4-2规定的最高±15KV 人体模型、±8KV 接触放电以及±15KV 气隙放电的ESD 脉冲，用于电子产品对外接口中的高速信号和差分信号以及通用信号的ESD 保护。
CH412K 提供4通道低电容二极管保护和TVS 瞬态电压抑制器箝位，适用于高速和中低速信号，可以用于USB 超速、高速和全速以及低速信号保护。
CH412Z 提供4通道TVS 瞬态电压抑制器箝位，适用于中低速信号，可以用于USB 全速和低速信号保护。
CH412K CH412Z2、特点● 支持±15KV 人体模型HBM 。
● 支持±8KV 接触放电。
● 支持±15KV 气隙放电。
● CH412K ：内部4路独立箝位二极管，典型值1pF 的低输入电容，适用于高速和中低速信号。
● CH412Z ：内部4路TVS 箝位保护，典型值20pF 的输入电容，适用于中低速信号。
● 采用SOT 小体积晶体管级贴片无铅封装，兼容RoHS 。
3、封装封装形式 塑体宽度 引脚间距 封装说明 订货型号 SOT363 1.25mm 49mil 0.65mm 26mil 小型6脚贴片 CH412K SOT353 1.25mm 49mil 0.65mm 26mil 小型5脚贴片 CH412Z 注：1、封装体积较小，正面印字仅有代号而不含全部型号，例如CH412Z 代号是12。
2、盘装，每盘整包装数量为3000只，可以零售，但是零售时不会逐个清点数量。
IO4 IO3 IO3 VCC IO44、型号CH412B已经停产，请换用CH412K，多出的两个通道可以悬空或并联（低速时）。
4、引脚CH412K 引脚号CH412Z引脚号引脚名称类型引脚说明2 2 GND 电源公共接地端，必须直接连接到全局地5 无VCC 电源正电源端，必须靠近引脚对GND连接0.1μF电容，用于USB信号保护时通常为3.3V（或者5V），用于其它信号须同被保护芯片的电源电压（2V～5V）1,3,4,6 1,3,4,5 IO1～IO4 信号ESD保护通道，与被保护芯片的信号引脚并联5、应用说明CH412设计用来与被保护芯片内置的ESD保护一起工作。
AD2S1210芯片手册-中文
One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106, U.S.A.Tel: 781.329.4700 Fax: 781.461.3113 ©2008–2010 Analog Devices, Inc. All rights reserved.功能框图REFERENCE OSCILLATOR(DAC)EXCITATION OUTPUTSAD2S1210E N C O D E R E M U L A T I O NSYNTHETIC REFERENCE RESETDATA I/OINPUTS FROM RESOLVERENCODER EMULATION OUTPUTSVOLTAGE REFERENCEREFERENCEPINSINTERNAL CLOCK GENERATORCRYSTALTYPE IITRACKING LOOP FAULT DETECTIONFAULTDETECTION OUTPUTSPOSITION REGISTERADCADCCONFIGURATIONREGISTERMULTIPLEXERDATA BUS OUTPUTDATA I/OVELOCITY REGISTER07467-001图1.AD2S1210分辨率可变、10位至16位R/D转换器，内置参考振荡器产品特性完整的单芯片旋变数字转换器最大跟踪速率：3125 rps(10位分辨率) 精度：±2.5弧分分辨率：10/12/14/16位，由用户设置 并行和串行10位至16位数据端口 绝对位置与速度输出 系统故障检测可编程故障检测阈值 差分输入增量式编码器仿真内置可编程正弦波振荡器 兼容DSP 和SPI 接口标准电源电压：5 V ，逻辑接口电压2.3 V 至5 V 额定温度范围：−40°C 至+125°C应用直流和交流伺服电机控制 编码器仿真 电动助力转向 电动汽车集成的启动发电机/交流发电机 汽车运动检测与控制概述AD2S1210是一款10位至16位分辨率旋变数字转换器，集成片上可编程正弦波振荡器，为旋变器提供正弦波激励。
M B芯片手册中文版
概述该产品为电池供电的玩具、低压或者电池供电的运动控制应用提供了一种集成的有刷直流马达驱动解决方案。
电路内部集成了采用N沟和P沟功率MOSFET设计的H桥驱动电路，适合于驱动有刷直流马达或者驱动步进马达的一个绕组。
该电路具备较宽的工作电压范围（从2V到9.6V），最大持续输出电流达到2A，最大峰值输出电流达到 3.5A。
该驱动电路内置过热保护电路。
通过驱动电路的负载电流远大于电路的最大持续电流时，受封装散热能力限制，电路内部芯片的结温将会迅速升高，一旦超过设定值(典型值150℃)，内部电路将立即关断输出功率管，切断负载电流，避免温度持续升高造成塑料封装冒烟、起火等安全隐患。
内置的温度迟滞电路，确保电路恢复到安全温度后，才允许重新对电路进行控制。
该驱动电路内置限流保护电路。
当流过功率管的电流超过设定值时，内部电路限流保护电路启动，功率管最大输出电流将被限制在设定值。
该功能可确保电路输出端口与地短路、输出端口之间短路时，电路不烧毁。
特性●低待机电流(小于0.1uA)；●低静态工作电流；●集成的H桥驱动电路；●内置防共态导通电路；●低导通内阻的功率MOSFET管；●内置带迟滞效应的过热保护电路(TSD)；●内置限流保护电路，输出对地短路，输出与输出短路，不烧电路；●抗静电等级：3KV(HBM)。
典型应用●2-6节AA/AAA干电池供电的玩具马达驱动；●2-6节镍-氢/镍-镉充电电池供电的玩具马达驱动；●1-2节锂电池供电的马达驱动订购信息应用说明1、基本工作模式a)待机模式在待机模式下，INA=INB=L。
包括驱动功率管在内的所有内部电路都处于关断状态。
电路消耗极低极低的电流。
此时马达输出端OUTA和OUTB 都为高阻状态。
b)正转模式正转模式的定义为：INA=H，INB=L，此时马达驱动端OUTA输出高电平，马达驱动端OUTB输出低电平时，马达驱动电流从OUTA流入马达，从OUTB流到地端，此时马达的转动定义为正转模式。
芯片-W77E58中文手册
W77E58中文手册简介：77E58与标准8051相兼容的全新核心的微处理器。
由于去掉了多余的存储器周期和运算周期，它在相同周期里执行8051的指令比最初的8051快得多。
典型的指令周期77E58比8051快1.5到3倍。
电源消耗也做了改进采用静态COMS设计。
可以工作于较低的时钟频率下。
32K的EEPROM程序段和1K的外部SRAM可以省去外部的扩展存储器。
并可以为使用者保留更多的引脚。
特点：1、8位处理器2、最高40M时钟，4机器周期的指令执行速度3、与标准8051兼容的管脚。
4、与8051兼容的指令5、4个8位I/O口6、扩展的4位I/O和等待信号线（44脚的PLCC或QFP封装提供）。
7、三个16位计数/时器8、12级中断9、片上时钟源10、两个增强的双工窜口11、1K的片上外部存储器12、可编程看门狗13、两个全速16位数据指针DPTR14、外部数据访问周期可编程15、封装：DIP40：W77E58－25/40PLCC44：W77E58P－25/40QFP44：W77E58F－25/40引脚描述：/EA I 当为高时，使用内部ROM，为低时，使用外部ROM/PSEN O 程序ROM片选。
当使用外部ROM时，执行MOVC指令或者读指令时，/PSEN用来使能外部存储器。
如果使用内部ROM，/PSEN无信号。
ALE O 数据锁存使能。
RST O 高电平使CPU复位P0P1：I/O P1口有强上拉电阻P1.0：计数器2引脚P1.1：计数器2重装/捕获/计数方向控制脚P1.2：窜口1收P1.3：窜口1发P1.4：扩展中断2/P1.5：扩展中断3P1.6：扩展中断4/P1.7：扩展中断5P4.0－P4.3 I/O 4位I/O口。
P4.0也作为等待信号脚。
注意：窜口0的波特率发生器可用计数器1或2。
但窜口1的波特率发生器只能用计数器1。
特殊寄存器：8/0 9/1 A/2 B/3 C/4 D/5 E/6 F/7 F8 EIPF0 BE8 EIEE0 ACCD8 WDCOND0 PSWC8 T2CON T2MOD RCAP2L RCAP2H TL2 TH2C0 SCON1 SBUF1 ROMMAP PMR STATUS TAB8 IP SADEN SADENB0 P3A8 IE SADDR SADDR1A0 P2 P498 SCON0 SBUF90 P1 EXIF88 TCON TMOD TL0 TL1 TH0 TH1 CKCON80 P0 SP DPL DPH DPL1 DPH1 DPS PCON时钟控制(CKCON):7 6 5 4 3 2 1 0WD1 WD0 T2M T1M T0M MD2 MD1 MD0地址:8EhWD1和WD0: 看门狗模式选择位:这些位决定了看门狗计时器的时间输出周期.在所有的四个周期模式设置中,复位输出时间比中断周期多512个时钟周期(即当时钟中断周期和看门狗的复位周期相同时,程序有足够的时间去复位看门狗).WD1 WD0 中断周期WD复位周期0 0 217217+5120 1 220220+5121 0 223223+5121 1 226226+512T2M: 计数器2的时钟选择位:为1时将时钟周期4分频作为输入,为2时将时钟周期12分频后作为输入T1M: 计数器1的时钟选择位:为1时将时钟周期4分频作为输入,为2时将时钟周期12分频后作为输入T0M: 计数器0的时钟选择位:为1时将时钟周期4分频作为输入,为2时将时钟周期12分频后作为输入MD2-0: MOVX延时位.这三个位用来选择MOVX命令的等待延时值.使用合适的MOVX延时,使用者可以让77e58和低速的存储器或器件接口.而不用插入额外的等待周期./RD或/WR将适应所选的时序周期.当77E58与片内SRAM接口时,MOVX为两个机器周期.默认的延时值为1(3个机器周期).如果要更快的接口速度,可以设置为0.MD2 MD1 MD0 对应值MOVX所用机器周期0 0 0 0 20 0 1 1 30 1 0 2 40 1 1 3 51 0 0 4 61 0 1 5 71 1 0 6 81 1 1 7 9数据指针DPH1和DPL1:DPH1:7 6 5 4 3 2 1 0DPH1.7 DPH1.6 DPH1.5 DPH1.4 DPH1.3 DPH1.2 DPH1.1 DPH1.0地址::85HDPL1:7 6 5 4 3 2 1 0DPL1.7 DPL1.6 DPL1.5 DPL1.4 DPL1.3 DPL1.2 DPL1.1 DPL1.0地址:86HDPTR1: 新增的16位的数据指针.,通过设置DPS,可在DPTR和DPTR1间切换,当DPS位为1时,DPTR指令中的DPTR 寄存器由DPTR1取代.当DPTR1不需要时,可象普通寄存器一样使用.数据指针选择位DPS:7 6 5 4 3 2 1 0- - - - - - - DPS.0地址:86h该位选择是否用DPLDPH还是DPL1/DPH1作为当前数据指针.当为1时.DPL1/DPH1被选,否则DPL/DPH被选.. DPS的1-7保留,为0;电源控制寄存器:PCON7 6 5 4 3 2 1 0SMOD SMOD0 _ _ GF1 GF0 PD IDL地址:87HSMOD:当设为1时,工作于方式1,2,3的串口速率倍增.SMOD0:帧错误校验使能位:当SMOD0设为1,SCON.7(SCON1.7)指示一个帧停止错误.称为FE(FE_1(t停止错误))标识位.当SMOD0为0,SCON.7(SCON1.7)作为标准8052位.GF1-0:通用标志位PD:POWER DOWN位,置1后所有时钟停止,程序停止工作.IDL:置1后进入休眠态,程序停止.但时钟,计时器和中断控制器继续运行.计数器寄存器TCON:7 6 5 4 3 2 1 0TF1 TR1 TF0 TR0 IE1 IT1 IE0 IT0地址88H同标准8051.计数器模式控制位:TMOD7 6 5 4 3 2 1 0GATE C/T M1 M0 GATE C/T M1 M0地址89H同标准8051.P1口7 6 5 4 3 2 1 0P1.7 P1.6 P1.5 P1.4 P1.3 P1.2 P1.1 P1.0地址:90HP1.7-1.0:一般用作I/O口.当这个端口得到数据时,大多数指令会去读这个端口引脚..这里一些脚扩展了输入输出功能.这些扩展功能描述如下:P1.0:T2 计时器/计数器2扩展I/O口.P1.1:T2EX 计时器/计数器2 复位/触发脚位.P1.2:RXD1 窜口1收。
STM32F407xx芯片手册第1到3章中文翻译
STM32F407xx芯⽚⼿册第1到3章中⽂翻译1⽂档约定寄存器缩写列表下⾯的缩写⽤于描述寄存器Read/Write(rw)软件可读写Read-Only(r)软件只读Write-only(w)软件只写Read/clear(rc_w1)软件可读，写1清除，写0⽆作⽤Read/clear(rc_w0)软件可读，写0清除，写1⽆作⽤Read/clear by read软件可读，读后⾃动清零，写0⽆作⽤Read/set(rs)软件可读，可置位，写0⽆作⽤Read-only writeTrigger(rt_w)软件可读，写0或1翻转此位Toggle(t)写1翻转，写0⽆作⽤Reserved(Res.)保留位，必须保持复位值2存储器和总线架构2.1系统架构主系统包括32位多层互联AHB总线阵列，连接以下部件：Height masters—Cortex TM-M4F内核I-Bus(指令总线)，D-bus(数据总线)和S-bus(系统总线)—DMA1存储器总线—DMA2存储器总线—DMA2外设总线—以太⽹DMA总线—USB OTG HS DMA总线Seven slaves—内置Flash存储器指令总线—内置Flash存储器数据总线—主内置SRAM1（112KB）—辅助内置SRAM2（16KB）—AHB1外设，包括AHB到APB的桥以及APB外设—AHB2外设—FSMC接⼝总线矩阵提供从主设备到从设备的访问，即使在有若⼲⾼速外设同时运⾏的情况下也能并⾏访问并⾼效运转。
这个架构如图1所⽰。
注意：64KB的CCM(内核耦合存储器core coupled memory)数据RAM并不是总线矩阵的⼀部分，它只能通过CPU来访问。
图1系统架构2.1.1S0：指令总线这条总线连接Cortex TM-M4F内核的指令总线到总线矩阵，⽤于内核取指。
总线的Target是存储有代码的存储器（包括内置Flash存储器/SRAM以及通过FSMC外扩的外部存储器）。
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芯片中文手册
芯片中文手册
第一章：概述
芯片是一种集成电路，由大量晶体管和其他电子元件组成的微型电子部件。
本手册将介绍芯片的基本知识和应用领域。
第二章：芯片的结构和工作原理
芯片由多个层次和功能区域组成，包括输入输出接口、数据存储器、逻辑电路、时钟电路等。
本章将详细介绍芯片的各个部分的结构和工作原理。
第三章：芯片的制造工艺
芯片的制造过程包括晶圆制备、半导体材料加工、电路层叠和封装等多个步骤。
本章将介绍芯片的制造流程和工艺。
第四章：芯片的性能评估和测试
芯片的性能评估和测试是保证芯片质量的重要手段，包括功能测试、可靠性测试、功耗测试等。
本章将介绍芯片的性能评估和测试方法。
第五章：芯片的应用领域
芯片广泛应用于电子产品中，如计算机、手机、电视等。
本章将介绍芯片在各个领域的具体应用场景和功能。
第六章：芯片的发展趋势
芯片在不断发展和演进，越来越小、功耗越来越低、性能越来
越强。
本章将介绍芯片的发展趋势和未来的研究方向。
第七章：常见问题解答
本章将回答一些常见的问题，如芯片的寿命、如何修复芯片故障等。
第八章：附录
在附录中，将提供一些补充材料，如芯片制造商的联系方式、常用术语解释等。
以上就是《芯片中文手册》的大致内容，希望能对读者了解芯片有所帮助。
如果您对芯片还有其他疑问，可查阅本手册的附录部分或咨询相关专业人士。