中国半导体产业发展历史大事记之二
中国半导体的发展历史
中国半导体的发展历史中国半导体发展可以大致分成四个阶段：萌芽期（1956 - 1965），稳步发展期（1966 - 1978），缓滞-复苏期（1978 - 2000）以及大发展时期（2000 –至今）。
萌芽期阶段（1956 - 1965）：1956年中央提出了“向科学进军”的口号，周总理亲自制定了1956 –1967年这12年的科学技术发展远景规划，把半导体、计算机、自动化和电子学这四个在国际上发展迅速而国内急需发展的高新技术列为四大紧急措施。
在此背景下，中科院半导体于1957年11月成功拉制成第一根锗单晶，并与1958年成功研制第一只锗晶体管。
锗晶体管半导体晶体管的成功研制，促成了我国晶体管计算机和晶体管收音机的诞生，在国内产生了很大的影响，那时候的收音机被叫做半导体的原因就在这里。
1958年，中国第一个半导体器件生产厂诞生，代号“109”，它就是后来中科院微电子研究所的前身。
同样是1958年，天津109厂的科研人员借助研制锗单晶的经验，自行研制了硅单晶并进行了设备调试，经过反复试验，并在7月，成功拉制成我国第一根硅单晶，成为当时继美苏之后第三个拉制出单晶硅的国家。
在此基础上，研究人员提高材料质量和改进技术工艺，并于1959年实现了硅单晶的实用化。
单晶硅随着研究的深入，我国逐步在外延工艺，光刻技术等领域取得了进展，并于1963年制造出国产硅平面型晶体管。
这些技术的成功，打下了我国硅集成电路研究的基础。
稳步发展期（1966 - 1978）到了1966年，10年风波开始。
我国工农业发展陷入大规模停滞，但我国半导体工业建设并未停下脚步。
1968年，北京组建国营东光电工厂（878厂），上海组建无线电十九厂，形成当时中国集成电路产业中的南北两强格局。
1968年，国防科委在四川永川县，成立固体电路研究所（即永川半导体研究所，现中电24所），是中国唯一的模拟集成电路研究所。
同年，上海无线电十四厂首次制成PMOS电路。
中国 半导体发展史
中国半导体的发展史可以大致划分为以下几个阶段：
20世纪50年代：中国开始自主培养半导体科技人才，创办了第一个五校联合半导体专业，并在1957年拉出了锗单晶，研制出锗晶体管。
20世纪60年代：中国研制出硅外延工艺、硅基晶体管和TTL电路产品，这标志着中国已经能够制作小规模集成电路。
20世纪70年代：中国开始建设集成电路工厂，并研制成功1000万次大型电子计算机。
20世纪80年代中期：中国制定了“531战略”，即“普及5微米技术，研发3微米技术，攻关1微米技术”，诞生了无锡华晶等半导体企业。
1990年9月：电子工业部决定启动“908工程”，目标是建成一条6英寸、0.8~1.2微米的芯片生产线。
但由于国外已沿着摩尔定律的路径实现了好几代的进步，所以华晶项目一投产即落后，产量也仅有800片，亏损相当严重。
1995年：提出以100亿元实施“909工程”，建设一条8英寸晶圆、0.5微米制程工艺的集成电路生产线，但面临国外的技术封锁。
1997年7月：华虹集团与NEC合资组建了上海华虹NEC电子有限公司，负责承担“909工程”的项目建设。
以上是中国半导体的发展史的一些重要事件和阶段。
总的来说，中国半导体产业经历了从自主培养科技人才、研制晶体管到建设集成电路工厂、启动芯片生产线等阶段，不断推动着中国半导体产业的发展。
中国半导体发展历史
中国半导体发展历史半导体是现代电子技术的基础，而中国的半导体产业也经历了一段波澜壮阔的发展历程。
从20世纪50年代开始，中国就开始了半导体的研究和生产，经过多年的努力，中国的半导体产业已经成为世界上最重要的产业之一。
早期的半导体研究和生产主要集中在中国的科研机构和国有企业中。
20世纪50年代，中国科学院物理研究所开始了半导体的研究工作，1956年，中国第一颗晶体管诞生。
此后，中国的半导体产业逐渐发展起来，1960年代初期，中国开始了半导体的批量生产，生产的产品主要是二极管和晶体管。
然而，由于历史原因和技术水平的限制，中国的半导体产业在20世纪70年代和80年代处于低谷期。
直到20世纪90年代初期，中国的半导体产业才开始逐渐复苏。
1991年，中国成立了第一家半导体企业——中芯国际，这标志着中国半导体产业进入了一个新的发展阶段。
在1990年代后期和21世纪初期，中国的半导体产业经历了快速发展的阶段。
中国政府出台了一系列扶持政策，吸引了大量的国内外投资。
同时，中国的半导体企业也开始了技术创新和自主研发，逐渐实现了从跟随者到领先者的转变。
2000年，中国的半导体产业产值达到了100亿美元，成为世界上第三大半导体生产国。
近年来，中国的半导体产业发展更加迅猛。
中国政府提出了“中国制造2025”和“半导体产业发展规划”，明确了发展半导体产业的战略目标和重点领域。
中国的半导体企业也在不断加强技术创新和自主研发，逐渐实现了从低端到高端的跨越。
2019年，中国的半导体产业产值已经达到了800亿美元，成为世界上最大的半导体市场之一。
总的来说，中国的半导体产业经历了一个从小到大、从弱到强的发展历程。
中国的半导体企业已经成为世界上最重要的企业之一，中国的半导体产业也已经成为世界上最重要的产业之一。
未来，中国的半导体产业将继续发展壮大，为中国的经济发展和科技进步做出更大的贡献。
中国半导体芯片产业发展历程
中国半导体芯片产业发展历程1. 起步阶段（1950-1980年代）中国半导体芯片产业的发展始于上世纪50年代。
当时，中国政府开始意识到半导体芯片在现代科技中的重要性，并决定投资大量资金来发展这一产业。
然而，由于技术水平和资金方面的限制，在这一时期中国半导体芯片产业的发展并不顺利。
主要依赖进口芯片，市场占有率并不高。
2. 起飞阶段（1990年代）到了上世纪90年代，中国政府提出了“中兴华为”等国家战略，加速了中国半导体芯片产业的发展。
政府加大了资金的投入，支持中国半导体企业进行研发和生产，并积极鼓励国际合作。
此时，中国的半导体企业开始崭露头角，逐渐形成了一定的产业规模。
3. 飞速发展阶段（2000年代）进入21世纪，中国半导体芯片产业进入了快速发展的阶段。
中国政府发布了一系列政策文件，支持半导体产业的发展。
同时，中国的半导体企业也在不断提升自主研发能力，并取得了一定的成果。
2001年，中国五家龙头企业成功开发了首颗全球最先进的64位芯片。
4. 坚实基础阶段（2010年代）进入2010年代，中国半导体芯片产业进入了一个新的发展阶段。
中国政府提出了“半导体产业十三五规划”，明确了未来五年半导体产业的发展方向和目标。
中国的半导体企业也在不断加大研发投入，并与国际知名企业合作，取得了一系列重大突破。
2017年，中国首次在全球芯片市场占有率超过15%，成为全球第二大半导体市场。
5. 稳步上升阶段（2020年代）进入2020年代，中国半导体芯片产业继续稳步上升。
中国政府加大了对半导体产业的支持，继续出台了一系列政策文件，鼓励企业加大研发投入，提升自主创新能力。
中国的半导体企业也在不断加强国际合作，积极参与全球市场竞争。
预计2025年，中国半导体产业的市场占有率将继续增长，有望超过20%，成为全球最大的半导体市场。
总的来说，中国半导体芯片产业经过多年的努力和发展，已经取得了一系列重大成就。
中国的半导体企业在技术水平、市场占有率和国际竞争力等方面都取得了显著进步，为中国在全球半导体市场上的地位提供了坚实基础。
中国半导体产业发展历史大事记
中国半导体产业发展历史大事记1947年，美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管，从而开创了人类的硅文明时代。
1956年，我国提出“向科学进军”，根据国外发展电子器件的进程，提出了中国也要研究半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。
中国科学院应用物理所首先举办了半导体器件短期培训班。
请回国的半导体专家黄昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路。
在五所大学――北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学开办了半导体物理专业，共同培养第一批半导体人才。
培养出了第一批著名的教授：北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德、吉林大学的高鼎三。
1957年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元（北京大学微电子所所长）、工程院院士许居衍（华晶集团中央研究院院长）和电子工业部总工程师俞忠钰（北方华虹设计公司董事长）。
1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。
中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。
当年，中国相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管）。
1958年，美国德州仪器公司和仙童公司各自研制发明了半导体集成电路（IC）之后，发展极为迅猛，从SSI（小规模集成电路）起步，经过MSI（中规模集成电路），发展到LSI（大规模集成电路），然后发展到现在的VLSI（超大规模集成电路）及最近的ULSI（特大规模集成电路），甚至发展到将来的GSI（甚大规模集成电路），届时单片集成电路集成度将超过10亿个元件。
1959年，天津拉制出硅（Si）单晶。
1960年，中科院在北京建立半导体研究所，同年在河北建立工业性专业化研究所――第十三所（河北半导体研究所）。
1962年，天津拉制出砷化镓单晶（GaAs），为研究制备其他化合物半导体打下了基础。
1962年，我国研究制成硅外延工艺，并开始研究采用照相制版，光刻工艺。
1963年，河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。
中国半导体行业发展历程
中国半导体行业发展历程近年来，中国半导体行业取得了长足的发展，成为全球最具潜力和竞争力的行业之一。
本文将为您介绍中国半导体行业的发展历程。
第一阶段：起步期（1950年代-1970年代）中国半导体行业的起步可以追溯到上世纪50年代。
当时，中国面临着技术和经济的困境，需要发展自己的半导体产业来满足国内需求。
于是，中国政府成立了多家研究机构和实验室，开始进行半导体技术的研究和开发。
然而，在起步期，中国的半导体行业仍然面临着巨大的挑战。
由于技术水平和设备条件的限制，中国的半导体产品主要依赖进口。
尽管如此，这一时期为后来的发展奠定了基础，为中国半导体行业的蓬勃发展创造了条件。
第二阶段：培育期（1980年代-1990年代）改革开放以后，中国的半导体行业迎来了新的发展机遇。
政府开始大力支持半导体产业的发展，引进国外先进的技术和设备，并鼓励国内企业进行技术创新和自主研发。
同时，政府还出台了一系列的政策，为半导体企业提供贷款和税收优惠，吸引了大量的国内外资本投入。
在培育期，中国半导体行业取得了长足的进步。
中国的半导体企业开始生产一些基础的电子元件和芯片，并逐渐实现了产品的本土化。
同时，中国还积极培养半导体专业人才，建立了一批具有国际竞争力的研发团队。
第三阶段：崛起期（2000年代-2010年代）进入21世纪，中国半导体行业迎来了快速发展的机遇。
随着中国经济的快速增长和科技实力的提升，中国成为全球最大的半导体市场之一。
政府继续加大对半导体产业的支持力度，鼓励本土企业进行技术创新和自主研发。
在崛起期，中国半导体行业取得了令人瞩目的成就。
一批国内企业在存储器、集成电路和传感器等领域实现了技术突破和产品创新，有些企业甚至成为全球知名的半导体巨头。
同时，中国还积极引进外国企业和专业团队，加强国际合作和技术交流。
第四阶段：创新驱动期（2020年至今）当前，中国半导体行业正进入创新驱动的新阶段。
随着技术的不断进步和市场的不断扩大，中国的半导体企业面临着更大的机遇和挑战。
中国半导体发展过程
中国半导体发展过程随着信息技术的迅猛发展和全球经济的快速增长，半导体技术成为现代科技的重要组成部分。
作为世界最大的半导体消费市场，中国正遭遇一场热潮式的半导体发展。
中国历经多年的努力，已经成为全球半导体行业的重要参与者。
1.起步阶段中国的半导体产业起步于20世纪80年代，当时根据政府规划，国内企业开始建设半导体晶圆厂和封装工厂，以实现全球化制造半导体芯片。
1984年中国大陆的第一个芯片生产厂——北京中微公司创建，成为国内产业的开始。
在1990年代中期，中国开发了第一代和第二代半导体芯片产品。
然而，由于技术竞争力和资金缺口等问题，中国还没有能够跻身全球领先的半导体制造商之列。
2. 跳跃阶段21世纪初，中国政府决定打造半导体产业，大力推进高端技术发展，安排资金进行集成电路、“三代半导体”、计算机、通信等重点领域的科技创新。
同时，政策鼓励引进外资并进行国际合作。
2000年到2009年，中国的半导体行业取得了长足的发展。
据中国工信部统计，中国在2009年时，全球晶圆制造厂的产值市场占有率达到15%，大规模集成电路市场占有率达到30%以上。
3. 大跨越时期随着经济大步快速发展，尤其是2020年被称为新基建元年的背景下，中国的半导体产业发展进入了最快的增长期。
在政策支持、产业基础、人才培养、科研机构等方面实现了显著进步。
如国家集成电路产业投资基金已启动多轮资金募集，累计募资金额逾千亿元人民币用于支持高精尖的半导体技术研发和应用。
建立了更多的重点实验室、半导体研发中心，吸引了一批海外高端人才回国工作。
4. 现代阶段目前，随着信息技术的不断深入发展，中国的半导体行业正驶向更高层次、更多元化和更优质的阶段。
无论是生产、设计、封装，还是设备制造和测试等方面，企业和基础设施都在不断扩充。
专家认为，中国半导体产业的未来发展空间很大，至少未来十年左右都将维持高增长状态。
总的来说，中国半导体产业持续调整和升级，尽管仍面临较多挑战，但已具备了跨越式发展的水平和条件。
半导体产业代际发展历程
半导体产业代际发展历程
半导体产业是现代信息科技的基础，其发展历程也是一个代际传承的过程。
第一代半导体产业代表了20世纪50年代到60年代的发展阶段，此时的半导体产业处于起步阶段，主要应用在军事、航空航天和计算机领域。
这一时期的代表企业有美国的贝尔实验室、德州仪器和IBM 等。
第二代半导体产业代表了20世纪70年代到80年代的发展阶段，此时芯片工艺逐渐进化为CMOS工艺，半导体产业开始进入民用市场，主要应用在电视、音响、计算机和通讯设备等领域。
这一时期的代表企业有英特尔、摩托罗拉、三星和东芝等。
第三代半导体产业代表了20世纪90年代到21世纪初的发展阶段，此时芯片制造工艺进一步提高，系统级集成逐渐成为主流。
半导体产业开始进入数字家电、汽车、医疗和工业自动化等领域。
这一时期的代表企业有台积电、三星、索尼和英特尔等。
第四代半导体产业代表了21世纪初到现在的发展阶段，此时半导体产业开始进入5G、物联网和人工智能等领域，芯片的处理能力、功耗和集成度得到了进一步提升。
这一时期的代表企业有高通、华为、英伟达和英特尔等。
总之，半导体产业的发展历程是一个代际传承的过程，每一代都代表着不同的技术和市场发展阶段，同时也代表着各个国家和企业在这一领域的不断探索和进步。
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中国半导体产业发展历史大事记之二◎分立器件发展阶段（１９５６--１９６５）１９５６年中国提出“向科学进军”，国家制订了发展各门尖端科学的“十二年科学技术发展远景规划”，明确了目标。
根据国外发展电子器件的进程，提出了中国也要研究发展半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。
从半导体材料开始，自力更生研究半导体器件。
为了落实发展半导体规划，中国科学院应用物理所首先举行了半导体器件短期训练班。
请回国的半导体专家内昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制技术和半导体线路。
参加短训班的约１００多人。
当时国家决定由五所大学-北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学半导体物理专来，共同培养第一批半导体人才。
五校中最出名的教授有北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德和吉林大学的高鼎三。
１９５７年就有一批毕业生，其中有现在成为中国科学院院士的王阳元（北京大学）、工程院院士的许居衍（华晶集团公司）和电子工业部总工程师俞忠钰等人。
之后，清华大学等一批工科大学也先后设置了半导体专业。
中国半导体材料从锗（Ｇｅ）开始。
通过提炼煤灰制备了锗材料。
１９５７年北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。
中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一研究所开发锗晶体管。
前者由王守武任半导体实验室主任，后者由武尔桢负责。
１９５７可国依靠自己的技术开发，相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管）。
为了加强半导体的研究，中国科学院于１９６０年在北京建立了半导体研究所，同年在河北省石家庄建立了工业性专业研究所-第十三研究所，即现在的河北半导体研究所。
到六十年代初，中国半导体器件开始在工厂生产。
此时，国内搞半导体器件的已有十几个厂点。
当时北方以北京电子管厂为代表，生产了ＩＩ－６低频合金管和ＩＩ４０１高频合金扩散管；南方以上海元件五厂为代表。
在锗之后，很快也研究出其他半导体材料。
１９５９年天津拉制了硅（Ｓｉ）单晶。
１９６２年又接制了砷化镓（ＧａＡｓ）单晶，后来也研究开发了其他种化合物半导体。
硅器件开始搞的是合金管。
１９６２年研究成外延工艺，并开始研究采用照相制版、光刻工艺，河北半导体研究所在１９６３年搞出了硅平面型晶体管，１９６４年搞出了硅外延平面型晶体管。
在平面管之前不久，也搞过错和硅的台面扩散管，但一旦平面管研制出来后，绝大部分器件采用平面结构，因为它更适合于批量生产。
当时接制的单晶棒的直径很小，也不规则。
一般将硅片切成方片的形状，如７＊７、１０＊１０、１５＊１５ｍｍ２。
后来单晶直径拉大些后，就开始采用不规则的圆片，但直径一般在３５－４０ｍｍ之间。
在半导体器件批量生产之后，六十年代主要用来生产晶体管收音机，电子管收音机在体积上大为缩小，重量大为减轻。
一般老百姓把晶体管收音机俗称为“半导体”。
它在六十年代成为普通居民所要购买的“四大件”之一。
（其他三大件为缝纫机、自行车和手表）另一方面，新品开发主要研究方向是硅高频大功率管，目的是要把部队所用的采用电子管的“八一”电台换装为采用晶体管的“小八一”电台，它曾是河北半导体所和北京电子管厂当年的主攻任务。
除了收讯放大管之外，之后也开发了开关管。
中国科学院在半导体所之外建立了一所实验工厂，取名１０９厂。
（后改建为微电子中心）它所生产的开关管，供中国科学院计算研究所研制成第二代计算机。
随后在北京有线电厂等工厂批量生产了ＤＪＳ－１２１型锗晶体管计算机，速度达到1万次以上。
后来还研制出速度更快的１０８机，以及速度达２８万次、容量更大的ＤＪＳ－３２０型中型计算机，该机采用硅开关管。
总之，向科学进军的号如下，中国的知识分子、技术人员在外界封锁的环境下，在海外回国的一批半导体学者带领下，凭藉知识和实验室发展到实验性工厂和生产性工厂，开始建立起自己的半导体行业。
这期间苏联曾派过半导体专家来指导，但很快因中苏关系恶化而撤走了。
这一发展分立器件的阶段历时十年，与国外差距为十年。
◎ＩＣ初始发展阶段（１９６５－１９８０年）在有了硅平面工艺之后，中国半导体界也跟随世界半导体开始研究半导体集成电路，当时称为固体电路。
国际上是在１９５８年由美国的得克萨斯仪器公司（ＴＩ）和仙兰公司各自分别发明了半导体集成电路。
当初研制的是采用ＲＴＬ（电阻一晶体管逻辑）型式的最基本的门电路，将单个的分立器件：电阻和晶体管，在同一个硅片上集合而成一个电路，故称之为“集成电路”（ＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｒｒｉｔ，简称ＩＣ）。
中国第一块半导体集成电路究竟是由哪一个单位首先研制成功的？这一问题有过争议。
在相差不远的时间里，有中国科学院半导体研究所，河北半导体研究所，它在１９６５年１２月份召开的产品鉴定会上鉴定了一批半导体管，并在国内首先鉴定了ＤＴＬ型（二极管-晶体管逻辑）数字逻辑电路。
这是十室提交鉴定的，当时采用的还不是国外普遍使用的P-N结隔离，而是仅在国外文献中有所报导的Ｓｉｏ２介质隔离，通过反外延方法制备基片。
在研究单位之后，工厂在生产平面管的基础上也开始研制集成电路。
北方为北京电子管厂，也采用介质隔离研制成ＤＴＬ数字电路，南方为上海元件五厂，在华东计算机所的合作下，研制出采用Ｐ－Ｎ结隔离的ＴＴＬ型（晶体管-晶体管逻辑）数字电路，并在１９６６年底，在工厂范围内首家召开了产品鉴定会鉴定了TTL 电路。
ＤＴＬ和ＴＴＬ都是双极型数字集成电路，主要是逻辑计算电路，以基本的与非门为基础，当时都是小规模集成电路，还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。
主要用途是用于电子计算机。
中国第一台第三代计算机是由位于北京的华北计算技术研究所研制成功的，采用ＤＴＬ型数字电路，与非门是由北京电子管厂生产，与非驱动器是由河北半导体研究所生产，展出年代是１９６８年。
为了加速发展半导体集成电路，四机部（后来改名为电子工业部）决定筹建第一个专门从事半导体集成电路的专业化工厂，由北京电子管厂抽一部分技术力量，在１９６８年建立了国营东光电工厂（代号：８７８厂），当时正处于动乱的十年“文革”初期，国家领导号召建设大三线，四机部新建工厂，采用“８”字头的都是在内地大三线，唯独８７８厂，为了加快建成专业化集成电路生产厂，破例地建在首都北京。
与此同时，上海仪表局也将上海元件五厂生产ＴＴＬ数字电路的五车间搬迁到近郊，建设了上海无线电十九厂（简称上无十九厂）。
到１９７０年两厂均已建成投产。
从此，七十年代形成了中国ＩＣ行业的“两霸”，南霸上无十九厂，北霸８７８厂。
在国外实行对华封锁的年代里，集成电路属于高新技术产品，是禁止向中国出口的。
因此，在封闭的自力更生、计划经济年代里，这两厂的ＩＣ一度成为每年召开两次电子元器件订货会上最走俏的产品。
当时一块Ｊ－Ｋ触发器要想马上拿到手，得要部长的亲笔批条。
在中国实行改革开放政策之前，ＩＣ在中国完全是卖方市场。
七十年代上半期，一个工厂的ＩＣ年产量，只有几十万块，到七十年代末期，上无十九厂年产量才实破５００万块，位居全国第一。
文化大革命开始后，陈伯达向毛泽东主席提出了“电子中心论”。
一时间采用群众运动的方式“全民”大搞半导体．为了打破尖端迷信，报上宣传说城市里了道老太太在弄堂里拉一台扩散炉，也能做出半导体．批判８７８厂建厂时铺了水磨石地板为“大，洋，全”。
这股风使工厂里不重视产品质量，这曾导致８７８厂为北京大学电子仪器厂生产ＴＴＬ和Ｓ－ＴＴＬ（肖特基二极管钳位的ＴＴＬ）电路研制百万次大型电子计算机“推倒重来”。
最后质量改进后的电路才使北大在１９７５年研制成中国第一台真正达到１００万次运算速度的大型电子计算机－１５０机。
（在此之前，由上无十九厂生产的ＴＴＬ电路，供华东计算所研制出达到８０多万次速度的大型计算机，号称“百万次”。
）随后，中国科学院１０９厂研制了ＥＣＬ型(发射极藕合逻辑)电路，提供给中国科学院计算所，在１９７６年１１月研制成功１０００万次大型电子计算机。
总之，在中国ＩＣ初始发展阶段的十五年间，在开发集成电路方面，尽管国外实行对华封锁，中国还是能够依靠自己的技术力量，相继研制并生产了ＤＴＬ、ＴＴＬ、ＥＣＬ各种类型的双极型数字逻辑电路，支持了国内计算机行业，研制成百万次、千万次级的大型电子计算机。
但这都是小规模集成电路。
在发展双极型电路（ＢｉｐｏｌａｒＩＣ）之后，不久也开始研究ＭＯＳ（金属--氧化物一一半导体）电路（ＭＯＳＩＣ）。
１９６８年研究出ＰＭＯＳ电路，这是上海无线电十四厂首家搞成的。
到七十年代初期，永川半导体研究所，即２４所，（它由石家庄１３所十一室搬到四川水川扩大而建的）上无十四厂和北京８７８厂相继研制成ＮＭＯＳ电路。
之后，又研制成ＣＭＯＳ电路。
在七十年代初期，由于受国外ＩＣ迅速发展和国内“电子中心论”的影响，加上当时ＩＣ的价格偏高（一块与非门电路不变价曾哀达５００元，利润较大ｆ销售利润率有的厂高达４０％以上），而货源又很紧张，因而造成各地ＩＣ厂点大量涌现，曾经形成过一股“ＩＣ热”。
不少省市自治区，以及其他一些工业部门都兴建了自己的ＩＣ工厂，造成--哄而起的局面。
在这期间，全国建设了四十多家集成电路工厂。
四机部直属厂有７４９厂（永红器材厂）、８７１厂（天光集成电路厂）、８７８厂（东光电工厂）、４４３３厂（风光电工厂）和４４３５厂（韶光电工厂）等。
各省市所建厂中有名的有：上海元件五厂、上无七厂、上无十四厂、上无十九厂、苏州半导体厂、常州半导体厂、北京市半导体器件二厂、三厂、五厂、六厂、天津半导体（一）厂、航天部西安６９１厂等等。
集成电路一经出现，随着设备和工艺的不断发展，集成度迅速提高。
从小规模集成（ＳＳＩ），经过中规模集成（ＭＳＬ），很快发展到大规模集成（ＬＳＩ），这在美国用８年时间。
而中国在初始发展阶段中出仅用７年时间走完这段路，与国外差距还不是很大。
１９７２年中国第一块ＰＭＯＳ型ＬＳＴ电路在四川永川半导体研究所研制成功，为了加速发展ＬＳＩ，中国接连召开了三次全国性会议，第一次１９７４年在北京召开，第二次１９７５年在上海召开；第三次１９７７年在大三线贵州省召开。
为了提高工艺设备的技术水平，并了解国外ＩＣ发展的状况，在１９７３年中日邦交恢复一周年之际，中国组织了由１４人参加的电子工业考察团赴日本考察ＩＣ产业，参观了日本当时八大ＩＣ公司：日立、ＮＥＣ、东芝、三菱、富士通、三洋、冲电气和夏普，以及不少设备制造厂。
原先想与ＮＥＣ谈成全线引进，因政治和资金原因没有成匀丢失了一次机迂。
后来改为由七个单位从国外购买单位台设备，期望建成七条工艺线。
最后成线的只有北京８７８厂，航天部陕西骊山７７１所和贵州都匀４４３３厂。
这一阶段１５年，从研制小规模到大规模电路，在技术上中国都依靠自己的力量，只是从国外进口了一些水平较低的工艺设备，与国外差距逐渐加大。