太阳能电池各参数的含义..
太阳能电池关键参数
太阳能电池关键参数
太阳能电池的关键参数主要包括：
1．开路电压（UOC）：在光照条件下，太阳能电池的输出电压值。
2．短路电流（ISC）：在输出端短路时，流过太阳能电池两端的电流值。
3．最大输出功率（pm）：太阳能电池的工作电压和电流，乘积最大时可获得最大输出功率。
4．填充因子（FF）：最大输出功率与开路电压和短路电流乘积之比，代表太阳能电池在带最佳负载时能输出的最大功率特性。
5．转换效率（CE）：太阳能电池把光能转换成电能的能力，转换效率是最大输出功率与光功率的比值。
转换效率与填充因子有关，一般转换效率约为10%到20%。
6．光敏面积（A）：太阳能电池的光敏面积越大，其接收光能的能力越强，但光敏面积增加到一定程度时，单位面积上接收到的光能就会减少。
7．暗电流（ID）：在无光照条件下，太阳能电池中没有PN结反偏电压时，反向漏电流与反向饱和电流的统称。
8．暗电阻（RD）：在无光照条件下，太阳能电池的电阻。
9．暗开路电压（UOD）：在无光照条件下，太阳能电池
的开路电压。
10．暗短路电流（ISD）：在无光照条件下，太阳能电池的短路电流。
这些参数用于描述太阳能电池在无光照条件下的性能，对于评估太阳能电池的质量和稳定性非常重要。
这些参数是描述太阳能电池性能的重要指标，不同的参数组合可以用于不同的应用场景，比如在低功耗设备、卫星通信、光伏电站等领域。
太阳能电池电性能参数介绍
Rs影响因素 Rs影响因素
RS偏大
检查测试机探针 是否正好压到 主栅线上 是 看探针是否变脏 探针寿命是否到期
检查网印第三道 虚印情况 是 通知设备进行调整， 但同时需注意调整前后 栅线是否有变粗现象
检查扩散方块电阻 是否存在偏大现象 是 通知张永伟进行调整， 稳定方阻在正常范围内
核对原始硅片电阻率 是否偏大 是 做好记录，对电阻率 偏大的单独追踪
网印机工作台磨损
操作过程中使用 工具的污染 操作中污染 擦拭片等
检查并测试刻蚀机 刻蚀效果
椭偏移到厂后定量 测试膜厚折射率
烧结炉工艺稳定性 外围设备稳定性监控 方阻均匀性 方阻范围控制
DI水污染
卫生环境污染
Uoc影响因素 影响因素
开路电压 低
材料本体
工艺因素
硅片电阻率高
硅片质量较差 少子寿命低
硅片厚度厚
测试中的串联电阻主要由以下几个方面组成： 1.材料体电阻（可以认为电阻率为ρ的均匀掺杂半导体） 2.正面电极金属栅线体电阻 3.正面扩散层电阻 4.背面电极金属层电阻 5.正背面金属半导体接触电阻 6.外部因素影响，如探针和片子的接触等 烧结的关键就是欧姆接触电阻，也就是金属浆料与半导体材料接触处的电阻。 可以这样考虑，上述1.2.3.4项电阻属于固定电阻，也就是基本电阻； 5则是变量电阻烧结效果的好坏直接影响Rs的最终值； 6属于外部测试因素，也会导致Rs变化
并阻Rsh组成 组成 并阻
• • • • • • • • • • • 测试中并联电阻Rsh主要主要是由暗电流曲线推算出，主要由边缘漏电和体内漏电决定 边缘漏电主要由以下几个方面决定： ①边缘刻蚀不彻底 ②硅片边缘污染 ③边缘过刻 体内漏电主要几个方面决定 ①方阻和烧结的不匹配导致的烧穿 ②由于铝粉的沾污导致的烧穿 ③片源本身金属杂质含量过高导致的体内漏电 ④工艺过程中的其他污染，如工作台板污染、网带污染、炉管污染、DI水质不合格等
太阳能电池各参数的含义
03
太阳能电池性能参数
转换效率（η）
01
02
03
定义
转换效率是指太阳能电池 将光能转换为电能的效率 。
计算公式
η = (输出电能 / 入射光能 ) × 100%。
影响因素
转换效率受到多种因素的 影响，包括光谱响应、量 子效率、串联电阻、并联 电阻等。
功率等级与分类
功率等级
根据太阳能电池的输出功率，通常将 其分为小功率、中功率和大功率等级 。
晶体结构
晶体结构是太阳能电池材料的基本属性 ，包括单晶、多晶和非晶三种形式。
VS
能带结构
能带结构决定了材料的导电和光学性能， 包括价带和导带的位置、禁带宽度等。
光学性能与吸收系数
光学性能
太阳能电池材料的光学性能包括反射、透射 、吸收等特性，其中吸收系数是决定太阳能 电池转换效率的关键参数。
吸收系数
电极优化
通过优化电极结构、形状和尺寸，减少串联电阻和并联电阻，提高 太阳能电池的整体性能。
06
太阳能电池应用领域参数
光伏发电系统设计与优化
光伏系统设计
根据太阳能电池的参数，如功率、电压、电流等，设计 光伏发电系统的结构、布局和容量。
系统优化
通过对光伏系统的优化设计，提高系统的发电效率和可 靠性，降低系统的建设和运行成本。
影响。
05
太阳能电池制造工艺参数
薄膜沉积技术
真空沉积法
利用物理或化学方法在真空状态下将材料沉积在基底上，包括蒸发镀膜、溅射镀膜和化 学气相沉积等。
喷墨打印技术
利用高分辨率喷墨打印技术将液态材料直接打印在基底上，实现大面积、低成本制造。
掺杂与退火处理
要点一
太阳能电池各参数的含义
太阳电池测试原理----光电流和光电
压
这个表达式认为，凡是在电池中产生的光生载流子均可以对光电 流有贡献，因而是光电流的理想值，见太阳电池原理----原理图。 类似PN结正偏，在单位面积的太阳电池中把JL(λ)看为各区贡献的 光电流密度之和 JL=Jn (λ)+Jc (λ)+Jp(λ) 其中，Jn (λ)、Jc (λ)、 Jp(λ)分别表示n区、耗尽区、p区贡献的光 电流密度.在考虑各种产生和复合后,即可以求出每一区中光生载流 子的总数和分布,从而求出电流密度. 先考虑Jn和Jp,根据肖克莱关于pn结的理论,假设太阳电池原理---原理图中电池满足: • 光照时太阳电池各区均满足pn>ni2,即满足小注入条件 • 耗尽区宽度W<扩散长度Lp,并满足耗尽近似 • 基区少子扩散长度Lp >电池厚度H,结平面为无限大,不考虑周 界影响 • 各区杂质均已电离
太阳电池原理----光电流Isc
充足的太阳光照射到晶体硅太阳能电池时，电池片的整个厚 度内都会产生光生载流子,其电子空穴对的产生率Gp(即单位时间 单位体积内产生的电子空穴对数目),以Goexp(- αx)衰减。 （其中Go是电子空穴对在表面时的产生率, α是材料吸收系数.） 假定1,太阳电池厚度很薄,使所有的光生载流子都能流经外电路. 假定2,lh是大于n侧厚度ln ,所以,在体积(ln+w+le)内产生的全部电 子空穴对都贡献给光电流. 假定3,在材料表面的光生载流子的复合可以被忽略.
负载电流
I I L I D I sh I L I 0 (e
负载电压
q (U IR S ) AKT
1)
U IR
I ( RS RL ) ......( 2 17 ) Rsh
太阳能电池主要技术参数
AM（
为了描述大气吸收对太阳 辐照能量及其光谱的分布 的影响，引入大气质量， 如果把太阳当顶垂直于海 平面的太阳辐射穿过大气 高度作为一个大气质量， 则太阳在任意位置时大气 质量定义为从海平面看太 阳通过大气的距离与太阳 在天顶时通过大气距离之 比。
air mass
大气质量）
由图可知由于大气中不同成分气体的作用，在AM1.5时，相当一部分波长的 太阳光已被散射和吸收。其中，臭氧层对紫外线的吸收最为强烈；水蒸气对能量 的吸收最大，约20%被大气层吸收的太阳能是由于水蒸气的作用；而灰尘既能吸 收也能反射太阳光。
令V=0, 得到Isc = Iph 太阳电池的短路电流Isc与电池的面积有关，面积越大，短路 电流也越大 一般：单晶Isc=5.6A (125X125)
多晶Isc=8.1A (156X156)
开路电压Voc：
太阳能电池在空载情况下的端电压为太阳能电池的开路电压，用Uoc表示 对于一般电池，可以认为接近于理想太阳能电池，即Rs=0, Rsh=∞,令I=0,可得：
Pm=Isc*Voc*FF
ImUm IscVocFF
APin
APin
Pm，Im，Um：
P=UI，然后对乘积求极值
温度系数α，β，γ
电 流 温 度 系 数 ： Is c I0 ( 1 T )
α =+（0.06~0.1)%/℃
电 压 温 度 系 数 ： U o c U 0 ( 1 T )
β=—（0.3~0.4)%/℃
FF取决于入射光强、材料的禁带宽度、理想系数、串联电阻和并联电 阻等。 对于有合适效率的电池，该值应在0.70-0.85范围之内。
光电转换效率μ：
ImU m
A Pin
UmIm为改太阳能电池最大输出功率点对应的最佳工作电压 和最佳工作电流，A表示包括栅线在内的电池总面积，Pin 为单位面积入射光的功率。
太阳能电池的性能评价分析
太阳能电池的性能评价分析一、引言随着科技的不断发展，太阳能电池已经成为解决能源问题的一个重要途径。
但是，太阳能电池的性能评价非常重要，可以帮助我们了解其效率以及可靠性。
本文将围绕太阳能电池的性能评价展开，着重探讨性能评价的指标及其分析方法。
二、性能评价指标1. 转换效率太阳能电池的转换效率是指其将阳光转化为电能的能力。
转换效率越高，表示太阳能电池在同等条件下所产生的电能就会更多。
太阳能电池的转换效率可以通过其输出电能与接受阳光辐射能量的比例来衡量，一般以百分比表示。
2. 开路电压开路电压是指在不接电路负载情况下，太阳能电池产生的最高电压，其大小可以反映太阳能电池的化学特性和光电转化效率。
开路电压的高低决定了太阳能电池的使用范围和效率水平。
3. 短路电流短路电流是指太阳能电池短路时产生的最大电流，其大小可以反映太阳能电池的光电转化效率和用材特性。
短路电流的大小对应着电荷载流体系中太阳能电池的电阻特性，反映了太阳能电池可承受的最大电流强度。
4. 填充因子填充因子是太阳能电池的另一个重要指标，它是开路电压和短路电流的乘积与最大电能输出的乘积之比。
填充因子的大小反映了太阳能电池在使用中的效率和可靠性。
三、性能评价分析方法1. 电性能测试电性能测试是太阳能电池的常规性能测试，它通常包括两个方面：输出功率测试和主要参数测试。
输出功率测试是为了测定太阳能电池的真实转换效率。
主要参数测试主要包括开路电压、短路电流和填充因子。
2. 温度特性测试温度对太阳能电池的效果会有很大的影响。
在温度特性测试中，太阳能电池通常在标准条件下测试，并通过温度变化实验来测定电池的输出功率和主要参数的变化情况。
3. 光伏谱响应测试光伏谱响应测试是测试太阳能电池对不同波长的光的响应能力，用以检测太阳能电池在设备和模拟太阳光中的性能，以便调整石化工艺。
四、结论太阳能电池的性能评价是评估太阳能电池效率和可靠性的重要手段。
在评估太阳能电池的性能时，必须考虑多种因素。
太阳能电池板参数
太阳能电池板的一组参数最大标称功率W p max (W)，峰值电压Vmp(V)：峰值电压是在强光时的最高电压峰值电流Imp(A)开路电压Voc(V)：开路电压是电池板空载电压工作电压：是电池板带上负荷时测得的电压短路电流Isc(A)尺寸Size(mm)重量Weigh t(KGS)（峰值电压最高、开路电压次之、工作电压最低）直流接线盒：采用密封防水、高可靠性多功能A BS 塑料接线盒，耐老化防水防潮性能好；连接端采用易操作的专用公母插头，使用安全、方便、可靠。
工作温度：-40℃～+90℃使用寿命可达20 年以上，衰减小于20%。
问题集锦：1、什么是太阳能电池？答：太阳能电池是基于半导体的光伏效应将太阳辐射直接转换为电能的半导体器件。
现在商品化的太阳能电池主要有以下几种类型：单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池，目前还有碲华镉电池、铜铟硒电池、纳米氧化钛敏化电池、多晶硅薄膜太阳能电池及有机太阳能电池等。
晶体硅（单晶、多晶）太阳能电池需要高纯度的硅原料，一般要求纯度至少是99. 99998%，也就是一千万个硅原子中最多允许2 个杂质原子存在。
硅材料是用二氧化硅（SiO2，也就是我们所熟悉的沙子）作为原料，将其熔化并除去杂质就可制取粗级硅。
从二氧化硅到太阳能电池片，涉及多个生产工艺和过程，一般大致分为：二氧化硅—> 冶金级硅—>高纯三氯氢硅—>高纯度多晶硅—>单晶硅棒或多晶硅锭—>硅片—>太阳能电池片。
2、什么是单晶硅太阳能电池板？答：单晶硅太阳能电池片主要是使用单晶硅来制造，与其他种类的太阳能电池片相比，单晶硅电池片的转换效率最高。
在初期，单晶硅太阳能电池片占领绝大部份市场份额，在1998 年后才退居多晶硅之后，市场份额占据第二。
太阳能电池各电性能参数-草稿
太阳能电池各电性能参数的本质及工艺意义⏹武宇涛⏹电性能参数主要有：V oc,Isc,Rs,Rsh,FF,Eff,Irev1,…电性能参数在生产过程中尤其是在实时的生产控制现场，非常及时地反映了整个生产线生产工艺尤其是后道工序的动态变化情况，为我们对产线的控制及生产设备工艺参数的实时调节起到了非常重要的参考作用。
从可控性难易角度来说，V oc,Rs,Rsh,主要和原材料及生产工艺的本身特征相关，与工艺现场的调控波动性关系不是特别紧密，可称之为长程可控参数。
而Isc,FF, Irev1与工艺现场的调控联系紧密，对各调控参数比较敏感，可称之为短程可控参数。
当然我们最关心的是效率E ff。
而Eff则是以上所有参数的综合表现。
太阳能电池的理论基础建立在以下几个经典公式之上：V oc=(KT/q)×ln(Isc/Io+1)Voc=(KT/q)×ln(N aNd/ni2) 12 FF=Pm/(V oc×Isc)=Vm×Im/ (V oc×Isc) 34Eff=Pm/(APin)=FF×Voc×Isc/APin=FF×Voc×Jsc/Pin 5图-1太阳能电池的I-V曲线图-2太阳能电池等效电路从上面5式我们可以看到，与效率直接相关的电性能参数主要有：FF，Voc, Isc。
在生产中我们还比较关心暗电流情况：Irev1，由1式可以看出，它与Voc有比较紧密地联系（实际也是这样的）。
为了更好地说明各参数间的联系，这里先录用几组数据如下：表-1线别Uoc Isc FF Rs Rsh EFF Irev>6>16%Isc>8.2Voc>620FF>78 P156(71)0.6188.2177.20.00381816.11%0.17%78.73%56.2%33.1% 1.3% P156(62)0.6168.2176.60.00413315.92%0.53%56.06%55.2%18.1%0.4% E-CELL(LY)0.6277.2978.10.00312914.68% 1.23%40.03%20.3%69.8%65.8%以上P156均系LDK片源。
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太阳电池原理
目前绝大部分的电池片的基本成分是硅,在拉棒铸 锭时均匀的掺入了B(硼),B原子最外层有三个电子,掺B 的硅含有大量空穴,所以太阳能电池基片中的多数载 流子是空穴,少数载流子是自由电子,是P型半导体. 在扩散工序扩入大量的P(磷)原子,P原子最外层有 五个电子,掺入大量P的基片由P型半导体变为N型导 电体,多数载流子为电子,少数载流子为空穴.
空间电荷区
电子空穴对
电子空穴对
2，当入射光照射到电池片时,能量大于硅禁带宽度的光子穿过减反射膜进 入硅中,在N区、耗尽区、P区激发出光生电子空穴对.光生电子空穴对在耗 尽区中产生后,立即被内建电场分离,光生电子被进入N区,光生空穴则被推进 P区. 光生电子空穴对在N区产生以后,光生空穴便向PN结边界扩散,一旦到达 PN结边界,便立即受到内建电场作用,被电场力牵引做漂移运动,越过耗尽区 进入P区,光生电子(多子)则被留在N区.P区中的光生电子(少子)同样的先因为 扩散,后因为漂移而进入N区,光生空穴(多子)则留在P区.在PN结的两侧形成 了正负电荷的积累,产生了光生电压,这就是“光生伏特效应”.
3，α随着光波长的缩短而增大,最后(当λ‹450nm)由于α非常大，会 使光生载流子只发生在电池片表面，而电池片的 表面区的缺 陷很容易使电子空穴对被复合掉，从而使光电流反而减小。
太阳电池测试原理----光电流密度和
光电压
1，光电流密度 光生载流子的定向运动形成光电流.如果入射到电池的光子中,能量 大于禁带宽度Eg的光子均能被电池吸收,而激发出数量相同的光生 电子空穴对,且可以被全部收集,则光生电流密度的最大值为: 式中 N ph Eg 为每秒入射到电池上能量大于 Eg 的光子数.考 虑光的发射,材料吸收,电池厚度及光生载流子的实际生产率后, 光电流密度可以表示为:
太阳电池测试原理----光电流和光电
于是可列出一维情况下,描述太阳电池工作状态的基本方程: 对n区:
J p q p pn n qDp dpn .......... .......... .......... .......... .....(2 5) dx dpn 1 dJ p GL U n .......... .......... .......... .......... ........( 2 6) dt q dx dnp J n q n n p p qDn .......... .......... .......... .......... .....(2 7) dx dnp 1 dJn GL U p .......... .......... .......... .......... .......( 2 8) dt q dx d q ( N D N A p n)......... .......... .......... .......... (2 9) dx r 0
H H a x qG ( x ) dx J L q Q1 R a e dxd L d 0 0 0 0
J Lmax qNph Eg
式中 GL Q1 R a e a x , 为入射到电池上波长 为 ,带宽为d 的光子数, Q为量子产额，及一个能量大于Eg的 R 光子产生一对光生载流子的几率，通常情况下可以令Q=1， 为和波长有关的发射因数, a 为对应波长的吸收系数, dx 为距 电池表面x处厚度为dx的薄层,H为电池总厚度, GL ( x) 表示x处的 光生载流子的产生率.
太阳电池原理----原理图
n区 Ebi p区
P+区
中波
正电荷
长波
le
电子
背 场
正电极
短波
lh
0.2μm 2μm 180~200μm 3~6μm
Voc
太阳电池原理
电池片厚度一般为180~200μm. 电子空穴对EHP扩散距离le=(Deτe)1/2其中De为扩散系数. n侧少子为空穴,扩散长度很短,再由于n侧是重扩散杂质,所以少子 寿命非常短,因此n侧做得很薄(0.2μm),事实上,n侧的厚度ln可能少于 空穴的扩散长度lh.表面位置由于存在各种缺陷成为复合中心.短波 光会在表面被吸收,产生电子空穴对,这些非常接近n侧表面的光生 电子和空穴对很快就消失掉,这就是短波光量子效率很低的原因. 在波长约为1至1.2μm的光,硅材料对其吸收的系数很小α很小,吸 收深度(1/ α)通常会大于100μm。为了俘获这些长波光子,我们需要 相当厚的p侧材料，同时这种材料又必须是无缺陷的,使它有足够 长的少数载流子扩散长度le .通常p侧材料厚度为200μm.而少数载流 子扩散长度le会少于这个长度. 硅材料的带隙Eg约为1.1ev.
I sc qGo A
1 exp[ l n W le ] qGo Al n W le
其表面积A=5cm×5cm,ln =0.2μm,W=2μm,le=50μm,Go=1×1018cm-3s-1
太阳电池原理
不同波长的光所产生的Isc 1，对于光波长λ≈1.1μm，α=2000m-1（吸收深度δ=1/ α=500μm）, 求得Isc=20mA. 2，对于强吸收的光波长λ≈0.83μm， α=10 × 105m-1（吸收深度 δ=1/ α=10μm）,求得Isc=40mA.
太阳电池原理----光电流Isc
充足的太阳光照射到晶体硅太阳能电池时，电池片的整个厚 度内都会产生光生载流子,其电子空穴对的产生率Gp(即单位时间 单位体积内产生的电子空穴对数目),以Goexp(- αx)衰减。 （其中Go是电子空穴对在表面时的产生率, α是材料吸收系数.） 假定1,太阳电池厚度很薄,使所有的光生载流子都能流经外电路. 假定2,lh是大于n侧厚度ln ,所以,在体积(ln+w+le)内产生的全部电 子空穴对都贡献给光电流. 假定3,在材料表面的光生载流子的复合可以被忽略.
J 00 qDn ND N qDp A Ln Lp
其中 UD为最大pn结电压,等于pn结势垒高度,将(2-15)代入(2-13),当A=1 KT J 00 时,可得 U OC U D ln
q JL
在低温和高光强时, UOC接近UD, UD 越高UOC越大,因为
UD
所以pn结两边掺杂度越大,开路电压也越大.
负载电流
I I L I D I sh I L I 0 (e
负载电压
q (U IRS ) AKT
1)
U IR
I ( RS RL ) ......(2 17) Rsh
太阳电池测试原理----模拟电路图(等效
上式不能写成I=f(U)形式,只能写成I=f(U,I)的形式,因为这是一个超 越函数. IL 光生电流 T 太阳电池pn结的绝对温度 I0 反向饱和电流(暗电流) q 单位电荷量 A 二极管因子 K 普朗克常量 Rs/Rsh 太阳电池的串连/并联 I 太阳电池的输出电流 U 太阳电池的输出电压 当负载RL从0变化到无穷的时候,就可以根据上式画出太阳电池的 负载特性曲线.曲线上的每一点称为工作点.工作点和原点的连线称 1 为负载线.斜率为 ,工作点的横坐标和纵坐标即为相应的工作电压 RL 和工作电流.若改变负载电阻RL到达某一特定值Rm,此时,在曲线上得 到一个点M,对应的工作电流与工作电压之积最大(Pm=ImUm).我们就 称这点M为该太阳电池的最大功率点,其中, Im为最佳工作电流, Um为 最佳工作电压. Rm为最佳负载电阻.Pm为最大输出功率.如下图所示:
KT N D N A ln q ni2
太阳电池测试原理----模拟电路图(等效
电路图)Rs
ID IL CJ Ish Rsh U I RL
等效电路图
当受到光照的太阳电池接上负载时,光生电流流经负载,并在负载两 端产生端压,这时可以使用一个等效电路来描述太阳电池的工作情况. 把太阳电池看成稳定产生光电流的电流源(假设光源稳定),与之并联的 有一个处于正偏压下的二极管及一个并联电阻Rsh.
J D J 0 (e
qV AKT
qV AKT
1)
1)
AKT J L ln 1 q J0
J L J 0 (e
两边取对数整理后,当A→1,得, 在AM1条件下, J L 1 ,所以
J0
U OC
U OC
AKT J L ln .......... .......... .......... .......... .......... .......( 2 13) q J0
压
对p区:
•方程(2-5)称为电流密度方程,它表示n区中的空穴决定的电流密度等于 空穴的漂移分量与扩散分量的代数和. •方程(2-6)称为连续性方程.它表示在单位时间单位体积的半导体中,空 穴浓度的变化量等于净产生率(产生率减复合率)与空穴流密度梯度 的代数和.其中末项前的负号分别表示扩散流动方向和空穴浓度梯度 方向及电流密度方向均相反. •方程(2-7)(2-8)分别为p区中自由电子决定的电流密度方程和连续性 •方程（2-9）称为泊松方程，表示半导体中电势的空间分布和空间电 荷的关系
太阳电池测试原理----光电流和光电
压
这个表达式认为，凡是在电池中产生的光生载流子均可以对光电 流有贡献，因而是光电流的理想值，见太阳电池原理----原理图。 类似PN结正偏，在单位面积的太阳电池中把JL(λ)看为各区贡献的 光电流密度之和 JL=Jn (λ)+Jc (λ)+Jp(λ) 其中，Jn (λ)、Jc (λ)、 Jp(λ)分别表示n区、耗尽区、p区贡献的光 电流密度.在考虑各种产生和复合后,即可以求出每一区中光生载流 子的总数和分布,从而求出电流密度. 先考虑Jn和Jp,根据肖克莱关于pn结的理论,假设太阳电池原理---原理图中电池满足: • 光照时太阳电池各区均满足pn>ni2,即满足小注入条件 • 耗尽区宽度W<扩散长度Lp,并满足耗尽近似 • 基区少子扩散长度Lp >电池厚度H,结平面为无限大,不考虑周 界影响 • 各区杂质均已电离