氮化铝半导体简介概述
氮化铝损耗因子
氮化铝损耗因子1. 引言氮化铝（AlN）是一种重要的宽禁带半导体材料，具有优异的热导率和电绝缘性能。
在高频电子器件中，氮化铝被广泛应用于功率放大器、射频开关和微波传输线等领域。
然而，在氮化铝器件中，损耗因子是一个关键参数，它直接影响着器件的性能和可靠性。
2. 氮化铝损耗因子的定义在微波频段下，氮化铝的损耗因子指的是单位长度内材料对电磁波功率的吸收能力。
它可以通过测量材料的复介电常数和复磁导率来计算得出。
3. 影响氮化铝损耗因子的因素3.1 材料纯度氮化铝材料纯度对其损耗因子有重要影响。
高纯度的氮化铝晶体结构更完整、无杂质，并且具有较低的杂质吸收能力，从而降低了其损耗因子。
3.2 晶体缺陷氮化铝晶体中的缺陷也会对损耗因子产生影响。
常见的缺陷包括点缺陷、线缺陷和面缺陷等。
这些缺陷会导致电磁波在材料中发生散射和吸收，从而增加了损耗因子。
3.3 结构尺寸氮化铝器件的结构尺寸对其损耗因子也有一定影响。
通常情况下，器件尺寸越小，表面积相对增大，从而增加了与周围介质之间的界面相互作用，导致损耗因子升高。
3.4 工艺参数制备氮化铝器件时的工艺参数也会对其损耗因子产生影响。
例如，在制备过程中控制温度、压力和气氛等参数可以改变材料的晶体结构和缺陷密度，进而影响损耗因子。
4. 测量方法为了准确测量氮化铝的损耗因子，常用的方法是使用谐振腔法或微带线法。
谐振腔法通过测量腔体中的谐振频率和品质因子来计算损耗因子。
微带线法则是通过测量微带线上的传输损耗来间接计算损耗因子。
5. 氮化铝损耗因子的应用氮化铝的低损耗因子使其在高频电子器件中具有广泛的应用前景。
例如，在射频功率放大器中，较低的损耗因子可以提高功率放大器的效率和线性度。
在微波传输线中，低损耗因子可以减小信号衰减，提高信号传输质量。
6. 结论氮化铝损耗因子是影响氮化铝器件性能和可靠性的重要参数。
材料纯度、晶体缺陷、结构尺寸和工艺参数等因素都会对其产生影响。
为了准确测量氮化铝的损耗因子，谐振腔法和微带线法是常用的方法。
半导体elk材料
半导体elk材料半导体ELK材料半导体材料是一种介于导体和绝缘体之间的材料，具有中等的电导率。
而ELK材料则是一种特殊的半导体材料，其由氮化铝（AlN）、氮化镓（GaN）和氮化铟（InN）组成。
这种材料在电子器件领域具有重要的应用价值。
ELK材料具有许多优异的特性，使其成为半导体行业的研究热点之一。
首先，ELK材料具有较高的热导率和较低的热膨胀系数，使其在高温环境下具有较好的稳定性和导热性能。
其次，ELK材料在宽带隙半导体材料中具有较高的电子迁移率和较高的饱和漂移速度，使其在高频电子器件中具有很大的优势。
此外，ELK材料还具有较高的电子亲和能和较低的禁带宽度，使其在光电子器件领域具有广泛的应用前景。
ELK材料的制备方法有多种，最常用的方法是分子束外延（MBE）和金属有机化学气相沉积（MOCVD）。
分子束外延是一种高真空下的薄膜生长技术，通过在衬底上逐层沉积材料来制备ELK薄膜。
而金属有机化学气相沉积则是一种在较高温度下通过金属有机化合物的热分解来生长薄膜的方法。
这些制备方法都能够得到高质量的ELK材料。
ELK材料的应用非常广泛。
在电子器件领域，ELK材料可用于制备高频功率放大器、高电压开关和射频器件等。
在光电子器件领域，ELK材料可用于制备LED、激光器和光电探测器等。
此外，ELK材料还可用于制备高温传感器、太阳能电池和微波器件等。
然而，ELK材料也存在一些挑战和问题。
首先，ELK材料的制备工艺较为复杂，需要高真空设备和精密的控制技术。
其次，ELK材料的成本较高，限制了其在大规模应用中的推广。
此外，ELK材料的研究和开发还面临一些技术难题，如材料的稳定性、界面特性和缺陷控制等问题。
为了解决这些问题，研究人员正在不断努力。
他们通过改进制备工艺、优化材料结构和控制杂质含量等手段，提高ELK材料的性能和稳定性。
同时，他们还探索新的制备方法和材料组分，以进一步扩展ELK材料的应用领域。
半导体ELK材料是一种具有广泛应用前景的材料。
单晶氮化铝
单晶氮化铝单晶氮化铝是一种具有优异性能的材料，广泛应用于光电子器件、高温器件和微波器件等领域。
它以其卓越的导热性、高耐化学性和优异的电学特性备受瞩目。
单晶氮化铝具有出色的导热性能。
它的热导率高达180-200W/m·K，是铝的4倍，是铜的2倍。
这使得单晶氮化铝在高功率电子器件中具有优越的散热能力，可以有效地将热量传导到散热器上，保持器件的稳定运行。
单晶氮化铝具有卓越的耐化学性。
它具有良好的抗腐蚀性，能够在酸碱等腐蚀性环境中长期稳定运行。
这使得单晶氮化铝在化学工业和生物医学领域有着广泛的应用潜力。
单晶氮化铝还具有优异的电学特性。
它具有较大的禁带宽度，高击穿场强和低漏电流等特点，使得它在高功率电子器件和光电子器件中有着广泛的应用。
例如，在高频、高功率的微波器件中，单晶氮化铝可以作为半导体材料，具有较高的工作频率和功率能力。
除了上述优点，单晶氮化铝还具有优良的机械性能。
它的硬度高，抗压强度大，能够在高温和高压环境下保持稳定的性能。
这使得单晶氮化铝在航空航天、汽车工业和能源领域等高温高压环境下有着广泛的应用前景。
然而，单晶氮化铝的制备工艺相对复杂，成本较高。
目前主要采用的方法是气相沉积和热压烧结等技术。
气相沉积方法可以得到高纯度的单晶氮化铝，但制备周期长、成本高；热压烧结方法可以得到大规模的氮化铝块体材料，但单晶氮化铝的制备较为困难。
因此，如何降低制备成本，提高制备效率是当前研究的重点之一。
虽然单晶氮化铝在许多领域都有广泛应用，但仍然存在一些挑战。
例如，制备过程中的晶体缺陷和杂质可能对材料性能产生负面影响，需要进一步的研究和优化。
此外，单晶氮化铝的加工性能相对较差，不易进行复杂形状的加工，需要寻找适合的加工方法和工艺。
单晶氮化铝作为一种具有优异性能的材料，在光电子器件、高温器件和微波器件等领域有着广泛的应用前景。
随着制备工艺和加工技术的进一步发展，相信单晶氮化铝的应用将得到进一步拓展，为各个领域的科技发展做出更大贡献。
半导体材料举例
半导体材料举例半导体材料是一种特殊的材料，具有介于导体和绝缘体之间的电导率。
它们在现代电子学中扮演着重要的角色，被广泛应用于电子器件、光电器件、太阳能电池等领域。
下面列举了一些常见的半导体材料。
1. 硅（Si）：硅是最常见的半导体材料之一，具有良好的电学性能和化学稳定性。
它被广泛应用于集成电路、太阳能电池等领域。
2. 碳化硅（SiC）：碳化硅是一种新型的半导体材料，具有高温、高压、高频等特殊性能。
它被广泛应用于电力电子、汽车电子等领域。
3. 氮化镓（GaN）：氮化镓是一种宽禁带半导体材料，具有高电子迁移率和高饱和漂移速度。
它被广泛应用于LED、激光器等领域。
4. 磷化镓（GaP）：磷化镓是一种窄禁带半导体材料，具有良好的光电性能。
它被广泛应用于光电器件、太阳能电池等领域。
5. 砷化镓（GaAs）：砷化镓是一种高速、高频半导体材料，具有良好的电学性能和光电性能。
它被广泛应用于微波器件、光电器件等领域。
6. 氮化铝（AlN）：氮化铝是一种宽禁带半导体材料，具有良好的热导率和机械性能。
它被广泛应用于高功率电子器件、LED等领域。
7. 氮化硼（BN）：氮化硼是一种高温、高硬度半导体材料，具有良好的热导率和化学稳定性。
它被广泛应用于高温电子器件、陶瓷材料等领域。
8. 氧化锌（ZnO）：氧化锌是一种宽禁带半导体材料，具有良好的光电性能和化学稳定性。
它被广泛应用于光电器件、传感器等领域。
9. 硒化铟（In2Se3）：硒化铟是一种新型的半导体材料，具有良好的光电性能和化学稳定性。
它被广泛应用于太阳能电池、光电器件等领域。
10. 硫化镉（CdS）：硫化镉是一种窄禁带半导体材料，具有良好的光电性能和化学稳定性。
它被广泛应用于太阳能电池、光电器件等领域。
半导体材料在现代电子学中扮演着重要的角色，不同的半导体材料具有不同的特殊性能，可以满足不同领域的需求。
随着科技的不断发展，相信半导体材料的应用领域会越来越广泛。
半导体原材料
半导体原材料
半导体原材料是制造半导体器件的基础材料，其质量和性能直接影响着半导体器件的品质和性能。
半导体原材料主要包括硅材料、氮化镓、氮化铝、碳化硅等，下面就这些材料进行简要介绍。
首先，硅材料是半导体工业的主要原材料之一，其主要用途是制造各种类型的晶体管、集成电路和太阳能电池等。
硅材料具有优良的半导体性能和良好的机械性能，是目前半导体工业中最广泛应用的原材料之一。
其次，氮化镓是一种重要的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料，具有较高的电子迁移率和较大的击穿电压，适用于制造高频功率器件、光电器件和蓝光LED等。
氮化镓材料的开发和应用对于提高半导体器件的性能和降低功耗具有重要意义。
再次，氮化铝是一种重要的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料，具有优良的热稳定性和耐腐蚀性，适用于制造高温、高频和高功率的电子器件。
氮化铝材料的研发和应用对于提高半导体器件的工作温度和可靠性具有重要意义。
最后，碳化硅是一种新型的半导体材料，具有较高的电子迁移率和较大的击穿电压，适用于制造高频功率器件、光电器件和高温电子器件。
碳化硅材料的开发和应用对于提高半导体器件的工作频率和工作温度具有重要意义。
总的来说，半导体原材料是半导体工业的基础和关键，其质量和性能直接影响着半导体器件的品质和性能。
随着半导体工业的不断发展，对于半导体原材料的要求也越来越高，需要不断开发新的材料和提高现有材料的质量和性能，以满足不断变化的市场需求。
希望通过对半导体原材料的研究和应用，能够推动半导体工业的发展，为人类社会的科技进步做出更大的贡献。
阐述半导体材料种类
阐述半导体材料种类半导体材料是一类具有特殊电导性质的材料，其电导能力介于导体和绝缘体之间。
根据半导体材料的性质和用途的不同，可以分为多种类型。
本文将围绕半导体材料的种类进行详细阐述。
1. 硅（Silicon）硅是最常见的半导体材料之一，应用广泛。
其晶体结构稳定，制备工艺相对成熟，具有优异的热稳定性和机械性能。
硅材料可用于制造集成电路、太阳能电池、传感器等。
2. 砷化镓（Gallium Arsenide）砷化镓是另一种重要的半导体材料。
相比硅，砷化镓具有更高的电子迁移率和较小的能隙，可实现更高的工作频率和更高的功率输出。
砷化镓广泛应用于高速电子器件、光电子器件、雷达系统等领域。
3. 磷化氮（Gallium Nitride）磷化氮是一种宽能隙半导体材料，具有优异的热稳定性和高电子迁移率。
磷化氮可用于制造高功率和高频率的电子器件，如功率放大器、高亮度LED和微波器件等。
4. 硒化镉（Cadmium Selenide）硒化镉是一种重要的II-VI族半导体材料，具有较大的能隙和高的光吸收系数。
硒化镉可用于制造太阳能电池、光电倍增管、光敏器件等。
5. 氮化铝（Aluminium Nitride）氮化铝是一种宽能隙半导体材料，具有优异的导热性和高的电绝缘性能。
氮化铝可用于制造高功率电子器件、高频率器件和紫外LED 等。
6. 磷化铝镓（Aluminium Gallium Phosphide）磷化铝镓是一种III-V族半导体材料，其能隙可通过调整铝和镓的摩尔比例来实现。
磷化铝镓可用于制造高亮度LED、激光器和光电子器件等。
7. 硅碳化（Silicon Carbide）硅碳化是一种宽能隙半导体材料，具有优异的高温和高压特性。
硅碳化可用于制造高功率和高频率的电子器件，例如功率变频器、射频功率放大器等。
8. 氮化镓（Gallium Nitride）氮化镓是一种宽能隙半导体材料，具有优异的电子迁移率和热稳定性。
氮化镓可用于制造高功率电子器件、蓝光LED和激光二极管等。
氮化铝半导体简介
3.AlN单晶的生长
（4）Physical vapor transport growth（物理气相传输生长法） PVT法又被称为sublimation recondensation法，是生长AlN单晶最成功的方法；
反应过程：AlN粉末首先在温度较高的坩埚底部 被加热升华，成为气相AlN或者Al和N2；然后， 经过气相传输到达温度较低的坩埚顶部，在N2气 氛下重结晶，生成AlN单晶； 反应温度：AlN的升华温度约是1800oC，但是为 了获得较大的生长速率（>200mm/h）和高质量的 AlN单晶，反应温度必须高于2100oC，但要低于 2500oC，因为此时Al的蒸气压达到1atm。
HCl(g)+Al(l)一AlCl(g) ， A1Cl(g)+NH3(g)一AlN(s)+HCl(g)+H2(g) 通过上述方法，分别在SiC衬底和蓝宝石衬底上制得厚度75mm和20mm的AlN 晶片，直径2英寸； HVPE法的突出优点是其生长速度快，可达到100mm/h，大约是与金属有机气 相沉积法和分子束气相外延法的100倍。
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3.AlN单晶的生长
（2）High nitrogen pressure solution growth（高氮气压溶液生长法）
当压力大于500MPa时，Al与N2的高温燃烧反应速率减慢，这是因为N2在高压 条件下具有较高的热导率和较大的热容，导致燃烧反应过程中的热量损失增加； 当压力大于650MPa时，燃烧反应被完全终止；此外，高压条件下N2的密度较大， 有利于减少Al的蒸发和扩散； 基于上述机理，Bockowski等利用HNPSG法成功制得白色针状AlN单晶，直径 1mm，长度10mm；实验方案：将N原子溶解到液态Al中，温度1800-2000K, N2 压力2GPa；当溶液具有较高的过饱和度时，将得到纤锌矿结构的AlN单晶，但 是过高的过饱和度将导致过高的生长速度，易得到中空针状结构的AlN单晶。
aln与gan晶格常数 -回复
aln与gan晶格常数-回复AlN (氮化铝) 和GaN (氮化镓) 是两种重要的半导体材料，具有广泛的应用领域。
在研究和开发过程中，对于晶格常数的了解至关重要。
晶格常数是描述晶体内原子排列的参数，可以提供关于材料物理性质的重要信息。
本文将基于这两种材料，逐步解释和探讨AlN和GaN的晶格常数。
首先，我们将介绍AlN和GaN的基本特性和结构。
AlN 和GaN 模拟二维材料都具有六边形的晶格结构，称为六角晶格。
这种晶格由两个互相平行，但方向不同的轴构成。
相邻原子之间的距离和晶格结构对材料的性质有着重要的影响。
接下来，我们将探讨如何确定AlN和GaN的晶格常数。
实验方法是确定晶格常数的常用工具之一。
可以使用X射线衍射技术，通过测量材料衍射图样的位置和强度来获得晶格常数的值。
X射线衍射技术是在实验室或大型设施中进行的一种非常常见的技术。
通过使用该技术，我们可以准确测量AlN和GaN的晶格常数，并将其与理论值进行比较。
在理论计算方面，可以使用第一性原理计算方法，如密度泛函理论(Density Functional Theory, DFT)等，通过研究材料的电子结构和原子间相互作用来预测晶格常数。
DFT是一种先进的计算方法，已被广泛应用于材料科学研究中。
通过这种理论方法，我们可以得到准确的晶格常数的预测值。
对于AlN和GaN这样的复杂材料，实验结果和理论计算结果通常会有一定的偏差。
这是由于实验条件和理论模型的限制所导致的。
因此，为了获得更准确的结果，可以将实验结果和理论计算结果进行比较，以确定最符合实际情况的晶格常数。
需要注意的是，晶格常数有时会随着温度的变化而发生变化。
因此，对于温度敏感的材料，例如AlN和GaN，需要在不同温度下进行测量和计算，并考虑温度对晶格常数的影响。
在AlN和GaN的研究和应用中，晶格常数不仅与材料的结构和性质相关，还与工艺过程和器件性能密切相关。
由于晶格常数影响了材料的机械性能、界面强度和光电性能等重要特性，因此对于这些材料的实际应用而言，晶格常数的准确测量和理论预测是至关重要的。
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3.AlN单晶的生长
（3）Hydride vapor phase epitaxy growth（氢化物气相外延生长法）
1.Akasaki等第一次提出利用HVPE法制备AlN单晶，主要化学反应方程式： AlCl3(g)+NH3(g)一AlN(g)+3HCl(g) 反应温度600-1100oC； 2.对上述方法进行改进：以NH3和HCl作反应活性气体，Ar作承载气体，首先气 态HCl与金属Al反应生成AICl3，然后生成的AICl3再与NH3反应生成AlN,主要化 学反应方程式： HCl(g)+Al(l)一AlCl(g) ， A1Cl(g)+NH3(g)一AlN(s)+HCl(g)+H2(g) 通过上述方法，分别在SiC衬底和蓝宝石衬底上制得厚度75mm和20mm的AlN
2.Schlessre等通过在N2气氛中气化金属Al的方法，成功制得面积50mm2的AlN
单晶薄片,反应温度2100oC,反应时间2hrs。
3.AlN单晶的生长
（2）High nitrogen pressure solution growth（高氮气压溶液生长法）
当压力大于500MPa时，Al与N2的高温燃烧反应速率减慢，这是因为N2在高压 条件下具有较高的热导率和较大的热容，导致燃烧反应过程中的热量损失增加；
ห้องสมุดไป่ตู้
积）外延生长方面也有了初步的探索，但都没有明显的突破及成果。
从第三代半导体材料和器件研究发展现状来看，较为成熟的是SiC和GaN半导体材
料，其中SiC技术最为成熟，而ZnO、金刚石和AlN等宽禁带半导体材料的研究尚属起 步阶段。
2.AlN半导体的结构与性质
氮化铝（AlN）
1862年，Bfiegleb和Geuther利用熔融态Al与N2反应，第一次成功 合成AlN化合物；AlN晶体具有稳定的六方纤锌矿结构，晶格常数 a＝3.110Å，c=4.978Å；纯AlN晶体是无色透明的，但由于晶体中 存在的杂质离子和本征缺陷，AlN晶体通常呈黄色 或琥珀色； 根据实验验证和理论推算，AlN在Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中具有最大 的直接带隙宽度，约6.2eV。
反应过程：AlN粉末首先在温度较高的坩埚底部
被加热升华，成为气相AlN或者Al和N2；然后， 经过气相传输到达温度较低的坩埚顶部，在N2气 氛下重结晶，生成AlN单晶； 反应温度：AlN的升华温度约是1800oC，但是为
了获得较大的生长速率（>200mm/h）和高质量的
AlN单晶，反应温度必须高于2100oC，但要低于 2500oC，因为此时Al的蒸气压达到1atm。
4.AlN薄膜的制备
AlN薄膜生长技术：
1.溅射法 以N2 为反应气体, 用Ar 稀释载入反应腔体, 以高纯Al 为溅射靶, 反应形成AlN 薄 膜。工作气压、氮气浓度、溅射功率和衬底温度及种类等参数对薄膜的结晶取 向和表面形貌影响很大。 2.PLD PLD(脉冲准分子激光沉积)法具有沉积温度低, 生长速率高以及保持薄膜与靶 成分一致等优点, 特别适合多组分化合物薄膜。PLD 制备AlN薄膜一般有两种方 法:(1)直接剥离烧结AlN陶瓷靶, (2)在N2 或NH3 气氛下剥离纯Al 靶反应生成。
功生长出AlN晶锭；
3.目前，实验室中已经生长出直径大于2英寸的AlN晶锭，但仍有许多需要解 决。
AlN晶体生长的难点：
1.AlN晶体具有极高的熔点温度（~3500K）和较大的分解压，正常压力条件 下，AlN在熔化前即会发生分解，因此无法从熔体中生长AlN晶体；
2.AlN在高温下分解出的铝蒸汽很活泼，易腐蚀坩埚，需要选择耐高温、耐腐
蚀的坩埚材料。
3.AlN单晶的生长
AlN晶体的生长方法： （1）Direct nitridation of aluminum（铝直接氮化法）
1. 1960年，Taylar和Lenie第一次利用Al和N2高温反应的方法制备AlN单晶，并
成功制得直径0.5mm，长度30mm的AlN晶棒和直径2~3mm的AlN单晶薄片；
声表面波器件用压电材料;
4.氮化铝晶体与氮化镓晶体有非常接近的晶格常数和热膨胀系数,是外延生长 氮化镓基光电器件的优选衬底材料.
2.AlN半导体的结构与性质
AlN与其他常用半导体材料特性对照表
3.AlN单晶的生长
AlN晶体生长的发展历史：
1.1956年，Kohn等第一次生长出AlN单晶，直径0.03mm，长度0.3mm； 2. 1976年，Slack和McNelly利用升华凝结法（sublimation recondensation）成
AlN的晶体结构
2.AlN半导体的结构与性质
AlN 的多种优异性能： 1.禁带宽度6.2eV, 并具有直接带隙,是重要的蓝光和紫外发光材料; 2.热导率高, 电阻率高, 击穿场强大, 介电系数小,是优异的高温、高频和大功率
器件用电子材料;
3.沿c 轴取向的AlN 具有非常好的压电性和声表面波高速传播性能, 是优异的
当压力大于650MPa时，燃烧反应被完全终止；此外，高压条件下N2的密度较大，
有利于减少Al的蒸发和扩散；
基于上述机理，Bockowski等利用HNPSG法成功制得白色针状AlN单晶，直径
1mm，长度10mm；实验方案：将N原子溶解到液态Al中，温度1800-2000K, N2
压力2GPa；当溶液具有较高的过饱和度时，将得到纤锌矿结构的AlN单晶，但 是过高的过饱和度将导致过高的生长速度，易得到中空针状结构的AlN单晶。
5.AlN半导体的研究现状
国内外研究进展（-2010年）：
美国：2002年启动“半导体紫外光源”研究计划；美国TDI公司是目前完全掌握 HVPE (氢化物气相外延)法制备AlN基片技术，并实现产业化的唯一单位。TDI的AlN基 片是在（0001）的SiC或蓝宝石衬底上淀积10-30微米的电绝缘AlN层，主要用作低缺陷 电绝缘衬底，用于制作高功率的AlGaN基HEMT，目前已经有2,3,4,6英寸产品。 日本：2004年启动“高效率紫外发光半导体”研究计划，目前最好成果是直径为毫米 级AlN单晶，还没有成熟的产品出现。 国内关于氮化铝晶体的研究刚起步，一些科研单位在AlN MOCVD（金属有机气相沉
晶片，直径2英寸；
HVPE法的突出优点是其生长速度快，可达到100mm/h，大约是与金属有机气 相沉积法和分子束气相外延法的100倍。
3.AlN单晶的生长
（4）Physical vapor transport growth（物理气相传输生长法）
PVT法又被称为sublimation recondensation法，是生长AlN单晶最成功的方法；
氮化铝（AlN）半导体
梁龙跃 201411922
1.前言
半导体材料的发展：
1.第一代半导体：以Si，Ge半导体材料为代表；
2.第二代半导体：以GaAs，InP半导体材料为代表； 3.第三代半导体：以碳化硅（SiC），氮化镓（GaN），氧化锌（ZnO），金刚石和氮 化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料，具有禁带宽度宽，击穿电场高，热导率高， 电子饱和速率高以及抗辐射能力高等优点。
3.AlN单晶的生长
对坩埚材料的要求： 熔点要高于2500oC; 不能与Al,N,C等形成低温共熔体； 不与Al蒸汽和N2反应； 蒸气压要远远低于Al与N2形成AlN的蒸气压； 综上所述，钨是生长AlN单晶最理想的坩埚材料。 加热系统： 石墨或钨加热元件，或者微波加热； 利用PVT法，成功制得2×3mm2的AlN薄片和直径1mm，长度3mm 的针状AlN晶棒。