NW102系列MEMS压力传感器芯片
无线发射芯片MICRF102的原理及应用
无线发射芯片MICRF102的原理及应用
徐回忆;吴勇
【期刊名称】《河南科技》
【年(卷),期】2005(000)017
【摘要】@@ MICRF102是Micrel公司新近推出的远距离无线数据发射芯片.该芯片集成了合成器、压控振荡器、功率放大器等电路,可实现真正的"数据输入,无线输出"功能.它具有ASK/OOK调制、自动调谐等特点.工作频率为300～470MHz,电源电压为4.5～5.5V,工作电流为8mA,待机电流为1.0μA;数据传输速率为
20kps.可广泛应用于无线键盘、远程遥控门禁系统、遥控风扇、照明开关以及无线传感数据传输等领域.
【总页数】2页(P47-48)
【作者】徐回忆;吴勇
【作者单位】河南工业大学电气工程学院;河南工业大学电气工程学院
【正文语种】中文
【中图分类】TN92
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基于MEMS技术的微型压力传感器设计与制备
基于MEMS技术的微型压力传感器设计与制备随着科技的不断进步，微电子力学系统（MEMS）技术在各个领域得到越来越广泛的应用。
其中，微型压力传感器作为MEMS技术的一个重要应用之一，具有非常广阔的应用前景。
本文将针对基于MEMS技术的微型压力传感器的设计与制备进行探讨。
首先，我们来了解一下什么是MEMS技术。
MEMS技术是Micro Electro-Mechanical Systems的缩写，即微电子机械系统。
它是一种将微米级机械结构和电子器件集成在一起的技术。
MEMS技术具有体积小、功耗低、响应速度快等特点，适合用于制备微型压力传感器。
微型压力传感器设计的关键之一是选择合适的工作原理。
常见的工作原理有压阻式、电容式和压电式等。
其中，压阻式传感器是基于材料电阻值的变化来检测压力的，电容式传感器则是基于电容值的变化来检测压力的，而压电式传感器则是利用压电材料的机械变形产生电荷的原理来检测压力的。
不同的工作原理适用于不同的应用场景，设计者需要根据具体需求选择合适的工作原理。
其次，合适的材料选择对于微型压力传感器的性能至关重要。
在MEMS技术中，常用的材料包括硅、玻璃和聚合物等。
硅材料具有优异的机械性能和化学稳定性，适合用于制备高精度的压力传感器。
玻璃材料具有良好的气密性和化学稳定性，适用于制备微型压力传感器的封装。
聚合物材料具有低成本和良好的加工性能，适合用于制备大规模的微型压力传感器。
在制备微型压力传感器时，关键的步骤之一是制备微结构。
常用的制备方法包括光刻、薄膜沉积和离子刻蚀等。
光刻技术是通过将光敏材料暴露于特定的光源下，然后进行显影和腐蚀等步骤，最终制备出所需的微结构。
薄膜沉积技术是将所需材料通过物理或化学方法沉积在基底上，形成所需的薄膜层。
离子刻蚀技术是通过将离子束轰击在材料表面，使材料发生腐蚀，最终制备出所需的微结构。
在设计微型压力传感器时，还需要考虑电路设计和信号处理等问题。
由于微型压力传感器输出的信号较小，通常需要进行放大和滤波等处理，以便得到准确可靠的信号。
fp-102工作原理
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fp-102工作原理（大纲）一、FP-102概述1.1FP-102的定义1.2FP-102的应用领域二、FP-102的工作原理2.1基本构成2.1.1传感器部分2.1.2处理器部分2.1.3输出部分2.2工作流程2.2.1信号采集2.2.2信号处理2.2.3信号输出三、FP-102的关键技术3.1传感器技术3.1.1传感器类型3.1.2传感器特性3.2处理器技术3.2.1数字信号处理3.2.2模拟信号处理3.3输出技术3.3.1输出方式3.3.2输出特性四、FP-102的优势与特点4.1高精度4.2高稳定性4.3低功耗4.4抗干扰能力强4.5易于集成五、FP-102的应用实例5.1工业领域5.1.1温度控制5.1.2压力监测5.2医疗领域5.2.1血压监测5.2.2脉搏检测5.3消费电子领域5.3.1家用电器5.3.2智能穿戴设备六、FP-102的发展前景6.1市场趋势6.2技术创新6.3应用拓展一、FP-102概述1.1 FP-102的定义FP-102是一款高精度的温度控制器，其主要应用于实验室、工业生产等领域的温度控制。
FP-102采用了先进的微处理器控制技术，结合了高精度的温度传感器和加热器，能够实现对温度的精确控制。
WPD-102 压力传感器说明手册说明书
WARNING Ensure that the maximum individual port pressure doesnot exceed the maximum pressure range of the unit. For example, the maximum individual port pressure on a WPD-102 is 100 PSI. Exceed-ing this may damage the sensors and WILL give erroneous readings.WARNING Do not use in an explosive or hazardous environment, with combustible or flammable gasses, as a safety or emergency stop device or in any other application where failure of the product could result in personal injury. Use electrostatic discharge precautions during installation and do not exceed the device ratings.MOUNTING The transmitter mounts on a vertical surface with the pressure ports and cable entrance on the bottom using the two screw holes on the base of the unit. Ensure there is enough space around the unit to make the pressure and electrical connections. Avoid locations with severe vibrations or excessive moisture. The enclosure has a standard ½” conduit opening and may be installed with either a conduit coupler or a cable gland type fitting. In this position the High port is on the left and the Low port is on the right as shown on the pcb.WIRING Use 22 awg shielded wiring for all connections and do not locate the device wires in the same conduit with wiring used to supply induc-tive loads such as motors. Disconnect the power supply before making any connections to prevent electrical shock or equipment damage. Make all connec-tions in accordance with national and local electrical codes.This device is a 3-wire sourcing type transmitter. Connect the positive dc voltage or the hot side of the ac voltage to the terminal marked PWR . The power supply common is connected to the terminal marked COM . The device is reverse voltage protected and will not operate if connected backwards. The analog output signal is available on the OUT terminal. This signal is jumper selectable for either voltage or 4-20 mA output. In voltage mode, either 0-5 or 0-10 Vdc can also be selected. These options are indicated on the circuit board.The remote zero feature may be used by wiring a dry-contact (relay only) digital output to the ZERO terminals. Do not apply voltage to the ZERO terminals.PLUMBING The two pressure ports are labeled High and Low . The out-put signal indicates a positive value when the pressure is higher on the High port than the Low port so ensure these ports are connected correctly. Use an appropriately rated pressure tubing and arrange it to minimize stress on the connections.Do not allow material to fall into the pressure ports as contamination could damage the sensors.CONFIGURATION As shown on the pcb drawing, push-on jumpers and switches are used to select the output signal type, the input pressure range and several features. The device is factory configured to operate in the 4-20 mA output mode but can be changed to voltage mode by moving the two jumpersfrom the positions marked Current to the positions marked Voltage . Always note the current jumper position first and then move them to the new position.If the jumpers are rotated 90 degrees and installed incorrectly the product will not work and damage may occur. In voltage mode the output scale may be changed to either 0-5 or 0-10 Vdc by moving the single jumper to the 5V or 10V position.The Range and Options switches can be changed while the unit is operating. However, the output jumpers can only be changed while the power is removed.The jumper marked Light is for the LCD back-light option. The back-light is enabled in the On position but can be set to Off to reduce power consumption. The input pressure range (as shown on the product label) is set by moving the 4-position slide switch marked RANGE .Bidirectional operation, port swap, slow damping and analog reverse functions are available by switching the appropriate DIP switch position to ON.BIDIRECTIONAL This switch changes the range from 0 to full scale differ-ential pressure to minus full scale to plus full scale differential pressure. The analog output will read ½ when the differential pressure is zero. The example below shows the results when a Model 2 (0 to 100 psi) is operated in bidirec-tional mode (-100 to 100 psi).PORT SWAP This switch reverses the polarity of the pressure ports. It makes the HIGH port “low” and the LOW port “high”. This is useful to correct plumbing errors.SLOW DAMPING This switch provides an 8-second averaging for surge dampening (normally it is 4-seconds).OUTPUT REVERSE This switch reverses the output signal polarity. In reverse mode the analog output is maximum when the pressure differential is zero and decreases as pressure increases.OPERATION For normal operation such as 0-100 PSI, the pressure applied to the High port must be higher than the pressure applied to the Low port. If the pressure connection is reversed then the transmitter will always output 4 mA or 0 V. If the Low port is left open to ambient pressure, then the High port is used to measure a positive pressure and 0 PSI = 4 mA and 100 PSI = 20 mA.Model 1 2 3 4 101 50 PSI 25 PSI 10 PSI 5 PSI 102 100 PSI 50 PSI 20 PSI 10 PSI 103 200 PSI 100 PSI 40 PSI 20 PSI 104 500 PSI 250 PSI 100 PSI 50 PSI 105 5.0 Bar 2.5 Bar 1.0 Bar 0.5 Bar 106 7.50 Bar 3.75 Bar 1.50 Bar 0.75 Bar 107 10 Bar 5 Bar 2 Bar 1 Bar 108 30 Bar 15 Bar 6 Bar 3 Bar 109 500 kPa 250 kPa 100 kPa 50 kPa 110 750 kPa 375 kPa 150 kPa 75 kPa 111 1000 kPa 500 kPa 200 kPa 100 kPa 1123000 kPa1500 kPa600 kPa300 kPaPressure Range Wet-WetDifferential Pressure TransducerInstallation InstructionsHIGH port LOW port LCD 4-20 mA 0-5 V 100 PSI 50 PSI 50 PSI 16 mA 3.75 V 50 PSI 100 PSI -50 PSI 8 mA 1.25 V 50 PSI 50 PSI 0 PSI 12 mA 2.5 V 100 PSI0 PSI100 PSI20 mA5 VFor bidirectional operation such as +/-100 PSI, the pressure applied to the High port should be higher than the pressure applied to the Low port for a positive output response. Negative pressure is indicated if the High pressure is less than the Low pressure. In this case –100 PSI = 4 mA and +100 PSI = 20 mA. Since the transmitter is linear 0 PSI = 12 mA.CALIBRATION With both ports open to the ambient pressure (or with both ports equalized at 0 pressure), press and hold the auto-zero button or provide contact closure on the ZERO terminals for at least 3 seconds. Release the button or terminals and the device will calculate and store the new zero point. To protect the unit from accidental zeroing this feature is enabled only when the detected pressure on both ports is less than 5% of the full range. It is not recommended that the span calibration be performed in the field unless a high quality calibrator is available. SPECIFICATIONSMedia compatibility 17-4 PH stainless steel Input power 15 to 30 Vdc / 24 Vac nominal Supply current @ 24 Vdc 100 mA with LCD backlight 35 mA with backlight disabledOutput signal 4-20 mA, 0-5 or 0-10 Vdc Proof pressure Max. 2x F.S. range Burst pressure Max. 5x F.S. range Accuracy +/-1 %F.S. (range 4 is +/- 2 %) Surge damping 4 sec averaging (8 sec for slow) Long term stability +/-0.25% typical (1 year) Auto-zero adjust pushbutton and remote input Sensor operating range -40 to 105 °C (-40 to 220 °F) Operating environment 0 to 50 °C, 10 to 90 %RH n.c. Fittings 1/8” NPT femaleEnclosure 5” x 5” x 2.25” PVC NEMA 4Optional switch settings. Default is Normal (switch set to off).Power in, 24Vac/dc Common is shared with outputOutput, Current or Voltage.Common is shared with power supplyNOTE: The range and options switch can be changed while the unit is powered. However, the output jumpers can only be changed while the unit is unpowered.DO NOT CONNECT POWER TO THE ‘OUT’ TERMINAL AS THE UNIT WILL BE DAMAGED!REV. 006 10/2008WARNING Ensure that the maximum individual port pressure does not exceed the maximum pressure range of the unit. For example, the maximum individual port pressure on a WPD-102 is 100 PSI. Exceeding this may damage the sensors and WILL give erroneous readings.BOARD LAYOUT WIRINGJUMPER SETTINGSDisplay backlight on Display backlight off4-20 mA output 0-10 Vdc output 0-5 Vdc outputNOTE: The current/voltage output jumpers must be oriented as they are shown in the above illustration.。
MEMS压力传感器原理及应用详解
MEMS压力传感器原理及应用详解目前的MEMS压力传感器有硅压阻式压力传感器和硅电容式压力传感器，两者都是在硅片上生成的微机电传感器。
硅压阻式压力传感器是采用高精密半导体电阻应变片组成惠斯顿电桥作为力电变换测量电路的，具有较高的测量精度、较低的功耗，极低的成本。
惠斯顿电桥的压阻式传感器，如无压力变化，其输出为零，几乎不耗电。
其电原理如图1所示。
硅压阻式压力传感器其应变片电桥的光刻版本如图2。
图1 惠斯顿电桥电原理图2 应变片电桥的光刻版本MEMS硅压阻式压力传感器采用周边固定的圆形的应力杯硅薄膜内壁，采用MEMS技术直接将四个高精密半导体应变片刻制在其表面应力最大处，组成惠斯顿测量电桥，作为力电变换测量电路，将压力这个物理量直接变换成电量，其测量精度能达0.01%~0.03%FS。
硅压阻式压力传感器结构如图3所示，上下二层是玻璃体，中间是硅片，硅片中部做成一应力杯，其应力硅薄膜上部有一真空腔，使之成为一个典型的绝压压力传感器。
应力硅薄膜与真空腔接触这一面经光刻生成如图2的电阻应变片电桥电路。
当外面的压力经引压腔进入传感器应力杯中，应力硅薄膜会因受外力作用而微微向上鼓起，发生弹性变形，四个电阻应变片因此而发生电阻变化，破坏原先的惠斯顿电桥电路平衡，产生电桥输出与压力成正比的电压信号。
图4是封装如IC的硅压阻式压力传感器实物照片。
MEMS硅压阻式压力传感器图3 硅压阻式压力传感器结构图4 硅压阻式压力传感器实物MEMS电容式压力传感器电容式压力传感器利用MEMS技术在硅片上制造出横隔栅状，上下二根横隔栅成为一组电容式压力传感器，上横隔栅受压力作用向下位移，改变了上下二根横隔栅的间距，也就改变了板间电容量的大小，即△压力=△电容量。
电容式压力传感器实物如图。
图5 电容式压力传感器结构图6 电容式压力传感器实物MEMS压力传感器的应用MEMS压力传感器广泛应用于汽车电子：如TPMS（轮胎压力监测系统）、发动机机油压力传感器、汽车刹车系统空气压力传感器、汽车发动机进气歧管压力传感器（TMAP）、柴油机共轨压力传感器;消费电子，如胎压计、血压计、橱用秤、健康秤，洗衣机、洗碗机、电冰箱、微波炉、烤箱、吸尘器用压力传感器、洗衣机、饮水机、洗碗机、太阳能热水器用液位控制压力传感器;工业电子，如数字压力表、数字流量表、工业配料称重等。
基于MEMS技术的压力传感器制备与测试
基于MEMS技术的压力传感器制备与测试近年来，微电机系统（MEMS）技术在传感器领域得到了广泛应用。
其中，基于MEMS技术的压力传感器因其小型化、高精度和低功耗等特点备受关注。
本文将探讨基于MEMS技术的压力传感器的制备和测试方法，以及其在不同领域的应用。
一、MEMS技术的压力传感器制备MEMS技术是一种将微尺度的机械结构与电子器件集成在一起的技术。
压力传感器是MEMS技术应用的重要领域之一。
在压力传感器的制备过程中，主要包括以下几个关键步骤：1. 压力传感器结构设计：首先需要确定传感器的结构，例如薄膜结构、柔性结构等。
结构的设计要考虑到压力传感器所要测量的压力范围和精度要求等因素。
2. 材料选择：在MEMS技术中，常用的材料包括硅、玻璃、金属等。
选择合适的材料对于传感器的性能至关重要。
例如，硅具有优良的机械性能和化学稳定性，常用于薄膜压力传感器的制备。
3. 制备工艺：MEMS技术的制备包括光刻、薄膜沉积、离子刻蚀等步骤。
光刻技术用于定义传感器的结构，而薄膜沉积和离子刻蚀则用于形成薄膜结构。
制备工艺的选择和优化将直接影响到传感器的性能。
4. 传感电路的设计与集成：制备好的压力传感器需要与传感电路结合，以实现信号的采集和处理。
传感电路的设计要考虑到传感器的输出信号特点和外部环境的干扰等因素。
二、MEMS技术的压力传感器测试压力传感器的测试是确保其性能和可靠性的关键环节。
常用的测试方法包括静态测试和动态测试。
1. 静态测试：静态测试用于测量压力传感器的零点漂移、灵敏度、线性度等参数。
在测试过程中，需要通过与标准压力源连接，以模拟不同的压力值，并检测传感器输出的电信号。
根据测试结果，可以对传感器的性能进行评估和调整。
2. 动态测试：动态测试用于测量压力传感器的频率响应等参数。
通过施加不同频率和幅度的压力信号，并检测传感器输出的电信号，可以确定传感器在不同频率下的响应特性。
动态测试可以用于评估传感器的动态性能和抗干扰能力。
mems压力芯片原理
mems压力芯片原理一、引言随着科技的不断发展，MEMS（Micro Electro Mechanical Systems）技术在各个领域得到广泛应用。
其中，MEMS压力芯片作为MEMS技术的一项重要应用之一，被广泛应用于气压测量、气体流量控制、液体压力监测等领域。
本文将围绕MEMS压力芯片的原理展开讨论。
二、MEMS压力芯片的结构MEMS压力芯片的主要结构有压阻、薄膜和电路三部分组成。
其中，压阻是压力的敏感元件，薄膜为压阻提供支撑，电路用于采集和处理压力信号。
三、MEMS压力芯片的工作原理MEMS压力芯片的工作原理基于压阻效应。
当外界施加压力时，薄膜上的压阻会发生变化，从而引起电阻值的变化。
压力信号经过电路的放大和处理，最终转化为电压或数字信号输出。
四、MEMS压力芯片的制造工艺MEMS压力芯片的制造工艺主要包括薄膜沉积、光刻、腐蚀、离子注入、电极制作等步骤。
首先，通过薄膜沉积技术在硅衬底上沉积一层薄膜作为薄膜结构的支撑。
然后，利用光刻技术在薄膜上定义出压阻的形状和电极的位置。
接着，通过腐蚀技术将不需要的薄膜部分去除，形成压阻和薄膜结构。
最后，利用离子注入和电极制作技术完成电路的制作。
五、MEMS压力芯片的优势和应用MEMS压力芯片相比传统的压力传感器具有体积小、重量轻、功耗低等优势。
这使得它在移动设备、汽车电子、医疗器械等领域得到广泛应用。
例如，在智能手机中，MEMS压力芯片可以用于实现气压计、高度计等功能；在汽车中，它可以用于测量轮胎压力，提高行车安全性。
六、MEMS压力芯片的发展趋势随着科技的不断进步，MEMS压力芯片在精度、稳定性、可靠性等方面还有进一步的提升空间。
未来，随着新材料的应用和制造工艺的创新，MEMS压力芯片有望实现更高的精度和更低的功耗。
此外，随着物联网技术的普及，MEMS压力芯片将在更多领域得到应用，为人们的生活带来更多便利。
七、总结本文围绕MEMS压力芯片的原理进行了详细的讨论。
炜盛科技GM-102B二氧化氮气体传感器说明书
MEMS二氧化氮气体传感器（型号：GM-102B）使用说明书版本号：2.3实施日期：2021.01.08郑州炜盛电子科技有限公司Zhengzhou Winsen Electronic Technol ogy Co.,Ltd声明本说明书版权属郑州炜盛电子科技有限公司（以下称本公司）所有，未经书面许可，本说明书任何部分不得复制、翻译、存储于数据库或检索系统内，也不可以电子、翻拍、录音等任何手段进行传播。
感谢您使用炜盛科技的系列产品。
为使您更好地使用本公司产品，减少因使用不当造成的产品故障，使用前请务必仔细阅读本说明书并按照所建议的使用方法进行使用。
如果您不依照本说明书使用或擅自去除、拆解、更换传感器内部组件，本公司不承担由此造成的任何损失。
您所购买产品的颜色、款式及尺寸以实物为准。
本公司秉承科技进步的理念，不断致力于产品改进和技术创新。
因此，本公司保留任何产品改进而不预先通知的权力。
使用本说明书时，请确认其属于有效版本。
同时，本公司鼓励使用者根据其使用情况，探讨本产品更优化的使用方法。
请妥善保管本说明书，以便在您日后需要时能及时查阅并获得帮助。
郑州炜盛电子科技有限公司GM-102B二氧化氮气体传感器产品描述MEMS二氧化氮气体传感器利用MEMS工艺在Si基衬底上制作微热板，所使用的气敏材料是在清洁空气中电导率较低的金属氧化物半导体材料。
当环境空气中有被检测气体存在时传感器电导率发生变化，该气体的浓度越高，传感器的电导率就越高。
使用简单的电路即可将电导率的变化转换为与该气体浓度相对应的输出信号。
传感器特点本品采用MEMS工艺，结构坚固，对二氧化氮灵敏度高；具有尺寸小、功耗低、灵敏度高、响应恢复快、驱动电路简单、稳定性好、寿命长等优点。
主要应用便携式与固定式二氧化氮检测仪。
技术指标表1产品型号GM-102B产品类型MEMS二氧化氮气体传感器标准封装陶瓷封装检测气体二氧化氮检测浓度0.1ppm～10ppm NO2标准电路条件回路电压V C≤24V DC加热电压V H 1.8V±0.1V AC or DC 负载电阻R L可调标准测试条件下气敏元件特性加热电阻R H80Ω±20Ω（室温）加热功耗P H≤40mW敏感体电阻R S10KΩ～1000KΩ(in5ppm NO2)灵敏度S R0(in air)/Rs(in5ppm NO2)≤0.5标准测试条件温度、湿度20℃±2℃；55%RH±5%RH 标准测试电路V H:1.8V±0.1V；V C:5.0V±0.1V传感器结构示意图引脚连接①R H1②③R H2④⑤R S1⑥⑦R S2⑧底视尺寸图（单位：mm ）外形图底视引脚布置图①②③④⑧⑦⑥⑤基本电路图2GM-102B 测试电路VcV H+1.8V图1传感器结构示意图说明：上图为GM-102B 传感器的基本测试电路。
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Nano MEMS Inc.
压力传感器芯片
产品特点
应用领域
芯片尺寸：1.6 x 1.6 mm2 工作温度：-40℃~125℃ 量 程：100KPa、200KPa、700KPa、1600KPa
工业/工程控制 差压传感器系统 绝压传感器系统
产品简介
NW102 系列产品是由无锡市纳微电子有限公司提供的扩散硅压阻式压力传感器。本系列产品具有与被 检测压力成良好线性关系的毫伏级输出信号及优异的重复性与稳定性，适用于陶瓷、PCB、TO 管等多种封 装形式。NW102 系列产品采用体微机械加工方式，工艺成熟稳定，为客户提供了极具性价比优势的选择。
1、 如无特殊声明，所有数据均在供电电压 Vs+=5VDC，室温环境下测试完成； 2、 进行切片工序之前尺寸； 3、 最小二乘法拟合直线； 4、 0~50℃范围内测试数据； 5、 压力传感器芯片进行正行程（工作压力最小值到最大值）及反行程（工作压力最大值到最小值）压力循环，工作压力范
围内任意压力下的输出值在正行程时与反行程时的偏差； 6、 同 5 中的测试方法，进行 3 次正反行程压力循环； 7、 零点输出在传感器进行一次-40~+125℃温度循环前后的偏差值。
联系方式
无锡市纳微电子有限公司 江苏省无锡市新区菱湖大道 97 号立业楼 E105 室 邮编：214135
NW102 系列
电 话：+86-510-85225558 传 真：+86-510-85223711 电子邮箱：sales@ 网 址：
©2008-2012 无锡市纳微电子有限公司 版权所有
电电压输入端（Vs+）电位高于接地端（Gnd1 与 Gnd2）电位。
NW102 系列
©2008-2012 无锡市纳微电子有限公司 版权所有
性能参数
参 工作电压 工作压力范围 芯片尺寸 2 电桥电阻 零点输出
满量程输出
非线性 3 电阻温度系数 4 灵敏度温度系数 4 零点输出温度系数 4 压力迟滞 5 重复性 6 温度迟滞 7 过载压力 破坏压力 工作温度 存储温度
脚位定义及电路原理
脚位编号
脚位定义
1
Vout-: 输出信号负极
2
Gnd1: 接地端
3
Gnd2: 接地端
4
Vout+: 输出信号正极
5
Vs+: 供电电压输入端
6
Sub（Vs+）: 衬底
当压力作用在传感器正面（金属引线一侧）时，按上述脚位定义
输出信号为正值。
※注：NW102 为扩散硅压阻式压力传感器，硅衬底（Sub）与高电位 Vs+相连，因此使用过程中必须保证供
NW102 系列
©2008-2012 无锡市纳微电子有限公司 版权所有
订购信息
Nano MEMS Inc.
NW1 02 – A 0700
3 2 1
①芯片尺寸
01
1.0 x 1.0 mm2
02
1.6 x 1.6 mm2
03
1.8 x 1.8 mm2
04
2.0 x 2.0 mm2
05
3.0 x 3.0 mm2
最大值 10
5.5 +20 130 130 130 150 ±0.5 +2200 -1700 60 ±0.2 ±0.2 ±0.2 3X 5X 125 150
单位 V(DC)
KPa mm2 KΩ mV mV mV mV mV %FS ppm/℃ ppm/℃ μV/℃ %FS %FS %FS
--℃ ℃
※注：
②压力类型
X
绝压/差压
A
绝压
D
差压
③工作压力范围
0005
5KPa
0040
40KPa
0100
100KPa
0150
150KPa
0ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ00
200KPa
0300
300KPa
0400
400KPa
0700
700KPa
1600
1600KPa
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数1
100KPa 200KPa 700KPa 1600KPa
Nano MEMS Inc.
最小值 --
4.5 -20 70 70 70 90
+1600 -2300 -60
------40 -40
典型值 5
100、200、700、1600 1.6 x 1.6 5 0 100 100 100 120 ±0.2 +1900 -2000 ---------