一种比铁电存储器更优越的新型存储器件—磁电存储器
存储芯片分类比较与应用情况介绍
表 ：主要存储器类型介绍
存储芯片类型
作用
市场领先的参与者 国内主要参与者 市场规模
市场特点
代码型闪存存储器， 华邦、旺宏、兆易
NOF Flash 常
创新、Cypress、美
用于系统启动代码的
光
兆易创新
25亿-30 亿美元
市场规模曾随智能手机消亡而逐渐 萎缩，但目前已随着新兴应用的崛
保存着从主存储器取出 的缓存行
保存着取自本地存储的 缓存行
CPU可直接调取并执行
文件需调取到RAM才可执 行
2.2 EEPROM：低功耗，高擦写次数存储首选方案
➢ EEPROM的全称是“电可擦除可编程只读存储器”，可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编 程，一般用在即插即用。在一些所需存储容量不大，并且需要频繁更新的场合，EEPROM相比较于 Flash，由于其百万次的擦写次数和更快速的写入，成为更佳选择。
➢ 从应用形态上看，NAND Flash的具体产品包括USB（U盘）、闪存卡、SSD（固态硬盘），以及嵌 入式存储（eMMC、eMCP、UFS）等。USB属于常见的移动存储设备，闪存卡则用于常见电子设备 的外设存储，如相机、行车记录仪、玩具等。
图：NAND Flash的结构特点
图：NAND下游应用领域
1
2.1存储器类型众多，应用广泛
➢ 众多半导体存储器中，市场规模最大的是DRAM和NAND Flash，市场规模均在数百亿美元，其中DRAM 2018年的市场规模已达到1000亿美元。除此之外，存储芯片市场空间较大的还有NOF Flash，其市场 规模曾一度随着功能手机的消亡而逐渐降低，但近年来随着新兴市场的崛起，NOF Flash的市场空间
2024年铁电存储器市场前景分析
2024年铁电存储器市场前景分析引言随着科技的不断发展，人们对存储设备的需求也在不断增加。
铁电存储器作为一种新兴的存储技术，具有许多优势。
本文将对铁电存储器市场的前景进行分析。
第一部分：铁电存储器概述铁电存储器是一种使用铁电材料作为存储介质的存储设备。
它具有非易失性和随机读写的特点，能够在断电后保持数据，并具备快速读写速度和高存储密度的优势。
目前，铁电存储器广泛应用于智能手机、平板电脑和电子游戏机等消费电子产品中。
第二部分：铁电存储器市场现状分析当前，铁电存储器市场正处于增长阶段。
随着消费电子产品的普及，对高速、高容量存储器的需求不断增加。
铁电存储器作为一种性能优越的存储技术，已经开始逐渐取代传统存储器，成为市场的主流选择之一。
根据市场研究公司的数据，铁电存储器市场在过去几年中持续增长，预计将在未来几年内保持稳定增长势头。
第三部分：2024年铁电存储器市场前景分析3.1 技术进步带来市场机遇随着科技的不断进步，铁电存储器的性能不断提升。
铁电存储器具备高速读写、低功耗和高可靠性等优势，能够满足日益增长的数据存储需求。
随着5G通信的普及和人工智能技术的发展，对存储设备的需求将进一步增加，这将为铁电存储器市场带来更多的机遇。
3.2 产业链完善推动市场发展当前，铁电存储器产业链逐渐完善，包括芯片设计、制造和封装等环节。
随着产业链的完善，铁电存储器制造成本逐渐降低，使得产品价格更加具有竞争力。
同时，产业链的完善也有助于提高产品的质量和稳定性，进一步推动市场发展。
3.3 应用领域扩大市场规模除了消费电子产品，铁电存储器在其他领域也有广阔的应用前景。
例如，智能汽车、物联网和工业控制等领域的发展，对存储设备提出了更高的要求。
铁电存储器作为一种性能优越、耐用可靠的存储技术，将在这些领域中发挥重要作用，进一步扩大市场规模。
结论综上所述，铁电存储器市场具有广阔的发展前景。
技术进步、产业链完善和应用领域的扩大将推动市场的快速发展。
我国研发的新型反铁磁存储器，比存储芯片的能力提升100倍
我国研发的新型反铁磁存储器，比存储芯片的能力提升100倍#天南地北大拜年#存储芯片，是嵌入式系统芯片的概念在存储行业的具体应用。
ASIC实现了专用集成电路大批量、标准化的应用。
而FPGA在ASIC 基础上实现了现场可编程门阵列，此举措不仅提高性能，而且降低了成本，缩了短研发工期。
当然，计算机的固有特性可让它做加速器，或缓解各种优化技术的大量运算对CPU造成的过量负载所导致的系统整体性能的下降。
因此决定系统速度的不止系统芯片，还有存储芯片。
随着对存储芯片的挖掘不断深入，存储芯片的能力也被挖掘殆尽。
因此迫切需要一种新的材料来提升性能。
这不，由北京航空航天大学材料学院磁性功能材料研究团队、华中科技大学物理学院、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所加工平台合作完成了原子级平整反铁磁金属单晶薄膜的关键制备技术，使超快速响应超高密度反铁磁随机存取存储器的研制成为可能，有望大幅提升手机、计算机等信息产品运行速度。
原子级平整反铁磁金属单晶薄膜是一种多层堆叠、密排列的全反铁磁随机存取存储器示意图原子级平整反铁磁金属单晶薄膜是一种多层堆叠、密排列的全反铁磁随机存取存储器。
这种新型反铁磁存储器件实现了垂直电子输运，对比原有面内电子输运的反铁磁存储器件，它的常温高低阻态差值提升了近3个数量级，从而有望使信息存储速度和密度大幅提升。
从上面的描述中可以看出，原子级平整反铁磁金属单晶薄膜是一种“原子级”的存储器，而且是“堆叠、密排列”，这个存储量已超越了硅基存储器的ASIC，更关键的一点是，它能实现电子的垂直运输，而且可以做到随机存储。
这个就更厉害了，这是天然的FPGA，这意味着存储编程方面更加简单。
至于在“常温高低阻态差值提升了近3个数量级”，这个意思就是存储能力比硅基芯片的能力提升100倍。
这种磁性功能材料是大规模数据存储机械硬盘的核心材料，相较于传统硅基存储器，磁存储器件依赖的是非易失量子自旋属性，储存能力更加稳定。
存储题库
一、1、机群：机群系统定义为一组完整的计算机互连并作为统一的计算资源一起工作，对外则提供一台机器的逻辑接口。
2、直接映像：直接映像是把主存按的大小分为相等的区，每区又分为大小不同的相等的块，主存中不同区的各块一一对应的块。
3、存储系统：存储系统是指由一组部件为单一或多个计算机提供存储的体系。
4、虚拟存储器：虚拟存储器通常是指将主存作为辅存的缓冲区，通过硬件和操作系统等机制，实现两者数据交互。
5、：是一种主要运用于系统的网络文件系统，提供网络内计算机共享文件、打印机、串行端口和通信等资源。
二、1、常见的信息存储单元有 "位"、"字节"、"双字"、"半字"。
2、存储器的性能指标： 存储容量 存储密度 存取时间和存取周期④可靠性⑤误码率⑥功耗⑦性价比3、半导体存储器的主要指标有：容量指标读/写速度读写模式4、主机系统通常包括的软件部分有：应用程序操作系统文件系统设备驱动5、的软件构成：操作系统、文件协议、存储管理软件6、光纤的结构包括纤芯、包层和外皮。
7、激光的特点：（1）：方向性好（2）：单色性好（3）：能量集中（4）：相干性好8、简述对磁记录材料的磁特性要求。
答：对磁记录头材料的磁特性要求主要是：(1)高的磁导率μ (2)高的饱和磁化强度 (3)低的矫顽力(4)高的磁稳定性。
对磁记录介质材料的磁特性要求主要是：(1)适当高的矫顽力 (2)高的饱和磁化强度 (3)高的剩磁比 (4)高的稳定性。
三、1、简述快闪存储器的特点。
答：集成度高，容量大，成本低，使用方便，速度快。
2、简述磁记录技术的原理。
答：先将需要记录和存储的信息转变为相应的电信号输送到磁头电路中，使写入磁头中产生与输入电信号相对应的磁场，用该磁场作用于磁记录介质，使其从原来的退磁状态转变为磁化状态，需要输出信息时，使用读出磁头作用于磁记录介质，使磁记录介质产生的磁场作用于读出磁头，获取之前写入的信息。
2024年铁电存储器市场发展现状
2024年铁电存储器市场发展现状引言随着现代科技的快速发展，存储器技术也在不断演进。
铁电存储器作为一种新型非挥发性存储器技术，具备低功耗、高速度、高密度等优势，在市场中逐渐显示出巨大的潜力。
本文将对铁电存储器市场的发展现状进行分析和综述。
1. 铁电存储器概述铁电存储器是一种基于铁电材料特性的非挥发性存储器技术。
相对于传统存储器技术，它具备以下几个显著优势：•低功耗：铁电存储器无需持续电流维持信息的存储，因此功耗较低。
•高速度：铁电存储器读写速度远高于传统存储器技术，使其在大数据处理和实时应用中具备竞争力。
•高密度：铁电存储器可以实现高密度集成和高存储容量，有望满足不断增长的存储需求。
•非易失性：铁电存储器在断电后仍然能够保持存储的数据，不易丢失。
2. 铁电存储器市场现状铁电存储器市场在过去几年取得了稳步增长，并有望在未来继续呈现良好的发展态势。
以下是铁电存储器市场现状的主要特点和趋势：2.1 技术发展情况铁电存储器技术在过去几年取得了显著进展。
新的铁电材料的研发与应用不断涌现，为铁电存储器的性能提升提供了坚实的基础。
同时，制造工艺的改良和优化也促进了铁电存储器的商业化进程。
2.2 主要应用领域目前，铁电存储器主要在以下几个应用领域得到广泛应用：•智能手机和平板电脑：铁电存储器具备较高的读写速度和存储容量，使其成为智能手机和平板电脑等移动设备的理想储存解决方案。
•物联网：随着物联网技术的迅猛发展，铁电存储器的低功耗特性使其成为物联网设备中的重要组成部分。
•工业自动化：铁电存储器具有非易失性和高可靠性，在工业自动化领域具备广阔的应用前景。
•航空航天：铁电存储器的高抗辐射能力使其在航空航天领域有着重要的应用价值。
2.3 市场前景与挑战铁电存储器市场在未来有望迎来更广阔的发展前景，但同时也面临一些挑战：•成本问题：铁电存储器的制造成本相对较高，亟需降低成本以提高竞争力。
•标准化与规模化生产：铁电存储器技术需要进一步标准化，以适应大规模生产和广泛应用。
铁电存储器
铁电存储器是一种在断电时不会丢失信息的非易失存储器， 它具有高速度、高密度、低功耗和抗辐射等优点，在IC卡、 移动电话、嵌入式微处理器、航空航天和军事应用等领域显 示出极大的发展潜力和良好的应用前景，受到了各国科技界 和产业界的广泛关注。图为RAMTRON公司的两款铁电存储 器。
背景介绍：铁电存储技术最早在1921年提出，直到1993年美 国Ramtron国际公司成功开发出第一个4Kb的铁电存储器 FRAM产品，标志着铁电存储技术开始实际应用，目前所有 的FRAM产品均由Ramtron公司制造或授权。最近几年， FRAM又有新的发展，采用了0.35μm工艺，推出了3V产品， 开发出“单管单容”存储单元的FRAM，最大密度可在256Kb。
PZT 是研究最多、使用最广泛。优点是能够 在较低的温度下制备，可以用溅射和金属有 机气相沉积（MOCVD）的方法来制备，具 有剩余极化较大、原材料便宜、晶化温度较 低的优点；缺点是有疲劳退化问题，还有含 铅会对环境造成污染。 SBT 最大的优点是没有疲劳退化的问题，而且 不含铅；但是它的缺点是工艺温度较高，使之工艺集成难度增大，剩余极化程度 较小。
传统存储器现状：随着人们对于存储容量越来越高需求，科 研人员也在不断的提高存储密度，但存储密度的提高使得浮 动栅与导电沟道之间绝缘介质层厚度减到 2.5nm 左右，这已 经很接近它的极限厚度。再进一步减薄绝缘介质层的厚度将 无法保证数据的存储寿命。
为了满足市场需求,开发新一代具有存储密度高、功耗低、写 入/擦除速度快、抗疲劳能力强、数据保持能力强、与传统 CMOS工艺相兼容等特点的新型非易失性存储器则成为必然 趋势。 因此，科研人员对包括电荷俘获型存储器、铁电存储器 (FeRAM)、磁存储器(MRAM)、相变存储器(PCRAM)和阻变存 储器(ReRAM)在内的一些新型存储器进行了广泛的研究。
26个盖亚记忆体介绍大全
26个盖亚记忆体介绍大全盖亚记忆体是一种先进的记忆体技术，具有高速、高密度、低功耗等优点，被广泛应用于计算机、智能手机、平板电脑等电子产品中。
在下面，我将为您介绍26种不同类型的盖亚记忆体，希望能帮助您更全面地了解这一领域。
1. DRAM（Dynamic Random Access Memory）：动态随机存取存储器，是一种常见的盖亚记忆体，用于临时存储数据和程序。
2. SRAM（Static Random Access Memory）：静态随机存取存储器，速度快、功耗低，常用于高性能的计算机系统中。
3. SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）：同步动态随机存取存储器，具有高速度和高带宽，被广泛用于个人电脑和服务器中。
4. DDR SDRAM（Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory）：双倍数据速率同步动态随机存取存储器，是一种速度更快的内存类型，用于提高数据传输效率。
5. DDR2 SDRAM：双倍数据速率2同步动态随机存取存储器，相比DDR SDRAM有更高的频率和更大的带宽。
6. DDR3 SDRAM：双倍数据速率3同步动态随机存取存储器，继续提高数据传输速度和功耗效率。
7. DDR4 SDRAM：双倍数据速率4同步动态随机存取存储器，采用更先进的技术，具有更高的频率和更低的功耗。
8. DDR5 SDRAM：双倍数据速率5同步动态随机存取存储器，是目前最新一代的内存标准，具有更高的带宽和更低的延迟。
9. LPDDR（Low Power Double Data Rate）：低功耗双倍数据速率存储器，用于移动设备和嵌入式系统，具有低功耗和高性能的特点。
10. MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory）：磁电阻随机存取存储器，采用磁性存储单元，具有非常快的读写速度和较长的数据保存时间。
新型存储器（共五则）
新型存储器（共五则）第一篇：新型存储器新型存储器——非二进制新型纳米存储器摘要：美国宾夕法尼亚大学研究人员研制的一种以纳米线为基础的新型信息存储器件能存储“0”、“1”和“2”这3位数值,不同于传统存储器件仅能存储“0”、“1”两位数值,这一创造可能催生新一代高性能信息存储器。
关键词：纳米线非二进制存储器件非晶态壳结构新型正文：信息技术的高速发展，要求存储技术提供速度更快、容量更大、功耗更低、体积更小、寿命更长、可靠性更高的存储器。
而目前存储技术的发展已跟不上处理器的发展，成为制约计算技术发展的一个瓶颈。
传统的半导体工艺技术已逐渐逼近物理极限，难以大幅度提高存储器的性能。
要想有突破性的进展，就必须另辟蹊径，寻找新的原理和方法。
目前，一些正在研究和开发的面向新世纪的存储新技术与相应的新型存储器，为未来的信息存储技术带来了一束希望之光，其中有的技术已经或部分在实验室实现，并正在向商品化目标努力。
例如：联想记忆技术和可用内容寻址的存储器CAM、智能处理技术和智能存储器、超导技术和约瑟夫逊结RAM、全息存储技术和全息存储器、单电子存储技术和单电子存储器、质子保存信息技术和质子存储器、氢原子存储技术和氢原子存储器、生物电路技术和蛋白质分子存储器、新一代信息存储技术和高速海量存储器、建立电场技术与模拟存储器、光学存储技术和三维光存储器、纳米线为基础的新型信息存储器等。
下面我将详细介绍一下美国研制出的非二进制新型纳米存储器。
首先说明一下纳米存储技术。
纳米存储是一种超级持久的记忆设备，据说其能稳定储存信息超过10亿年，而存储容量也是目前储存设备的数千倍，储存密度最高可以达到每英寸1TB。
其由晶体状的铁纳米微粒组成，它们被封装在多层碳纳米管内，通过施加低电压，纳米微粒能在纳米管内移动，利用纳米微粒的不同位置对设备进行数据写入。
随后还可以通过电压测定来读取数据，逆转纳米微粒的移动。
也就是说，这些纳米粒创造出了一种类似硅芯片的可编程记忆系统。
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一种比铁电存储器更优越的新型存储器件—磁电存储器
摘要：磁电存储器不仅存取速度快、功耗小，而且集动态RAM、磁盘存储和高速缓冲存储器功能于一身，因而已成为动态存储器研究领域的一个热点。
文章总结了磁电存储器的工作原理和特性，分析了它们的发展现状及存在的问题，并对其应用前景进行了展望。
目前常用的有Everspin公司出品的串行、并行两种，串行的如：MR25H256、MR25H10、MR25H40等，并行的有MR0A16A、MR2A16A、MR4A16A等，容量从256Kbit到4Mbit等。
关键词：磁电存储器；磁隧道结；自旋电子管
１引言
随着人们对各种磁电材料特性的深入研究，新型存储器—磁电存储器以其所特有的精巧设计和便于操作的优点，已经成为快速存储器的最佳选择。
半导体存储器的控制栅和悬浮金属栅之间存在着库仑电荷，它们之间较强的库仑斥力使得两个栅必须用一层很厚的绝缘层隔离起来才能保证泄露电流降至最小，从而延长电荷在释放或存储时通过氧化层势垒的时间，增加读取和存储功耗。
磁电存储器的这种工作机理不仅提高了存储器的速度、可靠性，降低了功耗，而且在存储单元尺寸、存储速度方面也完全可以与ＤＲＡＭ相比拟。
磁电存储器根据其工作机制的不同，大致可以分为三类：混和铁磁－半导体结构，磁隧道结结构以及全金属自旋晶体管。
目前研究最多的是自旋电子管、准自旋电子管存储器以及磁隧道结存储器。
尽管以上几种结构存储器的工作机制在某种程度上均依赖于铁磁元件的磁化方向，但是在读取机制方面却存在着差异；其次，在生产高密度、低功耗、高速ＲＡＭ的难易程度以及需要解决的技术问题等方面存在着不同。
２磁电存储器的基本工作原理
磁电存储器中的数据存储是通过直接附着于铁磁薄膜上具有电感耦合效应的导线来完成的。
当电流脉冲通过导线时，将会在导线近表面形成一个平行于导线平面的磁场，此时电流的大小以其所耦合的磁场大于转换磁场为标准，从而满足其状态设置为１或０的需要。
由于对二维序列的存储器要采用写数据线的二维排布，因此，分别给字线和位线施加一定大小的脉冲电流，即可改变交汇处存储单元里的磁化状态以实现数据的存储，同时改变字线电流方向即可存入相反的数据（如图１）。
由于字线电流过大会对字线下方所有存储单元产生影响，因此通常采用二分之一电流寻址方式（即字线电流和位线电流分别为ＩＳ／２，其中Ｉｓ为转换存储器状态所需的电流值）。
２．１磁隧道结存储器
磁隧道结的基本结构如图２所示，其中上下两层为铁磁材料ＣｏＦｅ、Ｃｏ或ＮｉＦｅ，中间是绝缘势垒层Ａｌ２Ｏ３。
这种结构的器件在电偏置条件下，电子电流可以通过隧穿效应穿过势垒层，而此时电子电流的大小依赖于铁磁薄膜的磁化方向，因此它是一种磁阻器件。
势垒上的偏置电压不同，器件阻值也不同。
当偏置电压较低时，电阻为欧姆量级，随着偏置电压的逐渐升高，该阻值将快速下降。
这种存储器的主要特点是底部铁磁层的磁化方向始终不变，而存储器则主要是根据顶部铁磁层磁化方向的不同来实现信息存储的；由于在读取信息时，读取信号线上的电流会有一部分垂直流过夹层，因此根据电阻的变化或者电压的变化（与标准电阻或电压相比）就可获得数据。
２．２自旋电子管存储器
自旋电子管的具体结构与磁隧道结存储器的结构十分类似，也是一种夹层结构，上下两层为铁磁材料ＣｏＦｅ、Ｃｏ或ＮｉＦｅ，中间是导体层Ｃｕ。
只是在顶部铁磁层之上还有一层反铁磁层（ＭｎＯ或者ＭｎＦｅ），它的作用是维持顶部铁磁层的磁化方向不发生改变。
因此，顶部铁磁层又被称作固定层（ｐｉｎｎｅｄｌａｙｅｒ），而底部铁磁层的磁化方向随着外加磁场的不同将发生变化，因此也被称作自由转换层（ｆｒｅｅｌａｙｅｒ）。
这种存储器根据底部铁磁层磁化方向的不同来实现数据的存储。
读取存储单元中的信息时，可以给字线施加先正向后负向的等幅脉冲，以使该电流产生的磁场可以令自由转换层的磁化方向发生改变，从而根据电阻变化来读出存储的数据。
２．３准自旋电子管存储器
准自旋电子管结构与自旋电子管的不同之处在于它不存在固定层和自由转换层，而只是其中一层的转换磁场较大（硬磁层），另一层的转换磁场较小（软磁层）。
这种存储器是根据硬磁层磁化方向的不同来实现数据存储的。
当给字线上施加合适的电流时，上下铁磁层的磁化方向均发生改变，指向左边代表存储信息“１”，反之代表存储信息“０”；当读取存储单元中的信息时，给字线施加先正向后负向的等幅脉冲，以产生使顶部铁磁层的磁化方向发生改变的磁场，此时由于底部铁磁层磁化方向维持不变，从而使读取电流所要流经的电阻阻值发生改变，如果存储信息为“１”，电阻由大变小，反之则由小变大，由此即可读出存储的数据。
３磁电存储器发展所面临的问题
尽管磁电存储器具有高速、工作电压低以及密度高等特点，但是在真正实用化之前，仍然面
临着一些问题。
首先，磁性元件的加工与标准的ＣＭＯＳ工艺存在不兼容性。
例如磁隧道结和自旋电子管的加工需要采用氩离子干蚀工艺或者反应离子刻蚀工艺，这些工艺都会对半导体的结构造成损伤。
同时为了消除离子刻蚀所引起的损伤，都要经过高温退火，而这会引起不同物质在界面处的相互扩散，从而
使电阻阻值增大。
如
果磁性元件在３０℃
以上的温度下暴露
５分钟，ＭＲ就会大
幅度下降，当温度达
到４００℃时，ＭＲ
大约会降低３０％。
近来有研究表明，如
果磁隧道结的硬磁
层采用Ｃｏ／Ｃｕ
结构，而软磁层采用
Ｃｏ／Ｆｅ结构，则
ＴＭＲ在室温下高达２２％，并且经过４８０Ｋ的高温退火后，ＴＭＲ略有增加，直到５３０Ｋ时才开始下降，同时，研究还发现，为了获得高温环境下更为稳定的磁隧道结，势垒层
必须采用Ａｌ２Ｏ３。
其次，为了获得高密度的存储器，磁隧道结或自旋电子管的尺寸必须减小为微米到亚微米量级，这就使存储器的性能受到尺寸、形状以及其它结构参数和内在参数的影响。
Ｅ．Ｙ．Ｃｈｅｎ发现，在自旋电子管结构中，自由转换层的转换磁场与固定层的转换磁场分别随着存储单元宽度的减小而增大和减小。
当宽度减小为０．５μｍ到０．２５μｍ时，存储单元边缘被腐蚀和氧化的影响越来越显著，从而引起固定层的磁化方向与自由转换层的磁化方向一起改变，ＧＭＲ急剧下降。
所以，随着电子管尺寸的进一步减小，必须提高固定层的转换磁场，同时消除工艺所带来的负面影响。
目前，Ｗ．Ｊ．Ｇａｌｌａｇｈｅｒ采用自对准工艺生产出性能优良的亚微米量级的磁隧道结，该技术不仅获得了无外场情况下稳定的两个磁状态，而且在室温下获得了较高的ＭＲ（１５％－２０％）。
最后，衬底的不平整度以及磁性元件参数的一致性都会对存储器的性能产生直接影响。
一般情况下，未经刻蚀的衬底不平整度低于０．４ｎｍ，此时集成的磁隧道结ＭＲ和电阻分别为２５％和７１１ｋΩμｍ２。
但是，当衬底经过刻蚀之后，不平整度会升高到２．５ｎｍ～３．７ｎｍ，磁隧道结的电阻降为１４．５～１６ｋΩμｍ２，这是由于衬底的不平整引起绝缘势垒层出现针孔缺陷所致，由于该缺陷同时也会使磁性元件的ＭＲ降为２％～５％，从而导致存储器性能退化。
此外，磁隧道结存储器的可靠性与绝缘势垒层也有一定的关系，为了获得合适的电阻，亚微米量级磁隧道结的势垒层厚度约为０．７ｎｍ（６０Ωμｍ２）、０．９ｎｍ（１６０Ωμｍ２）或０．１１ｎｍ（８００Ωμｍ２）。
这些数据都表明：势垒层厚度的起伏会引起输出信号的变化，甚至造成数据读取错误。
另一方面，为了实现ＭＲＡＭ数据的可靠存储和读取，需要适当地附加冗余存储单元，但它们必须具有完全相同的转换特性。
这就要求同一晶片上的磁隧道结特性必须一致，同时铁磁转换层的特性和亚微米尺寸元件的形状也都需要加以严格控制。
４结论
非挥发性、高密度的磁电存储器不仅存取速度快、功耗小，而且集动态ＲＡＭ、磁盘存储和高速缓冲存储器的功能于一身，因此是动态存储器研究领域的一个热点。
目前，其主要工作集中于下列工艺和技术的探索上：
（１）将存储单元的尺寸缩小至微米量级并与现有生产工艺相兼容；
（２）因为ＭＲＡＭ主要应用于电池供电的便携式电话，因此要尽可能降低存储器的功耗；（３）提高磁电存储器的速度。
尽管目前磁电存储器距离实用化尚需时日，但是如果能在磁电存储器的加工方面取得突破性进展，磁电存储器将很好地取代浮栅技术。