实验存储器部件实验(精品)
存储器实验
一、实验目的[1]理解计算机存储子系统的工作原理。
[2]掌握静态随机存储器RAM的工作特性和读写方法。
二、实验内容本实验旨在通过搭建静态随机存储器电路，使用M6116芯片，并结合74LS245和74LS373等器件，实现对存储器的读写操作。
具体实验内容包括存储器的基本读写操作和扩展实验要求的IO内存统一和独立编址增加4K的IO地址。
三、实验原理芯片介绍：•74LS245：8位双向缓冲传输门，用于连接数据总线和存储器地址输入。
•74LS373：8位透明锁存器，用于存储地址信息。
•M6116：2K*8位静态随机存储器，具有片选、读使能和写使能等控制线。
操作原理：•写操作：通过设定地址和数据，控制M6116的写使能和数据输入，将数据写入指定存储单元。
•读操作：设置地址并启用读使能，从M6116读取存储单元的数据，并通过数据总线输出。
四、实验步骤及结果（附数据和图表等）1. 基本实验步骤1.电路搭建：o根据图3.4搭建实验电路，连接M6116、74LS245、74LS373等器件。
o设置好数据开关（SW7-SW0）、数码管显示和总线连接。
2.预设置：o将74LS373的OE(——)置0，保证数据锁存器处于工作状态。
o设置M6116的CE(——)=0，使其处于选中状态。
o关闭74LS245（U1），确保数据总线不受影响。
3.电源开启：o打开实验电源，确保电路供电正常。
4.存储器写操作：o依次向01H、02H、03H、04H、05H存储单元写入数据。
o以01H为例：▪设置SW7~SW0为00000001，打开74LS245（U1），将地址送入总线。
▪将74LS373的LE置1，将地址存入AR，并观察地址数码管。
▪将LE置0，锁存地址到M6116的地址输入端。
▪设置数据开关为要写入的数据，打开74LS245（U4），将数据送入总线。
▪将M6116的WE(——)由1转为0，完成数据写入操作。
▪关闭74LS245（U4）。
实验一 存储器部件手动实验
实验一 存储器部件手动实验一、 实验目的1、 学习读写ram6116和使用ROM58C65芯片的操作过程和控制方法，为正确构建和运行计算机的内存部件打下基础。
2、 进一步理解器件之间信息交换的可行方案，了解MACH 芯片和存储器芯片之间的接线关系。
二、 实验环境和准备1、 选用教学机主板右侧最下面的一个40引脚的器件插座插接ROM58C65芯片完成该芯片的读写实验最为方便，它的各个引脚可以与其他芯片的引脚完全脱离开，其8位的数据线引脚和地址引脚分别引到了8个接线排针，接线方便。
2、 选用实验方式一完成ram6116芯片的读写操作，需要关掉MACH 器件的电源，可以取下主板上的2片Am2901芯片。
选用实验方式二还要使用MACH 芯片，需要打开MACH 器件的电源。
2种方式需要进行不同的接线。
主板上的单步/连续开关处于单步状态。
3、 实验过程中需要处理不同的连线关系，8位的地址和数据使用8位的排线进行连接，3位的控制信号使用单根连接线进行连接。
三、实验过程（一）ram6116存储器芯片读写操作实验1、连线方法在本实验中，ram6116是存储数据的主体，数据可以写入芯片中，也可以从芯片中读出来。
实现方案及线路连接关系如图-1所示。
要执行芯片读写，片选信号cs （引脚18）应为低电平。
读还是写取决于读写命令we （引脚21），低电平是写操作，高电平是读操作。
通常情况下，一次存储器读写要用2段时间完成，首先要在cs 为高电平期间时准备好存储器的地址和写入数据，之后在cs 为低电平期间完成数据读写。
8 位地址指示灯8 位数据指示灯8 个开关8 个开关© © © © © © © ©图-1 开关手动控制的存储器芯片读写实验的电路可选用电路板上的2组8位的开关并通过2片74LS244芯片为存储器提供8位地址和8位数据，使用3位开关为存储器提供控制信号cs 、we 和oe 。
实验存储器部件实验(精品)
北京林业大学11学年—12学年第 2 学期计算机组成原理实验任务书专业名称：计算机科学与技术实验学时： 2 课程名称：计算机组成原理任课教师：张海燕实验题目：实验四内存储器部件实验实验环境：TEC-XP+教学实验系统、PC机实验内容1．设计扩展8K字存储器容量的线路图，标明数据线、地址线和控制信号的连接关系。
2．扩展教学机的存储器空间，为扩展存储器选择一个地址，并注意读写等控制信号的正确状态。
3．用监控程序的D、E命令对存储器进行读写，比较RAM（6116）、EEPROM （58C65）在读写上的异同。
4．用监控程序的A命令编写一段程序，对RAM（6116）进行读写，用D命令查看结果是否正确。
5．用监控程序的A命令编写一段程序，对扩展存储器EEPROM（58C65）进行读写，用D命令查看结果是否正确；如不正确，分析原因，改写程序，重新运行。
实验目的1．熟悉ROM芯片和RAM芯片在功能和使用方法等方面的相同和差异之处。
2．理解并熟悉通过字、位扩展技术实现扩展存储器系统容量的方案。
3．了解如何通过读、写存储器的指令实现对58C65ROM芯片的读、写操作。
4．加深理解存储器部件在计算机整机系统中的作用。
实验要求1．实验之前认真预习，明确实验的目的和具体实验内容，做好实验之前的必要准备。
2．想好实验的操作步骤，明确通过实验到底可以学习哪些知识，想一想怎么样有意识地提高教学实验的真正效果；3．在教学实验过程中，要爱护教学实验设备，记录实验步骤中的数据和运算结果，仔细分析遇到的现象与问题，找出解决问题的办法，有意识地提高自己创新思维能力。
4．实验之后认真写出实验报告，重点在于预习时准备的内容，实验数据，运算结果的分析讨论，实验过程、遇到的现象和解决问题的办法，自己的收获体会，对改进教学实验安排的建议等。
善于总结和发现问题，写好实验报告是培养实际工作能力非常重要的一个环节，应给以足够的重视。
实验说明内存储器是计算机中存放正在运行中的程序和相关数据的部件。
储存器实验报告
一、实验目的1. 了解储存器的基本概念和分类。
2. 掌握储存器的读写原理和操作方法。
3. 学会使用常用储存器芯片，如RAM、ROM等。
4. 熟悉储存器的扩展方法，如字扩展、位扩展等。
二、实验仪器与设备1. 实验台2. 信号发生器3. 数字示波器4. 静态随机存储器（RAM）芯片5. 只读存储器（ROM）芯片6. 译码器7. 74LS系列集成电路芯片8. 连接线三、实验原理1. 储存器的基本概念：储存器是计算机系统中用于存放数据和指令的设备，分为内存储器和外存储器。
内存储器包括RAM和ROM，外存储器包括硬盘、光盘等。
2. 储存器的读写原理：储存器的读写操作主要依靠控制电路来实现。
控制电路根据地址信号选择相应的存储单元，并根据读写信号决定是读取数据还是写入数据。
3. 常用储存器芯片：（1）RAM：随机存取存储器，具有读写速度快、存储容量大、价格低等特点。
RAM 分为静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）两种类型。
（2）ROM：只读存储器，只能读取数据，不能写入数据。
ROM分为掩模ROM、可编程ROM（PROM）、可擦写可编程ROM（EPROM）和闪存（Flash）等类型。
四、实验步骤1. 储存器读写原理实验：（1）搭建实验电路，包括RAM芯片、地址译码器、控制电路等。
（2）使用信号发生器产生地址信号、读写信号和控制信号。
（3）观察数字示波器上的波形，分析读写操作过程。
2. 储存器扩展实验：（1）字扩展：使用多个RAM芯片扩展存储容量。
将多个RAM芯片的地址线和控制线连接在一起，数据线分别连接。
（2）位扩展：使用译码器将地址信号转换为片选信号，控制多个RAM芯片的读写操作。
将译码器的输出端连接到RAM芯片的片选端，地址信号连接到译码器的输入端。
3. 基于AT89C51的RAM扩展实验：（1）搭建实验电路，包括AT89C51单片机、RAM芯片、译码器等。
（2）编写程序，设置RAM芯片的地址、读写信号和控制信号。
内存储器部件实验报告
内存储器部件实验报告实验名称：内存存储器部件实验实验目的：通过本实验，熟悉内存存储器的原理和部件，掌握内存存储器的组成结构和工作原理，能够进行内存存储器的基本操作和测试。
实验器材：内存存储器、多媒体教学台、计算机、数据线实验原理：内存存储器是计算机中用于临时存储数据和程序的部件。
内存存储器的主要作用是为CPU提供数据和程序，并且数据的读写速度比硬盘快得多。
内存存储器的工作原理是通过将数据和程序存储在内存芯片中，CPU根据需要从内存中读取数据和程序，处理后再将结果写入内存。
实验内容：1.内存存储器的组成结构：内存存储器主要由存储单元、地址译码器、数据线和控制线等部件组成。
存储单元是内存中存储数据和程序的最基本单元，地址译码器负责将CPU发送的地址信号翻译成内存中的存储单元地址，数据线用于传输数据，控制线用于控制内存的读写操作。
2.内存存储器的工作原理：内存存储器的工作原理是通过地址信号和控制信号控制内存的读写操作。
当CPU需要访问内存中的数据或程序时，会发送地址信号给内存，地址译码器根据地址信号确定要访问的存储单元，数据线用于传输数据，控制线用于控制读写操作。
3.内存存储器的基本操作：内存存储器的基本操作包括读操作和写操作。
读操作是指CPU从内存中读取数据或程序到CPU中进行处理，写操作是指CPU将处理后的数据或程序写入内存中。
内存存储器的读写速度很快，可以满足CPU的数据读写需求。
实验步骤：1.将内存存储器安装在多媒体教学台上，并连接数据线和控制线。
2.打开计算机，进入系统。
3.运行内存存储器测试程序，测试内存存储器的读写速度和容量。
4.对内存存储器进行读操作和写操作，观察内存存储器的工作状态。
5.测试不同大小和型号的内存存储器，比较它们的读写速度和性能。
实验结果：1.经过测试，内存存储器的读写速度在20GB/s以上，容量为8GB。
2.内存存储器的读写速度快，可以满足CPU的数据读写需求。
3.不同大小和型号的内存存储器性能有所差异，需要根据具体需求选择适合的内存存储器。
存储器实验
实验二：存储器实验一：实验目的：1：掌握随机存储器RAM的工作特性及使用方法；2：掌握半导体存储器存储和读出数据的工作原理；3：了解半导体存储器电路的定时要求；二：实验条件：1：PC机一台；2：MAX+PLUSⅡ软件；三：实验内容（一）1：所用到的芯片74244：收发器（双向的三态缓冲器）74161：4位二进制计数器（作为程序计数器PC）74273：8个D触发器（作为地址寄存器AR）7448：七段译码器（显示输入的数据）2:实验电路图（A）存储器RAM（B）数据输入电路由两个十六进制计数器连接成16*16=256进制的计数器,可以实现八位的输入。
(C) 数码管扫描显示电路由一个扫描电路scan和一个七段译码器7449组成，scan内部是一个二选一的多路复用器。
(D)存储器电路图3、波形仿真（A）地址计数器74161产生地址练习☆置数法产生地址：（0-300ns）eg:产生地址为03Heg:产生地址06H（B）地址的产生，所以采用边写边读的方法，从下图D[7..0]上的输出可以看出01H—05H都写入了01H—05H单元中。
☆LDAR在写数据的时候打开（使地址和数据同步加1），读的时候关闭；☆读数据的时候PC_BUS关闭；(C)存储器进行读/写操作，连读操作☆修改部分的电路图：分析：只需要把74161的LD 信号改为上图所示的控制信号,其他的控制不变，即数据和地址加1的情况有两种，一是当161LOAD有效时，二是当读信号时，但是要注意读数据的时候要把161LOAD关掉，以防加两次1.☆0-600ns:将07H写入第07H单元，并读出数据☆600ns-1.8us:将0EH写入第08H单元（省略了读数据的操作，若要写完读数据后立刻读数据可参看上面（B）的仿真），从外部送进数据09H,0AH,0BH作为地址（可以省去清零后再计数等不必要的步骤，提高效率），并通过161计数产生数据0DH,0CH,0BH,0DH写入09H单元，0CH写入0AH单元，0BH写入0B单元。
实验四 存储器部件实验报告
实验四存储器部件实验班级：通信111班学号：201110324119 姓名：邵怀慷成绩：一、实验目的1、熟悉ROM芯片和RAM芯片在功能和使用方法等方面的相同和差异之处；学习用编程器设备向EEPROM芯片内写入一批数据的过程和方法。
2、理解并熟悉通过字、位扩展技术实现扩展存储器系统容量的方案。
3、了解静态存储器系统使用的各种控制信号之间正常的时序关系。
4、了解如何通过读、写存储器的指令实现对58C65 ROM芯片的读、写操作。
5、加深理解存储器部件在计算机整机系统中的作用。
二、实验内容1、要完成存储器容量扩展的教学实验，需为扩展存储器选择一个地址，并注意读写和OE等控制信号的正确状态。
2、用监控程序的D、E命令对存储器进行读写，比较RAM（6116）、EEPROM（28系列芯片）、EPROM（27系列芯片）在读写上的异同。
3、用监控程序的A命令编写一段程序，对RAM（6116）进行读写，用D命令查看结果是否正确。
4、用监控程序的A命令编写一段程序，对扩展存储器EEPROM（28 系列芯片）进行读写，用D命令查看结果是否正确；如不正确，分析原因，改写程序，重新运行。
三、实验步骤1、检查扩展芯片插座的下方的插针要按下列要求短接：标有“/MWR”“RD”的插针左边两个短接，标有“/MRD”“GND”的插针右边两个短接。
2、RAM（6116）支持即时读写，可直接用A、E 命令向扩展的存储器输入程序或改变内存单元的值。
(1) 用E命令改变内存单元的值并用D命令观察结果。
1) 在命令行提示符状态下输入：E 2020↙屏幕将显示：2020 内存单元原值:按如下形式键入：2020 原值：2222 （空格）原值：3333（空格）原值：4444（空格）原值：5555 ↙（1）结果2) 在命令行提示符状态下输入：D 2020↙屏幕将显示从2020内存单元开始的值，其中2020H~2023H的值为：2222 3333 4444 5555问题：断电后重新启动教学实验机，用D命令观察内存单元2020~2023 的值。
存储器实验实验报告
存储器实验实验报告一、实验目的练习使用STEP开关了解地址寄存器（AR）中地址的读入了解STOP和STEP开关的状态设置了解向存储器RAM中存入数据的方法了解从存储器RAM中读出数据的二、实验设备1、TDN－CM＋组成原理实验仪一台2、导线若干3、静态存储器：一片6116（2K*8）芯片地址锁存器（74LS273）地址灯AD0－AD7三态门（74LS245）三、实验原理实验所用的半导体静态存储器电路原理如图所示，实验中的静态存储器由一片6116（2K*8）芯片构成，其数据线接至数据总线，地址线由地址锁存器（74LS273）给出。
地址灯AD0－AD7与地址线相连，显示地址线状况。
数据开关经一个三态门（74LS245）连至数据总线，分时给出地址和数据。
实验时将T3脉冲接至实验板上时序电路模块的TS3相应插孔中，在时序电路模块中有两个二进制开关“STOP”和“STEP”，将“STOP”开关置为“RUN”状态、“STEP”开关置为“EXEC”状态时，按动微动开关START，则TS3端输出连续的方波信号当“STOP”开关置为RUN状态，“STEP”开关置为“STEP”状态时，每按动一次微动开关“start”，则TS3输出一个单脉冲，脉冲宽度与连续方式相同。
四、实验内容如下图存储器实验接线图（一）练习使用STEP开关往地址寄存器（AR）中存入地址设置STOP和STEP开关的状态：从数据开关送地址给总线：SW-B=___打开AR，关闭存储器：LDAR=___、CE=___按下Start产生T3脉冲关闭AR，关闭数据开关：LDAR=__、SW-B=__（二）往存储器RAM中存入数据1.设定好要访问的存储器单元地址2.从数据开关送数给总线：SW-B=___3.选择存储器片选信号：CE=___4.选择读或写：WE=____5.按下Start产生T3脉冲6.关闭存储器片选信号：CE=___7.关闭数据开关：SW-B=___（三）从存储器RAM中读出数据1.设定好要访问的存储器单元地址2.选择存储器片选信号：CE=___3.选择读或写：WE=____4.按下Start产生T3脉冲5.关闭存储器片选信号：CE=___五、实验结果总结六、思考题在进行存储器操作（写/读）是不是必须先往地址寄存器（AR）存入所访问的存储器单元地址？T3在本实验中起了哪些作用，如何区分它们？在进行存储器读写操作时，CE和WE信号有没有先后顺序？为什么？。
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北京林业大学11学年—12学年第 2 学期计算机组成原理实验任务书专业名称：计算机科学与技术实验学时： 2 课程名称：计算机组成原理任课教师：张海燕实验题目：实验四内存储器部件实验实验环境：TEC-XP+教学实验系统、PC机实验内容1．设计扩展8K字存储器容量的线路图，标明数据线、地址线和控制信号的连接关系。
2．扩展教学机的存储器空间，为扩展存储器选择一个地址，并注意读写等控制信号的正确状态。
3．用监控程序的D、E命令对存储器进行读写，比较RAM（6116）、EEPROM （58C65）在读写上的异同。
4．用监控程序的A命令编写一段程序，对RAM（6116）进行读写，用D命令查看结果是否正确。
5．用监控程序的A命令编写一段程序，对扩展存储器EEPROM（58C65）进行读写，用D命令查看结果是否正确；如不正确，分析原因，改写程序，重新运行。
实验目的1．熟悉ROM芯片和RAM芯片在功能和使用方法等方面的相同和差异之处。
2．理解并熟悉通过字、位扩展技术实现扩展存储器系统容量的方案。
3．了解如何通过读、写存储器的指令实现对58C65ROM芯片的读、写操作。
4．加深理解存储器部件在计算机整机系统中的作用。
实验要求1．实验之前认真预习，明确实验的目的和具体实验内容，做好实验之前的必要准备。
2．想好实验的操作步骤，明确通过实验到底可以学习哪些知识，想一想怎么样有意识地提高教学实验的真正效果；3．在教学实验过程中，要爱护教学实验设备，记录实验步骤中的数据和运算结果，仔细分析遇到的现象与问题，找出解决问题的办法，有意识地提高自己创新思维能力。
4．实验之后认真写出实验报告，重点在于预习时准备的内容，实验数据，运算结果的分析讨论，实验过程、遇到的现象和解决问题的办法，自己的收获体会，对改进教学实验安排的建议等。
善于总结和发现问题，写好实验报告是培养实际工作能力非常重要的一个环节，应给以足够的重视。
实验说明内存储器是计算机中存放正在运行中的程序和相关数据的部件。
在教学计算机存储器部件设计中，出于简化和容易实现的目的，选用静态存储器芯片实现内存储器的存储体，包括只读存储区（ROM、存放监控程序等）和随读写存储区（RAM）两部分，ROM存储区选用4片长度8位、容量8KB的58C65芯片实现，RAM存储区选用2片长度8位、容量2KB的6116芯片实现，每2个8位的芯片合成一组用于组成16位长度的内存字，6个芯片被分成3组，其地址空间分配关系是：0-1777H用于第一组ROM，固化监控程序，2000-2777H用于RAM，保存用户程序和用户数据，其高端的一些单元作为监控程序的数据区，第二组ROM的地址范围可以由用户选择，主要用于完成扩展内存容量（存储器的字、位扩展）的教学实验。
在这里还要说明如下两个问题。
第一，要扩展8K字的存储空间，需要使用2片（每一片有8KB容量，即芯片内由8K个单元、每个单元由8个二进制位组成）存储器芯片实现。
第二，当存储器选用58C65ROM芯片时，它属于电可擦除的EPROM器件，可以通过专用的编程器软件和设备向芯片的写入相应的内容，这是正常的操作方式。
也可以通过写内存的指令向芯片的指定单元写入16位的数据，只是每一次的这种写操作需要占用长得多写入时间，例如几百个微秒，可以通过运行完成等待功能的子程序来加以保证。
本次试验采用的是通过写内存的指令将数据写入芯片中。
对58C65ROM芯片执行读操作时，需要保证正确的片选信号（/CE）为低电平，使能控制信号（/OE）为低电平，读写命令信号（/WE）为高电平，读58C65ROM 芯片的读出时间与读RAM芯片的读出时间相同，无特殊要求；对58C65ROM芯片执行写操作时，需要保证正确的片选信号（/CE）为低电平，使能控制信号（/OE）为高电平，读写命令信号（/WE）为低电平，写58C65ROM芯片的维持时间要比写RAM芯片的操作时间长得多。
实验注意事项1．连接电源线和通讯线前TEC-XP＋实验系统的电源开关一定要处于断开状态，否则可能会对TEC-XP＋实验系统上的芯片和PC机的串口造成损害。
2．六个黑色控制开关的功能示意图如下：（开关拨到上方表示为1，拨到下方为0，x表示任意）单步手动置指令组合逻辑联机8位FPGA上面下面连续从内存读指令微程序脱机16位MACH3．几种常用的工作方式（开关拨到上方表示为1，拨到下方为0，x表示任意）4．在拔插实验箱上的任何器件和连线时，都要关闭实验箱电源，否则可能会烧坏实验箱的器件。
实验步骤一．RAM的写入实验1．在断电状态下，取出TEC-XP+实验系统，将桌子上的串口线连接到TEC-XP+实验系统的串口（离电源接口远的）；连接电源，将电源线的连到TEC-XP+实验系统的电源接口。
2．将教学机左下方的6个拨动开关置为001100（连续、内存读指令、组合逻辑、联机、16 位、MACH）。
3．检查FPGA下方的标有“/CE”的四组插针均是左边两个短接；4．检查RAM（6116）上方的标有“/WE”的插针应是左边两个短接；5．RAM（6116）支持即时读写，可直接用A、E命令向扩展的存储器输入程序或改变内存单元的值。
RAM中的内容在断电后会消失，重新启动实验机后会发现内存单元的值发生了改变。
（1）打开教学实验机电源。
（2）在PC机上打开，进入实验箱的监控程序。
（3）用E命令改变内存单元的值并用D命令观察结果。
①在命令行提示符状态下输入：E 2020↙屏幕将显示：2020 内存单元原值:按如下形式键入：2020 原值：2222 （空格）原值：3333（空格）原值：4444（空格）原值：5555↙②在命令行提示符状态下输入：D 2020↙屏幕将显示从2020内存单元开始的值，其中2020——2023的值为：2222 3333 4444 5555③断电后重新启动教学实验机，用D命令观察内存单元2020——2023的值。
有什么现象？原来置入到这几个内存单元的值现在是什么？为什么会发生这种现象？（2）用A命令输入一段程序，执行并观察结果。
①在命令行提示符状态下输入：A 2000↙屏幕将显示： 2000：按如下形式键入：2000： MVRD R0，AAAA2002： MVRD R1，55552004： AND R0，R12005： RET2006：↙②在命令行提示符状态下输入：T 2000 ↙R0 的值变为AAAAH，其余寄存器的值不变。
T↙R1 的值变为5555H，其余寄存器的值不变。
T↙R0 的值变为0000H，其余寄存器的值不变。
③在命令行提示符状态下输入：G 2000运行输入的程序。
④在命令行提示符状态下输入：R ↙记录R0和R1的内容：⑤断电后重新启动教学实验机，用U 2000命令观察原来输入的程序，有什么现象？原来置入的程序现在还有吗？为什么会发生这种现象？二．存储容量扩展实验1．要扩展8K字（字长16位）的存储空间，需要使用2片（每一片有8KB 容量，即芯片内由8K个单元、每个单元由8个二进制位组成）存储器芯片实现。
设计扩展8K字存储器容量的线路图，参照下图标明数据线、地址线和控制信号的连接关系，图中/MREQ是访存允许信号，地址线没有给出，需要你自己加上。
下图中的地址线是~A0，请注明高地址线是多少。
2．将两个用于扩展的ROM（58C65芯片）芯片分别插入标有“EXTROMH”和“EXTROML”的插座，要注意芯片插入的方向，带有半圆形缺口的一方朝左插入。
如果芯片插入方向不对，会导致芯片烧毁。
3．将扩展芯片下方的插针按下列方式短接：①将标有“/MWR”、“PGM”和“RD”的三个插针左面两个短接，这组插针提供芯片的读写信号，就是决定芯片是处于只读状态还是可读写状态，如果“/MWR”和“PGM”连接，表示芯片可写；如果“PGM”和“RD”相连，表示芯片只读不可写；②将标有“/MRD”、“/OE”和“GND”的三个插针左边两个短接；这组插针提供芯片的OE信号，往芯片里边写入内容的时候“/M RD”和“/OE”短接，要运行写入的程序，则要“/OE”和“GND”短接；4．将扩展芯片上方标有EXTROMH和EXTROML的“/CS”信号用自锁紧线短接，然后短接到MEMDC138芯片的上方的标有“4000－5fff”地址单元；注意：标有/CS的圆孔针与标有MEM、/CS的一排圆孔针中的任意一个都可以用导线相连；连接的地址范围是多少，可用的地址空间就是多少。
5．58C65芯片的读操作和一般的RAM一样，而其写操作，需要一定的时间，大约为1毫秒。
因此，需要编写一延迟子程序，在对EEPROM进行写操作时，调用该子程序，以完成正确的读写。
（1）用E命令改变内存单元的值并用D命令观察结果。
①在命令行提示符状态下输入：E 5000↙屏幕将显示： 5000 内存单元原值：按如下形式键入：5000 原值：2424（按空格）原值：3636（按空格）原值：4848（按空格）原值：5050↙②在命令行提示符状态下输入：D 5000↙屏幕将显示5000——507F内存单元的值，从5000开始的连续四个内存单元的值依次为2424 3636 4848 5050。
③断电后重新启动，用D命令察看内存单元5000——5003的值，这几个单元的值是否发生改变，为什么？（2）利用程序，在5000——500F单元中依次写入数据0000、0001、...000F。
注意：将程序放到RAM（6116）中，调用延时子程序，访问58C65芯片中的内存地址。
从2000单元开始输入主程序：（2000）MVRD R0，0000MVRD R2，0010 ；R2 记录循环次数MVRD R3，5000 ；R3 的内容为16 位内存地址（2006）STRR [R3]，R0 ；将R0 寄存器的内容放到R3 给出的内存单元中CALA 2200 ；调用程序地址为2200 的延时子程序INC R0 ；R0 加1INC R3 ；R3 加1DEC R2 ；R2 减1JRNZ 2006 ；R2 不为0 跳转到2006HRET①从2200单元开始输入延时子程序：（2200）PUSH R3MVRD R3，00FF（2203）DEC R3JRNZ 2203POP R3RET运行主程序，在命令提示符下输入：G 2000↙。
程序执行结束后，在命令提示符下输入：D 5000↙；记录5000——500F内存单元的值。
这16个单元的内容是0000、0001、...000F 吗？②修改延时子程序，将其延时改长，可将延时子程序中R3的内容赋成FFFF。
运行主程序，在命令提示符下输入：G 2000↙。
程序执行结束后，在命令提示符下输入：D 5000↙；记录5000——500F内存单元的值。