模拟电子技术教程习题答案
模拟电子技术习题答案(1)
模拟电子技术习题答案(1)第一章常用半导体器件1习题答案〖题1.1〗（1）杂质浓度，温度（2）呈圆形电中性，呈圆形电中性（3）等同于，大于，变宽，大于，变窄（4）逆向打穿（5）减小，减小，增大（6）左移，下移，加高（7）、发射结，erf（8）一种载流子参予导电，两种载流子参予导电，压控，流控。
〖题1.2〗二极管电路如图t1.2所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出端电压uo。
设二极管的导通压降为ud=0.7v。
adbadr10v5vcb?uo??r5v10vuo?(a)b1d1a?r12v9v?uob1b2(b)d1d2r10v15vuoab2d2??(c)(d)图t1.2解：（a）uo=ua－ud=－5v－0.7v=－5.7v（b）uo=ub=uc=－5v（c）uo=ua=－0.7v（d）uo=ua=－9.3v〖题1.3〗二极管电路例如图t1.3(a)右图，未知ui?10sin?t(mv)，e?1.2v，ui电容c和直流电源e对交流视为短路，二极管的伏安特性曲线如图t1.3(b)所示，r?100?，谋二极管两端的电压和穿过二极管的电流。
解：id?id?id?(5?1.92sin?t)maud?ud?ud?(0.7?0.01sin?t)v+redcid/ma12id8400.30.60.91.2ud/v??ud(a)(b)图t1.3第一章常用半导体器件2〖题1.4〗设图t1.4中的二极管d为理想二极管，试通过计算判断它们是否导通？。
6k?d4k??5k?1k?4k?5kb20v?18kd?20k?14kb?1k5k?15v10vaa10v?2k(a)(b)图t1.4解：(a)ua??10?41?(?20)9v4?61?45ub??2010v,ua?ub,二极管导通；5?525?(?15)4v(b)ua??10?2?185?201ub??151v,ua?ub,二极管截至。
1?141k?1k??d5v?(a)d??〖题1.5〗在图t1.5所示电路中，已知ui=10sinωt(v),二极管的正向压降和反向电流均可忽略。
模拟电子技术(王成华第二版)课后习题及答案_1
习 题题1.1 求硅本征半导体在温度为250K 、300K 、350K 时载流子的浓度。
若掺入施主杂质的浓度317d cm 10=N ，分别求出在250K 、300K 、350K 时电子和空穴的浓度。
解：当K 250=T 时，有:38221.123162231i 1i cm 10057.12501087.3)()(go ⨯=⨯⨯⨯=⋅==−−kTkTE ee TA T p T n ，同理，当K 300=T 时，有: 3102i 2i cm 10095.1)()(⨯==T p T n ，当K 350=T 时，有: 3113i 3i cm 10060.3)()(⨯==T p T n ， 当掺入施主杂质后，电子浓度：d N n =，空穴浓度：n n p 2i =，当K 250=T 时，317cm 10=n ,31712i cm 112.010)(==T n p ， 当K 300=T 时，317cm 10=n ,331722i cm 10199.110)(⨯==T n p ， 当K 350=T 时，317cm 10=n ,351732i cm 10364.910)(⨯==T n p 。
题1.2 若硅PN 结的317a cm 10=N ，316d cm 10=N ，求K 300=T 时PN 结的内建电位差。
解：)ln(2i da T n N N U U ⋅⋅=ϕ， 当K 300=T 时，mV 26T =U ，310i cm 1043.1⨯=n ,代入得：76.0)cm 101.43(cm 10cm 10ln V 026.023********=⎥⎦⎤⎢⎣⎡⨯⨯⨯=ϕU V 。
题1.3 已知锗PN 结的反向饱和电流为610−A ，当外加电压为0.2V 、0.36V 及0.4V 时流过PN 结的电流为多少？由计算结果说明伏安特性的特点。
解：根据PN 结方程，流过PN 结的电流)1(TS −⋅=U U eI I ，6S 10−=I A ，26T =U mV ，2.01=U V 时，3S 11019.2)1(T1−⨯=−⋅=U U eI I A ，36.02=U V 时，03.1)1(T2S 2=−⋅=U U e I I A ，4.03=U V 时，8.4)1(T3S 3=−⋅=U U eI I A ，2.04−=U V 时，04=I ，反向截止， 36.05−=U V 时，05=I ，反向截止， 4.06−=U V 时，06=I ，反向截止，由此可见，PN 结外加正向电压时，斜率稍有增加就引起正向电流明显增加。
模拟电子技术习题集参考答案
第一章参考答案一、判断题1、√2、×3、√4、√5、×6、×二、单项选择1、(a)2、(c)3、(c)4、(a)5、(c)6、(c)7、(c)8、(b)9、(b) 10、(b)11、(c) 12、(a) 13、(a) 14、(b) 15、(a) 16、(c) 17、(b) 8、(a) 19、(a) 20、(b)21、(c)三、解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、解：u i和u o的波形如题5解图所示。
题6解图题5解图六、解：u i和u o的波形如题6解图所示。
题6解图七、解：1、当U I＝10V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V同理，当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝6V 。
2、 =-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
八、解：波形如题8解图所示。
题8解图第二章 参考答案一、判断1、√2、×3、×4、√5、×6、√7、×8、×9、√ 10、× 11、√二、单项选择题1、(c)2、(a)3、(b)4、(b)5、(c)6、(a)7、(a)8、(a)9、(b) 10、(c) 11、(b) 12、(a) 13、(c) 14、(b) 15、(c) 16、(b) 17、(b) 18、(c) 19、(b) 20、(a) 21、(c) 22、(a) 23、(c) 24、(c) 25、(a) 26、(c) 27、(c) 28、(c) 29、(a) 30、(b) 31、(c) 32、(b) 33、(b) 34、(a) (a) (a) 35、(c) 36、(a) 37、(c) 38、(c) 39、(b) 40、(c) 41、(c) 42、(b) 43、(b) 44、(c) 45、(c) 46、(b) 47、(b) 48、(b) 49、(a) 50、(a) 51、(c) 52、(c) 53、(c) (c) 54、(c) (a)二、填空题1、NPN,PNP ；硅，锗；电子和空穴。
《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)
项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。
2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。
三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用 表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。
（b）VD截止，U AB=-12 V。
（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。
（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sinω t (V)，试画出u O的波形。
图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sinΩ t(V)，二极管导通电压为0.7V。
试画出u i与的波形。
解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V；3.7V>u i>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i；u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。
图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a）三极管已损坏，发射结开路（b）放大状态（c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。
模拟电子技术(模电课后习题含标准答案)(第三版)
第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
1、两个管子都正接。
（1.4V ）2、6V 的管子反接，8V 的正接。
模拟电子技术教程第3章习题答案
第3章 习题1. 概念题：（1）在放大电路中，三极管或场效应管起的作用就是 将一种形式的电量转换为另一种形式的电量 。
（2）电源的作用是 为能量转换提供能源 ，如果离开电源，放大器可以工作吗？（ 不能 ）（3）单管放大器的讲解从电容耦合形式开始，这是因为 阻容耦合放大器设计和计算相对来说要简单点 ，如果信号和负载直接接入，其 工作点 的计算将要复杂的多。
（4）在共射放大器的发射极串接一个小电阻，还能认为是共射放大器吗？（ 能 ）在共集放大器的集电极串接一个小电阻，还能认为是共集放大器吗？（ 能 ）（5）在模电中下列一些说法是等同的，（A 、C 、F ）另一些说法也是等同的。
（B 、D 、E ）A. 直流分析B. 交流分析C. 静态分析D. 动态分析E. 小信号分析F. 工作点分析（6）PN 结具有单向导电性，信号电压和电流的方向是随时间变化的，而交流信号却能在放大电路中通过并获得放大，这是因为 放大器输出端获取的交流信号其实就是电流或电压的相对变化量 。
（7） β大的三极管输入阻抗 也大 ，小功率三极管的基本输入阻抗可表示为EQTbb'be I U )1(r r β++≈。
（8）画直流通路比画交流通路复杂吗？（不）在画交流通路时直流电压源可认为 短路 ，直流电流源可认为 开路 ，二极管和稳压管只考虑其 动态内阻 即可。
（9）求输出阻抗时负载R L 必须 断开 ，单管放大器输出阻抗最难求的是共 集电极 放大器，其次是共 源 放大器。
（10）对晶体管来说，直流电阻指 晶体管对所加电源呈现的等效电阻 ，交流电阻指 在一定偏置下晶体管对所通过的信号呈现的等效电阻 ，对纯电阻元件有这两种电阻之区分吗？（ 无 ）（11）在共射级放大器或共源放大器中，电阻R C 或R D 的作用是 把电流I C 或I D 的变化转换为电压的变化 。
（12）放大电路的非线性失真包括 饱和 失真和 截止 失真，引起非线性失真的主要原因是 放大器工作点偏离放大区 。
模拟电子技术课后答案(1到9章)最经典的考试题
第一章 习题与思考题◇ 习题 1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 解：二极管的正向电阻愈小愈好，反向电阻愈大愈好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
◇ 题 1-4已知在图P1-4中，u1=10sin ωt(V)，R L ＝1k Ω，试对应地画出二极管的电流i D 、电压u0的波形，并在波形图上标出幅值，设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。
解：波形见图。
◇ 习题 1-5欲使稳压管具有良好稳压特性，它的工作电流I Z 、动态内阻r Z 以及温度系数a u 等各项参数，大一些好还是小一些好？解：动态内阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，即稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻r Z 愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数a U 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
◇ 习题 1-7 在图P1-7 中，已知电源电压V =10V ，R=200Ω，R L =1 k Ω,稳压管的U Z =6V，试求： ①稳压管中的电流I Z =?② 当电流电压V 升高到12V ，I Z 将变为多少？ ③当V 仍为10V ，但R L 改为2 k Ω时，I Z 将变为多少？ 解：① mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1462016200610=-=Ω-Ω-=--=② mA mA mA k V V V R U R U U IL Z ZZ2463016200612=-=Ω-Ω-=--=③ mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1732026200610=-=Ω-Ω-=--=◇ 习题 1-8 设有两个相同型号的稳压管，稳压仁政值均为6V ，当工作在正向时管压降均为0.7V ，如果将它们用不同的方法串联后接入电路，可能得到几种不同的稳压值？试画出各种不同的串联方法。
模拟电子技术教程习题答案
模拟电子技术教程习题答案Document number【SA80SAB-SAA9SYT-SAATC-SA6UT-SA18】第6章习题答案1. 概念题：（1）由运放组成的负反馈电路一般都引入深度负反馈，电路均可利用虚短路和虚断路的概念来求解其运算关系。
（2）反相比例运算电路的输入阻抗小，同相比例运算电路的输入阻抗大，但会引入了共模干扰。
（3）如果要用单个运放实现：A＝－10的放大电路，应选用 A 运算电路；将u正弦波信号移相＋90O，应选用 D 运算电路；对正弦波信号进行二倍频，应选用F 运算电路；将某信号叠加上一个直流量，应选用 E 运算电路；将方波信号转换成三角波信号，应选用 C 运算电路；将方波电压转换成尖顶波信号，应选用 D 运算电路。
A. 反相比例B. 同相比例C. 积分D. 微分E. 加法 F. 乘方（4）已知输入信号幅值为1mV，频率为10kHz～12kHz，信号中有较大的干扰，应设置前置放大电路及带通滤波电路进行预处理。
（5）在隔离放大器的输入端和输出端之间加100V的电压会击穿放大器吗（不会）加1000V的交流电压呢（不会）（6）有源滤波器适合于电源滤波吗（不适用）这是因为有源滤波器不能通过太大的电流或太高的电压。
（7）正弦波发生电路中，输出端的晶体管一定工作在放大区吗（一定）矩形波发生电路中，输出端的晶体管一定工作在放大区吗（不一定）（8）作为比较器应用的运放，运放一般都工作在非线性区，施密特比较器中引入了正反馈，和基本比较器相比，施密特比较器有速度快和抗干扰性强的特点。
（9）正弦波发生电路的平衡条件与放大器自激的平衡条件不同，是因为反馈耦合端的极性不同，RC正弦波振荡器频率不可能太高，其原因是在高频时晶体管元件的结电容会起作用。
（10）非正弦波发生器离不开比较器和延时两个环节。
（11）当信号频率等于石英晶体的串联谐振或并联谐振频率时，石英晶体呈阻性；当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英晶体呈感性；其余情况下石英晶体呈容性。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
第6章习题答案1. 概念题：（1）由运放组成的负反馈电路一般都引入深度负反馈，电路均可利用虚短路和虚断路的概念来求解其运算关系。
（2）反相比例运算电路的输入阻抗小，同相比例运算电路的输入阻抗大，但会引入了共模干扰。
（3）如果要用单个运放实现：A＝－10的放大电路，应选用 A 运算电路；将正u弦波信号移相＋90O，应选用 D 运算电路；对正弦波信号进行二倍频，应选用 F 运算电路；将某信号叠加上一个直流量，应选用 E 运算电路；将方波信号转换成三角波信号，应选用 C 运算电路；将方波电压转换成尖顶波信号，应选用 D 运算电路。
A. 反相比例B. 同相比例C. 积分D. 微分E. 加法F. 乘方（4）已知输入信号幅值为1mV，频率为10kHz～12kHz，信号中有较大的干扰，应设置前置放大电路及带通滤波电路进行预处理。
（5）在隔离放大器的输入端和输出端之间加100V的电压会击穿放大器吗？（不会）加1000V的交流电压呢？（不会）（6）有源滤波器适合于电源滤波吗？（不适用）这是因为有源滤波器不能通过太大的电流或太高的电压。
（7）正弦波发生电路中，输出端的晶体管一定工作在放大区吗？（一定）矩形波发生电路中，输出端的晶体管一定工作在放大区吗？（不一定）（8）作为比较器应用的运放，运放一般都工作在非线性区，施密特比较器中引入了正反馈，和基本比较器相比，施密特比较器有速度快和抗干扰性强的特点。
（9）正弦波发生电路的平衡条件与放大器自激的平衡条件不同，是因为反馈耦合端的极性不同，RC正弦波振荡器频率不可能太高，其原因是在高频时晶体管元件的结电容会起作用。
（10）非正弦波发生器离不开比较器和延时两个环节。
（11）当信号频率等于石英晶体的串联谐振或并联谐振频率时，石英晶体呈阻性；当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英晶体呈感性；其余情况下石英晶体呈容性。
（12）若需要1MHz以下的正弦波信号，一般可用 RC 振荡电路；若需要更高频率的正弦波，就要用 LC 振荡电路；若要求频率稳定度很高，则可用石英晶体振荡电路。
（13）设计一个输出功率为20W的扩音机电路，若用乙类互补对称功率放大，则应选至少为 4 瓦的功率管两个。
（14）对于甲类变压器音频功率放大电路，在没有输入信号时，扬声器不发声，这时管子的损耗最小。
对吗？（不对，此时管子功耗最大）（15）线性电源的调整管工作在放大区，所以称为线性电源，线性电源因调整管消耗功率较大，工作效率低。
（16）开关电源调整管工作在非线性区区，或在饱和/可变阻区、或在截止区，所以开关电源功耗小、体积小，工作效率高。
（17）在线性电源中，所谓并联式稳压电路是指 负载与调整管并联 ，串联式稳压电路是指 负载与调整管串联 ，有人说后者是在前者的基础上发展起来的，你说对吗？（ 对 ）（18）最常见的整流电路是 二极管整流电路 ，整流只能用二极管吗？（ 不一定 ）（19）滤波的实质就是 储存和释放能源 ，在中小功率电源中常用 电容 来滤波，在输出电流较大时需要用 电感和电容 来滤波。
开关电源中因 工作频率 较高，用较小容量的滤波元件就可以达到很好的滤波效果。
（20）目前常见的数码产品充电器是开关电源吗？（ 是 ）（21）你认为线性电源和开关电源那种更容易持续提供大电流电源？（ 开关电源 ）开关电源的缺点是 会产生射频干扰 。
2. 理想运放组成如图6-113所示电路。
（1）导出u o 与u i 的关系式；（2）若要求电路的闭环增益︱A uf ︱=100，R i >100kΩ，在R 2=R 3=500kΩ条件下，请设计R 1、R 4的参数。
解：根据虚短路和虚断路有：可求得： i R u R R u 124-= 图6-113 习题2电路图即：4324440R u R u u R u R oR R +-=-可得，i o u R R R R R R u )//1(432132++-= （2）因要求Ri ＝R 1>100kΩ，可取R 1＝150KΩ，将︱A uf ︱=100代入上式得R 4＝17.86KΩ。
3. 理想运放组成如图6-114所示各电路，试求出输出信号与输入信号的关系式。
解:（a ）3i 21f2i 2f 1i 1f o u )R //R R 1(u R R u R R u ++--= （b ）3i 3221f 2i 3231f 1i 1f o u R R R )R R 1(u R R R )R R 1(u R R u ++++++-= （c ）⎰⎰∞-∞---=t2i 2t 1i 1o dt u C R 1dt u C R 1u (a)(b)(c)(d)图6-114 习题3 电路图（d ）i o i C du u u RC C dt=--112 4. 在图6-114所示各电路中，集成运放的共模信号分别为多少？要求写出表达式。
解: 共模信号即为运放同相端或反相端的电压。
（a ）ic i u u =3（b ）ic i i R R u u u R R R R =+++32232323（c ）ic u =0 （d ）ic u =05. 试设计一多项式电路，使输入输出满足关系为u o =5 u i1+10 u i2－2u i3－0.5 u i4－50 u i5，要求电路改变一个电阻值就能改变多项式的相应系数。
解：取R f =100KΩ，则：R 1=20KΩ，R 2=10KΩ，R 3=50KΩ，R 4=200KΩ，R 5=2KΩR 6、R 7为输入端平衡电阻，6. 如图6-115所示电路中，运放均为理想器件。
（1）假设R w 的滑动端位于中间位置，写出u o1、u o 与u i 的关系式；（2）当R W 的滑动端由下而上移动时，u o 怎样变化？解:（1）A 1构成反相比例运算电路，A 2为电压跟随器，A 3为反相加法运算电路。
所以，其中V 5.2u '=，W 'WR 41R =为戴维南定理等效的＋5V 电压源支路。
（2）当R W 的滑动端由下而上移动时，u o 的反向偏移量将增大。
7.积分器及输入波形如图6-116所示，电源电压为±15V。
（1）设通电之前，设u C =0V ，作出输出电压u o 的对应波形图；（2）当R 或C 分别变化时，请用图描述u o 的对应波形图变化趋势。
:（1）o u =（2）R 或C 变大时，t=t 1时的u o 幅值变小；反之，幅值变大，但不能超过电源电压15V ，趋势图如下：图6-115 习题6电路图8.在图10kΩ，试求该电路的电压放大倍数。
解:运为u 02,有o o 542o u 2u )R R 1(u =+= 再根据运放A1的虚短与虚断，有32o 1iR u R u -= 可得：u o ＝－0.5 u i9. 试分别求解图6-118所示各电路的电压传输特性。
解:图（a ）所示电路为单限比较器；图（b ）所示电路为窗口比较器；图（c ）所示电路为参考电压不为0的迟滞比较器；图（d ）所示电路为参考电压为0的迟滞比较器。
电压传输特性如解图所示。
[说明：设图（b ）中运放电源电压为±12V ；Vcc=12V ，R 2>>R 1]图6-117 习题8电路图(a) (b)(c) (d)图6-118 习题9 电路图11.如图6-120为一种不随输入频率变化的不失真限幅放大器。
在一定的频率范围内，输出电压uo的幅值恒等于VE，请详细分析其基本原理。
（修正：图6-120中去掉D2、D3（分别短路），乘法器M的系数Kxy改为-1/2）解：电路由以下几部分组成：输入信号ui 通过电阻分压产生uo1=1/2 ui；图6-120 习题11 电路图D 1、C 3和A 1组成峰值保持电路，u o2输出为u o1的峰值，设峰值为V C ；A2为减法电路，u o3=VE -u o2=V E -V C ；A3与乘法器S 构成除法运算，u o4=- u o3/K xy V C =（V C -V E ）/K xy V C ，当乘法器S 的系数Kxy=1/2时，u o4=2(V C -V E )/V C ；M 为乘法器，其系数K xy =-1/2，u o5=K xy u o4 u i =-(V C -V E )u i /V C ；于是：i CE i i C i o o u V Vu u V V V u u u =+--=+-=E C 5)(。
此式表明，当u i 幅值变大时，峰值V C 也变大，故输出u O 不变。
12. 在下列各种情况下，应分别采用哪种类型（低通、高通、带通、带阻）的滤波电路。
（1）传输300~3400Hz 的音频信号；（2）传输频率低于10HZ 的缓慢变化信号；（3）抑制频率为50Hz 交流电源的干扰；（4）抑制频率为1kHz 以下的信号。
解:（1）带通（2）低通（3）带阻（4）高通13.图6-121所示为几种有源滤波电路。
（1）从电路图直接判断各电路图为什么类型的滤波器，分别为几阶；（2）推导图（d ）的传递函数、频率特性表达式及滤波参数表达式。
解:（1）（a ）图为一阶高通滤波器；（b ）图为一阶低通滤波器；（c ）图为二阶带通滤波器；（d ）图为二阶高通滤波器；（2）（d ）图为二阶无限增益多路反馈高通滤波器。
其中，14.已知某有源滤波器的传递函数为：分析该传递函数具有哪种滤波器的特性，并计算该滤波器的特征频率、品质因数及通带增益。
解:该传递函数为二阶压控电压源低通滤波器（见教材公式6-26），式中的频率越高，Au 越小，说明是低通。
（a ） （b ）（c ） （d ）图6-121 习题13电路图其中：通带增益12up R R 1A +=，特征频率RC21f 0π= 得：)A 3(f fj )f f (1A )jf (A up 020pu u-+-=品质因素211up R R 2R A 31Q -=-=15.电路如图6-122所示，试用相位平衡条件判断哪个电路可能振荡，哪个不能，并简述理由。
解:图（a ）所示电路有可能产生振荡。
图中三级移相电路为超前网络，在信号频率为0到无穷大时相移为＋270?～0?，因此存在使相移为＋180?的频率，加上运放的反相，可满足振荡的相位条件。
图（b ）所示电路有可能产生振荡。
图中RC 串并联网络在谐振点相移为零，所以电路构成正反馈，可满足振荡的相位条件。
图（c ）所示电路不能产生振荡。
图中RC 串并联网络在谐振点相移为零，所以电路构成负反馈，不能满足振荡的相位条件。
（a）（b ）（c）（d ）图6-122 习题15 电路图图（d ）所示电路两级放大产生360?的相移形成正反馈，有可能产生振荡。
16.如图6-123所示RC 串并联正弦波振荡电路，运放为理想运放。