光电子学-第五章

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光电子技术安毓英第五章课后习题参考答案1

光电子技术安毓英第五章课后习题参考答案1

5.1以图中p型半导体器件为例,栅极加正电压超过MOS晶体管的开启电压时,在半导体金属界面会形成深度耗尽层,称为电子的势阱。

当有光照时,光生电子会聚集在势阱中,形成电荷存储。

以图中三相CCD结构为例,相邻三个栅极电压从高电平依次降低到低电平,为一个周期。

每个栅极电压降低过程与下一个栅极高电平重合。

这样三个栅极位置的电子势阱会依次减小,消失与出现。

存储电子会随着势阱位置的移动发生转移。

电荷输出:外加放大电路,利用电荷电势进行放大,输出信号CCD输出信号的特点:1.信号电压是在浮置电平基础上的负电压2.每个电荷包的输出占有一定的时间长度3.在输出信号总叠加有复位期间的高电平脉冲根据这些特点,对CCD的输出进行处理时,较多地采用了取样技术,以去除浮置电平,复位高脉冲及抑制噪声。

5.2光电成像系统利用的都是帧扫描方式,完成一帧扫描所需要的时间称为帧时T,单位时间完成的帧数称为帧速 F, 它们的关系是T=1/F5.3(1)F=0.3m(2) W=n*α=128*a/f=128x100um/0.3m=4.26x10-2 rad5.5从目标调制度(对比度)到人眼观察到,总的调制函数为各个调制函数的乘积,光学体统调制传递函数为MTF O, 人眼能感知的极限调制度为0.026,则0.5×MTF O×0.9×0.5×0.95×0.5≥0.026MTF O≥0.245.7(1)像增强器CCD (ICCD)可以探测微光图像,但是其内经过光子-电子的多次转换,图像质量会有损失,光锥中光纤光栅干涉波纹,折断和耦合损失都将使ICCD输出噪声增加,对比度下降,动态范围减小,影响成像质量。

(2)薄型背向CCD器件灵敏度高,噪声低,但当照度低于10-6 lx 时,只能依赖图像增强来提高增益,克服噪音(3)电子轰击型CCD简化了光子多次转换过程,信噪比大大提高,与ICCD相比,电子轰击型CCD具有体积小,重量轻,可靠性高,分辨率高及对比度好等优点。

光电子技术基础5

光电子技术基础5
1 n2 x12 x22 x32 1 (Isotropic Crystal)
When a strain S is applied in x direction, the index ellipsoid becomes:
1 n2 p11S x12 1 n2 p13S x22 1 n2 p12S x32 1 (Biaxial Crystal)
n1 n 1 2n3 p11S, n2 n 1 2n3 p13S, n3 n 1 2n3 p12S
Acousto-Optic Effects
➢ Strain Induced by An Acoustic Wave
An acoustic wave propagated in k direction can be expressed as: u(r,t) k u0 cos( t k r)
or Bii xi xi 1
Bii
1 r,ii
0 ii
Result in:
ε r=B-1 ,
or
B
ε
1 r
ห้องสมุดไป่ตู้
or
equivalently: Bij r, jk
ik
(valid for any case)
➢ Perturbation to The Medium Polarization
When an acoustic wave applied, the medium polarization P=ε0 χ•E (χ = εr-1) will be changed to P+ΔP with ΔP= ε0 (Δχ)•E, and Δχ= Δεr. That is:
An acoustic wave generate a dynamic grating, so a input field Ein will be diffracted by the grating. In the grating region, the total field is (assume the

半导体光电子学第五章第九章-PPT

半导体光电子学第五章第九章-PPT

大家好 15
J th
4.5 103
i
d
20
i
d
[
(1
)
out
1 ln L
1 R
fc ]
GaAlAs/GaAs特征温度120-180℃ InGaAsP/InP T0=65K
大家好 16
四、阈值特性关系小结
1、低维量子材料 2、增益介质 3、侧向折射率波导
大家好 17
作业: 教材181页第1、2题
大家好 13
Ith e(WdL)Nth / s
大家好 14
三、温度对阈值电流的影响
J th
(T
)
J
th
(Tr
)
T exp(
Tr T0
)
T0为一个表征半导体激 光器温度稳定性的重要
参数称为特征温度,T0
与材料和结构相关,由 式看出T0越高LD的温度 稳定性越高,T0趋于无 穷则Jth不随温度而变化
1、名词解释:
功率效率、內量子效率、外量子效率、外微分量子效率
2、写出外微分量子效率的表达式,并指出哪些具体措施能提 高半导体激光器的微分量子效率。
大家好 27
5.3 半导体激光器的远场特性
大家好 28
LD输出光场分近场与远场。近场分布是指光强在解
理面上或解理面一个光波长范围内的分布(与横模,
侧模有关)。远场是指距输出这常常与光束的发散
12分钟→数十万小时
对LD可靠性研究包括其长期工作后性能退化和突然 失效的机理和提高可靠性的方法、途径,以提高工作寿命。 LD的可靠性与工作方式(连续或脉冲),有源区的材料, 有源区与限制层材料的晶格匹配、热沉,腔面情况等多种 因素有关,高可靠性的激光器是上述诸因素的综合效果。

《光电子学教程》课后作业答案-部分

《光电子学教程》课后作业答案-部分
5.He-Ne激光器发出激光的中心频率为0=4.74*10 Hz,增益曲线上超过阀值的宽度=1.5*10Hz,令腔长L=1m,问可能有多少个纵模输出?为获得单模输出,问腔长最长为多少?
解:
则纵模输出的个数为:
为使获得单模输出,需
7.He-Ne激光器的腔长为1m,计算基横模的远场发散角和10km处的光斑面积。
7。在He-Ne激光器的增益曲线上1/2G(v0)处,有两个烧孔,增益曲线半宽度为1500MHz,计算与烧孔相对应的粒子速度有多大?
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第三章激光振荡与工作特性
1.要使氦-氖激光器的相干长度达到1Km,它的单色性Δλ/λ0应为多少? 解:根据P48式(3-1-2):
好好学习,天天上上
03电子科学与技术
4)α=0.5dB时: =1.122, 所以损耗百分比为:(1- )×100﹪=10.9﹪;
5)α=0.2dB时: =1.047, 所以损耗百分比为:(1- )×100﹪=4.5﹪;
4、阶跃光纤的纤芯折射率 ,包层折射率为 ,如果一条光线沿轴向传输,另一条光线沿最大入射角入射。计算传输1kM后两光线的时延差。 解:
好好学习,天天上上
03电子科学与技术
光电子学课程作业
*
章节目录
第五章 光辐射的探测
第四章 光辐射在介质中波导中的传播
第三章 激光振荡与工作特性
第二章 介质中的光增益
第一器件
第七章 光电转换器件
第八章 第八章 光波调制
第一章 光与物质相互作用基础
2. 说明相干长度相干时间与光源的关系:相干面积,相干体积的物理意义。 答:根据 故:光源频率宽度 越窄,相干时间越长,相干长度也越长。 根据P49(3-1-12),相干面积的物理意义:从单位面积光源辐射出的光波,在其传播方向上发生相干现象的任一截面面积范围为辐射波长λ与该截面至光源距离R的乘积的平方。 根据P49(3-1-13),相干体积的物理意义:在单位面积光源辐射出的单位频率宽度的光波,在其传播方向上发生相干现象的任一体积范围为相对应的相干面积与光速的乘积。

半导体光电子学-第五章

半导体光电子学-第五章

激子的产生是由于入射光子能量不足以使价 带电子跃迁到导带,受激电子受到价带空穴 束缚。束缚能
Eexc
mr e 4
2(4
0
)2
1 n2
Ee(1x)c n2
激子吸收谱是一系列分立的。 直接带隙半导体中,自由激子的形成能
h
Eg
Eexc
2k 2 2(me* mh* )
激子吸收系数
在禁戒的直接跃迁半导体中,对于较大的光子能量,吸收趋于式(7.110):
二、半导体光电探测器的性能参数
1. 量子效率和响应度
所产生的电子 空穴对数 入射的光子数
1 exp a0W
1 R1 exp a0d1 1 exp a0W
响应度R:定义为单位入射光功率作用到探测 器上后在外电路中产生的光电流的大小。
轴)上的截距分别为Eg-Es 和Eg+Es,即分别对应于 吸收声子与发射声子的情
况。显然在低温下发射声
子是主要的。
ae
c h Eg
1 exp Es
Es 2
kT
0
h Eg Es h Eg Es
(7.1-23)
图7.1-8和图7.1-9是间接跃迁半导体Ge的基本吸收谱 。由图7.1-9看出,在k空间点和在高的光子能量作用 下,仍可产生允许的直接跃迁,并得到其值不小的吸 收系数。
所以, 光的吸收系数和光的穿透深度是倒数关系。
一、直接带隙跃迁引起的光吸收
以前提到在直接带隙跃迁吸收中,可以产生允许的和禁戒的跃迁。
1.允许跃迁 只有当半导体中的电子在辐射场作用下满足动量守恒(k选择定则)所 产生的跃迁才有最大的跃迁几率。
吸收系数写为
ad A h Eg 1 2
0

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第一章 电磁波与光波(理论基础) 第二章 激光与半导体光源 第三章 光波的传输 第四章 光波的调制 第五章 光波的探测与解调
.
未来是光通信的世界。
第一章 光波与电磁波
➢麦克斯韦方程组的积分形式 ➢高斯定理 斯托克斯定律 ➢麦克斯韦方程组的微分形式 ➢边界条件 ➢电磁波的性质 ➢电磁波谱
.
麦克斯韦方程组及其物理意义
E和H幅度成比例、复角相等
0E0 0H0
E H
电磁波的传播速度
v 1 k 00
C
1
00
3108.m/ s
介质中 真空中
为什么说光波是电磁波?
1) 根据麦氏方程推导, 电磁波在真空中的速度为
c 1 3.107 140 8ms
00
当时通过实验测得的真空中的光速也为 3108 m s
2) 根据麦氏方程: 电磁波在介质中的速度为
玻尔频率条件: h En Em 或 En Em
h
式中h为普郎克常数:
h 6 .6 2 1 3 0 J 4s
.
激光的基本原理、特性和应用 ——玻尔假说
原子能级
原子从高能级向低能 级跃迁时,相当于光 的发射过程;而从低 能级向高能级跃迁时, 相当于光的吸收过程; 两个相反的过程都满 足玻尔条件。
(对于非铁磁质)
v c
根据光学中折射率的定义,则
.
v c
nc vc vn
为什么说光波是电磁波?
如果光波是电磁波,比较上面两式:
v c 和v c
n
n
麦克斯韦 关系式
➢而当时测得的无极分子物质,按上式计算的折射率与测量的折射率 能很好的符合。 ➢当时测得的为有极分子物质,上式中的ε用光波频率时的值,则上式 就成立了。平时ε在低频电场下测量。 ➢所以麦克斯韦判定,光波是电磁波。

光电子学(第五章2)课件资料

一、光电效应 二、光热效应
§5-2 光探测的基本物理效应
§5-3 光辐射探测过程中的噪声
§5-4 光辐射的探测方法
光照物体使发射电子,电学性变(电导率,发射电子, 产生感应电动势)——光电效应(太阳能电池)。 1. 外光电效应:光辐射,电子发射(将电子离表面, 器件多阴极,倍增效果。 2. 内光电效应:光照物质内电子能态变,表面不发射 电子【光子激发载流子(电子或空穴)留材料内】。
激子电子与空穴作 用,类H原子电子 与质子,能级:
e m E 2 2 2 2 (5 1 29) 8 0 h n
价带跃到n=1与n=2能级 吸收谱线分辨, n>3高分别率,低温测 Eg小,n>2,连续。
价带
n=1激子基态能级 n=,Ee=0,电子与空 穴分离激子全部能级禁带 E∞er导带底能级
外光电效应半导体, 金属-光电发射体. 光电子材料逸出: 入射光子能> 光电子发射体逸出功. E入射光子>W光电子发射体 半导体能级结构图. 逸出功W=真空能级E0−费米EF
Ec 导带底能级
W=E0-EF
E0
电子亲和 势
EF Eg
价带顶能级 Ex
§5-1 物质中的光吸收
一、光电效应 二、光热效应
Ef
hk hk 光子动量 0
'
k k (5 1 4)
'
Ei
电子吸收能量,动量不变——准动量守恒(0)
第十七讲要点回顾
问题二:间接跃迁特点?
间接跃迁:导带最低能态与价带最高能态k,跃迁动量变。 跃迁吸收光子,借助声子(吸收或发射声子)。
Ef
动量守恒:
k f ki q 光子动量 (5 1 15)

光电子各章复习要点

各章复习要点第1章 激光原理概论1.光的波粒二相性,光子学说光是由一群以光速 c 运动的光量子(简称光子)所组成 2三种跃迁过程(自发辐射、受激辐射 和受激吸收)• 3.自发辐射和受激辐射的本质区别?• 4.在热平衡状态下,物质的粒子数密度按能级分布规律(正常分布)• 5.激光产生的必要条件:实现粒子数反转分布 • 6.激光产生的阈值条件:增益大于等于损耗 •7.激光的特点?•(1)极好的方向性(θ≈10-3rad)•(2)优越的单色性(Δν=3.8*108Hz,是单色 性最好的普通光源的线宽的105倍.•(3)极好的相干性(频率相同,传播方向同,相位差恒定)•(4)极高的亮度•光亮度:单位面积的光源,在其法向单位立体角内传送的光功率.•8激光器构成及每部分的功能νh E =λνc h c h c E m ///22===1激光工作物质提供形成激光的能级结构体系,是激光产生的内因2.)泵浦源提供形成激光的能量激励,是激光形成的外因3.)光学谐振腔①提供光学正反馈作用②控制腔内振荡光束的特性•9激光产生的基本原理(以红宝石激光器为例)•⑴Cr3+的受激吸收过程.•⑵无辐射跃迁•⑶粒子数反转状态的形成•⑷个别的自发辐射 •⑸受激发射 •⑹激光的形成 •10.模式的概念及分类11.纵模的谐振条件的推导及纵模间隔的计算。

第2章 激光谐振腔技术、选模及稳频技术 • 1.掌握三个评价谐振腔的重要指标•最简单的光学谐振腔是在激活介质两端适当的位置放置两个具有高反射率的反射镜来构成的,与微波相比,采用开腔。

1)平均单程功率损耗率πλπφ222⋅=⋅=∆q nL qnL q 2=λnLcqv q 2=反射损耗:衍射损耗:(圆形平行平面腔)2)谐振腔寿命3)谐振腔Q 值• 2.了解横模选择的两种方法(1)只改变谐振腔的结构和参数,使高阶模具有大的衍射损耗(2)腔内插入附加的选模器件 3两种常用的抑制高阶横模的方法 1.调节反射镜 ✓ 优点:方法简单易行 ✓ 缺点:输出功率显著降低 2.腔内加光阑高阶横模的光束截面比基横模大,减小增益介质的有效孔径,可大大增加高阶横模的衍射损耗• 4.理解三种单纵模输出的方法 •1)短腔法10ln21I I =δ4.12)(207.0aLd λδ=)1(R c Lt c -=dr L L R c L cQ δδλπλδπλπ+==-=1.22)1(.221210010ln 21ln 21ln21r r r r I I I I -===δ•2)法布里-珀罗标准距法•3)复合腔选纵模第5章 光电子显示技术• 1.黑白CRT 的构成及每部分的功能? • 电子枪、偏转系统和荧光屏三部分构成• 2.黑白CRT 的基本工作原理?ndc m 2=∆ν•电子枪发射出电子束,电子枪受阴极或栅极所加的视频信号电压的调制,电子束经过加束极的加速,聚焦极的聚焦,偏转磁场的偏转扫描到屏幕前面的荧光涂层上,产生复合发光,最终形成满足人眼视觉特性要求的光学图像。

光电子技术基础[课件]


虽然朗伯定律是一个理想化的概念,但是在实际中 遇到的许多辐射源,在一定的范围内都十分接近于 朗伯余弦定律的辐射规律。
例如,黑体辐射就精确遵守朗伯余弦定律。
•大多数绝缘材料,在相对于表面法线方向的观察角 不超过60°时,都遵守朗伯余核定律。 •导电材料虽然有较大的差异,但在工程计算中,观 察角不超过50 °时,也还能运用朗伯余弦定律,运 用朗伯余弦定律对这类辐射源的辐射量的计算,就 变得十分简单。
如不考虑辐射传输过程中大气的影响,在离开 源距离为l处的辐照度分别为 (9)
(10) 以上两式表明:点源在被照面上产生的辐照度 与其辐射强度成正比,与源到被照面的距离平 方成反比,并与源相对于被照面法线的方向夹 角有关。
3.2 朗伯余弦定律和小面源 的辐射特性
一、朗伯余弦定律 辐射源单位表面积向空间某方向单位立体角发射( 或反射)的辐射功率,和该方向与表面法线夹角的 余弦成正比,即 (15) 这个规律就称为朗伯余弦定律。式中B是一 个与方向无关的常数。凡遵守朗伯余弦定律 的辐射表面称为朗伯面,相应的辐射源称为 朗伯源或漫辐射源。
2.朗伯辐射源的L辐射亮度与M辐出度的关系
(7)
L与M关系的普遍表示式由式(7)给出在一般情况下,如果不 知道L与方向角θ的明显函数关系,就无法由L计算出M。但 是,对于朗伯辐射源而言,L与θ无关,于是式(7)可写为 :
因为球坐标的立体角元
利用这个关系,可使辐射量的计算大为简化
四、例 题 求圆盘和球状小面源的辐射强度和辐射功率。 1.圆盘 设圆盘的辐射亮度为L,面积为A,如图所示 。圆盘在与其法线成θ方向上的辐射强度为 (20) 式中I0=LA,为圆盘在其法线方向上的辐射强度。
这种噪声会使器件的比探测率降低。 探测率D:是最小可探测功率NEP的倒数,表征 的是探测器的灵敏度,D越大灵敏度越高 比探测率D*:归一化的探测率D,可以对不同带宽 和光敏面积的探测器进行比较,可定义为

光电子之光电效应第五章

第五章 光波的探测与解调
• 主要内容:光电探测器的工作原理、性 能指标、使用技巧。 • 系统及器件的噪声分析 • 各种调制对应的解调方法及其特点 • 特殊探测方法:极弱信号的探测和解调、 提高信噪比的方法
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光电探测器的特性指标(续)
• • • • 暗电流 极限参数 击穿电压 几何参数 – 有源区面积 – 结电容 – 温度系数
光电探测器的特性指标(PIN)
光电探测器的特性指标(APD)
光波的解调
• 强度调制的解调 – 输入: I kf (q) i RI Rkf (q ) – 输出: v Rk f (q) • 振幅调制的解调 – 输入: E (t ) E0 f (q) sin(c t 0 ) – 输出: i RI RkE 02 f 2 (q ) kf 2 (q )
特殊探测方法之取样积分
• 输入信号及其信噪比为:
vin vi v Ni SNR i =
p No MpNo
vi
• 经过M次迭加后:
vo Mvi
vo SNRo v No Mvi Mv Ni
v Ni
v No Mv Ni
• 输出信号的信噪比:
M SNRi
• 特点:能够从强噪声中提取信息
探测机理及其分类
• 按光——电相互作用分类
光电效应 电磁波对材料的影响 热效应 波扰动效应
• 按响应区域分类
点探测器 光电探测器 图象探测器
光电效应
• 内光电效应: – 光电导器件 • 红限 • 光电流 • 响应速度
h E g
0 hc / E g
i so qN G
s1 s2 • 特点:能够剔除信号内包含的噪声!
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2 2 2 折射率椭球主轴坐标系方程 x1 x2 x3 1 2 2 2
n1
n2
n3
对于单轴晶体有n1=n2=no,n3=ne,所以得到:
2 2 2 x1 x2 x3 2 1 旋转椭球 2 no ne
x3
" S k ( s)
取 : k (0,sin , cos )
10
I0 1 m p sin m t I 0 2
-10 -5
1 0.8 0.6 0.4 0.2 5
10
光调制的基本概念与分类 相位调制和频率调制(调相和调频)
相位(频率)调制:使载波光场的相位(频率)按调制信号的规律 变化的过程。
(t ) c k f a (t ) 调频:c常数 e(t)=Ac cos(c t c ) (t ) c k a (t ) 调相: c常数
光调制的基本概念与分类
调频和调相波的频谱
调频和调相实质上都是调制总相角,可写成统一的形式:
e(t ) Ac cos[ct m sin mt c ] Ac [cos(ct c )cos(m sin mt ) sin(ct c )sin(m sin mt )]
x2ox3截面图
理想单色平面波在晶体中的传播
光波在单轴晶体中传播的解析描述
在单轴晶体中,与给定单位波矢方向k对应的o光和e光诸 矢量的关系如下图 X3
x x x 1 2 no n
2 1 2 2 2 3 2 e
2 2 no ne ne( )= 2 2 2 no sin ne cos2
电光调制
晶体的电光效应
折射率椭球的变化可以用系数变化ij描述,则外加电场后 的感生折射率椭球可写为:
ij xi x j ( ij ) xi x j 1
0 ij
ij ijk Ek hijkl Ek El
k 1 k ,l 1
3
3
线性电光效应,ijk是三阶张量
可以得到最终的调频场为:
e(t ) Ac J 0 (m) cos(ct c ) Ac n1

J n (m) cos(c nm )t c ( 1)n cos(c nm )t c

光调制的基本概念与分类
调频和调相波的频谱
调频和调相实质上都是调制总相角:
e(t ) Ac J 0 (m)cos(ct c ) Ac J n (m) cos(c nm )t c ( 1)n cos(c nm )t c n1
J0 (1) 0.77


频谱是由光载波频率与其 两边对称分布的无穷多对边 频所组成的。各边频之间的
光调制的基本概念与分类
振幅调制
振幅调制:使载波光场的振幅按照调制讯号的规律变化的过程
调幅波的频谱分析:
e(t ) Ac (1 m cos mt ) cos(ct c ) m Ac cos(ct c ) Ac cos[(c m )t c ] 2 m Ac cos[(c m )t c ] 2
光调制概述
外调制器的调制机理都是基于改变调制器介质的光学常 数——折射率和介电张量,引起通过调制器的光波的参量发 生变化,从而达到调制的目的。
调制 机理??
光通过介质时的传 输特性
光波在单轴晶体中传播的解析描述
光波在单轴晶体中的传播规律 在单轴晶体中存在两种特许偏振方向的光波:o光和e光。 对应于某一波法线方向k有两条光线:so和se. o光折射率不依赖于k的方向,Eo‖Do, so‖k e光折射率随k的方向改变,Ee与De一般不平行, 但都在k与 光轴所确定的平面内。se与k亦不重合 o光与e光的场振动矢量彼此垂直:Eo⊥Ee, Do⊥De
总相位:
(t)=t
调频和调相的相同点:
是使总相位(t)变化——按调制信号的规律变化。
光调制的基本概念与分类 相位调制和频率调制(调相和调频)
相位(频率)调制:使载波光场的相位(频率)按调制信号的规 律变化的过程。 调频过程:
总相位: (t)= (t)dt+ c c t k f a (t )dt c
调制后:
-10
-5
1.4 1.2 1
5
10
I (t ) [I0 K p a(t )]cos2 (ct c )
-10 -5
0.8 0.6 0.4 0.2 5
10
光调制的基本概念与分类
强度调制
强度调制:使载波光场的光强按照调制信号的规律变化的过程
考虑经过光强调制以后,不失真,则平均光强选在 I0/2
电光效应分类 线性电光效应(Pockels):折射率的改变与外场电场强度的 大小成正比 二次电光效应(Kerr):折射率的改变与外场电场强度的平 方成正比
电光调制
晶体的电光效应
如何描述电光效应? 光在晶体中的传播规律遵从光的电磁理论。而折射率椭球描 述了晶体的折射率在空间各个方向的取值分布。 外加电场对晶体光学特性的影响,必然会通过折射率椭球的 变化反映出来。 所以通过研究晶体折射率椭球的大小、形状和取向的变化, 来研究外电场对晶体光学特性的影响。
电光调制
晶体的电光效应
晶体的折射率椭球的一般形式为:
1 ij 2 nij
xi x j n
2 ij
1
其中i, j 1, 2, 3

0 不加外场时折射率椭球 ij xi x j 1 ij xi x j 1 加外场感生折射率椭球 ij xi x j 1
111 121 131 211 3 ijk Ek 221 k 1 231 311 321 331
ij ij
112 122 132 212 222 232 312 322 332
调制后:
-10 -5
0.5
5 -0.5
10
-1
e(t ) ( Ac KA0 cos m t ) cos(c t c ) Ac (1 m cos m t ) cos(c t c ) A(t ) cos( c t c )
-10 -5
1.5 1 0.5
5 -0.5 -1 -1.5
111 121 131 211 3 ijk Ek 221 k 1 231 311 321 331
112 122 132 212 222 232 312 322 332
113 123 133 213 E1 223 E 2 233 E3 313 323 333
D
E


S

K
X2
X1
2 2 1 ne no tg sin 2 2 2 2 2 2 no sin ne cos
电光调制
晶体的电光效应
电光效应是指晶体在低频外电场作用下,晶体光学特性(折 射率)发生改变的效应。
——利用电光效应可以方便地实现光调制
折射率椭球——迅速直观地描述光波在晶体中的双折射现象
折射率椭球方程:
x x x 1 n n n
折射率椭球的性质: (d,n)曲面
n1
2 1 2 1
2 2 2 2
2 3 2 3
n3
0
n2
x2
x1 折射率椭球的物理意义:表征了晶体折射率在晶体空
间的各个方向上全部取值分布的几何图形。
利用折射率椭球分析光在单轴晶体中的传播特性
光调制的基本概念与分类
强度调制
强度调制:使载波光场的光强按照调制信号的规律变化的过程 调制前:
Null 1 0.8 0.6 0.4 0.2
I (t ) Ac 2 cos2 (ct c ) I 0 cos (ct c ) 载波
2
a (t ) A0 sin mt 调制讯号
光辐射的调制
光调制概述
光调制目的:使光波携带信息,达到传输信息的目的
光调制的实现手段:使光波中的某种可测参量随着信号的
变化而变化,当接收到被调制后的光波后,记录下被调制参 量的变化就能获得光波所传递的信息
用于光通信的光是相干光,相干光的可测参量包括光的强 度(振幅)、频率、位相和偏振态。
光调制概述
0 0
t
t

果:a (t ) A0 cos mt,则
(t)=ct k f A0 cos mtdt c
0
tLeabharlann ct k f A0m
sin mt c ct m f sin mt c
调频后的电场:e(t ) Ac cos(ct m f sin mt c )
根据被调制的参量将光调制分类:
强度调制——用光电探测器接收
频率调制——用外差接收系统接收 相位调制——用外差接收系统接收 偏振调制——在接收系统中设置偏振片检偏
光调制的基本概念与分类
振幅调制
振幅调制:使载波光场的振幅按照调制讯号的规律变化的过程
Null
调制前:
1
ec (t ) Ac cos( c t c ) 载波 a(t ) A0 cos m t 调制讯号
电光调制
晶体的线性电光系数矩阵
线性电光系数矩阵 ij
加电场后的椭球
1
ij
ij ji m ijk jik mk
各种晶体的电光系 数矩阵[mk]可以从相 应的手册上查出
mk E1 E E 场对晶体光学特性的 2 mk k 线性效应 E3
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