半导体光电子学
电子行业半导体光电子学
电子行业半导体光电子学引言电子行业是当今社会中一个重要的产业，而半导体光电子学则是电子行业中的一个重要分支。
本文将介绍半导体光电子学的基本概念、应用领域以及未来发展趋势。
什么是半导体光电子学？半导体光电子学是研究光子与半导体材料相互作用的科学学科。
光子是光的基本单位，而半导体是一种特殊的材料，具有在一定条件下既能导电又能隔电的特性。
半导体光电子学研究的是光与半导体材料之间的相互转换关系，从而实现光的控制和检测。
半导体光电子学的应用领域半导体光电子学在电子行业中有广泛的应用。
以下是一些常见的应用领域：光通信光通信是一种基于光的信息传输技术。
通过半导体光电子学技术，可以实现光的发射、接收和调制，从而实现高速和高带宽的网络传输。
目前，光纤通信被广泛应用于电话、互联网和电视等领域，半导体光电子学技术的发展使得光通信变得更加快速和可靠。
光储存光储存是一种利用光来存储和读取信息的技术。
半导体光电子学技术可以实现将光转化为电信号和能量，从而实现信息的存储和检索。
光存储器的容量大、读写速度快，因此在计算机领域中有重要的应用。
光电传感器光电传感器是一种利用光电二极管等光电转换元件来检测和测量光信号的传感器。
通过半导体光电子学技术，可以将光信号转化为电信号，从而实现光的探测和测量。
光电传感器在工业自动化、医疗设备和环境监测等领域有广泛的应用。
激光器激光器是一种利用半导体材料产生激光的设备。
激光器的产生是建立在半导体光电子学原理上的，通过半导体中的电荷载流子重新组合来产生光子，从而产生激光。
激光器被广泛应用于科学研究、医疗、通信和制造等领域。
半导体光电子学的未来发展趋势随着科技的不断进步和需求的增加，半导体光电子学在未来有许多发展趋势。
高速、大容量的光通信随着互联网的快速发展，对于高速和大容量的网络传输需求越来越大。
半导体光电子学技术在实现高速、大容量光通信方面具有重要作用。
未来的发展趋势是将光通信技术应用于更广泛的领域，并提高传输速度和容量。
半导体光电子学的应用
半导体光电子学的应用随着科技的飞速发展，半导体光电子学在各个领域中的应用越来越广泛。
作为研究和应用半导体材料和光电子器件的学科，半导体光电子学在信息技术、能源、生物医学、环境监测等领域发挥着重要作用。
本文将从不同的角度介绍半导体光电子学的应用。
一、信息技术领域的应用在当今信息时代，信息技术的发展对半导体光电子学提出了更高的需求。
半导体光电子学的一个重要应用是光纤通信技术。
光纤通信依赖于半导体光电子器件，如激光器和光电探测器。
激光器通过半导体材料的电流注入，可以实现高度聚焦的激光发射，将信息以光信号的形式传输；而光电探测器则能将光信号转化为电信号，实现信息的接收与解析。
半导体激光器的小型化和低功耗的特点使得光纤通信技术得以普及，大大提高了数据传输的速度和容量。
另一个重要的信息技术领域应用是半导体光电子显示技术。
我们如今常见的液晶显示器、有机发光二极管显示器（OLED）、激光显示器都离不开半导体光电子学的贡献。
半导体光电子学为显示技术提供了丰富的材料和器件，它们使得显示器具备了快速响应、高对比度、低功耗等优势。
这些显示器的应用在手机、电视、电子书和电子游戏等各个领域中都得到了广泛运用。
二、能源领域的应用半导体光电子学在可再生能源领域有着重要的应用，特别是太阳能电池。
太阳能电池利用半导体材料对光的吸收和光生电子的产生来转化太阳能为电能。
精细控制半导体材料的结构和化学成分，可以提高光电转换效率，并减少制造成本。
太阳能电池的应用广泛，不仅可以为家庭提供电力，还可以应用于航天、交通等领域。
另一个能源领域的应用是光催化技术。
光催化技术利用半导体材料对光的吸收和光生电子的反应来实现催化反应，用于水的分解、有机物的降解等环保领域。
通过改变半导体材料的种类和结构，可以控制催化反应的性质和效果。
光催化技术被广泛应用于清洁能源生产和环境治理，为实现可持续发展做出了重要贡献。
三、生物医学领域的应用半导体光电子学在生物医学领域的应用极其广泛。
半导体光电子学
半导体光电子学是半导体物理学和光学的交叉学科。
它是光通讯、光电器件、量子计算等领域的基础。
本文将从半导体物理学和光学两个方面，深入探讨的相关知识。
一、半导体物理学与半导体物理学是发展的重要基础。
半导体物理学是研究半导体中的电子、空穴、杂质、晶格振动等物理现象的学科。
半导体物理学在分析半导体材料的电学和光学性质时，提供了理论模型。
半导体物理学主要研究以下四个方面：载流子（电子、空穴）、杂质和位错、势场及其效应、光学及其效应。
这些知识对于理解是非常重要的。
在半导体物理学中，PN结和PNP结都是半导体器件的典型结构。
PN结由P型半导体和N型半导体组成，它具有整流和限流的特性。
PNP结由P型半导体、N型半导体和P型半导体组成，它适合作为小信号放大器、开关和稳压器使用。
则涉及光的物理性质与半导体的相互作用，是光学和半导体物理学两个领域融合而成。
半导体器件是的核心。
半导体材料因其独特的电学和光学性质，是制造光电器件的理想材料。
半导体器件广泛应用于光通讯、光电器件、量子计算等领域。
二、光学原理与光学是研究光学原理及其应用的学科。
中的光学主要涉及：光的相干性、明暗间隔、半导体的吸收和发射光谱等。
在中，光可以被分为连续谱和线性谱。
连续谱指的是由频率连续变化的光波组成的谱。
线性谱指的是由频率分立变化的光波组成的谱。
半导体中的光谱因其特殊的光子能带结构而呈现出独特的特征。
当半导体物质受到光的刺激时，可能会发生吸收、发射、自发辐射等现象。
这些现象可以用谐振器的概念来解释。
半导体的谐振器可看作在材料结构中引起原子振动的光子与电子之间的相互作用。
在光电器件中，半导体激光器具有广泛的应用前景。
激光器是将各种光激活物质的能量转化成光能的器件，具有独特的单色性和方向性。
激光器由光反馈镜、工作材料、电子输运层和阈值电流元件等构成。
在激光器中，工作材料是电子和空穴的结合物，产生激光。
三、光通讯与光通讯主要利用光信号来传递信息。
光通讯的发展与技术的进步密不可分。
半导体光电子学
1.半导体中与光有关的3种量子现象 : 自发发射(半导体发光二极管LED的工作原理),受激吸收(光电导,光探测器的工作原理),受激发射(半导体激光器LD,半导体光放大器SOA的工作原理). 填空2.半导体在光电子学中独有的特点: ①半导体能带中存在高的电子态密度,因而在半导体中有可能具有很高的量子跃迁速率②在半导体同一能带内,处在不同激励状态的电子态之间存在相当大的互作用(或大的公有化运动),这种互作用碰撞过程的时间常数与辐射过程的时间常数相比是很短的,因而能维持每个激励态之间的准平衡.③半导体中的电子态可以通过扩散或传导在材料中传播,可以将载流子直接注入发光二极管或激光器的有源区中,因而有很高的能量转换效率.④在两能级的激光系统中,每一处于激发态的电子有它唯一返回的基态(即某一特定的原子态) 理解3.爱因斯坦关系说明什么问题: 爱因斯坦关系B12=B21;A21=8πn3ℎv3c3B21爱因斯坦关系表示了热平衡条件下自发发射,受激发射与受激吸收三种跃迁几率之间的关系4.粒子数反转条件(伯纳德-杜拉福格条件)f c>f v(导带电子占据几率大于价带电子占据几率); F c−F v>ℎv (准费米能级之差大于作用在该系统的光子能量);ΔF≥E g (准费米能级之差大于等于禁带宽度)5.异质结能带图:Pn能带图6. 弗伽定律:7. 异质结对载流子和光子的限制:NpP 结构异质结中①由N 型限制层注入p 型有源层的电子将受到pP 同型异质结的势垒的限制,阻挡它们向P 型限制层内扩散.②pN 型异质结的空穴势垒限制着有源层中的多数载流子空穴向N 型限制层的运动. ③由于能产生光波导效应，从而限制有源区中的光子从该区向宽带隙限制层逸出而损失掉。
n 1 < n 2 > n 38. 激光器的构成:①激光工作介质②激励源③光学谐振腔9. 光子和费米子的差别:光子属于玻色子,服从玻色爱因斯坦分布.电子属于费米子服10.K选择定则的定义:不管是竖直跃迁还是非竖直跃迁,也不论是吸收光子还是发射光子,量子系统总的动量和能量必须守恒,这就是跃迁的k选择定则11.同质结和异质结或同型异质结和异型异质结空间电荷区的差别:①同质结:当P型半导体和N型半导体结合在一起时，由于交界面处存在载流子浓度的差异，这样电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。
《半导体光电子学》教学大纲
《半导体光电子学》教学大纲一、课程信息课程名称：半导体光电子学课程类别：素质选修课/专业基础课课程性质：选修/必修计划学时：64计划学分：4先修课程：无选用教材：《半导体光电子学》，黄德修，黄黎蓉，洪伟编著，电子工业出版社教材，2018.6。
适用专业：本课程可作为大学理科光学专业、工科物理电子学、光学工程和光电信息工程等专业本科生的教学课程和相关专业研究生的参考课程，也可供相关科技工作者参考。
课程负责人：二、课程简介半导体光电子学是研究半导体中光子与电子相互作用、光能与电能相互转换的一门科学，涉及量子力学、固体物理、半导体物理等一些基础物理，也关联着半导体光电子材料及其相关器件，在信息和能源等领域有着广泛的应用。
半导体光电子器件的性能改善无不是通过不断优化半导体材料和器件结构以增强电子与光子的相互作用、实现高效电能与光能相互转换的结果，其中异质结所形成的电子势垒和光波导的双重效应起到了关键作用。
本课程分10个单元，各单元内容相互关联，形成当今半导体光电子学较为完整的、理论和实际应用相结合的体系。
三、课程教学要求注：“课程教学要求”栏中内容为针对该课程适用专业的专业毕业要求与相关教学要求的具体描述。
“关联程度”栏中字母表示二者关联程度。
关联程度按高关联、中关联、低关联三档分别表示为“H”“M”或“L”。
“课程教学要求”及“关联程度”中的空白栏表示该课程与所对应的专业毕业要求条目不相关。
四、课程教学内容五、考核要求及成绩评定注：此表中内容为该课程的全部考核方式及其相关信息。
六、学生学习建议（一）学习方法建议1.依据专业教学标准，结合岗位技能职业标准，通过案例展开学习，将每个项目分成多个任务，系统化地学习。
2.了解行业企业技术标准，注重学习新技术、新工艺和新方法，根据教材中穿插设置的半导体光电子器件应用相关实例，对已有技术持续进行更新。
3.通过开展课堂讨论、实践活动，增强的团队协作能力，学会如何与他人合作、沟通、协调等等。
《半导体光电子学课件》绪论
04
半导体光电子学的技术挑 战
材料制备与表征技术
材料纯度与缺陷控制
为了获得高性能的光电子器件，需要制备高纯度、低缺陷的材料。
晶体生长技术
晶体生长是光电子器件制造的基础，需要发展先进的晶体生长技术， 以获得大尺寸、高质量的晶体。
材料表征技术
对材料的物理、化学和光学性质进行准确测量和表征，是评估材料 质量和性能的关键。
《半导体光电子学课 件》绪论
目录
• 半导体光电子学的定义与重要性 • 半导体光电子学的发展历程 • 半导体光电子学的核心概念
目录
• 半导体光电子学的技术挑战 • 半导体光电子学的未来展望
01
半导体光电子学的定学是一门研究半导体中光与物质相互作用的科学，主要涉及光子在半 导体材料中的产生、传播和吸收等过程。
光电器件的工作原理
1
光电器件是指利用光子与电子相互作用原理制成 的器件，其工作原理主要基于半导体的光电效应。
2
光电器件可以分为光电导器件、光生伏特器件和 光电发射器件等类型，它们分别利用不同机制实 现光能与电能的转换。
3
光电器件的性能参数包括光谱响应范围、响应速 度、量子效率等，这些参数决定了器件在不同领 域的应用价值。
半导体光电子学的交叉学科研究
物理与化学
将物理和化学的理论与技术应用于半导体光电子学的研究，以深入理解光电子现 象的本质和规律。
生物与医学
将生物和医学的理论与技术应用于半导体光电子学的研究，以开发新型的光电子 生物传感器和医疗设备。
THANKS
感谢观看
新器件
研究新型光电器件，如光子晶体器件 、表面等离子体激元器件等，以实现 更高效、更紧凑的光电子器件。
光电器件的高效化与小型化
半导体光电子学第1章半导体中光子电子的
GaAs就是一种直接带隙半导体材料。它的晶体结构如图。
它属于闪锌矿结构。它与金刚石有相似的结构，每一个晶格点阵 上的原子与4个相邻的原子键合。它们的区别在于：在金刚石结构 中，每一个晶格点阵上的原子是相同的；而在闪锌矿结构中，每 一个晶格点阵上的原子与相邻的键合原子不同。
跃迁的选择定则：不管是竖直跃迁还是非竖直 跃迁，也无论是吸收光子还是发射光子，量子 系统总的动量和能量必须守恒。
给定电子跃迁的初始态能量和动量及终态能量 和动量，当跃迁只涉及一个光子时，选择定则 可表示为：
Ei E f hv 0
(ki k f k p ) 0
第十六页，编辑于星期六：十九点 十分。
前言：半导体物理基础 1.1 半导体中量子跃迁的特点 1.2 直接带隙与间接带隙跃迁 1.3 光子密度分布 1.4 电子态密度与占据几率
1.5 跃迁速率与爱因斯坦关系 1.6 半导体中的载流子复合
1.7 增益系数与电流密度的关系
小结
第六页，编辑于星期六：十九点 十分。
前言：半导体物理基础
半导体光电子技术的发展及应用
半导体光电子学： 是研究半导体中光子-电子相互作用，光
能与电能相互转换的一门学科。
第一页，编辑于星期六：十九点 十分。
半导体光电子技术的发展及应用
发展： 半导体光电子学的产生可以追述到19世纪，那个时候人 们就发现了半导体中的光吸收和光电导现象。上个世纪 60年代得到飞速发展，这主要归因于半导体激光器（LD） 的出现。1962年第一台半导体激光器诞生，是由美国GE 公司的霍尔(Hall)研制成的。这一时期的半导体激光器的 特点是：同质结材料，激光器的阈值电流密度特别高，只 能在液氮温度（77k）或更低的温度下状态脉冲工作，没 有任何实用价值。1969年美国研制出SHLD(Single Heterojunction Laser Diode),1970年前苏联研制出 DHLD(Double Heterojunction Laser Diode)。双异 质结激光器电流密度大大降低，实现了室温下连续工作， 就在同一时间低损耗光纤研制成功。
《半导体光电子学》课件
原理
通过受激辐射产生的一束相干光，实现信息传输或 高精度切割。
应用
医疗、通信、材料加工、激光雷达和光谱学等领域 的关键技术。
光通信中的半导体器件
1 光纤收发模块
将电信号转换为光信号并 通过光纤传输，实现远距 离高速通信。
2 光开关
通过控制光信号的传输路 径和光的开关，实现网络 的快速切换和重构。
3 光放大器
应用
住宅和商业建筑的能源供应、太阳能车、太空探索 和户外充电等。
形成了半导体器件的基础， 如二极管和太阳能电池。
了解能带之间的能级间隙 和激子的形成，有助于设 计电子器件。
LED （发光二极管）工作原理及其应用
原理
通过注入P型和N型半导体内的载流子复合释放出能 量，产生可见光。
应用
照明、显示屏、指示灯和满足复杂颜色需求的装饰 等各行各业。
激光器工作原理及其应用
III-V族化合物
在高频率、高功率和高温环境下表现出色，常 用于雷达和通信系统。
镓化物
优良的光电特性，广泛应用于激光器、LED等器 件。
有机半导体
灵活的分子结构，使其适用于柔性显示和光电 传感器等领域。
光电子物理基础知识
1 能带理论
描述了半导体中电子能级 的分布和载流子运动的机 制。
2 PN结
3 半导体能级
放大光信号强度，以确保 信号在传输过程中不衰减。
光电探测器及其应用
1
光电二极管
将光能转换为电能，并常用ห้องสมุดไป่ตู้光电信号检测与光通信系统。
2
光电倍增管（PMT）
高增益和灵敏度使其适用于低能光子探测和高精度测量。
3
光电二极管阵列
在光谱测量、光学成像和医学诊断方面有广泛应用。
半导体光电子学的基础与应用
半导体光电子学的基础与应用随着科技的不断发展，人们对电子器件的需求越来越大，从而推动了半导体光电子学的快速发展。
半导体光电子学是一门涉及光学、电子学和材料学等学科的交叉学科，其在通讯、信息技术、医疗和环保等领域均有着广泛应用。
本文将对半导体光电子学的基础概念、应用场景以及未来发展进行探讨。
一、基础知识1. 半导体半导体材料是电子与空穴的流动不像金属那样自由，又不如非金属那样短路，具有一种介于金属与非金属之间的性质。
半导体以硅、锗、氮化硅、碳化硅等为主要材料，是电子元器件制造的重要材料。
2. 光电效应光电效应是指光子作用于物质时会引起电子的运动现象。
光电子学利用这种现象来进行光信号的转换和处理，从而实现光电信号的传输和控制。
3. LEDLED即Light Emitting Diode（发光二极管），是一种通过半导体材料电注入激发发出特定波长光的器件。
LED广泛应用于照明、指示和显示等领域。
4. LDLD即Laser Diode（激光二极管），是一种半导体光源，利用PN结发光原理将电能转化为光能，具有窄线宽、方便激光调制和调制速度快等优点，是激光器的重要部件。
5. PDPD即Photodiode（光电二极管），是一种可以将光信号转换为电信号的半导体器件。
PD具有高速、高灵敏度和低噪声等优点，被广泛应用于光通信和光控制等领域。
二、应用场景1. 光通信领域光通信是指利用光波进行信息传输的技术。
半导体光电子学在光通信领域的主要应用包括光源、光开关、接收器等部件。
光中继、全息存储等技术也是光通信领域应用的关键技术。
2. 光储存半导体光电子学可以实现光信号的存储和提取，应用于光盘、DVD和蓝光盘等光存储设备中。
光存储的优点是存储容量大、读写速度快、抗磨损性强等。
3. 医疗领域半导体激光被广泛应用于医疗领域，如激光手术、激光诊断、激光治疗等。
激光可以精确定位和切割组织，不仅有较小的组织创伤，同时也可以控制出血，提高手术质量和效率。
半导体光电子学第三版教学大纲
半导体光电子学第三版教学大纲课程介绍半导体光电子学是材料科学家、电子工程师和物理学家中非常重要的一个课程。
本课程将涵盖各种半导体光电子学的基础知识和基本理论，包括材料结构、能带理论、载流子输运和激子。
此外，本课程还会介绍半导体激光器、探测器、光伏器件和光通讯器件等方面的知识。
教材说明本课程教材为《半导体光电子学》第三版，作者包括马丁·A·格林、C·J·中村和古尔德·卡尔。
该教材是半导体光电子学领域的经典教材之一，内容非常丰富，对于深入了解半导体光电子学相关知识非常有用。
课程安排以下是本课程的课程安排：第一周：材料结构和元素半导体此周主要介绍了半导体的基础知识，包括材料结构、材料的各种特性以及基于半导体的各种器件技术。
第二周：能带理论本周主要介绍了半导体中的能带理论，这是理解半导体物理学中非常重要的一部分，学习过后能够帮助学生更好地理解激子与载流子的作用。
第三周：载流子输运和复合本周将介绍载流子输运和复合的基本知识，这是半导体物理学中比较复杂的部分之一。
我们将讨论电场、热平衡、掺杂和多子参与的物理模型。
第四周：激子本周将介绍激子的基本知识，激子是光电器件中非常重要的一部分，学习过后能够帮助学生深入了解激光器件和其他光电器件。
第五周：激光器件本周将介绍激光器件和半导体器件的制造工艺，包括简单的半导体激光器件、半导体激光器设备和高速半导体激光器件。
第六周：探测器本周将介绍光探测器，包括简单的PIN探测器、法布里-珀罗型光发射器探测器、双异质结探测器、Ge探测器、量子阱探测器、光电流探测器等探测器。
第七周：光伏器件本周将介绍太阳能电池、照明器件以及其他光伏器件，包括多结太阳能电池、有机太阳能电池、半导体发光二极管、有机发光二极管等。
第八周：光通讯器件本周将介绍光通讯器件，包括LED和LD的基本原理、光收发模块的结构等。
总结本课程将覆盖半导体光电子学的基础知识和基本理论，为想深入了解该领域的学者们提供了有力的支持和指导。
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2020/7/31
State Key Lab on Integrated Optoelectronics
Directly Modulated DFB LDs
Applications
– Gigabit Ethernet – Metropolitan transmission – Bit rate: up to 10 Gb/s – Wavelength: 1.3 m & 1.55 m
10 Gb/s EA Modulator Integrated DFB LDs for Trunk Line Communications
Transmission length: 100 km Feature: Low power penalty (<1.5 dB) & Wide bandwidth (~14 GHz)
Limitations
– Limited bandwidth for APD detectors – Trade-off between bandwidth and efficiency for surface
illuminated p-i-n detectors
Current Trend
– Side illuminated structure Waveguide p-i-n photodiodes
2020/7/31
State Key Lab on Integrated Optoelectronics
10 Gb/s Directly Modulated DFB LDs for Metropolitan Data T
2020/7/31
Multi-range Wavelength Selectable LDs
For use in back-up & add-drop in DWDM photonic network DFB-LDs integrated with MMI coupler, SOA, and EA modulator Compact size (400 m 2840 m)
2020/7/31
State Key Lab on Integrated Optoelectronics
10 Gb/s EA Modulator Integrated DFB LDs
Eye Diagram
2020/7/31
BER Performance
State Key Lab on Integrated Optoelectronics
半导体光电子学
2020/7/31
Background
The Demand for More Bandwidth Internet, multimedia communications, and etc Methods to Increase System Capacity WDM (Wavelength-Division Multiplexing) OTDM (Optical Time-Division Multiplexing) Benefits of WDM techniques Flexibility and scalability for a variety of network architectures
Advantages
– Compact size – Low coupling loss – Low frequency chirping – Reduced cost – Improved reliability
2020/7/31
State Key Lab on Integrated Optoelectronics
Low-Cost Uncooled LDs
Applications
– Access network – Metropolitan transmission – Bit rate: 155 MB/s (FP-LDs) ~ 10 Gb/s (DFB-LDs)
Requirements
– Wide temperature range operation – Cost-effective structure for device fabrication – High efficiency and large tolerance for coupling output light
2020/7/31
State Key Lab on Integrated Optoelectronics
Key Devices for WDM Optical Fiber Network Systems
Light Sources
– Low-cost uncooled LDs – Directly modulated LDs – Modulator integrated DFB LDs – Wavelength tunable/selectable LDs
Wavelength Tunable vs. Wavelength Selectable
– Wavelength Tunable LDs:Based on DBR structures Compact device structure Poor reliability & Electric crosstalk at high frequency
Limitations
– Limited transmission span (< 20 km) due to large linewidth enhancement factor (> 4)
– Modulation speed is limited by carrier relaxation oscillation
into a single mode fiber
2020/7/31
State Key Lab on Integrated Optoelectronics
Uncooled Gain-Coupled DFB LDs
Stable single mode operation from - 40 to 85C Integrated beam-expander for improved coupling tolerance Gain-coupled DFB lasers with current-blocking gratings
2020/7/31
State Key Lab on Integrated Optoelectronics
Wideband Waveguide Photodiode for 40 Gb/s Systems
Monolithic receiver composed of multimode waveguide p-i-n photodiode and a HEMT distributed amplifier
2020/7/31
State Key Lab on Integrated Optoelectronics
Multi-Range Wavelength Selectable LD Arrays for DWDM Systems
15 nm/chip wavelength selectable range
Wavelength Tunable/Selectable LDs
Advantages
– Ability to restore failed channels – Reduced transmitter cost – Increased flexibility for future network managing
WDM techniques are the backbone of modern optical fiber networks
2020/7/31
State Key Lab on Integrated Optoelectronics
2020/7/31
State Key Lab on Integrated Optoelectronics
High-Speed Photodetectors
SOA and Wavelength Converter
AWG and Related
2020/7/31
State Key Lab on Integrated Optoelectronics
2020/7/31
State Key Lab on Integrated Optoelectronics
2020/7/31
State Key Lab on Integrated Optoelectronics
BER Characteristics
State Key Lab on Integrated Optoelectronics
EA Modulator Integrated DFB LDs
Applications
– Trunk line transmission – Bit rate: 2.5 Gb/s ~ 40 Gb/s
– Wavelength Selectable LDs: Based on DFB LD arrays Relatively complicated device structure Improved reliability and wavelength stability
2020/7/31
State Key Lab on Integrated Optoelectronics
Wavelength & Threshold current
Lasing Spectra
2020/7/31
State Key Lab on Integrated Optoelectronics
High-Speed Photodetectors
Conventional Configurations