三极管(结构,电流分配)

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三极管的基本知识

三极管的基本知识

b级会接一个大电阻RB限制电流Ib的大小,跑到b极的那 些多余的电子就只好穿越集电结,形成电流Ic
二、BJT 的电流分配和放大原理
如果基极电压翻倍,电荷分布会继续发生变化,发射结 宽度会变得更窄,这扇大门变得更宽了,将会有更多的 电子跑到b级
二、BJT 的电流分配和放大原理
由于RB是大电阻,Ib就算翻倍了也还是很小,所以更多 的电子会穿越集电结,让Ic也翻倍。
+ ui
Rb
C1 +
与二极管特性相似
+ + uCE输出 输入 uBE 回路 iE 回路
iB
Rc
+VCC
C2
RL
+ uo

iB VCC
Rb+ + uBE

Rb
iB
VCC
O
uBE
uCE 0 特性右移(因集电结开始吸引电子) uCE 1 V 特性基本重合(电流分配关系确定) 硅管: (0.6 0.8) V 取 0.7 V 导通电压 uBE 锗管: (0.2 0.3) V 取 0.2 V
+ UCE
Rc VCC
输入回路 BJT与电源连接方式
二、BJT 的电流分配和放大原理
当发射结正偏时,电荷分布会发生变化,发射结宽度会变窄; 相当于给电子打开了一扇e到b的大门 集电结反偏时,电荷分布会也发生变化,集电结宽度会变宽。 相当于打开了阻碍电子从c级跑出去的大门
二、BJT 的电流分配和放大原理
VCC
(2) 集电极 - 发射极反向饱和电流 ICEO
c b e A
ICEO
VCC
ICEO =(1+ )ICBO
iC ICM 安 全 工 ICEO O

第3讲 半导体三极管和场效应管

第3讲 半导体三极管和场效应管

模 拟 电 子 技 术
3. U(BR)CEO — 基极开路时 C、E 极间反向击穿电压。 间反向击穿电压。 、 ) U(BR)CBO — 发射极开路时 C、B 极间反向击穿电压。 间反向击穿电压。 、 ) U(BR)EBO — 集电极极开路时 E、B 极间反向击穿电压。 间反向击穿电压。 、 ) U(BR)CBO > U(BR)CEO > U(BR)EBO ) ) )
2 4 6
1. 截止区: 截止区: IB ≤ 0 IC = ICEO ≈ 0 条件: 条件:两个结反偏
ICEO
O
IB = 0
8 /V
模 拟 电 子 技 术
4 3 2 1
iC / mA 50 µA 放大区 40 µA 30 µA 20 µA 10 µA 截止区
2 4 6
2. 放大区: 放大区:
N 沟道 JFET
P 沟道 JFET
模 拟 电 子 技 术
二、 MOS 场效应管 一、增强型 N 沟道 MOSFET (Mental Oxide Semi— FET) )
G D B S D
N+
1. 结构与符号
S
N+
G
耗 尽 层
(掺杂浓度低) 掺杂浓度低)
P 型衬底
用金属铝引出 用扩散的方法 在绝缘层上喷金属 在硅片表面生一层 SiO2 和漏极 铝引出栅极 G D 薄制作两个 N 区 源极 S 绝缘层 S — 源极 Source G — 栅极 Gate D — 漏极 Drain
xyz (a)
xyz
图2.3.1
(b)
模 拟 电 子 技 术 提示: 提示: (1)晶体管工作于放大状态的条件:NPN管:VC> )晶体管工作于放大状态的条件: 管 VB>VE,PNP管:VE>VB>VC;( )导通电压:硅管 BE|= ;(2)导通电压:硅管|V 管 0.6~0.7V,硅管 BE|= 0.2~0.3V, ,硅管|V ,

三极管

三极管

Q点的影响因素有很多,如电源波动、偏
置电阻的变化、管子的更换、元件的老化等等,
不过最主要的影响则是环境温度的变化。三极
管是一个对温度非常敏感的器件,随温度的变 化,三极管参数会受到影响,具体表现在以下 几个方面。
• 1.温度升高,三极管的反向电流增大
• 2.温度升高,三极管的电流放大系数β增大
• 3.温度升高,相同基极电流IB下,UBE减小,
2.2 共射放大电路
一、 放大的概念
电子学中放大的目的是将微弱的变化信号放大成
较大的信号。这里所讲的主要是电压放大电路。
电压放大电路可以用有输入口和输出口的四端网
络表示,如图。
ui
Au
uo
1、放大体现了信号对能量的控制作用,放大的信
号是变化量。
2、放大电路的负载所获得的随信号变化的能量要
比信号本身所给出的能量大得多,这个多出的
②电感视为短路
共射电路的直流通路
用图解法分析放大器的静态工作点
直流负载线 UCE=UCC–ICRC
U CC RC
ICQ
IC Q
IB UCE
与IB所决 定的那一 条输出特 性曲线的 交点就是 Q点
UCEQ UCC
2、动态分析
计算动态参数Au、Ri、Ro时必须依据交流通路。 交流通路:是指ui单独作用(UCC=0)时,电路 中交流分量流过的通路。 画交流通路时有两个要点:
有以下两种。
IC
IB A RB
V
mA C
B E
UBE
RC USC V
UC(1)输入特性曲线
它是指一定集电极和发射极电压UCE下,三极管 的基极电流IB与发射结电压UBE之间的关系曲线。实 验测得三极管的输入特性曲线如下图所示。

晶体管电流分配关系

晶体管电流分配关系

晶体管电流分配关系
1晶体管电流分配原理
晶体管,简称三极管,是半导体器件中的重要元器件,是由比较优异的多种材料制成的特殊器件。

晶体管的特殊特性在于其具有特殊的电流分配机制,电流分配的规律可以帮助我们理解晶体管的基本原理和功能。

晶体管是一种三端口电子器件,由两个集电极和一个发射极组成,它们共同构成一个发射极-集电极-集电极(P-E-C)电路。

在晶体管电路中,电流在三个不同的端子之间分配主要取决于中间发射极的特性,当电流由集电极流入发射极时,将会有一定过流值流入发射极,然后被发射极流出,走向另外一个集电极。

电流分配并不是简单的分配给两个端口,而是经过发射极,分别源于两个端口的电流在发射极之间重新混合调节。

晶体管具有特殊的电流分配机制,它可以对外部电源的电流进行分流,使得晶体管可以在减小功耗的前提下实现开关。

晶体管的电流分配也能够控制电流的大小,实现调节控制,并能够提供一定程度的电流保护。

借助晶体管电流分配机制,系统中可以实现精准的电流控制,使得整个电路的性能大大提高。

2总结
晶体管是一种半导体器件中重要的元器件,它们的电流分配的规律可以帮助我们理解晶体管的基本原理和功能。

晶体管具有特殊的电流分配机制,可以实现开关和电流调节控制,还可以提供电流保护。

晶体管电流分配机制使得系统中可以实现精准的电流控制,使得整个电路得到大大提高。

三极管电流分配及放大作用

三极管电流分配及放大作用

三极管电流分配及放大作用三极管是一种常用的电子元件,其应用广泛,尤其在放大电路中起到重要作用。

本文将详细介绍三极管的电流分配原理和放大作用。

一、三极管的电流分配原理三极管是由三个控制极、基极和集电极组成的。

其中,基极与集电极之间被夹在一个PN结的两侧,控制极与基极之间被夹在另一个PN结的两侧。

三极管的工作原理是通过控制极与基极之间的电流来控制集电极与发射极之间的电流。

在三极管的工作过程中,通常将三极管划分为三个工作区域:放大区、饱和区和截止区。

1.放大区:当控制极与基极之间的电压为正且适当大小时,控制极与基极间的PN结正向偏置,基极与发射极间的PN结反向偏置。

此时,少量的基极电流可以通过PN结进入发射极,并被集电极吸收。

由于发射极与基极之间的PN结反向偏置,使得发射极几乎无法吸收电子,因此整个三极管的电流主要通过控制极和集电极之间的PN结。

2.饱和区:当控制极与基极之间的电压增大到一定程度时,三极管进入饱和区。

此时,基极与发射极之间的PN结也开始反向偏置。

由于饱和区的电流增加,集电极的电流增大,从而增大了三极管的放大效果。

3.截止区:当在控制极与基极之间的电压为负时,三极管进入截止区。

此时,控制极与基极之间的PN结反向偏置增大,使得几乎没有电流通过。

根据以上原理,可以看出,三极管的电流分配是通过控制极与基极之间的电流来控制集电极与发射极之间的电流。

因此,在使用三极管时,需要合理控制控制极与基极之间的电压和电流,以实现合适的电流分配。

二、三极管的放大作用三极管在放大电路中常被用来放大电压或电流信号。

其放大作用主要有以下几个方面。

1.电压放大:由于输入信号的电压很小,不足以驱动负载电阻,因此需要通过放大器放大输入信号的电压。

三极管可以根据输入信号的电压变化,通过控制极与基极之间的电流分配,从而放大输出信号的电压。

2.电流放大:三极管的放大作用不仅限于电压,还可以放大电流信号。

当输入信号的电流很小,不足以驱动负载电阻时,可以通过三极管的电流放大作用,使得输出信号的电流增大。

三极管PPT课件

三极管PPT课件

一、三极管的基本结构
2021/6/24
它是通过一定的制作工艺,将两 个PN结结合在一起的器件,两个PN结 相互作用,使三极管成为一个具有控制 电流作用的半导体器件。
三极管可以用来放大微弱的信号
和作为无触点开关。
4
2.1.1 三极管的结构
2021/6/24
三极管的结构模型和符号
5
2.1.1 三极管的结构
2021/6/24
12
2.1.3 三极管的电流分配关系 和电流放大作用
二、三极管的电流分配关系
(1)IC与IE的关系
α
=
IC IE
α 称为共基极直流电流放大系数 ,是
小于1且接近于1的值,一般为0.9-
0.99。
2021/6/24
13
2.1.3 三极管的电流分配关系 和电流放大作用
(2)IC与IB的关系
2021/6/24
24
2.1.4 三极管的伏安特性曲线
二、输出特性曲线
iCf uCEIB常数
2021/6/24
21 25
2.1.4 三极管的伏安特性曲线
(3)饱和区
工作条件:发射结正偏,集电结正偏。
工作特点:
① iC几乎不随iB变化,uCE略有增加,iC迅速上升。
②UCE很小,称之为饱和电压,用UCES表示。
19
2.1.4 三极管的伏安特性曲线
输入特性曲线的讨论:
(1)当UCE<1V时
三极管的发射结、集电结均正偏,此时的三极 管相当于两个PN结的并联,曲线与二极管相似, 所以增大UCE时,输入曲线明显右移。
(2)当UCE≥1V时
发射结正偏、集电结反偏,此时再继续增大
UCE特性曲线右移不明显,不同的UCE输入曲线

三极管的电流分配与放大作用

三极管的电流分配与放大作用

Rb
8.2kΩ
Rp
1MΩ
Rc
1kΩ
IC
IB
VT1
IE
Rb
8.2kΩ
Rc IC 1kΩ
Rp
IB
1MΩ
VT1
IE
三极管电流放大电路 ——连接电路
Rb
8.2kΩ
Rc IC 1kΩ
红黑鳄鱼夹之 调节电位器 间串接万用表
9V电池
Rp
1MΩ
IB
VT1
IE
测基极电流
测发射极电流
测集电极电流
三极管电流放大电路 ——调节电位器
三极管的电流 分配与放大作用
余姚市职成教中心学校 陈雅萍
三极管电流放大电路 ——以NPN型三极管为例
Rb
8.2kΩ
Rp
1MΩ
Rc
1kΩ
IC
工作电压:9V
基极偏置电阻:Rb和 Rp 调节 Rp ,以改变基极电流 IB
条件:实验过程中,使三极管始终处于放大状态
IB
VT1
通过实验 IE
三极管电流放大电路 ——实验电路
交流放大倍数β: iC
也可用hfe表示
iB
iC iB
一般情况下,β与β比较接近,在电路分析与计算中可以相互替代。 IC IB
三极管电流放大电路 ——结论
1.三极管的电流放大作用,实质上是用较小的基极电流信号控制较大的集电极电 流信号,实现“以小控大”的作用。
2.三极管电流放大作用的实现需要外部提供直流偏置,即必须保证三极管发射结 正偏,集电结反偏。
测基极电流
IB
测集电极电流 测发射极电流
IC
IE
三极管电流放大电路 ——数据测量1

3 三极管

3 三极管
IB/mA IC/mA
0 0 0.02 0.7 0.03 1.11 0.04 1.48 0.06 2.75 0.08 2.8 0.1 3.5 0.12 3.6 0.14 3.6
IE/mA
0
0.72
1.14
1.52
2.82
2.88
3.6
3.72
3.74
(2)观察与分析IB 、IC、两者之间的电流关系? 实验表明: 放大状态
在三极管型号命名方法中,涉及到材料、 结构、功率等(P126) 如3DG6、2DW7
(a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管
常用三极管引脚按一定顺序排列,例 如C90系列的三极管,平面朝向自己时, 从左到右分别是ebc排列
三、半导体三极管分类
(1) 按材料 Si管 Ge管
(2) 按排列顺序
NPN管
PNP管
(3) 按功率: 小、大、中功率管 (4) 按工作频率 : 低频管、高频管 (5) 按用途分: 普通放大三极管、开关三极管
• 集电区c掺杂浓度低于发射区,且面积大;
这些特点使BJT不同于 两个单独的PN结,而呈 现出极间电流放大作用。
二、半导体三极管的电流分配和放大原理 实验电路接线图
输出 回路
输入 回路
三极管电流关系的一组典型实验数据
IB/mA IC/mA
0 0 0.02 0.7 0.03 1.11 0.04 1.48 0.06 2.75 0.08 2.8 0.1 3.5 0.12 3.6 0.14 3.6
三种工作状态的应用
在模拟电路中,BJT工作在放大区;(线性放大小 信号) 在数字电路中,BJT工作在截止区、饱和区(做 数字开关)。
数字开关:
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2.1 半导体三极管
一、三极管的结构和符号
NPN型
集电极 c
集电区
五、基本应用电路
1.整流电路
整流:将交流电变换成直流电。 基本原理:利用二极管单向导电性实现。
以单相半波整流电路为例:
TR
u1
u
2
VD iD io
uo
RL
u2
0
p
2p
uo uo io
0
输出电压平均值Uo
Uo=0.45U2
wt wt
4
1.3 半导体二极管
五、基本应用电路
2.限幅电路
限幅:限制输出电压的幅值。 ——削波电路

– 0.002


– 0.004

稳压二极管、发光二极管、光电二极管、变容二极管等
三、二极管的应用电路
整流、限幅、开关、检波、保护等
4
模拟电子技术
2015年3月13日
14
第2章 半导体三极管及其放大电路
15
第2章 三极管及其放大电路
2.1 半导体三极管 2.2 基本共射放大电路 2.3 射极偏置放大电路 2.4 共集放大电路和共基放大电路 2.5 多级放大电路 2.6 放大电路的频率响应
理想二极管——即忽略正向导通压降和反向漏电流,将其视为一理想开关模型。
+
-
A
K
-
+
A
K
2
1.3 半导体二极管
四、二极管电路的基本分析方法
2.基本分析思路
已知电路图→ 判断二极管V的工作状态 →画出等效电路→求参数,或画波形。
【例题】:判断二极管V的工作状态,求输出电压UAO。设二极管为理想。
3
1.3 半导体二极管
本章小结
16
第2章 三极管及其放大电路
为什么扩音机能放大声音?
第2章 三极管及其放大电路
直流电源
信 话号筒
放扩大音电机路

扬负 载声器
扩音机的工作过程
放大的含义:
1)放大的对象——变化量; 即Δuo>>Δui,Δio>>Δii ,ΔPo>>ΔPi
2)放大的基本特征——功率放大; 3)能量的来源——直流电源。——有源放大
常用作显示器件。 4.变容二极管——自学
11
本章小结
一、半导体的基本知识
1.两种载流子 自由电子
空穴
1)本征半导体中两种载流子成对出现
数量很少
受温度影响很大
2)半导体中两种载流子同时参与导电
2.两种杂质半导体
N型半导体
P型半导体
1)N型半导体 多子:自由电子;少子:空穴
2)P型半导体 多子:空穴;少子:自由电子
7
1.3 半导体二极管
六、特殊二极管及应用
1.稳压二极管 4)应用电路
【例1】稳压管电路如图,已知UI=20V,Uz=5V,RL=R=1kΩ,求Uo 、UR、Io、Iz、IR 。
IRLeabharlann Io解: Uo=Uz=5V
+
UR -
Iz
+
UZ
-
UR=UI-Uo=15V IR=UR/R=15mA Io=Uo/RL=5mA
3
模拟电子技术
2015年3月10日
1
1.3 半导体二极管
四、二极管电路的基本分析方法
1.理想二极管的电路模型
I / mA
I / mA
I / mA
60
折线化
60
理想化
60
40
40
40
20
–50 –25
U/V
0 0.5 1.0
20
–50 –25
U/V
0 0.7 1.0
20
–50 –25
U/V
0 0.7 1.0
3)多子和少子与外界因素的关系
3.PN结的重要导电特性 ——单向导电性
本章小结
二、半导体二极管
1.工作特点——单向导电性
2.伏安特性
3.电路分析方法——理想化近似分析法
导通:短路;
截止:断路
分析关键:二极管工作状态的判断。
4.几种常用的特殊二极管
I / mA
60
正向特
40

20
–50 –25
0 0.5 1.0 U / V
1.稳压二极管
用特殊工艺制造的面接触型硅二极管。
1)符号
阳极
IZ
阴极
- UZ +
I / mA
2)伏安特性 利用反向击穿特性来实现稳压。
60
3)主要参数
40
正向特性
(1)稳定电压UZ
稳压管反向击穿后稳定工作的电压值。
(2)稳定电流IZ
UR= UZ时的工作电流值。
(3)动态电阻rZ
rZ
U Z I Z
反映稳压性能,rZ越小→稳压性能越好。
反向击U穿Z –6
反 向 特 性
20 –3
0 0.5 1.0 U / V
– 0.002 IZ
– 0.004
(4)温度系数αV
正常工作区——反向击穿区
当I=IZ时,温度每增加1℃稳定电压的相对变化量。
(5)最大耗散功率PM
PM=IZMUZ
6
1.3 半导体二极管
六、特殊二极管及应用
1.稳压二极管 4)应用电路 ——稳压管稳压电路
【例题】:电路如图,设ui=10sinωt(V),E=5V,并设二极管为理想,试画出
输出电压uo的波形。
ui(V)
10
+R
+
VD
ui
uo
E
-
-
O
π
uo(V)
10
5
O

wt
wt
思考: 以下几种情况,uo波形有何变化?
1)VD、R位置互换; 2)VD反接; 3)E反接。
5
1.3 半导体二极管
六、特殊二极管及应用
阳极
IZ
阴极
- UZ +
I / mA
+
UZ
-
R——限流电阻 当负载变化或输入电压变化时,利用稳 压管的稳压特性,能使输出电压UO基本保 持不变,实现稳压。
Uo=Uz
UZ –6
反 向 特 性
60
40
正向特性
20
–3
0 0.5 1.0 U / V
– 0.002 IZ
– 0.004
正常工作区——反向击穿区
9
1.3 半导体二极管
六、特殊二极管及应用
2.光电二极管 功能:光信号→电信号
符号:
-
A
U+
K
I
工作条件: 外加反向电压
外界影响:
光照↑→I↑
10
1.3 半导体二极管
六、特殊二极管及应用
3.发光二极管 功能:电信号→光信号
符号:
A+
U -K
I
工作条件: 外加正向电压
主要特点:体积小,工作电压低,电流小,发光稳 定,响应快,色泽多样,色彩鲜艳。
4)放大的前提——输出信号失真要小;
放大电路的核心:半导体三极管 放大的实质:三极管的能量控制作用。
18
2.1 半导体三极管
一、三极管的结构和符号
外形:
制造材料——硅管、锗管
分类: 工作频率——高频管、低频管
功率——小功率管、中功率管、大功率管
用途——放大管、开关管
内部结构——NPN型、PNP型
19
Iz=IR-Io=10mA
思考: 以下几种情况,Uo=?
1) UI=15V时; Uo=Uz=5V
2) UI=8V时;
Uo=4V
8
1.3 半导体二极管
六、特殊二极管及应用
1.稳压二极管
IZ
4)应用电路
稳压管使用时的注意事项:
1)稳压管必须工作在反向击穿区才具有稳压作用; 2)稳压管正常工作时必须要求IZmin<IZ<IZmax,故限流电阻R需合适; 3)稳压管可以串联使用,但一般不要并联使用。
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