51单片机外扩RAM
51单片机外部ram扩展c程序及硬件结构
c程序#include<reg52.h>#include<absacc.h>#define uchar unsigned char#define uint unsigned intint n,m;void main(){unsigned int i;while(1){for(i=0x0000;i<=0x7fff;i++){XBYTE[i]=n;//写入ram}for(i=0x7fff;i>0x0000;i--){m=XBYTE[i];//读外部存储器}}}62256外部ram芯片相关知识：XBYTE是一个地址指针（可当成一个数组名或数组的首地址），它在文件absacc.h中由系统定义，指向外部RAM（包括I/O口）的0000H单元，XBYTE后面的中括号[ ]0x2000H 是指数组首地址0000H的偏移地址，即用XBYTE[0x2000]可访问偏移地址为0x2000的I/O端口。
这个主要是在用C51的P0，P2口做外部扩展时使用，其中XBYTE [0x0002]，P2口对应于地址高位，P0口对应于地址低位。
一般P2口用于控制信号，P0口作为数据通道。
比如：P2.7接WR，P2.6接RD，P2.5接CS，那么就可以确定个外部RAM的一个地址，想往外部RAM的一个地址写一个字节时，地址可以定为XBYTE [0x4000]，其中WR，CS为低，RD为高，那就是高位的4，当然其余的可以根据情况自己定，然后通过XBYTE [0x4000] = 57;这赋值语句，就可以把57写到外部RAM的0x4000处了，此地址对应一个字节。
XBYTE 的作用,可以用来定义绝对地址,是P0口和P2口的,其中P2口对应的是高位,P0口对应的是低位如XBYTE[0x1234] = 0x56;则等价于mov dptr,#1234hmov @dptr,#56h谢谢大家。
第7章MCS-51单片机的常用外设扩展
（2）数据线
2732的8位数据线直接与单片机的P0口相连。P0口作 为地址/数据线分时复用。
（3）控制线
CPU执行2732中存放的程序指令时，取指阶段就是对 2732进行读操作。注意，CPU对EPROM只能进行读操作， 不能进行写操作。CPU对2732的读操作控制都是通过控制线 实现的。2732控制线的连接有以下几条：
2.硬件电路 单片机与6116的硬件连接如图7-4所示。
3.连线说明
• 地址线：A0～A10连接单片机地址总线P0.0～P0.7、P2.0、P2.1、P2.2 共11根；
• 数据线：I/O0～I/O7连接单片机的数据线，即P0.0～P0.7；
• 控制线：片选端连接单片机的P2.7，即单片机地址总线的最高位A15； 读允许线连接单片机的读数据存储器控制线；
• 对于没有内部ROM的单片机或者程序较长、片内ROM容 量不够时，用户必须在单片机外部扩展程序存储器。 MCS-51单片机片外有16条地址线，即P0口和P2口，因此 最大寻址范围为64K字节（0000H—FFFFH）。
• 这里要注意的是，MCS-51单片机有一个管脚 EA跟程序存 储器的扩展有关。如果接高电平，那么片内存储器地址范 围是0000H—0FFFH（4K字节），片外程序存储器地址范 围是1000H—FFFFH（60K字节）。如果接低电平，不使 用片内程序存储器，片外程序存储器地址范围为0000H— FFFFH（64K字节）。
1. 芯片选择
单片机扩展数据存储器常用的静态RAM芯片有6116（2K×8 位）、6264（8K×8位）、62256（32K×8位）等。
根据题目容量的要求我们选用SRAM6116，采 用单一+5V供电，输入输出电平均于TTL兼容，具有 低功耗操作方式，管脚如图7-3所示。
51单片机对外部ram的存取
51单片机对外部ram的存取用#include "absacc.h"头文件，对于典型的电路接法，直接写ram=XBYTE[0x0000]或XB YTE[0x0000]=ram就能完成对ram的读写么，外部WR，OE，ALE信号就不用控制了么。
是不是先前要有什么设置。
最好举一个完整的例子说明一下，对外部的电路也做一下简单的说明，控制信号都是怎么接的，接法不一样对应的程序一改怎么变？初学者，渴望赐教。
提问者采纳是的。
对于典型电路接法，对应的WR、OE、ALE信号引脚接在RAM芯片对应引脚，单片机会自动配置各个引脚的时序，以完成XBYTE指令直接访问外部RAM的功能。
这里您所担心的对外部WR，OE，ALE信号的控制实际上是把典型电路接法与用单个引脚模拟端口外接RAM的使用方法混淆了。
比如89C2051单片机，其外部引脚没有P0口和WR、RD、OE、ALE这些引脚，某些情况下非得需要其配合外置RAM使用时，需要定义某些IO脚（譬如P1）模拟为数据接口、某些IO脚（譬如P1、P3）模拟为地址接口、某些IO模拟WR、RD、OE、ALE功能。
这个时候就需要控制了：先准备好要告诉RAM给它发送地址了（控制模拟ALE那个引脚的电平）,然后控制模拟WR的那个引脚，准备告诉RAM你是要给它写地址；然后往地址接口上放地址数据，准备告诉RAM读什么地址（控制模拟的P0、P2口）；片选通知RAM来读取地址（模拟OE的那个引脚给片选电平，通常低电平为选中）；等待RAM响应后，转换WR和RD的电平读出RAM在上述地址中存储的数据。
大致如此，你可以在相应的学习板或者自己搭建的板子上试试~。
51单片机资源扩展：扩展片外RAM
51 单片机资源扩展：扩展片外RAM
上一文中扩展了单片机的程序存储器，4KB 存储空间提升到64KB。
其
实，4K 的代码空间还凑合，但是51 自带的256B 数据存储空间使用起来还
真紧张，其中留给用户的连128B 都不到，所以不得不扩展片外RAM。
扩展RAM 方法和扩展ROM 差不多，都是占用P0/P2 口做地址线，同时P0 用锁
存器74373 分时复用地址和数据信号。
以前扩展RAM 是用汇编语言访问存储器，好处是定位精准，指哪打哪，
坏处就是：程序规模一大就有点难维护了，所以还得改用C 实现。
对应于汇编语言用R1,R0/DPTR 访问外部RAM，keil C 扩展了存储类型，增加了如pdata(等同用movx @Rn 访问方式)/xdata(等同于movx @DPTR 访问方式)存储类型用于访问片外ram。
同时，还提供了绝对地址访问的宏，
如PBYTE/XBYTE，查看定义：
[cpp] view plain copy#define PBYTE((unsigned char volatile pdata*)0);
#define XBYTE((unsigned char volatile xdata*)0);。
51单片机 同时扩展ROM,RAM的具体实现及kiel的具体设置
51MCU内部有RAM，ROM，不同于8031。
尽管如今的增强行51MCU的内部RAM，ROM可能已经很大的空间。
但就技术而言，扩展RAM，ROM还是需要学会的。
对于不同的设计方案需求，扩展可能基于以下任何一种设计：A，只扩展RAMB，只扩展ROMC，扩展ROM，RAM****************************总线扩展时，P2口是否可用做普通IO口************************************这种扩展是基于总线扩展的，所以，P0P2口就已经不可以再做它用了（有网友提供信息，总线扩展P2还可以做普通IO口用，有两种可能：1，P2口复用，如同P1利用373锁存器。
2，在总线扩展时，只用到了低地址总线，P2口未用到。
就作为普通IO口应用。
由于技术还不到位，不做评论。
）*******************************************扩展RAM****程序************************************************扩展RAM，在程序中定义的xdata类型XBYTE类型等地址范围在外部RAM的变量，对其读写的过程。
用C51语言编写程序，且使用总线扩展的RAM，则时序电路不用考虑，WR RD等信号由编译器/硬件自动完成。
**************************************编译器设置*****************************************内部RAM：0x00~~0xFF外部RAM：0x0000~~0xFFFFRAM的地址虽重复，但是两个RAM是没有关系的，所以不会造成干扰使用了外部RAM，就在工程选项---off-chip xdata memory中设置start：0x0000 size：0xFFFF（根据具体的RAM大小设置size）。
*******************************扩展RAM时的变量定位及连续读取问题********************************* ROM，RAM的扩展时，需要用到变量的绝对地址定位，函数定位等。
基于51单片机外部扩展RAM的调试
基于51单片机外部扩展RAM的调试作者：左厚臣前言当51单片机需占用大量的RAM就不得不扩展外部RAM了，如何扩展呢？怎样才算成功了呢，本实验利用HM6264ALP-12 RAM芯片作为51单片机的外部RAM进行调试，并进行了整理。
关键字：51单片机外部RAM HM6264一、需准备资料1、STC12C5A60S2芯片资料，STC官网下载2、HM6264A_datasheet，文库内搜索下载3、74ls373-datasheet，文库内搜索下载二、电路设计根据HM6264A_datasheet和STC12C5A60S2芯片资料绘制电路图如下：三、Keil编译器设置使用外部扩展RAM需在片外Xdata存储内写上外部RAM的起始地址及RAM大小，否则在编译程序时可能会报错。
四、调试程序根据HM6264A_datasheet和STC12C5A60S2芯片资料可以看出，HM6264ALP写时序读时序及地址建立时间保持时间都是纳秒级的，而STC12C5A60S2基本都是微秒级的，所以51单片机的这些时序无需改动，程序如下：#include <STC12C5A60S2.H>#define u8 unsigned char#define u16 unsigned int#define EXTRAM 2//AUXR寄存器EXTRAM位//EXTRAM =0使用内部扩展RAM//EXTRAM =1使用外部扩展RAMu16 y;u8 xdata x[8192];void main(){x[8189]=0x11;x[8190]=0x22;x[8191]=0x33;x[8192]=0x44;AUXR |= (1<<EXTRAM); //使用外部扩展RAM TMOD = 0x20;SM0 = 0;//SM1 = 1;//串口1工作方式1TH1 = 243;TR1 = 1;//启动定时器1TI=0;for(y=8189;y<8193;y++){SBUF = x[y];while(TI==0);TI=0;}while(1);}串口打印结果如下：符合程序要求。
单片机外部扩展常用芯片讲解
0 0 1 0 0 0 0 0 20H
0 0 1 0 0 0 0 1 21H
0 0 1 0 0 0 1 0 22H
……
……
0 0 1 1 0 0 0 0 30H
……
……
0 0 1 1 1 1 0 0 3CH
0 0 1 1 1 1 0 1 3DH
0 0 1 1 1 1 1 0 3EH
0 0 1 1 1 1 1 1 3FH
2、译码法
8051
A0～A15
A13 A15 VCC A14
A B C G1 G2A G2B
138
Y1 Y0
A0～ A12 2764 CE
A0～ A12 6264 CE1
2764地址：0000H～1FFFH, 6264地址：2000H～3FFFH
C BA A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
00000 00011
0 00 0 00 0 0 0 00 1 11 1 11 1 1 1 11
Y0
地址译码范围：0000H～1FFFH 共 8 K字节
0 0 1 0 0 0 00 0 00 0 0 0 00
0 0 1 1 1 1 11 1 11 1 1 1 11
Y1
地址译码范围：2000H～3FFFH 共 8 K字节
A、B、C。 3）输出线：
Y0～Y7
2、74LS138 真值表
G1 G2A G2B C B A Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7
1 0 0 00 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 00 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 0 0 01 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1 0 0 01 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1 0 0 10 0 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 0 10 1 1 1 1 1 1 0 1 1 1 0 0 11 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 0 0 11 1 1 1 1 1 1 1 1 0 × × × ××× 1 1 1 1 1 1 1 1
51单片机外扩ROM方法
51 单片机外扩ROM 方法
51 单片机外扩ROM 方法
强烈建议用户尽可能不要考虑外扩程序存储器，如果非扩不可，可以仿照
下图所示电路进行扩展
图中P0 口输出外部ROM 的低8 位地址信号，P2 口输出高8 位地址信
号；ALE 端输出地址锁存信号，/PSEN 输出程序存储器输出使能信号。
两个模块
P89V51RD2 单片机内部有64K 用户ROM 区和8K BOOT ROM 区两个模块
两个模块在物理上是分开的，尽管地址重合，但一般不会发生冲突。
用户程序存储区
P89V51RD2 内部有64K Flash ROM，不需要用户再进行ROM 扩展
地址范围：0000H～FFFFH
其内部分配和其他51 系列单片机是相同的
Flash ROM 可以反复擦除和下载程序
擦除和编程的方法
并行编程器
ISP （在系统编程：In-System Program）。
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单片机外部RAM扩展模块
MCS-51系列单片机外部RAM为64K，在一些特殊场合下，远不能满足需要，
本文就AT89C51讨论MCS-51系列单片机大容量RAM的扩
首先介绍128K随机读取RAM HM628128。
HM628128
是32脚双列直插式128K静态随机读取RAM，它具有容
量大、功耗低、价格便宜、集成度高、速度快、设计和
使用方便等特点。
如若在系统中加入掉电保护电路，保
护数据有很高的可靠性，可以和EEPROM相媲美。
技术特性：
（1）最大存取时间为120ns；
（2）典型选通功耗75mW；典型未选通功耗10uW；
（3）使用单一5V电源供电；
（4）全静态存储器，不需要时钟及时序选通信号；
（5）周期时间与存取时间相等；
（6）采用三态输出电路，数据输入和输出端公用；
图6 HM628128外部引脚（7）所有输入和输出引脚均与TTL电平直接兼
容；
（8）有两个片选端，适合于低功耗使用，即为了保存信息，用电池作为后
备电源。
保存信息的最低电源电压Vcc=2V。
引脚安排及功能表：
图6是HM628128的外部引脚排列图，各引脚名称及功用分别如下：
A0～A16是17条地址线；I/O0～I/O7是8条双向数据线；CS1是片选1，低电平有效，CS2是片选2，高电平有效；WR是写控制线，当CS1为低电平，CS2为高电平时，WR的上升沿将I/O0～I/O7上的数据写到A0～A16选中的存储单元
中；OE是读出允许端，低电平有效。
HM628128的功能表如表3所示。
其中，H表示高电平，L表示低电平，X表示任意状态
由于AT89C51直接外部RAM容量为64K，地址线为16条，其中低8位地址和数据分时复用，因此需要外部地址锁存器和ALE锁存信号来锁存低8位地址。
又由于AT89C51的外部数据和外设地址通用，若扩展外设必然占用数据地址。
因此本系统采用P2.7（A15）口来区分数据和外设：当P2.7（A15）口为高电平时，
选择外部数据；P2.7（A15）口为低电平时，则为外设。
因此，直接外部数据容量和外设数量都为32K ，可用地址线为15条。
本系统外部扩展RAM 为256K ，地址线18条。
要达到18条地址线，则必须扩展。
理论上可行方法很多，如以P1口的某几位作为最高位地址输出、外加锁存器锁存高位地址等。
本系统采用后者，以保留P1口，况且外设空间充裕。
扩展电路如图7所示：
图7 RAM 地址扩展电路
当读写外部数据时，首先应往高位地址锁存器中送入高位地址，然后再以DPTR 为间接地址访问外部数据，注意最高位地址应为1，即数据区最低地址为8000H 。
以下程序段演示了外部数据的读写。
……
MOV DPTR ，#0020H ；0020H 为高位地址锁存器的地址
MOV A ，#00H ；00H 表示第一个32K 空间
MOVX @DPTR ，A ；写入地址数据
MOV DPTR ，#8000H ；8000H 为每个32K 的第一个字节地址
MOVX A ，@DPTR ；从地址单元读取数据
……
若最后一句换为:
MOVX @DPTR ，A
则为向RAM 中写数据。
同时作者还利用HM628128的数据保持特性为其加入了掉电保护电路。
当主电源关闭时，备用电源发挥作用，这样RAM 内的数据就不会丢失。
其特性如表4所示。
译码器
地址总线
CS1 0V
图8 CS2控制数据保持时序
根据表4和图8可知，只要在系统上电或断电期间保证使HM628128的CS2立即变为低电平（CS2≤0.2V ）或WR 立即变为高电平就可使其中的数据维持不变，图9可实现这一功能。
≥Vcc-0.2V
图9掉电保护电路
其原理如下：当系统正常时，电流通过D1向HM628128供电，同时向电池BT 充电，当系统电源切断时，将由电池供电。
上电时，系统电源对C1充电，在此期间CS2是输入要经过一定的延时后才能变为高电平，同时，由于U1、U2的电源是由系统电源对C2充电来建立的，这就保证了在上电时HM628128处于写静止状态。
在系统掉电瞬间，由于U1、U2由Vs供电，仍处于工作状态，电源掉电致使U1的输入立即变低，WR端变为低电平，从而禁止对HM628128的写入。
同时C1也通过D2和R2放电，从而使CS2变为低电平。
因此在掉电瞬间和掉电后，HM628128也处于写禁止状态。
经实践证明，本电路工作可靠，RAM中数据保存完整。