大工16秋《电力电子技术》在线作业1满分答案

合集下载

大工16秋《电力电子技术》在线作业1

大工16秋《电力电子技术》在线作业1

大工16秋《电力电子技术》在线作业1奥鹏大工16秋《电力电子技术》在线作业1一、单选(共6 道,共30 分。

)1. 使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取()V。

A. 0-5B. 5-10C. 10-15D. 15-20标准解:2. ()是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施,常与电力电子器件直接串联。

A. 交流断路器B. 快速熔断器C. 直流快速断路器D. 快速短路器标准解:3. ()指的是电力二极管所能承受的最大的连续一个或几个工频周期的过电流。

A. 正向平均电流B. 反向重复峰值电流C. 额定电流D. 浪涌电流标准解:4. ()的英文缩写是GTR。

A. 电力二极管B. 门极可关断晶闸管C. 电力晶体管D. 电力场效应晶体管标准解:5. 控制极信号能控制器件的导通,但不能控制其关断,器件的关断完全由其承受的电压和电流决定,这样的电力电子器件称为()。

A. 半控型器件B. 全控型器件C. 不可控器件D. 自关断器件标准解:6. 下列不是晶闸管的主要参数的选项是()。

A. 额定电压B. 额定电流C. 静态参数D. 维持电流标准解:大工16秋《电力电子技术》在线作业1二、多选(共6 道,共30 分。

)1. 电力二极管的主要类型有()。

A. 普通二极管B. 整流二极管C. 快恢复二极管D. 肖特基二极管标准解:BCD2. 采用性能良好的驱动电路,可使电力电子器件工作在较理想的开关状态,会带来下列哪些优点?()A. 缩短开关时间B. 拉长开关时间C. 减小开关损耗D. 增大开关损耗标准解:3. 导通缓冲电路,()。

A. 可以用于吸收器件导通时的电流过冲和di/dtB. 可以用于抑制器件导通时的电流过冲和di/dtC. 可以减小器件的关断损耗D. 可以减小器件的导通损耗标准解:4. 下列哪些选项可以应用到电力电子技术?()A. 一般工业B. 交通运输C. 电力系统D. 通信系统标准解:BCD5. 按导电沟道不同,电力MOSFET可分为哪两项?()A. 耗尽型B. 增强型C. P沟道D. N沟道标准解:6. GTO的主要参数有()。

电力电子技术习题(附参考答案)

电力电子技术习题(附参考答案)

电力电子技术习题(附参考答案)一、单选题(共20题,每题1分,共20分)1、单相全控桥式整流电路电阻性负载中,控制角的最大移相范围是()A、150°B、180°C、120°D、90°正确答案:B2、电流型三相桥式逆变电路,120°导通型,则在任一时刻开关管导通的个数是不同相的上、下桥臂( )。

A、共三只B、共四只C、各一只D、各二只正确答案:C3、单相全控桥式整流电路大电感性负载中,控制角的最大移相范围是()A、180°B、90°C、120°D、150°正确答案:B4、对于升降压直流斩波器,当其输出电压小于其电源电压时,有()。

A、α无法确定B、0.5<α<1C、0<α<0.5D、以上说法均是错误的正确答案:C5、为了防止逆变失败,最小逆变角限制为(),单位为度。

A、30~35B、20~25C、10~15D、40~45正确答案:A6、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流()A、减小至维持电流以下B、减小至擎住电流以下C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下正确答案:A7、电力电子器件一般工作在()状态A、开关B、放大C、开关和放大D、其他正确答案:A8、在晶闸管整流电路中,变压器二次侧所供给的有功功率P=()A、I2RdB、I2dRdC、UIdD、U2Id正确答案:D9、正弦波脉冲宽度调制英文缩写是()。

A、PWMB、PAMC、SPWMD、SPAM正确答案:C10、在晶闸管应用电路中,为了防止误触发应将幅值限制在不触发区内的信号是()A、干扰信号和触发信号B、干扰信号C、触发电流信号D、触发电压信号正确答案:B11、当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在()A、关断状态B、饱和状态C、不定D、导通状态正确答案:A12、单相全控桥式整流大电感负载电路中,控制角α的移相范围是()A、0度-90度B、0度C、90度-180度D、180度-360度正确答案:A13、IGBT属于()控制型元件。

大工22秋《发电厂电气部分》在线作业1-辅导资料

大工22秋《发电厂电气部分》在线作业1-辅导资料

大工22秋《发电厂电气部分》在线作业1
试卷总分:100 得分:100
一、单选题 (共 10 道试题,共 50 分)
1.电动机用文字符号()来表示。

A.T
B.M
C.G
D.FU
【正确答案】:B
2.熔断器用文字符号()来表示。

A.C
B.T
C.G
D.FU
【正确答案】:D
3.下列各项中不是一次设备的是()。

A.继电保护装置
B.电动机
C.变压器
D.调相机
【正确答案】:A
4.有关发热对导体和电器产生的影响,说法错误的是()。

A.机械强度下降
B.接触电阻增加
C.绝缘性能上升
D.导体抗拉强度下降
【正确答案】:C
5.有关电弧说法不正确的是()。

A.游离的气体
B.质量很轻
C.温度很低
D.容易变形
【正确答案】:C
6.下列选项()不满足电气主接线的经济性要求。

A.合理选择主变压器
B.主接线简单
C.节省安装费用
D.尽量选择单相组式变压器
【正确答案】:D。

大工19秋《模拟电子技术》在线作业1满分答案

大工19秋《模拟电子技术》在线作业1满分答案

大工19秋《模拟电子技术》在线作业1-0001试卷总分:100 得分:100一、单选题 (共 10 道试题,共 50 分)【题目】在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()。

A.饱和失真B.线性失真C.截止失真D.交越失真正确的选择是:A【题目】温度升高,晶体管的管压降│Ube│()。

A.增大B.减小C.不确定D.不变正确的选择是:B【题目】反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能()。

A.越差B.越好C.无变化D.不确定正确的选择是:B【题目】在共射、共集和共基三种组态中,只具有电压放大作用的组态是()。

A.无法确定B.共集组态C.共射组态D.共基组态正确的选择是:D【题目】关于BJT的结构特点说法错误的是()。

A.集电区面积大于发射区面积B.基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C.基区很薄且掺杂浓度很低D.发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度正确的选择是:B【题目】当温度升高时,三极管的电流放大系数β将()。

A.增大B.减小C.不确定D.不变正确的选择是:A【题目】在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。

A.温度B.杂质浓度C.晶体缺陷D.掺杂工艺正确的选择是:B【题目】在共集电极放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输入输出电压相位()。

A.相差90°B.同相C.反相D.不确定正确的选择是:B【题目】引起共射极放大电路输出波形出现饱和失真的主要原因是()。

A.静态工作点偏高B.静态工作点偏低C.输出电阻太小D.输入电阻太小正确的选择是:A【题目】已知某晶体管处于放大状态,测得其三个极的电位分别为【题目】3V、2V和6V,则6V所对应的电极为()。

A.集电极B.无法确定C.基极D.发射极正确的选择是:A二、判断题 (共 10 道试题,共 50 分)1【题目】与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能高。

正确的选择是:正确1【题目】对于电压放大器来说,输出电阻越小,电路的带负载能力越强。

大工18秋《模拟电子线路》在线作业123满分答案

大工18秋《模拟电子线路》在线作业123满分答案

大工18秋《模拟电子线路》在线作业123满分答案大工18秋《模拟电子线路》在线作业1PN结加正向电压时,()。

A.扩散运动大于漂移运动B.扩散运动小于漂移运动C.扩散运动与漂移运动平衡D.没有运动正确答案:A发光二极管发光时,其工作在()。

A.正向导通区B.反向截止区C.反向击穿区D.反向饱和区正确答案:A当晶体管工作在截止区时,发射结电压和集电结电压应为()。

A.前者反偏、后者反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者正偏D.前者反偏,后者正偏正确答案:AXXX工作在放大区的工作条件是:()。

A.发射结正偏,集电结反偏B.发射结正偏,集电结正偏C.发射结反偏,集电结正偏D.发射结反偏,集电结反偏精确答案:A稳压管的稳压区是其事情在()。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿D.反向饱和精确答案:C用万用表鉴别放大电路中处于正常事情的某个晶体管的类型(指NPN型照旧PNP型),以测出()最为方便。

A.各极间电阻B.各极对地电位C.各极电流D.各极间的电压正确答案:B在本征半导体中加入()元素可形成N型半导体。

A.五价B.四价C.三价D.二价精确答案:A整流的目的是()。

A.将交流变成直流B.将高频变成低频C.将正弦波变成XXXD.以上均正确正确答案:APN结加正向电压时,空间电荷区将()。

A.变窄B.基本不变C.变宽D.完全不变精确答案:A共发射极放大电路输入输出电压相位关系是()。

A.同相B.反相C.不确定D.随机正确答案:B三极管构成的放大电路首要有:共射极放大电路、共基极放大电路、共集电极放大电路。

A.对B.错正确答案:A因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

T.对F.错正确答案:B晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。

T.对F.错正确答案:A杂质半导体的导电能力受温度的影响很小。

T.对F.错精确答案:A在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。

大工16秋《工程力学(二)》在线作业2满分答案

大工16秋《工程力学(二)》在线作业2满分答案

大工16秋《工程力学(二)》在线作业2
一、单选题(共 5 道试题,共 20 分。


1. 超静定结构中,去掉一根支座链杆相当于解除()约束。

A. 一个
B. 两个
C. 三个
D. 四个
正确答案:A
2. 下列哪种情况不一定是无多余约束的几何不变体系()。

A. 三刚片以三个铰两两相连且三铰不在一条直线上
B. 两刚片以三根链杆相连且三根链杆不平行不汇交
C. 两刚片以1个铰和一根链杆相连
D. 刚片加上二元体
正确答案:C
3. 静定结构的支座产生位移时,结构会产生()。

A. 内力
B. 应力
C. 刚体位移
D. 变形
正确答案:C
4. 结构力学计算中,将多余力作为基本未知量的计算方法称为()。

A. 力法
B. 位移法
C. 结点法
D. 截面法
正确答案:A
5. 对称结构在对称荷载的作用下()是反对称的。

A. 弯矩图
B. 剪力图
C. 轴力图
D. 位移
正确答案:B
大工16秋《工程力学(二)》在线作业2
二、多选题(共 5 道试题,共 40 分。


1. 关于去掉多余约束的方式,下列说法正确的是()。

大工20秋《模拟电子线路》在线作业1答卷

大工20秋《模拟电子线路》在线作业1答卷

16.如果输入信号的幅度过大,即使静态工作点的大小设置合理,也会产生失真。
答案:正确
17.二极管加正向电压截止,加反向电压导通。
答案:错误
18.晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。
答案:正确
19.集电结处于正偏的BJT,它一定工作在饱和区。
D.线性失真
答案:A
7.当晶体管工作在截止区时,发射结电压和集电结电压应为()。
A.前者反偏、后者反偏
B.前者正偏、后者反偏
C.前者正偏、后者正偏
D.前者反偏,后者正偏
答案:A
8.关于BJT的结构特点说法错误的是()。
A.基区很薄且掺杂浓度很低
B.发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
大工20秋《模拟电子线路》在线作业1
试卷总分:100 得分:100
一、单选题 (共 10 道试题,共 50 分)
1.半导体二极管的重要特性之一是()。
A.温度稳定性
B.单向导电性
C.放大作用
流放大系数β将()。
A.增大
B.减小
答案:错误
20.温度升高,晶体管输入特性曲线右移。
答案:错误
C.基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
D.集电区面积大于发射区面积
答案:C
9.PN结加反向电压时,空间电荷区将()。
A.变窄
B.不变
C.变宽
D.不确定
答案:C
10.当温度升高时,三极管的反向饱和电流ICBO将()。
A.增大
B.减小
C.不变
D.不确定
答案:A

2021知到答案【 电力电子技术(山东联盟—青岛理工大学)】智慧树网课章节测试答案

2021知到答案【 电力电子技术(山东联盟—青岛理工大学)】智慧树网课章节测试答案
选项:
A:错
B:对
答案: 【对】
3、选择题: 同时需要串联和并联晶闸管时,通常采用先并后串的方法。
选项:
A:对
B:错
答案: 【错】
4、选择题: 使电力MOSFET开通的栅源极间驱动电压一般取()。
选项:
A:
~20V
B:
5~15V
C:
10~15V
D:
5~10V
答案: 【
10~15V

5、选择题:快速熔断器可以用于短路电流保护。
选项:
A:
2,3
B:
2,5
C:
3,5
D:
3,2
答案: 【
3,2

4、选择题:有关滞环比较方式的电流跟踪技术,下面说法错误的是()。
选项:
A:
不用载波,输出电压波形中不含特定频率的谐波重量
B:
属于闭环掌握方式
C:
不能对电压进行跟踪
D:
属于实时掌握,电流响应快
答案: 【
不能对电压进行跟踪

5、选择题:实用的PWM逆变电路大多都是()电路。
2021知到答案【 电力电子技术(山东联盟—青岛理工大学) 】智慧树网课章节测试答案
第一章 章节测试
1、选择题:脉冲宽度调制PWM是一种相位掌握方式。
选项:
A:错
B:对
答案: 【错】
2、选择题:电力电子器件的发展挨次正确的是()。
选项:
A:晶闸管-晶体管-IGBT-MOSFET
B:晶闸管-晶体管-MOSFET-IGBT
选项:
A:对
B:错
答案: 【对】
8、选择题:基于面积等效原理,正弦交流波形可以等效成等幅不等宽的PWM波形。
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

大工16秋《电力电子技术》在线作业1
1:使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取()V。

A:0-5
B:5-10
C:10-15
D:15-20
正确答案:C
2:()是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施,常与电力电子器件直接串联。

A:交流断路器
B:快速熔断器
C:直流快速断路器
D:快速短路器
正确答案:B
3:()指的是电力二极管所能承受的最大的连续一个或几个工频周期的过电流。

A:正向平均电流
B:反向重复峰值电流
C:额定电流
D:浪涌电流
正确答案:D
4:()的英文缩写是GTR。

A:电力二极管
B:门极可关断晶闸管
C:电力晶体管
D:电力场效应晶体管
正确答案:C
5:控制极信号能控制器件的导通,但不能控制其关断,器件的关断完全由其承受的电压和电流决定,这样的电力电子器件称为()。

A:半控型器件
B:全控型器件
C:不可控器件
D:自关断器件
正确答案:A
6:下列不是晶闸管的主要参数的选项是()。

A:额定电压
B:额定电流
C:静态参数
D:维持电流
正确答案:C
7:电力二极管的主要类型有()。

A:普通二极管
B:整流二极管
C:快恢复二极管
D:肖特基二极管。

相关文档
最新文档