贴片电容特性曲线图
贴片电阻电容的规格、封装、尺寸
E96 1.00 1.02 1.05 1.07 1.10 1.13 1.15 1.18 1.21 1.24 1.27 1.30 1.33 1.37 1.40 1.43 1.47 1.50 1.54 1.58 1.62 1.65 1.69 1 1.78 1.82 1.87 1.91 1.96 2.00 2.05 2.10 2.15 2.21 2.26 2.32 2.37 2.43 2.49 2.55 2.61 2.67 2.74 2.80 2.87 2.94 3.01 3 3.16 3.24 3.32 3.40 3.48 3.57 3.65 3.74 3.83 3.92 4.02 4.12 4.22 4.32 4.42 4.53 4.64 4.75 4.87 4.99 5.11 5.23 5.36 5 5.62 5.76 5.90 6.04 6.19 6.34 6.49 6.65 6.81 6.98 7.15 7.32 7.50 7.68 7.87 8.06 8.25 8.45 8.66 8.87 9.09 9.31 9.53 9
1.78 1.80 1.82 1.84 1.87 1.89 1.91 1.93 1.96 1.98 2.00 2.03 2.05 2.08 2.10 2.13 2.15 2.18 2.21 2.23 2.26 2.29 2.32 2
2.37 2.40 2.43 2.46 2.49 2.52 2.55 2.58 2.61 2.64 2.67 2.71 2.74 2.77 2.80 2.84 2.87 2.91 2.94 2.98 3.01 3.05 3.09 3
简述 基本结构 分类 规格、封装、尺寸 额定功率及工作电压 阻值,标准阻值 标识 规格书、生产厂家 命名方法 价格、报价
贴片电阻规格、封装、尺寸 ChipR Dimensions 、Footprint
贴片电容、二极管的种类及其用法
二极管的基本特性
利用PN接合的少数载子的注入和扩散现象，只能一个方向 （正向）上流通电流。如果在PN接合二极管的N型半导体 加上负压、在P型半导体加上正电压，就可使电流流通。我 们将该电流的流动方向叫做正向。如果外加正、负压与上 述反方向的电压，则几乎不会流通电流。我们将该方向叫 做反向。如果提高PN接合二极管的反向电压，则电流在某 个电压值会急剧增加。我们将该电流叫做击穿电流。此时 的电压值对电流而言基本上为定值。
3）的高速恢复二极管（FRD）；
． 接合金属和半导体来替代PN接合的肖特基势垒二极管（Schottky barrier diode）； ． 变容二极管、混合二极管、夹在真性半导体的I层中的PIN二极管等高频用二极管。
二极管的特性曲线和图形记号、结构
下图表示二极管的特性曲线和图形记号、结构图。
二极管的特性曲线
二极管的种类和应用
1）一般整流二极管
二极管在一般的应用上，有利用电流只在一个方向上流通的功能的交流电压主的整流
电路。
2)齐纳二极管（Zener Diode） 利用PN接合二极管的反向击穿电压的即为齐纳二极管（恒定电压二极管）。由于该电 压对于电流来说基本上为定值，因此用于恒定电压调节器的基准电压源或浪涌电压（异 常电压）吸收等用途。
贴片电容材质NP0、X7R、Y5V、Z5U图解及分析
封 装 DC=25V DC=50V 0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF 1206 0.01μF---0.33μF 0.01---0.47μF 2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF
下表给出了 X7R 电容器可选取的容量范围。
封 装 DC=50V DC=100V 0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF 1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF 1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF 2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF
X 7R、Z5U 和 Y5V 电容器
Low Temp.
Symbol
High Temp.
Symbol
Max. Cap. change over temp. range (%) ±1.0 ±1.5 ±2.2 ±3.3 ±4.7 ±7.5 ±10 ±15 ±22 +22 to -33 +22 to -56 +22 to -82
Symbol
+10 -30 -55
Z Y X
+45 +65 +85 +105 +125 +150 +200
2 4 5 6 7 8 9
A B C D E F P R S T U V
Ex. :
X7R X : -55C 7 : +125 C R : 15%
X5R ,or(B) X : -55C ,(-25 C) 5 : +85 C ,(+85 C ) R : 15% ,(10%)
电容特性
189652007-11-20 10:511 等效电路及等效参数的特性薄膜电容一般具有如下的等效电路模式：C: 标称电容L: 等效串联电感( 端脚，金属敷片，绕组等所寄生)ESR ：等效串联电阻（端脚，金属敷片等所致）IR: 等效并联电阻（决定其绝缘阻抗，电介材料特性）PR: 电介质极化电阻△C: 变化之容量（随温度，DC 电压，频率变化而变化）L 、R 和C 之值随频率不同而不同；IR 指直流电压下的绝缘阻抗值1.1 ESR 及损耗角特性在一定频率条件下，等效电路可简化如右图。
损耗角定义成阻抗值与容抗值之比。
在远低于谐振频率的范围内（即忽略等效电感Ls ），实际电容器的电压和电流相位会因为ESR 的存还而略微小于90 度。
损耗角一般以1KHz 作为测试标准。
对于容值小于1uF 的MKT ，MFP ，MKP 类电容还额外进行10KHz 及100KHz 频率处的损耗角测试。
1.1.1 损耗角之频率、温度、湿度及电压（DC ）特性频率特性：薄膜类电容的损耗角在高频段一般会随着频率的上升而有不同程度的变大。
如下是典型的薄膜电容损耗角频率特性曲线图：自放电常数－τ（unit:s）的温度特性曲线薄膜电容器的自感（串联等效电感）Ls薄膜电容器具有极低的自感值，其由流经金属箔片及连接脚端所感生的磁场造成。
故主要由其绕组构成、几何结构及连接脚端长度等决定。
一般认为每毫米脚端感生最大1nH 的自感。
自感量还可以从电容器的谐振频率计算而得。
薄膜电容器的总阻抗总阻抗表达式：阻抗的频率特性：如下图的阻抗的频率特性曲线表明了薄膜电容总阻抗具有显著的频率变化性。
a) 低频段，容抗占主要影响地位，故总阻抗会随着频率上升而减小.b) 高频段，感抗占主要影响地位，故总阻抗会随着频率上升而增大。
c) 在中间一频率处（即谐振频率），感抗和容抗相互抵消，总阻抗只剩下量值极小的ESR 。
额定电容即电容的设计值，往往标于电容本体。
IEC60068 －1 对电容的测量了如下定义: 2.2 容量的温度特性薄膜电容具有可逆的温度漂移特性。
5种薄膜电容的性能
5种薄膜电容的性能及参数介绍1、碳酸酯薄膜电容此电容性能比聚酯电容好，耐热与聚酯电容相同，可替代聚酯，纸介电容，广泛应用于直流交流，脉动电路中。
型号：CQ10 容量：0.1-0.68uf 额定工作电压：40V 绝缘性能：500mohm./uf 损耗角正切：（正常气候条件下）<0.015 试验电压： 60V2、复合薄膜电容器：此电容选择了两种不同的薄膜（或纸与薄膜）复合做介质。
例如聚苯乙烯薄膜与聚丙烯薄膜复合制作的电容器，这种电容比聚苯乙烯电容提高了抗电强度和温度，减小了体积，但是电容的温度系数和损耗稍差。
聚苯乙烯薄膜电容器：主要特点是绝缘电阻高，损耗小，容量精度高，电参数随频率温度变化小，缺点是体积大，工作温度不高（上限为70C ）该电容主要应用于滤波，高频调谐器，均衡器中。
型号：CB40 容量：0.015-2uf 额定工作电压： 250-1000v 绝缘性能：引出头之间：50000mohm 引出头与外壳之间：10000S 损耗角正切：（正常气候条件下）<0.001 试验电压：2uw 容量允差:J,K,F,G型号：CB14 容量：10P-0.16uf 额定工作电压： 100—1600v 绝缘性能：引出头之间：20000mohm. 容量允差：D ,F,J,G 损耗角正切：（正常气候条件下）<0.001 试验电压：2uw3、聚丙烯薄膜电容器此电容性能和聚苯乙烯电容相似，但体积小，工作温度上限可达85-100C 损耗为 0.01-0.001 温度系数为-100*(10 负6) ---- -400*(10 负6) 容量稳定性比聚丙乙烯电容稍差。
可用于交流，激光，耦合，等电路。
型号：CBB121 容量： 0.001-0.47uf 额定工作电压：63—400v 绝缘性能：引出头之间：100000mohm 引出头与外壳之间：10000S 损耗角正切：（正常气候条件下）<0.01 试验电压：2uw 容量允差:J,K,M型号：CBB12 容量：0.001-0.39uf 额定工作电压：100—1600v 绝缘性能：引出头之间：3000mohm.UF 引出头与外壳之间：10000S 损耗角正切：（正常气候条件下）<0.001 试验电压： 2.5uw 容量允差:J,K,4、聚四氟乙烯薄膜电容器：此电容损耗小，耐热性好，工作温度可达-150---200C 电参数的温度频率特性稳定，耐化学腐蚀好，缺点是耐电晕性差，成本高，主要应用于高温高绝缘，高频的场合。
如何看懂贴片电容电路图
振荡和调制电路详解
振荡电路的用途和振荡条件
不需要外加信号就能自动地把直流电能转换成具有一定振幅和一定频率的交 流信号的电路就称为振荡电路或振荡器。这种现象也叫做自激振荡。或者说， 能够产生交流信号的电路就叫做振荡电路。 一个振荡器必须包括三部分：放大器、正反馈电路和选频网络。放大器 能对振荡器输入端所加的输入信号予以放大使输出信号保持恒定的数值。正 反馈电路保证向振荡器输入端提供的反馈信号是相位相同的，只有这样才能 使振荡维持下去。选频网络则只允许某个特定频率 f 0 能通过，使振荡器产 生单一频率的输出。 振荡器能不能振荡起来并维持稳定的输出是由以下两个条件决定的；一 个是反馈电压 u f 和输入电压 U i 要相等，这是振幅平衡条件。二是 u f 和 u i 必须相位相同，这是相位平衡条件，也就是说必须保证是正反馈。一 般情况下，振幅平衡条件往往容易做到，所以在判断一个振荡电路能否振荡， 主要是看它的相位平衡条件是否成立。
电容三点式振荡电路的特点是：频率稳定度较高，输出波形好，频率可以高达 100 兆赫以上，但频 率调节范围较小，因此适合于作固定频率的振荡器。它的振荡频率是： f 0 =1/2π LC ，其中 C= C 1 C 2 C 1 +C 2 。
上面 3 种振荡电路中的放大器都是用的共发射极电路。共发射极接法的振荡器增益较高，容易 起振。也可以把振荡电路中的放大器接成共基极电路形式。共基极接法的振荡器振荡频率比较高， 而且频率稳定性好。
（ 3 ）电容三点式振荡电路
还有一种常用的振荡电路是电容三点式振荡电路，见图 3 （ a ）。图中电感 L 和电容 C1 、 C2 组成起选频作用的谐振电路，从电容 C2 上取出反馈电压加到晶体管 VT 的基极。从图 3 （ b ） 看到，晶体管的输入电压和反馈电压同相，满足相位平衡条件，因此电路能起振。由于电路中晶体 管的 3 个极分别接在电容 C1 、 C2 的 3 个点上，因此被称为电容三点式振荡电路。
电容充放电特性图文分析
电容充放电特性图文分析
在由电阻R 及电容C 组成的直流串联电路中，暂态过程即是电容器的充放电过程（图
1.14(a)），当开关K 打向位置1时，电源对电容器C 充电，直到其两端电压等于电源E 。
当把开关k1打向位置2时，电容C 通过电阻R 放电。
(a) RC 串联电路 (b) 电容器充电过程 (c) 电容器放电过程
图1.14电容RC 电路的充电特性
下图是RC 充放电的仿真电路分析。
图 充放电方阵分析
令τ=RC ，τ越大，充电、放电越慢，即过渡过程越长。
反之，τ越小，过渡过程就越短。
在实际应用中，当过渡过程经过（3~5）τ时间后，可认为过渡过程基本结束，已进入稳定状态了。
上述仿真电路参数带入可得：τ==⨯=5010.05RC k uF S ，从输出波形可知，电容充电时间大概经过2个时间格，每格0.1S 时间进入稳态。
在放电时，也大概进入经过了4个时间格进入了稳态。
所以充放电信号经过（3~5）τ时间后进入稳定状态。
三、电容对交流信号的作用
测试电路如下图1.13所示。
当开关S1闭合，白炽灯不亮；当S2闭合，白炽灯不亮；当S3闭合，白炽灯点亮。
从图中可以看出，电容有隔直流通交流作用；且频率一定，电容
值越大，容抗越小（阻碍力越小）。
在交流信号作用下，电容容抗为：fc X C π21
=。
XC 为电容容抗，f 为交流信号频率，C 为电容值。
所以，电容越大，对交流信号的阻碍能力越小。
图1.13 电容特性测试
S1。
AVX钽电容温度特性曲线图
AVX钽电容温度特性曲线图在介绍AVX钽电容的温度特性曲线前,我们必需对以下两个基本概念有所认识:额定容量（CR）这是额定电容。
对于钽OxiCap®电容器的电容测量是在25°C时等效串联电路使用测量电桥提供一个0.5V RMS120Hz的正弦信号，谐波与2.2Vd.c.偏见.电容公差这是实际值的允许偏差电容额定值。
如需阅读，请咨询AVX技术出版物“电容固体钽电容器“公差。
钽电容器的电容随温度变化而发生变化。
这种变化本身就是一个小的程度上依赖额定电压和电容的大小。
从下面的温度曲线图上可以看出在工作温度范围内，钽电容和铌电容的容量会随着温度的上升而上升。
以上由AVX代理商希迪电子整理提供钽电容的浪涌电压是指电容在很短的时间经过最小的串联电阻的电路33Ohms（CECC国家1KΩ）能承受的最高电压。
浪涌电压，常温下一个小时时间内可达到高达10倍额度电压并高达30秒的时间。
浪涌电压只作为参考参数，不能用作电路设计的依据，在正常运行过程中，电容应定期充电和放电。
不同温度下浪涌电压的值是不一样的，在85度及以下温度时，分类电压VC等于额定电压VR，浪涌电压VS等于额度电压VR的1.3倍；在85到125度时，分类电压VC等于额定电压VR的0.66倍，浪涌电压VS等于分类电压VC的1.3倍。
AVX钽电容能承受的电压和电流浪涌能力是有限的，这是基于所有电解电容的共同属性，一个值够高的电应力会穿过电介质，从而破坏了介质。
例如一个6伏的钽电容在额定电压运行时，有一个167千伏/毫米电压的电场。
因此一定要确保整个电容器终端的电压的决不会超过规定的浪涌电压评级。
作为钽电容负极板层使用的半导体二氧化锰有自愈能力。
然而，这种低阻是有限的。
在低阻抗电路的情况下，电容器可能被浪涌电流击穿。
降压的电容，增加了元件的可靠性。
AVX公司推荐降级表“（第119页）总结额定电压使用上常见的电压轨迹，低阻抗钽电容在电路进行快速充电或放电时，保护电阻建议为1Ω/ V。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
元器件明细资料
元器件名称 型号及封装
单机用量 申请数量 备注
预计生产情况
预计小批量生产时间：
规模生产时间：
样品申请时间：
样品申请流程
1、请详细、全面、真实填写上列各项。表格不够填写，可自行复制。 2、请以附件的形式将该文档通过 E-mail 发送，并请客户将此单打印盖章后 邮件至：Service@nsc。 。 3、公司将根据客户所填信息并综合相关情况，及时确定该样品申请是否执行及如何执行。 4、收到样品申请单并经审核通过后，南京公司有现货24小时内发出，如需订货，交期3-4周，非常规品顺延1-2 周。 5、样品免费，运费到付(一般选择顺丰快递)；样品数量规定：单个型号5～20pcs， 或按单机数量2～5套。 6、特别说明：由于体制约束等不确定因素，我们并不保证样品数量和型号完全符合要求，也不承诺一定按期 交出。
Ｘ７Ｒ温度特性
15% 10% 5% 0% -5% -10% -15%
-55 -25
0
25
50
75
100
125
Ｚ５Ｕ温度特性
20% 0% -20% -40% -60% -80%
-55 -25
0
25 50
75 100 125
Ｙ５Ｖ温度特性
40% 20% 0% -20% -40% -60% -80% -100%
0
50 100
1000
10000
[Hr]
电容值变化率
【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】
联系资料
电话：
南京南山半导体有限公司－样品申请单
技术支持：
传真：
电邮：
客户基本资料
公司名称
联系方式
电话：
收货地址
主要产品
联络人
姓名：
电话：
传真：
职务： 手机：
网址：
测试量条件 COG
:1MHZ
X7R,Z5U,Y5V:1KHZ
+80% +60%^ +40%
+20% 0%
-20% 0
Z5U 50V Y5V 50V X7R 50V
C0G 50V
1
2
3
交流偏压 [Vrms]
57
贴片电容器老化特性图
10% 0% -10% -20% -30% -40%
COG X7R
Y5V,Z5U
-55 -25
0
25
50
75
100
125
电容值变化率
贴片电容器偏压特性图
测试量条件 COG
:1MHZ
X7R,Z5U,Y5V:1KHZ
40%
20% 0%
COG 50V
-20% -40%
X7R 50V
-60%
-80%
-100% 0
Z5U 50V Y5V 50V
10
20
30
40
50
交流偏压 [பைடு நூலகம்dc]
贴片电容器交流电压特性图
【南京南山—领先的片式无源器件整合供应商】
多层片式陶瓷电容器
MULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITOR
通用型贴片电容特性曲线 COG和PH RH SH TH UH 系列
温度系数图
10%
5%
0% -5%
P2H R2H S2H T2H U2J
-10% -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120
回访记录
□已联系确认 日期：
□已建议执行 日期：
□未发送但已下单 日期：
□已发送样品 日期：
□客户已签收 日期：
第1页共1页