贴片电容系列材质及规格
贴片电容材质分类
贴片电容材质分类文稿归稿存档编号：[KKUY-KKIO69-OTM243-OLUI129-G00I-FDQS58-这个是按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三类：超稳定级（工类）的介质材料为COG或NPO；稳定级（II 类）的介质材料为X7R；能用级（Ⅲ）的介质材料Y5V。
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。
当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。
它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。
COG,X7R,X5R,Y5V均是电容的材质，几种材料的温度系数和工作范围是依次递减的，不同材质的频率特性也是不同的。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一 NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，NPO(COG) 多层片式陶瓷电容器,它只是一种电容COG（Chip On Glass）即芯片被直接邦定在玻璃上。
这种安装方式可以大大减小LCD模块的体积，且易于大批量生产，适用于消费类电子产品的LCD，如：手机，PDA等便携式产品，这种安装方式，在IC生产商的推动下，将会是今后IC与LCD的主要连接方式。
各种贴片电容容值规格全参数表
各种贴片电容容值表X7R贴片电容简述X7R贴片电容属于EIA规定的Class 2类材料的电容。
它的容量相对稳定。
X7R贴片电容特性具有较高的电容量稳定性，在-55℃～125℃工作温度范围内，温度特性为±15%。
层叠独石结构，具有高可靠性。
优良的焊接性和和耐焊性，适用于回流炉和波峰焊。
应用于隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。
X7R贴片电容容量范围厚度与符号对应表0201～1206 X7R贴片电容选型表1210～2225 X7R贴片电容选型表NPO COG 贴片电容容量规格表默认分类2009-07-15 16:28 阅读354 评论1字号：大大中中小小NPO(COG)贴片电容属于Class 1温度补偿型电容。
它的容量稳定，几乎不随温度、电压、时间的变化而变化。
尤其适用于高频电子电路。
具有最高的电容量稳定性，在-55℃～125℃工作温度范围内,温度特性为：0±30ppm/℃(COG）、0±60ppm/℃(COH）。
层叠独石结构，具有高可靠性。
优良的焊接性和和耐焊性，适用于回流炉和波峰焊。
应用于各种高频电路,如:振荡、计时电路等。
我们把用来制造片式多层瓷介电容（MLCC）的陶瓷叫电容器瓷。
这里所说的瓷介就是用电容器瓷制成的陶瓷介质。
大家知道，陶瓷是一类质硬、性脆的无机烧结体。
就其显微结构而论，大都具有多晶多相结构。
其性能往往决定于其成份和结构。
当配方确定之后，能否达到预期的效果，关键取决于制造陶瓷粉料的工艺。
按其用途可以分为三类：①高频热补偿电容器瓷（UJ、SL）；②高频热稳定电容器瓷（NPO）；③低频高介电容器瓷（X7R、Y5V、Z5U）。
按温度系数分可以分为两类：①负温度系数电容器瓷（即高频热补偿电容器瓷）；②正温度系数电容器瓷（即平时我们常说的COG、X7R、Y5V瓷料）。
按工作频率可以分为三类：低频、高频、微波介质。
高频热补偿、热稳定电容器瓷是专供Ⅰ类瓷介电容器作介质用，其瓷料主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入适量的稀土类氧化物等配制而成。
贴片电容材质NP0、X7R、Y5V、Z5U图解及分析
封 装 DC=25V DC=50V 0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF 1206 0.01μF---0.33μF 0.01---0.47μF 2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF
下表给出了 X7R 电容器可选取的容量范围。
封 装 DC=50V DC=100V 0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF 1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF 1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF 2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF
X 7R、Z5U 和 Y5V 电容器
Low Temp.
Symbol
High Temp.
Symbol
Max. Cap. change over temp. range (%) ±1.0 ±1.5 ±2.2 ±3.3 ±4.7 ±7.5 ±10 ±15 ±22 +22 to -33 +22 to -56 +22 to -82
Symbol
+10 -30 -55
Z Y X
+45 +65 +85 +105 +125 +150 +200
2 4 5 6 7 8 9
A B C D E F P R S T U V
Ex. :
X7R X : -55C 7 : +125 C R : 15%
X5R ,or(B) X : -55C ,(-25 C) 5 : +85 C ,(+85 C ) R : 15% ,(10%)
贴片电容常识- 贴片电容的分类和尺寸
贴片电容常识- 贴片电容的分类和尺寸电容：可分为无极性和有极性两类，无极性电容下述两类封装最为常见，即0805、0603;而有极性电容也就是我们平时所称的电解电容，一般我们平时用的最多的为铝电解电容，由于其电解质为铝，所以其温度稳定性以及精度都不是很高，而贴片元件由于其紧贴电路版，所以要求温度稳定性要高，所以贴片电容以钽电容为多，根据其耐压不同，贴片电容又可分为A、B、C、D 四个系列，具体分类如下：类型封装形式耐压A 3216 10VB 3528 16VC 6032 25VD 7343 35V贴片电容的尺寸表示法有两种，一种是英寸为单位来表示，一种是以毫米为单位来表示，贴片电容的系列型号有0402、0603、0805、1206、1812、2010、2225、2512，是英寸表示法，04 表示长度是0.04 英寸，02 表示宽度0.02 英寸，其他类同型号尺寸(mm)英制尺寸公制尺寸长度及公差宽度及公差厚度及公差0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.050603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.100805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.201.00±0.201.25±0.201206 3216 3.20±0.30 1.60±0.20 0.70±0.201.00±0.201.25±0.201210 3225 3.20±0.30 2.50±0.30 1.25±0.301.50±0.301808 4520 4.50±0.40 2.00±0.20 ≤2.001812 4532 4.50±0.40 3.20±0.30 ≤2.502225 5763 5.70±0.50 6.30±0.50 ≤2.503035 7690 7.60±0.50 9.00±0.05 ≤3.00贴片电容的命名所包含的参数有贴片电容的尺寸、做这种贴片电容用的材质、要求达到的精度、要求的电压、要求的容量、端头的要求以及包装的要求例风华系列的贴片电容的命名贴片电容的命名:贴片电容的命名所包含的参数有贴片电容的尺寸、做这种贴片电容用的材质、要求达到的精度、要求的电压、要求的容量、端头的要求以及包装的要求。
贴片电容的精度规格书
容量与误差：实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围。
一般分为3 级：I 级±5%,II 级±10%,III 级±20%.在有些情况下，还有0 级，误差为±20%.精密电容器的允许误差较小，而电解电容器的误差较大，它们采用不同的误差等级。
常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。
用字母表示：D--005 级--±0.5%;F--01 级--±1%;G--02 级--±2%;J--I 级--±5%;K--II 级--±10%;M--III 级--±20%.一、电容的型号命名1）我们常见的电容品牌有三环电容、YAGEO电容、MURATA电容、风华电容、SAMSUNG电容、AVX电容等。
各国电容器的型号命名很不统一，国产电容器的命名由四部分组成：第一部分：用字母表示名称，电容器为C.第二部分：用字母表示材料。
第三部分：用数字表示分类。
第四部分：用数字表示序号。
2）电容的标志方法：（1）直标法：用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。
（2）文字符号法：用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。
文字符号表示其电容量的单位：P、N、u、m、F 等。
和电阻的表示方法相同。
标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。
小于10pF的电容，其允许偏差用字母代替：B--±0.1pF,C--±0.2pF,D--±0.5pF,F--±1pF.（3）色标法：和电阻的表示方法相同，单位一般为pF.小型电解电容器的耐压也有用色标法的，位置靠近正极引出线的根部，所表示的意义如下表所示：颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰耐压4V 6.3V10V16V25V32V40V50V63V（4）进口电容器的标志方法：进口电容器一般有6 项组成。
第一项：用字母表示类别：第二项：用两位数字表示其外形、结构、封装方式、引线开始及与轴的关系。
各类贴片电容容值规格参数表
各类贴片电容容值表X7R贴片电容简述X7R贴片电容属于EIA规定的Class 2类材料的电容。
它的容量相对稳固。
X7R贴片电容特性具有较高的电容量稳定性，在-55℃～125℃工作温度范围内，温度特性为±15%。
层叠独石结构，具有高可靠性。
优良的焊接性和和耐焊性，适用于回流炉和波峰焊。
应用于隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。
X7R贴片电容容量范围厚度与符号对应表0201～1206 X7R贴片电容选型表1210～2225 X7R贴片电容选型表NPO COG 贴片电容容量规格表2009-07-15 16:28 阅读354 评论1 字号：大中小NPO(COG)贴片电容属于Class 1温度补偿型电容。
它的容量稳定，几乎不随温度、电压、时间的变化而变化。
尤其适用于高频电子电路。
具有最高的电容量稳定性，在-55℃～125℃工作温度范围内,温度特性为：0±30ppm/℃(COG）、0±60ppm/℃(COH）。
层叠独石结构，具有高可靠性。
优良的焊接性和和耐焊性，适用于回流炉和波峰焊。
应用于各种高频电路,如:振荡、计时电路等。
咱们把用来制造片式多层瓷介电容（MLCC）的陶瓷叫电容器瓷。
那个地址所说的瓷介确实是用电容器瓷制成的陶瓷介质。
大伙儿明白，陶瓷是一类质硬、性脆的无机烧结体。
就其显微结构而论，多数具有多晶多相结构。
其性能往往决定于其成份和结构。
当配方确信以后，可否达到预期的成效，关键取决于制造陶瓷粉料的工艺。
按其用途能够分为三类：①高频热补偿电容器瓷（UJ、SL）；②高频热稳固电容器瓷（NPO）；③低频高介电容器瓷（X7R、Y5V、Z5U）。
按温度系数分能够分为两类：①负温度系数电容器瓷（即高频热补偿电容器瓷）；②正温度系数电容器瓷（即平常咱们常说的COG、X7R、Y5V瓷料）。
按工作频率能够分为三类：低频、高频、微波介质。
高频热补偿、热稳固电容器瓷是专供Ⅰ类瓷介电容器作介质用，其瓷料要紧成份是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入适量的稀土类氧化物等配制而成。
贴片陶瓷电容材质NPO、C0G、X7R、X5R、Y5V、Z5U区别？
贴片陶瓷电容材质NPO、C0G、X7R、X5R、Y5V、Z5U区别？常见的陶瓷贴片电容材质有分很多种，用户在选用时应该怎么按照具体工艺选择适合自己用的材质呢，从容量，稳定性，温度等多方面分析不同材质的区别。
贴片电容全称：多层（积层，叠层）片式陶瓷电容器，也称为贴片电容，片容。
英文缩写：MLCC。
常用的有NPO、X7R、Z5U和Y5V四种材质。
NPO填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物。
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。
Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。
Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达 22%到-82%。
NPO与X7R、X5R、Y5V、Z5U神马的有啥区别？主要是介质材料不同。
不同介质种类由于它的主要极化类型不一样，其对电场变化的响应速度和极化率亦不一样。
在相同的体积下的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
介质材料划按容量的温度稳定性可以分为两类，即Ⅰ类陶瓷电容器和Ⅱ类陶瓷电容器， NPO属于Ⅰ类陶瓷，而其他的X7R、X5R、Y5V、Z5U等都属于Ⅱ类陶瓷。
X5R、X7R、Y5V、Z5U之间的区别是什么？区别主要还在于温度范围和容值随温度的变化特性上。
以X7R为例。
X 代表电容最低可工作在 -55℃7 代表电容最高可工作在 +125℃R 代表容值随温度的变化为±15%同样的，Y5V正常工作温度范围在-30℃～+85℃, 对应的电容容量变化为+22～-82%；而Z5U 正常工作温度范围在+10℃～+85℃，对应的电容容量变化为+22～-56%。
鑫沐电子代理销售国巨贴片电容、三星贴片电容，原装正品，特价供应！。
最全贴片电容规格书
贴片电容的材质规格贴片电容的材质规格贴片电容(MLCC)Multilayer Ceramic Capacitor常规贴片电容按材料分为COG(NPO)、X7R、Y5V，常见封装有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
上表可看出各个不同材料的温度特性一 NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。
其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。
NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。
NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。
二 X7R电容器X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。
当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。
它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。
三 Z5U电容器Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
贴片电容材质及规格贴片电容目前使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的材质规格，不同的规格有不同的用途。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。
不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是敝司三巨电子公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。
一NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。
其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。
NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。
NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。
二X7R电容器X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。
当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。
它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。
三Z5U电容器Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。
这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。
对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。
但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。
尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。
尤其是在退耦电路的应用中。
Z5U电容器的其他技术指标如下:工作温度范围+10℃--- +85℃温度特性+22% ---- -56%介质损耗最大4%四Y5V电容器Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%。
Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。
Y5V电容器的其他技术指标如下:工作温度范围-30℃--- +85℃温度特性+22% ---- -82%介质损耗最大5%电容的主要特性参数：（1）容量与误差：实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围。
一般使用的容量误差有：J级±5%，K级±10%，M级±20%。
精密电容器的允许误差较小，而电解电容器的误差较大，它们采用不同的误差等级。
常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。
用字母表示：D级—±0.5%；F级—±1%；G级—±2%；J级—±5%；K级—±10%；M级—±20%。
（2）额定工作电压：电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作，所承受的最大直流电压，又称耐压。
对于结构、介质、容量相同的器件，耐压越高，体积越大。
（3）温度系数：在一定温度范围内，温度每变化1℃，电容量的相对变化值。
温度系数越小越好。
（4）绝缘电阻：用来表明漏电大小的。
一般小容量的电容，绝缘电阻很大，在几百兆欧姆或几千兆欧姆。
电解电容的绝缘电阻一般较小。
相对而言，绝缘电阻越大越好，漏电也小。
（5）损耗：在电场的作用下，电容器在单位时间内发热而消耗的能量。
这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗。
通常用损耗角正切值来表示。
（6）频率特性：电容器的电参数随电场频率而变化的性质。
在高频条件下工作的电容器，由于介电常数在高频时比低频时小，电容量也相应减小。
损耗也随频率的升高而增加。
另外，在高频工作时，电容器的分布参数，如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等，都会影响电容器的性能。
所有这些，使得电容器的使用频率受到限制。
不同品种的电容器，最高使用频率不同。
小型云母电容器在250MHZ以内；圆片型瓷介电容器为300MHZ；圆管型瓷介电容器为200MHZ；圆盘型瓷介可达3000MHZ；小型纸介电容器为80MHZ；中型纸介电容器只有8MHZ。
测评贴片电容性能，从三个方面进行，首先是贴片电容的四个常规电性能，即容量Cap. 损耗DF，绝缘电阻IR和耐电压DBV，一般地，X7R产品的损耗值DF<=2.5%，越小越好，IR*Cap>500欧*法，BDV>2.5Ur.其次是贴片电容的加速寿命性能，在125deg.c环境温度和2.5Ur直流负载条件下，芯片应能耐100小时不击穿，质量好的可耐1000小时不击穿。
再次就是产品的耐热冲击性能，将电容浸入300deg.c锡炉10秒，多做几粒，显微镜下观察是否有表面裂纹，然后可测试容量损耗并与热冲击前对比判别芯片是否内部裂纹。
贴片电容在电路上出现问题，有可能是贴片电容本身质量不良，亦有可能是设计时选取规格欠佳或是在表面贴装机械力热冲击等对贴片电容造成一定的损伤等因素造MLCC多层陶瓷片式电容器（普通贴片电容）通常所说的贴片电容是指MLCC,即多层陶瓷片式电容(Multilayer Ceramic Capacitors)。
常规贴片电容按材料分为COG(NPO),X7R,Y5V,其引脚封装有以下型号：0201,0402,0603.0805.1206,1210,1812,1825,2225.多层陶瓷电容(MLCC)是由平行的陶瓷材料和电极材料层叠而成。
多层陶瓷电容(MLCC)根据材料分为Class 1和Class 2两类。
Class 1是温度补偿型，Class 2是温度稳定型和普通应用的。
Class 1 - Class 1或者温度补偿型电容通常是由钛酸钡不占主要部分的钛酸盐混合物构成。
它们有可预见的温度系数，通常没有老化特性。
因此它们是可用的最稳定的电容。
最常用的Class 1多层陶瓷电容是COG(NPO)温度补偿型电容(±0 ppm/°C). Class 2 - EIA Class 2 电容通常也是由钛酸钡化合物组成。
Class 2电容有很大的电容容量和温度稳定性。
最普通最常用的Class 2电容电解质是X7R和Y5V。
在温度范围-55°C到125°C之间，X7R能提供仅有±15%变化的的中等容量的电容容量。
它最适合应用在温度范围宽，电容量要求稳定的场合。
Y5V能提供最大的电容容量，常用在环境温度变化不大的地方。
在温度范围-30°C to 85°C之间，Y5V电容值的变化是22% to -82%。
所有的Class 2电容的电容容量受以下几个条件影响：温度变化、操作电压（直流和交流）、频率。
贴片电容的种类和特点贴片电容的种类和特点单片陶瓷电容器(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件，就AVX 公司生产的贴片电容来讲有NPO 、X7R 、Z5U 、Y5V 等不同的规格，不同的规格有不同的用途。
不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX 公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。
NPO 、X7R 、Z5U 和Y5V 的主要区别是...单片陶瓷电容器(通称贴片电容) 目前用量比较大的常用元件，就AVX 公司生产的贴片电容来讲有NPO 、X7R 、Z5U 、Y5V 等不同的规格，不同的规格有不同的用途。
下面我们仅就常用的NPO 、X7R 、Z5U 和Y5V 来介绍一下它们的性能和应用以及Class 2 EIA 代码对Class 2材料电容的容量随温度变化，EIA 可以通过3个符号代码来表述。
第一个符号表示工作温度范围的下限，第采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。
不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请照该公司的产品手册。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。
其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。
NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。
下表给出了NPO 电容器可选取的容量范围。
封装DC="50V"DC="100V"08050.5---1000pF0.5---820pF12060.5---1200pF0.5---1800pF1210560---5600pF560---2700pF22251000pF---0.033μF1000pF---0.018μFNPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。
二X7R电容器X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。
当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。
它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。
下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。
封装DC="50V"DC="100V"0805330pF---0.056μF330pF---0.012μF12061000pF---0.15μF1000pF---0.047μF12101000pF---0.22μF1000pF---0.1μF22250.01μF---1μF0.01μF---0.56μF三Z5U电容器Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。