光刻工艺
光刻工艺综述
光刻工艺综述
1. 什么是光刻工艺？
光刻工艺是一种集成电路制造技术，利用光刻机将设计好的图形进行投影、显影和蚀刻，从而在芯片表面形成所需的结构。
2. 光刻工艺的主要过程有哪些？
光刻工艺的主要过程包括：准备光刻片、涂覆光刻胶、预烘烤、相应的曝光时间、后烘烤和湿/干刻蚀等环节。
3. 光刻胶的种类有哪些？有何区别？
光刻胶的种类包括：正胶、负胶、混合胶等。
正胶和负胶的区别主要在于曝光后被拉膜的位置，正胶曝光后原本未被曝光的部分被拉膜，负胶则是曝光后被曝光的部分被拉膜。
混合胶是正负胶的综合体，可以在同一个芯片上使用。
4. 光刻工艺的应用领域有哪些？
光刻工艺广泛应用于半导体制造、光电子技术、微纳加工、生物医学等领域，是制造微纳器件的重要技术之一。
5. 光刻工艺的发展现状如何？
随着微纳技术和光电子技术的不断发展，光刻技术也在不断升级和完善。
目前的发展趋势包括提高分辨率、减小尺寸、实现多层和多种材料的刻蚀等。
此外，还发展出了一些新的光刻技术和新型光刻机，如电子束曝光、多光子光刻、近场光刻等。
光刻工艺知识点总结
光刻工艺知识点总结光刻工艺是半导体制造工艺中的重要环节，通过光刻技术可以实现微米级甚至纳米级的精密图案转移至半导体芯片上，是芯片制造中最关键的工艺之一。
光刻工艺的基本原理是利用光学原理将图案投射到光刻胶上，然后通过化学蚀刻将图案转移到芯片表面。
下面将对光刻工艺的知识点进行详细总结。
一、光刻工艺的基本原理1. 光刻胶光刻胶是光刻工艺的核心材料，主要由树脂和溶剂组成。
树脂的种类和分子结构直接影响着光刻胶的分辨率和对光的敏感度，而溶剂的选择和比例则会影响着光刻胶的黏度、流动性和干燥速度。
光刻胶的选择要根据不同的工艺要求，如分辨率、坚固度、湿膜厚度等。
2. 掩模掩模是用来投射光刻图案的模板，通常是通过电子束刻蚀或光刻工艺制备的。
掩模上有所需的图形样式，光在通过掩模时会形成所需的图案。
3. 曝光曝光是将掩模上的图案投射到光刻胶表面的过程。
曝光机通过紫外线光源产生紫外线，通过透镜将掩模上的图案投射到光刻胶表面，形成图案的暗部和亮部。
4. 显影显影是通过化学溶液将光刻胶上的图案显现出来的过程。
曝光后，光刻胶在图案暗部和亮部会有不同的化学反应，显影溶液可以去除未暴露的光刻胶，留下所需的图案。
5. 蚀刻蚀刻是将图案转移到硅片上的过程，通过化学腐蚀的方式去除光刻胶未遮盖的部分，使得图案转移到硅片表面。
二、光刻工艺中的关键技术1. 分辨率分辨率是指光刻工艺能够实现的最小图案尺寸，通常用实际图案中两个相邻细线或空隙的宽度之和来表示。
分辨率受到光刻机、光刻胶和曝光技术等多个因素的影响，是衡量光刻工艺性能的重要指标。
2. 等效焦距等效焦距是光刻机的重要参数，指的是曝光光学系统的有效焦距，影响光刻图案在光刻胶表面的清晰度和分辨率。
3. 曝光剂量曝光剂量是指单位面积上接收的光能量，通常用mJ/cm^2或μC/cm^2来表示。
曝光剂量的选择对分辨率和光刻胶的副反应有重要影响。
4. 曝光对位精度曝光对位精度是指光刻胶上已存在的图案和新的曝光对位的精度，是保证多层曝光图案对位一致的重要因素。
光刻与刻蚀工艺
涂胶/显影技术
01
02
03
涂胶
在晶圆表面涂上一层光敏 胶，以保护非曝光区域并 提高图像对比度。
显影
用适当的溶剂去除曝光区 域的光敏胶，以形成所需 的图案。
控制胶厚
保持胶厚均匀，以避免图 像的扭曲和失真。
烘烤与曝光技术
烘烤
通过加热去除晶圆表面的湿气，以提高光敏胶的灵敏度和图像质 量。
曝光
将掩模图像投影到光敏胶上，通过光化学反应将图像转移到晶圆 上。
非接触式光刻
投影式非接触
利用光学系统将掩膜板上的图像投影到光刻胶涂层上，优点是无需直接接触，缺点是难度较高，需要精确的控 制系统。
电子束光刻
利用电子束在光刻胶上直接曝光，优点是分辨率高、无需掩膜板，缺点是生产效率低。
投影式光刻
接触式投影
掩膜板与光刻胶涂层之间保持接触，通过投影系统将图像投影到光刻胶上，优点是操作简单、高效， 缺点是图像质量可能受到掩膜板损伤和光刻胶污染的影响。
要点二
损伤控制
是指在刻蚀过程中避免对材料产生损伤。对于某些特殊 材料，如脆性材料，损伤控制尤为重要。如果刻蚀过程 中产生过多损伤，可能会导致材料性能下降甚至破裂。
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光刻工艺的基本步骤
涂胶
将光刻胶涂敷在硅片表面，以形成 光刻胶层。
烘烤
通过烘烤使光刻胶层干燥并固化。
曝光
将掩膜版上的图形对准硅片上的光 刻胶层，并使用曝光设备将图形转 移到光刻胶上。
显影
使用显影液将曝光后的光刻胶进行 化学处理，使图形更加清晰地展现 出来。
光刻工艺的重要性
光刻工艺是半导体制造中的关键环节，直接影响芯片的制造 质量和性能。
光刻工艺的几种模式
光刻工艺的几种模式光刻工艺是一种在半导体器件制造过程中使用的核心技术。
通过将光刻胶（photoresist）涂覆在硅片表面，然后使用光刻机将光投射到光刻胶上，形成模式，最后使用化学蚀刻（chemical etching）或蒸发镀膜（metallization）等工艺将模式转移到硅片上。
光刻工艺在半导体制造中有多种不同模式，下面将详细介绍其中几种常见的模式。
1.1X模式：1X模式是最早使用的光刻工艺模式。
在这种模式下，光源中的紫外光通过凸面光刻掩膜（photomask）投射到光刻胶层上。
光源与掩膜的比例通常为1:1，因此被称为1X模式。
这种模式需要较高的分辨率和更高的光刻机精度。
2.5X模式：5X模式是现代光刻工艺中更常见的一种模式。
在这种模式下，光源中的光通过凹面光刻掩膜的五倍镜投射到光刻胶层上。
光源与掩膜的比例为5:1，因此被称为5X模式。
这种模式相对于1X模式具有更高的成像能力和更好的分辨率。
3.并行光刻模式：并行光刻模式是一种可以同时处理多片硅片的光刻工艺模式。
在这种模式中，光源通过一个分束器（beam splitter）将光分成多个光束，然后通过反射镜照射到多个硅片上。
这种模式可以显著提高生产效率，但对于光刻胶和光刻机的要求也更高。
4.双折射光刻模式：双折射光刻模式是一种使用光的双折射性质来增强分辨率的光刻工艺模式。
在这种模式中，光源发出的光通过一个偏振器（polarizer）来过滤其中的一种偏振光。
经过投射到硅片上后，光通过另一个偏振器，选择性地透过或反射出来。
这种模式可以提高成像的分辨率，但需要更精确的光刻掩膜和光刻机。
总的来说，光刻工艺有多种模式，包括1X模式、5X模式、并行光刻模式和双折射光刻模式等。
每种模式都有其特点和适用范围，在不同的半导体制造应用中选择适合的模式是非常重要的。
集成电路制造工艺之光刻与刻蚀工艺
脱水烘焙
以光刻胶在SiO2表面的附着情况为例，由于SiO2的表面是亲水性的，而光刻胶 是疏水性的，SiO2表面可以从空气中吸附水分子，含水的SiO2会使光刻胶的附着 能力降低。因此在涂胶之前需要预先对硅片进行脱水处理，称为脱水烘焙。 ①在150-200℃释放硅片表面吸附的水分子； ②在400℃左右使硅片上含水化合物脱水； ③进行750℃以上的脱水。
L p h 其中h是普朗克常数，Δp是粒子动量的不确定值。对于曝光所用的粒子束，若其动 量的最大变化是从-p到+p，即Δp=2p，代入上式，则有
L h 2p
ΔL在这里表示分清线宽L必然存在的误差。若ΔL就是线宽，那么它就是物理上可 以得到的最细线宽，因而最高的分辨率
Rm a x
1 2L
p h
光子曝光的最高的分辨率
8.3.1、对比度
为了测量光刻胶的对比度，将一定厚度的光刻胶膜在不同的辐照剂量下曝光，然 后测量显影之后剩余光刻胶的膜厚，利用得到的光刻胶膜厚-曝光剂量响应曲线进行 计算就可以得到对比度。
光刻胶的对比度：不同的光刻胶膜厚-曝光剂量响应曲线的外推斜率。
Y2 Y1
X2 X1 光刻胶的对比度会直接影响到曝光后光刻胶膜的倾角和线宽。
根据对比度定义， Y2＝0，Y1=1.0，X2＝log10Dc，X1＝ log10Do。
正胶的对比度
p
1 log10 (Dc
Do )
Dc为完全除去正胶膜所需要的最小曝光剂量， Do为对正胶不产生曝光效果所允许的最大曝光剂量。
光刻胶的侧墙倾斜
在理想的曝光过程中，投到光刻胶上的辐照区域应该 等于掩模版上的透光区域，在其他区域应该没有辐照能 量。
涂布HMDS
在涂胶之前，还应在Si片表面上涂上一层化合物，其目的也是为了增强光刻胶与 硅片之间的附着力。目前应用比较多的是六甲基乙硅氮烷(简称HMDS) 。
光刻工艺步骤介绍
光刻工艺步骤介绍光刻工艺是半导体芯片制造中不可或缺的一步，其目的是将芯片设计图案转移到光刻胶上，然后通过化学腐蚀或蚀刻的方式将这些图案转移到芯片表层。
下面是一个光刻工艺的详细步骤介绍：1.准备工作：首先需要清洗芯片表面，以去除表面的杂质和污染物。
清洗可以使用化学溶液或离子束清洗仪等设备。
同时，需要准备好用于光刻的基板，这通常是由硅或其他半导体材料制成的。
2.底层涂覆：将光刻胶涂覆在基板表面，胶层的厚度通常在几微米到几十微米之间。
胶液通常是由聚合物和其他添加剂组成的，可以通过旋涂、喷涂或浸涂等方法进行涂覆。
3.烘烤和预烘烤：将涂覆好的光刻胶进行烘烤和预烘烤。
这一步的目的是除去胶液中的溶剂和挥发物，使胶层更加均匀和稳定。
烘烤的温度和时间可以根据不同的胶液和工艺要求来确定。
4.掩膜对位：将掩膜和基板进行对位。
掩膜是一个透明的玻璃或石英板，上面有芯片设计的图案。
对位过程可以通过显微镜或光刻机上的对位系统来进行。
5.曝光：将掩膜下的图案通过光源进行曝光。
光源通常是由紫外线灯或激光器组成的。
曝光时间和光照强度的选择是根据胶层的特性和所需的图案分辨率来确定的。
6.感光剂固化：曝光后，光刻胶中的感光剂会发生化学反应，使胶层中的暴露部分固化。
这一步被称为光刻胶的显影，可以通过浸泡在显影剂中或使用喷雾设备来进行。
7.显影：在光刻胶上进行显影，即移去显影剂无法固化的胶层。
显影的时间和温度可以根据胶层的特性和图案的要求来确定。
显影过程通常伴随着机械搅动或超声波搅拌，以帮助显影剂的渗透和清洗。
8.硬化：为了提高图案的耐久性和稳定性，可以对显影后的芯片进行硬化处理。
硬化可以通过烘烤、紫外线照射或热处理等方法来实现。
9.检查和修复：在完成光刻工艺后，需要对光刻图案进行检查。
如果发现图案存在缺陷或错误，可以使用激光修复系统或电子束工作站等设备进行修复。
10.后处理：最后，需要对光刻胶进行去除，以准备进行下一步的制造工艺。
去除光刻胶的方法可以采用化学溶剂、等离子体蚀刻或机械刮伤等。
光刻加工的工艺过程
光刻加工的工艺过程光刻制程是一种基于光敏感化学物质的加工技术，广泛应用于半导体制造、屏幕制造、光学元件制造等领域。
下面将介绍光刻加工的主要工艺过程。
第二步是涂覆光刻胶。
将光刻胶溶液倒在基板表面并旋转，使其均匀地覆盖整个表面。
通常会使用一台称为光刻胶旋涂机的设备来实现这一步骤。
涂覆后，通过烘烤将剩余的溶剂去除，使光刻胶形成薄膜。
第三步是准备掩模。
掩模是一种具有特定图案的光刻掩膜，可以通过光照将图案转移到光刻胶上。
掩模通常是由玻璃或石英制成的，上面有一个透明的图案结构。
通过投影仪或激光绘制工艺将图案转移到掩模上。
第四步是对光刻胶进行曝光。
将掩模和光刻胶放置在光刻机上，掩模上的图案通过紫外线或激光照射到光刻胶上。
光刻机会在特定时间和能量下曝光光刻胶，使得光刻胶发生化学或物理变化，覆盖光刻胶的部分被固化。
第五步是显影光刻胶。
将经过曝光的光刻胶放入显影液中进行显影，显影液会溶解未固化的光刻胶，只留下曝光过的图案结构。
显影液通常是一种酸或碱性溶液，根据光刻胶的材料不同，选择不同的显影液。
第六步是清洗和后处理。
将显影后的光刻胶通过清洗步骤去除显影液和残留的光刻胶，以及任何其他杂质。
清洗通常使用化学溶液或超声波清洗。
完成清洗后，可以进行后处理，如烘干或氧等离子处理，以进一步改善光刻胶的性能。
通过上述工艺过程，光刻加工可以实现高分辨率的图案转移，制造出微小的器件和结构。
在半导体制造业中，光刻加工是生产微型集成电路的关键步骤之一、随着技术的不断发展，光刻加工的分辨率和精度也在不断提高，为微电子和光电子领域的创新和进步提供了重要支持。
光刻工艺步骤介绍
光刻工艺步骤介绍光刻工艺是半导体工艺中关键的步骤之一，它用于制造各种微细结构，如晶体管、光栅、电容或电阻等。
光刻工艺具有高分辨率、高精度和高可重复性的特点，被广泛应用于微电子、光电子、光伏等领域。
下面将对光刻工艺的步骤进行详细介绍。
1.掩膜设计：在光刻工艺中，需要首先进行掩膜设计。
掩膜是一种光刻胶的图形模板，确定了最终要形成的微细结构的形状和位置。
掩膜设计常用计算机辅助设计软件进行，设计完成后生成掩膜模板。
2.光刻胶涂覆：在光刻工艺中，需要将光刻胶均匀涂覆在待制作器件表面，这是为了保护器件表面免受光刻过程中的腐蚀或损伤。
涂覆一般使用旋涂机或喷涂机进行，确保光刻胶均匀薄膜的形成。
3.预烘烤：涂覆光刻胶后，需要进行烘烤步骤来消除光刻胶中的溶剂，使光刻胶能够形成均匀的薄膜层。
预烘烤也有助于增加光刻胶的附着力和稳定性，并使其更容易与待制作器件表面结合。
4.曝光：曝光是光刻工艺的核心步骤，也是形成微细结构的关键。
在曝光过程中，掩膜模板被置于光源下，通过透过模板的局部区域将光刻胶暴露于紫外线或可见光源。
光刻胶对光线的敏感性使其在接受曝光后发生化学或物理变化，形成暴光区域。
曝光完毕后，去除掩膜模板。
5.显影：显影是指将曝光后的光刻胶通过溶液处理，使其在暴露区域溶解去除，形成所需的微细结构。
显影液对未曝光区域没有任何溶解作用，所以它只会溶解曝光区域中的光刻胶。
显影的时间和温度需要根据光刻胶的特性和所需结构来进行控制。
6.后烘烤：显影后的光刻胶需要进行后烘烤，以固化和增加其机械强度。
后烘烤可以通过烤箱、烘干机或者其他热源进行。
在烘干的过程中，通过将温度升高，光刻胶中的溶剂会完全挥发并交联，形成具有所需形状和特性的微细结构。
7.检查和测量：制作微细结构后，需要对其进行检查和测量，以确保其满足设计规格。
常见的检查和测量方法有光学显微镜、扫描电子显微镜和原子力显微镜等，这些设备可以对微细结构的尺寸、形状和位置等进行分析和评估。
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三、软烘
工艺目的： 1.将光刻胶中溶剂挥发去除 2.改善粘附性、均匀性、抗蚀性 3.优化光刻胶光吸收特性 4.缓和在旋转过程中胶膜内产生的应力
Wafer Heater
Vacuum
热板
Heated N 2
MW Source Photoresist
Wafers
Heater
对流烘箱
Chuck
Wafer
四甲基氢氧化铵 二甲苯
TMAH
Xylene
去离子水 DI water
醋酸正丁酯 n-Butylacetate
七、坚膜烘培
工艺目的： 使存留的光刻胶溶剂彻底挥发，提高光刻胶的粘 附性和抗蚀性。这一步是稳固光刻胶，对下一步 的刻蚀或离子注入过程非常重要。
八、显影检查
工艺目的： 1.找出光刻胶有质量问题的硅片 2.描述光刻胶工艺性能以满足规范要求
Developer puddle
Wafer Form puddle Spin spray
Spin rinse and dry
经曝光的正胶逐层溶解，中和反应只在光 刻胶表面进行。
非曝光区的负胶在显影液中首先形成凝胶 体，然后再分解，这就使整个负胶层被显影液 浸透而膨胀变形。
显影液 漂洗液
正性光刻胶 负性光刻胶
第五章 光刻
学习目标：
光刻基本概念 负性和正性光刻胶差别 光刻的8个基本步骤 光刻光学系统 光刻中对准和曝光的目的 光刻特征参数的定义及计算方法 五代光刻设备
5.1 引言
光刻是把掩膜版上的电路图形超精确地转移到涂 覆在硅片上的光刻胶膜上，为后续刻蚀或离子注 入提供掩蔽膜，以完成图形的最终转移的工艺过 程。
p
Hot Plate Track Robot
Spin Station 光刻机
Developer Hot Plate Track dispenser
思考题：
如果使用了不正确型号的光刻胶进行光刻 会出现什么情况？
5.3 光学光刻
光学光刻是不断缩小芯片特征尺寸的主要限制因 素。 光源 光的能量能满足激活光刻胶，成功实现图形转移 的要求。光刻典型的曝光光源是紫外（UV ultraviolet）光源以及深紫外（DUV）光源、极 紫外（EUV）光源。 1.高压汞灯 2.准分子激光
n为图像介质的折射率，θm为主光轴和透镜 边缘线夹角。透镜半径越大数值孔径越大成 像效果越好。
数值孔径在成像中的作用
分辨率（R） 将硅片上两个相邻的关键尺寸图形区分开的能力。
R k
NA
k为工艺因子，范围是0.6～0.8， λ为光源的波长， NA为曝光系统的数值孔径
要提高曝光系统的分辨率即减小关键尺寸，就要 降低光源的波长λ 。
光刻是集成电路制造的关键工艺
一、光刻技术的特点
产生特征尺寸的关键工艺； 复印图像和化学作用相结合的综合性技术； 光刻与芯片的价格和性能密切相关，光刻成本占
整个芯片制造成本的1/3。
二、光刻三个基本条件
掩膜版 光刻胶 光刻机
掩膜版（Reticle或Mask）的材质有玻璃 版和石英版，亚微米技术都用石英版，是 因为石英版的透光性好、热膨胀系数低。 版上不透光的图形是金属铬膜。
波长 (nm)
436 405
365 351
308
248 193 157
CD分辨率 (um)
0.50
0.35 to 0.25
0.25 to 0.15 0.18 to 0.13 0.13 to 0.1
光学系统
掩蔽组件 聚光透镜
目镜
平面反光镜
反光镜 聚光透镜 反光镜 准直透镜
滤光片 快门 汞灯
灯监视器
传统负性I线光刻胶
1. 树脂是悬浮于溶剂中的聚异戊二烯橡胶聚合物 2. 曝光使光敏感光剂释放出氮气 3. 释放出的氮气产生自由基 4. 自由基通过交联橡胶聚合物（不溶于显影液）使光刻胶聚合
深紫外（DUV）光刻胶
1. 具有保护团的酚醛树脂使之不溶于显影液 2. 光酸产生剂在曝光时产生酸 3. 曝光区域产生的酸作为催化剂，在曝光后热烘过程中移除树脂保护团 4. 不含保护团的光刻胶曝光区域溶解于以水为主要成分的显影液
平均曝光 干涉增强
强度
过曝光
干涉相消 欠曝光
光刻胶表面
/nPR
衬底表面
Photoresist
Overexposure
Underexposure
/nPR
Substrate
驻波效应降低了光刻 胶成像的分辨率，影 响线宽的控制。
Photoresist
Substrate
六、显影
工艺目的：溶解硅片上光刻胶可溶解区域，形成 精密的光刻胶图形。
Mask
Reticle
传统相机底片
光刻三个基本条件——光刻胶PR(PhotoResist)
正性光刻胶
硅片上图形与掩膜版一样 曝光区域发生光学分解反应，在显影液中软化
溶解而去除掉
未曝光区域显影后保留
负性光刻胶
硅片上图形与掩膜版相反 曝光区域发生光学交联反应硬化，在显影液中
不可溶解而保留
工艺宽容度，工艺发生一定变化时，在规定范 围内仍能达到关键尺寸要求的能力。
5.2 光刻工艺步骤及原理
光刻工艺的八个基本步骤
一、气相成底膜 二、旋转涂胶 三、软烘 四、对准和曝光 五、曝光后烘培（PEB） 六、显影 七、坚膜烘培 八、显影检查
光刻工艺的八个基本步骤 涂胶
曝光
显影
检查
一、气相成底膜
工艺过程：
1.上掩膜版、硅片传送 2. 掩膜版对准（ RA ）（掩膜版标记与光刻机基准
进行激光自动对准）
3. 硅片粗对准（ GA ）（掩膜版与硅片两边的标记 进行激光自动对准）
4. 硅片精对准（ FA ）（掩膜版与硅片图形区域的 标记进行激光自动对准）
经过8次的对准和曝光，形成了CMOS器件结构
未曝光区域显影后溶解
正性光刻胶 负性光刻胶
传统胶片相机正片 传统胶片相机负片
光刻三个基本条件——光刻机
光刻机
传统相片放大机
三、光刻技术要求 光源
分辨率，是将硅片上两个相邻的特征尺寸图形 区分开的能力。
套准精度，掩膜版上的图形与硅片上的图形的 对准程度。按照光刻的要求版上的图形与片上 图形要精确对准。
CChhuucckk SSppiinnddllee
TToo vvaaccuuuumm pppuuummmppp
丙烯乙二醇一甲胺以太醋酸盐PGMEA 乙烯乙二醇一甲胺以太醋酸盐EGMEA
光刻胶作用： 1. 将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中； 2. 在后续工艺中，保护下面的材料（例如刻蚀或 离子注入阻挡层）
工艺过程： 1.分滴 2.旋转铺开 3.旋转甩掉 4.溶剂挥发 5.去除边圈
Wafer
PR
EBR
Drain
SSoollvveenntt
分滴
Chuck
PPRR ssuucckk bbaacckkExPnnohRozazzduum
WWaaffeerr
旋转铺开 旋转甩掉 溶剂挥发 去除边圈
PR Film Substrate
（a）对比度差
PR Film Substrate
（b）对比度好
3.敏感度好（是指硅片表面光刻胶中产生良好 图形所需要的一定波长光的最小能量值，以 mJ/cm2为单位）
4.粘滞性好（表征液体光刻胶流动性的一个指 标，即粘度，单位用cps表示）
5.粘附性好（指光刻胶与衬底表面的粘附性好） 6.抗蚀性好（在后续刻蚀工艺中，光刻胶很好 地保护衬底表面，胶的这种性质称为抗蚀性）
底部抗反射涂层(BARC)
顶部抗反射涂层(TARC)
5.4 光刻设备
一、光刻机分类
按照曝光进行方式分为： 掩蔽式(shadow printing)：接触式(Contact)，接 近式(Proximity) 投影式(projection printing)：扫描式(Scan)，步 进式(Stepping)，步进-扫描式(Step and Scan)
典型高压汞灯的发射光谱
Intensity (a.u)
Deep UV (<260)
I-line (365)
G-line (436)
H-line (405)
300
400
500
600
Wavelength (nm)
光刻光源
汞灯 准分子激光
氟激光
名称
G-line H-line
I-line XeF
XeCl
KrF (DUV) ArF F2
光刻胶成分：
1. 树脂（是一种有机聚合物材料，提供光刻 胶的机械和化学特性） 2. 感光剂（光刻胶材料的光敏成分） 3. 溶剂（使光刻胶具有流动性） 4. 添加剂（控制光刻胶特殊方面的化学物质， 备选）
光刻工艺对光刻胶的要求：
1.分辨率高（区分硅片上两个相邻的最小特征尺 寸图形的能力强）
2.对比度好（指曝光区和非曝光区过渡的陡度）
Vacuum
微波烘箱
四、对准和曝光
工艺目的： 对准和曝光是将掩膜板上的图形通过镜头由紫外 光传递到涂有光刻胶的硅片上, 形成光敏感物质的 空间精确分布，从而实现精确的图形转移。
对准——同轴和离轴对准系统
曝光
对准标记
对准标记
1. 投影掩膜版的对位标记(RA) ：在版的左右两 侧， RA与步进光刻机上的基准标记对准 2. 整场对准标记(GA):第一次曝光时被光刻在硅 片左右两边，用于每个硅片的粗对准 3. 精对准标记(FA)：每个场曝光时被光刻的，用 于每个硅片曝光场和投影掩膜版的对准
灯位置调节钮 椭圆形反光镜
Fiber optics
X-drive motor
投影掩膜版