Word版——模拟电子技术基础 第三版 童诗白 华成英 主编 课后习题答案
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4.5
4.6 4.7 在图（a）（b）所示电路中
图（a）中：
图（b）中： 4.8（1）T1和T2、组成的复合管为放大管，T5和T6为有源负载，双端 输入、单端输出的差分放大电路。 （2） 4.9 同题4.8。 4.10（1）
（2）当有共模输入电压时，uO=0。 Rc1＞＞rD，△uC1＝△uC2，因此△uBE3＝0，故uO=0。
习题
.1 （a）共射，共基 （b）共射，共射 （c）共射，共射 （d） 共集，共基
（e）共源，共集 （f）共基，共集 3.2 图（a）
图（b）
图（c）
图（d）
3.3 （1）（d）（e） （2）（c）（e） （3）（e）
3.4 图（a）
图（b）
3.5 图（c）
图（e）
3.6
3.7
3.8
3.9 （1）
（3）为T6设置静态电流，且为T6的集电极有源负载。 （4）消除交越失真。 4.18 （1）由T10、T11、T9、T8、T12、T13、R5构成。 （2）三级放大电路： T1～T4－共集-共基差分放大电路，T14～T16－共集-共射-共集电路， T23、T24－互补输出级。 （3）消除交越失真。UBE23＋UBE24＝UBE20＋UBE19
带载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝3V；最大不失真输出电压 峰值约为2.3V。 2.5（1）× （2）× （3）× （4）√ （5）× （6）× （7）× （8）√ （9）√ （10）× （11）× （12）√ 2.6 （1）6.4V （2）12V （3）0.5V （4）12V （5）12V 2.7
cbc小大大小
bec大小小大
2.2（a）将－VCC改为＋VCC 。
（b）在＋VCC 与基极之间加Rb。
（c）将VBB反接，且加输入耦合电容。
（d）在VBB支路加Rb，在－VCC与集电极之间加Rc。
2.3 图P2.3所示各电路的交流通路；将电容开路即为直流通路，图
略。
2.4空载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝6V；最大不失真输出电 压峰值约为5.3V。
.11 （1）C （2）C （3）B （4）A 4.12 因为UBE3＋UCE1＝2UD ，UBE1≈UD ，UCE1≈UD，所以UCB≈0，反 向电路为零，因此ICBO对输入电流影响很小。 4.13（1）因为β＞＞2，所以iC2≈iC1≈iI2 。 （2） iB3＝iI1－iC2≈iI1－iI2 （3）
（g）NPN型管，上-集电极，中-基极，下-发射极。
第三章 多级放大电路
自测题
一、（1）× （2）√√ （3）√× （4）× （5）√ 二、（1）A A （2）D A （3）B A （4）D B （5）C B 三、（1）B D （2）C （3）A （4）A C （5）B （6）C 四、（1）IC3＝（UZ－UBEQ3）/ Re3＝0.3mA IE1＝IE2＝0.15mA （2）减小RC2。 当uI＝0时uO＝0，ICQ4＝VEE / RC4＝0.6mA。
2.22 （1）求Q点：UGSQ＝VGG＝3V 从转移特性查得，当UGSQ＝3V时，IDQ＝1mA，UDSQ＝VDD
－IDQRD＝5V
（2）求电压放大倍数：
2.23
2.24 （a）× （b）× （c）NPN型管，上-集电极，中-基极，下-发射 极。
（d）× （e）× （f）PNP型管，上-发射极，中-基极，下-集电 极。
(2) Ri增大，Ri≈4.1kΩ；减小，≈－1.92。 2.14
2.15 Q点：
动态：
2.16
2.17 图略。 2.18 （1）求解Q点：
（2）求解电压放大倍数和输入电阻：
（3） 求解输出电阻： 2.19 (1)
(2)
2.20（a）源极加电阻RS。 （b）输入端加耦合电容，漏极加电 阻RD。
（c）输入端加耦合电容 （d）在Rg支路加－VGG，＋VDD改为 －VDD 2.21 （1）在转移特性中作直线uGS＝－iDRS，与转移特性的交点即 为Q点；读出坐标值，得出IDQ＝1mA，UGSQ＝－2V。 在输出特性中作直流负载线uDS＝VDD－iD（RD＋RS），与UGSQ＝－ 2V的那条输出特性曲线的交点为Q点，UDSQ≈3V。 （2）
4.14 图（a）所示电路中，D1、D2使T2、T3微导通，可消除交越失 真。
R为电流采样电阻，D2对T2起过流保护。当T2导通时，uD3＝uBE2 ＋iOR－ uD1，未过流时iOR较小， uD3因小于开启电压而截止；过流时 uD3因大于开启电压而导通，为T2基极分流。D4对T4起过流保护，原因 与上述相同。
四、（1）三级放大电路，第一级为共集-共基双端输入单端输出差分 放大电路，第二级是共射放大电路，第三级是互补输出级。
（2）第一级：采用共集-共基形式，增大输入电阻，改善高频特性； 利用有源负载（T5、T6）增大差模放大倍数，使单端输出电路的差模放 大倍数近似等于双端输出电路的差模放大倍数，同时减小共模放大倍 数。
小于其最小稳定电流，所以稳压管பைடு நூலகம்击穿。故
当UI＝15V时，由于上述同样的原因，UO＝5V。 当UI＝35V时，UO＝UZ＝5V。 （2）29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S闭合。 （2）
1.11 波形如图所示。
1.12 60℃时ICBO≈32μA。 1.13 选用β＝100、ICBO＝10μA的管子，其温度稳定性好。 1.14
第二级共射放大电路以T7、T8构成的复合管为放大管、以恒流源作集 电极负载，增大放大倍数。
第三级加偏置电路，利用D1、D2消除交越失真。 五、（1）① （2）③ （3）⑦ （4）② （5）⑥ （6）⑤ （7）④
习题
4.1 输入级、中间级、输出级和偏置电路。 输入级为差分放大电路，中间级为共射放大电路，输出级为互补电 路，偏置电路为电流源电路。 对输入级的要求：输入电阻大，温漂小，放大倍数即可能大。 对中间级的要求：放大倍数大。 对输出级的要求：带负载能力强，最大不失真输出电压即可能大。 4.2 uO 1V 10V 14V 14V -1V -10V -14V -14V 4.3 A1－通用型，A2－高精度型，A3－高阻型，A4－高速型。 4.4
UO＝UCE＝2V。 2、临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以
七、T1：恒流区；T2：夹断区；T3：可变电阻区。
习题
1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压 为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 ui和uo的波形如图所示。
第1章 半导体基础知识
自测题
一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、UO1≈1.3V UO2＝0 UO3≈－1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈－2V 四、UO1＝6V UO2＝5V 五、根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时 IC≈6.67mA，UCE＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将改点连 接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、
（2） △uO＝uO－UCQ1≈－1.23V
3.10
3.11 Ad＝－gmRD＝－40 3.12 Ri＝∞ 3.13
Ri＝∞
3.14 （1）
（2） 若Ui＝10mV，则Uo＝1V（有效值）。 若R3开路，则uo＝0V。若R3短路，则uo＝11.3V（直流）。
第四章 集成运算放大电路
自测题
一、（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A 二、（1）× （2）√ （3）√ （4）√ （5）× 三、
第二章 基本放大电路
自测题
一、（1）× （2）√ （3）× （4）× （5）√ （6）× （7）×
二、（a）不能。因为输入信号被VBB短路。 （b）可能
（c）不能。因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电
压之上，必然失真。
（d）不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。
（e）不能。因为输入信号被C2短路。
（f）不能。因为输出信号被VCC短路，恒为零。
（g）可能。
（h）不合理。因为G-S间电压将大于
零。
（i）不能。因为T截止。
三、（1）
（2）
四、（1）A （2）C （3）B （4）B
五、（1）C，D E （2）B （3）A C D （4）A B D E （5）C
（6）B C E，A D
六、
习题
2.1 e b c 大 大 中 大
1.15 晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如表
管号
T1
T2
T3
T4
T5
上
e
c
e
b
c
中
b
b
b
e
e
下
c
e
c
c
b
管型 PNP NPN NPN PNP PNP
材料 Si
Si
Si
Ge
Ge
1.16 当VBB＝0时，T截止，uO＝12V。 当VBB＝1V时，T处于放大状态。因为 当VBB＝3V时，T处于饱和状态。因为 1.17 取UCES＝UBE，若管子饱和，则
2.8（a）饱和失真，增大Rb，减小Rc。 （b）截止失真，减小Rb 。 （c）同时出现饱和失真和截止失真，增大VCC。 2.9 （a）截止失真 （b）饱和失真 （c）同时出现饱和失真和截止 失真 2.10 （1）
（2）
.11 空载时， .12 ② ① ② ① ③ ③②①③①
③③①③③ 2.13（1）静态及动态分析：
1.4 ui和uo的波形如图所示。
1.5 uo的波形如图所示。 1.6 ID＝（V－UD）/R＝2.6mA，rD≈UT/ID＝10Ω，Id＝Ui/rD≈1mA。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压 值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。 1.8 IZM＝PZM/UZ＝25mA，R＝UZ/IDZ＝0.24～1.2kΩ。 1.9 （1）当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，
1.21 1.22 过uDS为某一确定值（如15V）作垂线，读出它与各条输出特性的 交点的iD值；建立iD＝f（uGS）坐标系，根据前面所得坐标值描点连 线，便可得转移特性。 1.23 uI＝4V时T夹断，uI＝8V时T工作在恒流区，uI＝12V时T工作在 可变电阻区。 1.24 （a）可能 （b）不能 （c）不能 （d）可能
图（b）所示电路中，T4、T5使T2、T3微导通，可消除交越失真。 R2为电流采样电阻，T6对T2起过流保护。当T2导通时，uBE6＝uBE2 ＋iOR－ uBE4，未过流时iOR较小，因uBE6小于开启电压T6截止；过流时6 因大于开启电压T6导通，为T2基极分流。T7对T3起过流保护，原因与上 述相同。 4.15 （1）为T1提供静态集电极电流、为T2提供基极电流，并为T1的 有源负载。 （2）T4截止。因为uB4＝uC1＝uO＋uR＋uB2＋uB3，uE4＝uO，uB4 ＜uE4。 （3）T3的射极电流，在交流等效电路中等效为阻值非常大的电阻。 （4）保护电路。uBE5＝iOR，未过流时T5电流很小；过流时使iE5＞ 50μA，T5更多地为T5的基极分流。 4.16 T1－共射电流的放大管，T2和T3－互补输出级，T4、T5、R2－ 消除交越失失真。 4.17 （1）u11为反相输入端，u12为同相输入端。 （2）为T1和T2管的有源负载，将T1管集电极电路变化量转换到输 出，使单端输出的放大倍数近似等于双端输出时的放大倍数。
T6 b e c NPN Ge
1.18 当uI＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，uO＝－UZ＝－5V。 当uI＝－5V时，晶体管饱和，uO＝0.1V。因为
1.19（a）可能 （b）可能 （c）不能 （d）不能，T会损坏。 （e） 可能 1.20 根据方程
逐点求出确定的uGS下的iD，可近似画出转移特性和输出特性。在输出 特性中，将各条曲线上uGD＝UGS（off）的点连接起来，便为予夹断线。
第五章 放大电路的频率响应
自测题
一、（1）A （2）B A （3）B A （4）C C 二、（1）静态及动态分析估算：
（2）估算：
（3）
（4），频率特性曲线略。 三、（1）60 103 （2）10 10 （3）
习题
5.1（1） ① ① （2） ① ① ① ③
5.2 5.3 5.4 （1）直接耦合； （2）三级； （3）当f＝104Hz时，φ’＝－135o；当f＝105Hz时，φ’＝－270o 。 5.5 5.6 （1）
4.6 4.7 在图（a）（b）所示电路中
图（a）中：
图（b）中： 4.8（1）T1和T2、组成的复合管为放大管，T5和T6为有源负载，双端 输入、单端输出的差分放大电路。 （2） 4.9 同题4.8。 4.10（1）
（2）当有共模输入电压时，uO=0。 Rc1＞＞rD，△uC1＝△uC2，因此△uBE3＝0，故uO=0。
习题
.1 （a）共射，共基 （b）共射，共射 （c）共射，共射 （d） 共集，共基
（e）共源，共集 （f）共基，共集 3.2 图（a）
图（b）
图（c）
图（d）
3.3 （1）（d）（e） （2）（c）（e） （3）（e）
3.4 图（a）
图（b）
3.5 图（c）
图（e）
3.6
3.7
3.8
3.9 （1）
（3）为T6设置静态电流，且为T6的集电极有源负载。 （4）消除交越失真。 4.18 （1）由T10、T11、T9、T8、T12、T13、R5构成。 （2）三级放大电路： T1～T4－共集-共基差分放大电路，T14～T16－共集-共射-共集电路， T23、T24－互补输出级。 （3）消除交越失真。UBE23＋UBE24＝UBE20＋UBE19
带载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝3V；最大不失真输出电压 峰值约为2.3V。 2.5（1）× （2）× （3）× （4）√ （5）× （6）× （7）× （8）√ （9）√ （10）× （11）× （12）√ 2.6 （1）6.4V （2）12V （3）0.5V （4）12V （5）12V 2.7
cbc小大大小
bec大小小大
2.2（a）将－VCC改为＋VCC 。
（b）在＋VCC 与基极之间加Rb。
（c）将VBB反接，且加输入耦合电容。
（d）在VBB支路加Rb，在－VCC与集电极之间加Rc。
2.3 图P2.3所示各电路的交流通路；将电容开路即为直流通路，图
略。
2.4空载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝6V；最大不失真输出电 压峰值约为5.3V。
.11 （1）C （2）C （3）B （4）A 4.12 因为UBE3＋UCE1＝2UD ，UBE1≈UD ，UCE1≈UD，所以UCB≈0，反 向电路为零，因此ICBO对输入电流影响很小。 4.13（1）因为β＞＞2，所以iC2≈iC1≈iI2 。 （2） iB3＝iI1－iC2≈iI1－iI2 （3）
（g）NPN型管，上-集电极，中-基极，下-发射极。
第三章 多级放大电路
自测题
一、（1）× （2）√√ （3）√× （4）× （5）√ 二、（1）A A （2）D A （3）B A （4）D B （5）C B 三、（1）B D （2）C （3）A （4）A C （5）B （6）C 四、（1）IC3＝（UZ－UBEQ3）/ Re3＝0.3mA IE1＝IE2＝0.15mA （2）减小RC2。 当uI＝0时uO＝0，ICQ4＝VEE / RC4＝0.6mA。
2.22 （1）求Q点：UGSQ＝VGG＝3V 从转移特性查得，当UGSQ＝3V时，IDQ＝1mA，UDSQ＝VDD
－IDQRD＝5V
（2）求电压放大倍数：
2.23
2.24 （a）× （b）× （c）NPN型管，上-集电极，中-基极，下-发射 极。
（d）× （e）× （f）PNP型管，上-发射极，中-基极，下-集电 极。
(2) Ri增大，Ri≈4.1kΩ；减小，≈－1.92。 2.14
2.15 Q点：
动态：
2.16
2.17 图略。 2.18 （1）求解Q点：
（2）求解电压放大倍数和输入电阻：
（3） 求解输出电阻： 2.19 (1)
(2)
2.20（a）源极加电阻RS。 （b）输入端加耦合电容，漏极加电 阻RD。
（c）输入端加耦合电容 （d）在Rg支路加－VGG，＋VDD改为 －VDD 2.21 （1）在转移特性中作直线uGS＝－iDRS，与转移特性的交点即 为Q点；读出坐标值，得出IDQ＝1mA，UGSQ＝－2V。 在输出特性中作直流负载线uDS＝VDD－iD（RD＋RS），与UGSQ＝－ 2V的那条输出特性曲线的交点为Q点，UDSQ≈3V。 （2）
4.14 图（a）所示电路中，D1、D2使T2、T3微导通，可消除交越失 真。
R为电流采样电阻，D2对T2起过流保护。当T2导通时，uD3＝uBE2 ＋iOR－ uD1，未过流时iOR较小， uD3因小于开启电压而截止；过流时 uD3因大于开启电压而导通，为T2基极分流。D4对T4起过流保护，原因 与上述相同。
四、（1）三级放大电路，第一级为共集-共基双端输入单端输出差分 放大电路，第二级是共射放大电路，第三级是互补输出级。
（2）第一级：采用共集-共基形式，增大输入电阻，改善高频特性； 利用有源负载（T5、T6）增大差模放大倍数，使单端输出电路的差模放 大倍数近似等于双端输出电路的差模放大倍数，同时减小共模放大倍 数。
小于其最小稳定电流，所以稳压管பைடு நூலகம்击穿。故
当UI＝15V时，由于上述同样的原因，UO＝5V。 当UI＝35V时，UO＝UZ＝5V。 （2）29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S闭合。 （2）
1.11 波形如图所示。
1.12 60℃时ICBO≈32μA。 1.13 选用β＝100、ICBO＝10μA的管子，其温度稳定性好。 1.14
第二级共射放大电路以T7、T8构成的复合管为放大管、以恒流源作集 电极负载，增大放大倍数。
第三级加偏置电路，利用D1、D2消除交越失真。 五、（1）① （2）③ （3）⑦ （4）② （5）⑥ （6）⑤ （7）④
习题
4.1 输入级、中间级、输出级和偏置电路。 输入级为差分放大电路，中间级为共射放大电路，输出级为互补电 路，偏置电路为电流源电路。 对输入级的要求：输入电阻大，温漂小，放大倍数即可能大。 对中间级的要求：放大倍数大。 对输出级的要求：带负载能力强，最大不失真输出电压即可能大。 4.2 uO 1V 10V 14V 14V -1V -10V -14V -14V 4.3 A1－通用型，A2－高精度型，A3－高阻型，A4－高速型。 4.4
UO＝UCE＝2V。 2、临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以
七、T1：恒流区；T2：夹断区；T3：可变电阻区。
习题
1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压 为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 ui和uo的波形如图所示。
第1章 半导体基础知识
自测题
一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、UO1≈1.3V UO2＝0 UO3≈－1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈－2V 四、UO1＝6V UO2＝5V 五、根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时 IC≈6.67mA，UCE＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将改点连 接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、
（2） △uO＝uO－UCQ1≈－1.23V
3.10
3.11 Ad＝－gmRD＝－40 3.12 Ri＝∞ 3.13
Ri＝∞
3.14 （1）
（2） 若Ui＝10mV，则Uo＝1V（有效值）。 若R3开路，则uo＝0V。若R3短路，则uo＝11.3V（直流）。
第四章 集成运算放大电路
自测题
一、（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A 二、（1）× （2）√ （3）√ （4）√ （5）× 三、
第二章 基本放大电路
自测题
一、（1）× （2）√ （3）× （4）× （5）√ （6）× （7）×
二、（a）不能。因为输入信号被VBB短路。 （b）可能
（c）不能。因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电
压之上，必然失真。
（d）不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。
（e）不能。因为输入信号被C2短路。
（f）不能。因为输出信号被VCC短路，恒为零。
（g）可能。
（h）不合理。因为G-S间电压将大于
零。
（i）不能。因为T截止。
三、（1）
（2）
四、（1）A （2）C （3）B （4）B
五、（1）C，D E （2）B （3）A C D （4）A B D E （5）C
（6）B C E，A D
六、
习题
2.1 e b c 大 大 中 大
1.15 晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如表
管号
T1
T2
T3
T4
T5
上
e
c
e
b
c
中
b
b
b
e
e
下
c
e
c
c
b
管型 PNP NPN NPN PNP PNP
材料 Si
Si
Si
Ge
Ge
1.16 当VBB＝0时，T截止，uO＝12V。 当VBB＝1V时，T处于放大状态。因为 当VBB＝3V时，T处于饱和状态。因为 1.17 取UCES＝UBE，若管子饱和，则
2.8（a）饱和失真，增大Rb，减小Rc。 （b）截止失真，减小Rb 。 （c）同时出现饱和失真和截止失真，增大VCC。 2.9 （a）截止失真 （b）饱和失真 （c）同时出现饱和失真和截止 失真 2.10 （1）
（2）
.11 空载时， .12 ② ① ② ① ③ ③②①③①
③③①③③ 2.13（1）静态及动态分析：
1.4 ui和uo的波形如图所示。
1.5 uo的波形如图所示。 1.6 ID＝（V－UD）/R＝2.6mA，rD≈UT/ID＝10Ω，Id＝Ui/rD≈1mA。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压 值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。 1.8 IZM＝PZM/UZ＝25mA，R＝UZ/IDZ＝0.24～1.2kΩ。 1.9 （1）当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，
1.21 1.22 过uDS为某一确定值（如15V）作垂线，读出它与各条输出特性的 交点的iD值；建立iD＝f（uGS）坐标系，根据前面所得坐标值描点连 线，便可得转移特性。 1.23 uI＝4V时T夹断，uI＝8V时T工作在恒流区，uI＝12V时T工作在 可变电阻区。 1.24 （a）可能 （b）不能 （c）不能 （d）可能
图（b）所示电路中，T4、T5使T2、T3微导通，可消除交越失真。 R2为电流采样电阻，T6对T2起过流保护。当T2导通时，uBE6＝uBE2 ＋iOR－ uBE4，未过流时iOR较小，因uBE6小于开启电压T6截止；过流时6 因大于开启电压T6导通，为T2基极分流。T7对T3起过流保护，原因与上 述相同。 4.15 （1）为T1提供静态集电极电流、为T2提供基极电流，并为T1的 有源负载。 （2）T4截止。因为uB4＝uC1＝uO＋uR＋uB2＋uB3，uE4＝uO，uB4 ＜uE4。 （3）T3的射极电流，在交流等效电路中等效为阻值非常大的电阻。 （4）保护电路。uBE5＝iOR，未过流时T5电流很小；过流时使iE5＞ 50μA，T5更多地为T5的基极分流。 4.16 T1－共射电流的放大管，T2和T3－互补输出级，T4、T5、R2－ 消除交越失失真。 4.17 （1）u11为反相输入端，u12为同相输入端。 （2）为T1和T2管的有源负载，将T1管集电极电路变化量转换到输 出，使单端输出的放大倍数近似等于双端输出时的放大倍数。
T6 b e c NPN Ge
1.18 当uI＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，uO＝－UZ＝－5V。 当uI＝－5V时，晶体管饱和，uO＝0.1V。因为
1.19（a）可能 （b）可能 （c）不能 （d）不能，T会损坏。 （e） 可能 1.20 根据方程
逐点求出确定的uGS下的iD，可近似画出转移特性和输出特性。在输出 特性中，将各条曲线上uGD＝UGS（off）的点连接起来，便为予夹断线。
第五章 放大电路的频率响应
自测题
一、（1）A （2）B A （3）B A （4）C C 二、（1）静态及动态分析估算：
（2）估算：
（3）
（4），频率特性曲线略。 三、（1）60 103 （2）10 10 （3）
习题
5.1（1） ① ① （2） ① ① ① ③
5.2 5.3 5.4 （1）直接耦合； （2）三级； （3）当f＝104Hz时，φ’＝－135o；当f＝105Hz时，φ’＝－270o 。 5.5 5.6 （1）