光刻技术
光刻技术
光刻机总体结构
照明系统 掩模台系统 环境控制系统 掩模传输系统 投影物镜系 统
自动对准系 统
调平调焦测 量系统 框架减振系 统
硅片传输系 统
工件台系统
整机控制系统
整机软件系统
图为CPU内部SEM图像
图为硅芯片集成电路放大图像
图为在硅片上进行的光刻图样
图为Intel 45nm高K金属栅晶体 管结构
SU-8交联示意图
正胶与负胶性能对比
正胶 缺点 （DQN） 特征 优点 优点 分辨率高、对比度好 粘附性差、抗刻蚀能力差、高成本 近紫外，365、405、435nm的波长曝 光可采用 良好的粘附能力、抗蚀能力、感光能 力以及较好的热稳定性。可得到垂直 侧壁外形和高深宽比的厚膜图形 显影时发生溶胀现象，分辨率差 对电子束、近紫外线及350-400nm紫 外线敏感
投影式印刷：在投影式印刷中，
用镜头和反光镜使得像聚焦到硅平 面上，其硅片和掩模版分得很开。
三种方法的比较
接触曝光：光的衍射效应较小，因而分辨率高；但易损
坏掩模图形，同时由于尘埃和基片表面不平等，常常存 在不同程度的曝光缝隙而影响成品率。
接近式曝光：延长了掩模版的使用寿命，但光的衍射效
应更为严重，因而分辨率只能达到2—4um 左右。
坚膜也是一个热处
理步骤。 除去显影时胶膜 吸收的显影液和水分， 改善粘附性，增强胶 膜抗腐蚀能力。 时间和温度要适 当。 时间短，抗蚀性 差，容易掉胶；时间 过长，容易开裂。
刻蚀就是将涂胶前所
沉积的薄膜中没有被 光刻胶覆盖和保护的 那部分去除掉，达到 将光刻胶上的图形转 移到其下层材料上的 目的。
等离子体去胶，氧气在强电场作用下电离产生的活性氧， 使光刻胶氧化而成为可挥发的CO2、H2O 及其他气体而被 带走。
光刻的四条技术路线
光刻的四条技术路线
1. 接触式光刻（Contact Lithography）：此技术路线将掩模直接与光刻胶接触，通过紫外光照射来传导图案。
接触式光刻具有高分辨率和高精度的特点，但会产生掩模和光刻胶之间的化学反应。
2. 脱接触式光刻（Proximity Lithography）：在脱接触式光刻中，光刻胶和掩模之间仅存在微小的距离，而不接触彼此。
当紫外光照射时，通过距离短暂拉近并拉开来传递图案。
脱接触式光刻比接触式光刻更容易控制化学反应，但相对于接触式光刻的分辨率和精度较低。
3. 投影式光刻（Projection Lithography）：这是最常用的光刻技术路线之一。
先通过光学方式将掩模上的图案投射到光刻胶的表面上。
投影式光刻的特点是具有高分辨率和高通量，但需要复杂的光学系统。
4. 电子束光刻（Electron Beam Lithography，EBL）：电子束光刻是一种高分辨率光刻技术，利用聚焦的电子束直接写入图案。
电子束光刻具有非常高的分辨率，但速度较慢，适用于制造高级芯片和小批量生产。
这些光刻技术路线在微电子器件制造中起着重要的作用，根据不同的需求和应用领域选择合适的技术路线。
简述光刻技术
简述光刻技术光刻技术是一种半导体加工技术，它被广泛应用于集成电路制造、平板显示器制造、MEMS（微机电系统）制造以及其他微纳米器件的制造中。
通过光刻技术，可以将图案投影到半导体材料表面上，然后使用化学刻蚀等工艺将图案转移到半导体材料上，从而制作出微小而精密的结构。
光刻技术的发展对现代电子工业的发展起到了关键作用，其不断提升的分辨率和精度，为微电子领域的发展提供了强大的支持。
光刻技术的基本原理是利用光学投影系统将图案投射到半导体材料的表面上。
该图案通常由一个硅片上的光刻透镜形成，这个硅片被称为掩膜，通过掩膜和投影光源的组合来形成所需的图案。
投影光源照射到掩模上的图案，然后通过光学投影系统将图案投影到待加工的半导体材料表面上，形成微小的结构。
在现代的光刻技术中，使用的光源通常是紫外线光源，其波长为193nm或者更短的EUV（极紫外光）光源。
这样的光源具有较短的波长，可以实现更高的分辨率，从而可以制作出更小尺寸的微结构。
光刻机的光学镜头和控制系统也在不断地提升，以满足对分辨率和精度的需求。
光刻技术在半导体制造中的应用主要包括两个方面，一是用于制作集成电路中的各种微小结构，例如晶体管的栅极、金属线路、电容等；二是用于制作各种传感器、MEMS等微纳米器件。
在集成电路制造中，光刻技术通常是在硅片上进行的，硅片经过多道工艺，将图案逐渐转移到硅片上，并最终形成完整的芯片。
在平板显示器制造中，光刻技术则是用于制作液晶显示器的像素结构；而在MEMS器件的制造中，光刻技术则是用于制作微机械结构和微流体结构。
光刻技术的发展受到了许多因素的影响，包括光学技术、光源技术、掩膜制备技术、光刻胶技术等。
在光学技术方面，光学投影系统的分辨率和变像畸变都会直接影响到光刻的精度；在光源技术方面，光刻机所使用的光源的波长和功率都会对分辨率和加工速度有直接影响；掩膜制备技术则影响到了掩模的制备精度和稳定性；光刻胶技术则直接影响到了图案的传输和转移过程。
光刻技术在芯片制造中的应用
光刻技术在芯片制造中的应用随着现代社会的高速发展，人们对于科技的需求也越来越大，尤其是在电子信息领域，芯片制造是其中的一个重要环节，而光刻技术则是芯片制造领域中不可或缺的一部分。
本文将从概念、原理、应用等方面对光刻技术的应用进行介绍。
一、光刻技术的概念光刻技术，也叫做半导体光刻技术，是一种利用光学成像原理将掩膜上图形的图案通过光源辐射投射在半导体芯片的光阻层上，从而完成芯片上图案的制造技术。
光刻技术广泛应用于各种微电子领域，如半导体、平板显示器、生物芯片等。
二、光刻技术的原理1.光刻机的结构光刻机通常由投光装置、掩膜装置、平台（光刻盘）和对准装置等部分组成。
其中，对准装置是最重要的部分之一，其作用是确保赋形图形与芯片表面对准达成实现。
2.光刻工艺流程光刻工艺主要包括掩膜制备、光刻、显影和清洗等步骤。
掩膜上的赋形图形是光刻机成像的模板，光刻机可以通过光学投影形成需要制造的结构。
3.光学成像原理光刻机的光学成像原理主要是把光按照投影的方式照射到芯片表面，使芯片表面的化学物质发生化学反应，从而形成可被加工厂制造的结构。
光刻机利用掩膜上的赋形图形，通过光学成像原理将该图形投影到芯片光刻层上达成实现。
三、光刻技术的应用光刻技术在微电子制造领域具有广泛的应用，主要涉及到集成电路、微结构加工、光学元件等。
具体应用如下：1.集成电路制造集成电路是信息工业的核心之一，其中光刻机对于芯片中的微小部件进行制造具有重要作用。
光刻参与到芯片中的多重工序中，光刻技术的精度、分辨率和快速度使得芯片能够在精细制造的过程中得越来越高的成品率。
2.光学元件制造光学元件是光电信息领域的重要组成部分，光刻技术制造光学细微结构的性能得到了广泛的应用。
光刻技术在光学元件中制造、微加工、改变特性等场合中有广泛的应用，使光学元件能够具有更好的性能和稳定性。
3.微结构加工微结构加工常常被使用到传感器和微系统中，光刻机对于这些微结构加工具有较好的应用。
光刻的工作原理
光刻的工作原理光刻技术是一种用于制造集成电路的重要工艺，其工作原理是利用光的作用将图案投射到硅片上，形成微小的电路结构。
本文将从光刻的原理、设备和应用等方面进行详细介绍。
一、光刻的原理光刻技术是利用光的干涉、衍射和透射等特性实现的。
首先，需要将待制作的电路图案转化为光学遮罩，通常使用光刻胶涂覆在硅片上，然后通过光刻机将光学遮罩上的图案投射到光刻胶上。
光刻胶在光的照射下会发生化学反应，形成光刻胶图案。
接下来，通过将光刻胶暴露在特定的化学溶液中，去除未曝光的光刻胶，得到所需的光刻胶图案。
最后，通过将硅片进行化学腐蚀或沉积等工艺步骤，形成微小的电路结构。
二、光刻的设备光刻机是光刻技术中最关键的设备之一。
光刻机主要由光源、光学系统、对准系统和运动控制系统等部分组成。
光源是产生紫外光的装置，通常使用汞灯或氙灯等。
光学系统由透镜、反射镜和光刻胶图案的投射系统等组成，用于将光学遮罩上的图案投射到光刻胶上。
对准系统是用于确保光刻胶图案和硅片之间的对准精度，通常采用显微镜和自动对准算法等。
运动控制系统是用于控制硅片在光刻机中的移动和旋转等。
三、光刻的应用光刻技术在集成电路制造中有着广泛的应用。
首先，光刻技术是制造集成电路中最关键的工艺之一，可以实现微米甚至纳米级别的电路结构。
其次，光刻技术还可以制作光学元件，如光纤、激光器等。
此外，光刻技术还被应用于平面显示器、传感器、光学存储器等领域。
四、光刻技术的发展趋势随着集成电路制造工艺的不断发展，光刻技术也在不断进步和改进。
首先，光刻机的分辨率越来越高，可以实现更小尺寸的电路结构。
其次，光刻胶的性能也在不断提高，可以实现更高的对比度和较低的残留污染。
此外，光刻技术还在朝着多层光刻、次波长光刻和非接触式光刻等方向发展。
光刻技术是一种利用光的特性制造微小电路结构的重要工艺。
光刻技术的原理是利用光的干涉、衍射和透射等特性实现的，通过光刻机将光学遮罩上的图案投射到光刻胶上，最终形成所需的电路结构。
第四章光刻技术
二,光刻版(掩膜版)
基版材料:玻璃,石英. 要求:在曝光波长下的透光度高,热膨胀系数 与掩膜材料匹配,表面平坦且精细抛光.
二,光刻版(掩膜版)
掩膜版的质量要求 若每块掩膜版上图形成品率=90%,则 6块光刻版,其管芯图形成品率=(90%)6=53% 10块光刻版,其管芯图形成品率=(90%)10=35% 15块光刻版,其管芯图形成品率=(90%)15=21% 最后的管芯成品率当然比其图形成品率还要低 ①图形尺寸准确,符合设计要求; ②整套掩膜版中的各块版应能依次套准,套准误差应尽可能小; ③图形黑白区域之间的反差要高; ④图形边缘要光滑陡直,过渡区小; ⑤图形及整个版面上无针孔,小岛,划痕等缺陷; ⑥固耐用,不易变形.
三,光刻机(曝光方式)
④1:1扫描投影光刻机(美国Canon公司)
三,光刻机(曝光方式)
⑤分步重复投影光刻机--Stepper DSW:direct-step-on-wafer ⅰ)原理: 采用折射式光学系统和4X~5X的缩小透镜. 曝光场:一次曝光只有硅片的一部分,可以大大 提高NA(0.7),并避免了许多与高NA有关的聚 焦深度问题,加大了大直径硅片生产可行性. 采用了分步对准聚焦技术.
一,光刻胶
4.感光机理 ①负胶
聚乙烯醇肉桂酸脂-103B,KPR
一,光刻胶
双叠氮系(环化橡胶)-302胶,KTFR
一,光刻胶
②正胶 邻-叠氮萘醌系-701胶,AZ-1350胶
二,光刻版(掩膜版)
掩膜版在集成电路制造中占据非常重要的地位,因为 它包含着欲制造的集成电路特定层的图形信息,决定 了组成集成电路芯片每一层的横向结构与尺寸. 所用掩膜版的数量决定了制造工艺流程中所需的最少 光刻次数. 制作掩膜版首先必须有版图.所谓版图就是根据电路 ,器件参数所需要的几何形状与尺寸,依据生产集成 电路的工艺所确定的设计规则,利用计算机辅助设计 (CAD)通过人机交互的方式设计出的生产上所要求 的掩膜图案.
光刻的应用领域
光刻的应用领域
1. 半导体芯片制造：光刻技术是制造集成电路（IC）的关键步骤之一。
通过将芯片设计投影到硅片上，利用光刻技术进行图形转移，形成微米级的电路结构和器件。
2. 平面显示器制造：光刻技术用于制造液晶显示器（LCD）、有机发光二极管显示器（OLED）等平面显示器。
通过光刻技术，在基板上制造导线、电极、像素点等微细结构。
3. 光子学：光刻技术被广泛应用于制造光学器件和光纤通信设备。
通过光刻技术制造微光学结构，如分光器、光栅、微透镜等。
4. 生物芯片制造：光刻技术可用于制造生物芯片和实验室微芯片。
通过光刻技术制造微细通道、微阀门等微流控结构，实现对微小液滴和生物分子的控制和分析。
5. 微机电系统（MEMS）制造：光刻技术在MEMS制造中起到关键作用。
通过光刻技术制造微米级的机械结构、传感器和执行器，实现微小机械和电子的集成。
6. 光刻制造设备：光刻技术的应用也推动了光刻设备的发展。
光刻机是一种关键的制造设备，能够将光刻胶的图形转移到硅片或其他基板上，并具备高分辨率、高精度和高速度等特性。
芯片制造中的光刻技术
01
光刻技术的基本原理及其在芯片制造中的重要性
光刻技术的发展历程及现状
光刻技术的起源
• 20世纪50年代，光刻技术起源于 美国贝尔实验室 • 20世纪60年代，光刻技术应用于 集成电路制造 • 20世纪70年代，光刻技术实现大 规模集成电路制造
光刻技术的发展阶段
• 20世纪80年代，光刻技术采用g 线光源，分辨率达到0.5微米 • 20世纪90年代，光刻技术采用i线 光源，分辨率达到0.35微米 • 21世纪初，光刻技术采用ArF光 源，分辨率达到193纳米
光刻胶材料的发展方向
• 光刻胶材料将实现更高分辨率、更高灵敏度、更高抗蚀性等方面的突破 • 光刻胶材料将采用新型材料、新工艺等创新手段
04
光刻工艺过程中的关键技术
光刻工艺的基本流程及关键技术点
光刻工艺的基本流程
• 光刻工艺包括光刻胶涂覆、对准、曝 光、显影、刻蚀等步骤 • 光刻工艺需要实现工艺参数的优化和 协同
• 光刻胶材料将实现更高分辨率、更高敏感度、更低成本 • 光刻设备材料将实现更高精度、更高稳定性、更低损耗
光刻技术面临的挑战及应对策略
• 光刻技术将面临光源、材料、工艺等方面的挑战 • 光刻技术将采用创新技术、优化工艺、提高产线自动化等手段应对挑战
02
光刻设备及其工作原理
光刻设备的分类及特点
01
谢谢观看
THANK YOU FOR WATCHING
光刻设备的工作原理
• 光刻设备通过光源照射光刻胶，实现图 形的转移和复制 • 光刻设备通过曝光、显影、刻蚀等工艺 实现图形的转移和复制
光刻设备的工艺流程
• 光刻设备的工艺流程包括光刻胶涂覆、 对准、曝光、显影、刻蚀等步骤 • 光刻设备的工艺流程需要实现工艺参数 的优化和协同
LED芯片制造之光刻简介
02
光刻技术简介
光刻技术原理
01
光刻技术原理是将设计好的图案 通过光刻机投影到光敏材料上， 利用光的能量将图案转移到光敏 材料上，形成电路图样。
02
光刻技术利用光的干涉和衍射原 理，通过精确控制曝光时间和角 度，实现高精度、高分辨率的图 案转移。
光刻技术的应用领域
光刻技术广泛应用于集成电路、微电 子器件、平板显示等领域，是制造 LED芯片、集成电路、微电子器件等 的关键技术之一。
合小批量、高精度制造。
速度
电子束曝光技术的制造速度相对 较慢，而光刻技术具有较高的生
产效率。
光刻技术与离子束曝光技术的比较
分辨率
离子束曝光技术具有更 高的分辨率，因为它使 用离子束而非光学波束 进行曝光。
适用范围
离子束曝光技术适用于 制造高精度、高附加值 的微纳器件，而光刻技 术在LED芯片制造等领 域应用广泛。
05
02
表面处理技术
对外延片表面进行处理，可以提高表面质量， 减少缺陷和杂质，提高LED芯片的发光效率。
04
刻蚀与剥离技术
刻蚀和剥离技术是制造LED芯片的重 要环节，需要精确控制刻蚀深度和剥 离方向。
06
切割与研磨技术
将LED芯片从衬底上切割下来并进行研磨和抛 光处理，可以提高芯片表面的平整度和光洁度。
镀透明电极层
在LED外延片的表面上镀 一层透明导电膜，作为电 极的接触层。
LED芯片制造流程
刻蚀与剥离
镀膜与蒸镀
切割与研磨
将LED外延片进行刻蚀 和剥离，形成器件结构。
在LED芯片表面镀上金 属膜和介质膜，并进行 金属和透明电极的蒸镀。
将LED芯片从衬底上切 割下来，并进行研磨和
半导体光刻技术原理
半导体光刻技术原理
半导体光刻技术是一种制造集成电路（IC）的关键工艺，其原理
可以概括为以下几个步骤：
1. 光刻胶涂覆：首先，在半导体晶片表面涂覆一层光刻胶，光
刻胶是一种感光聚合物材料。
这一步的目的是将光刻胶涂覆在晶片上，形成一个平整的薄膜。
2. 接触或光刻机对齐：将掩膜（即芯片的图案）和晶片通过接
触方式或光刻机对齐，确保图案准确地投射到光刻胶层上。
3. 曝光：通过强光源，将光刻胶层中未被掩模遮挡的部分进行
曝光，使其变化。
在半导体中，光刻胶中有两种常见的类型：正型光
刻胶和负型光刻胶。
正型光刻胶在曝光后变得难以溶解，而负型光刻
胶在曝光后变得容易溶解。
4. 显影：将已曝光的光刻胶表面进行显影处理。
对正型光刻胶
来说，通过显影剂将未曝光区域的光刻胶去除，暴露出底部的晶片表面。
对负型光刻胶来说，未曝光的区域的光刻胶被保留下来。
5. 刻蚀或镀膜：通过化学刻蚀或物理镀膜等方式，将暴露的晶
片表面进行加工，例如在半导体中形成导线或沟槽等细微结构。
这一
步骤通常需要使用一系列化学和物理过程。
通过上述步骤的重复，可以逐步在晶片上形成多层结构，最终制
造出具有丰富功能的集成电路芯片。
这样的芯片可以完成各种计算和
存储任务，成为现代电子设备的核心。
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一、光刻材料及设备 二、光刻工艺 三、刻蚀工艺 四、光刻质量检测
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光刻是一种将图像复印同刻蚀相结合的综合性技术。先 用照像复印的方法，将光刻掩膜的图形精确的复印到涂覆在 介质（多晶硅、氮化硅、二氧化硅、铝等介质薄层）表面上 的光致抗蚀剂（光刻胶）上面。然后，在光致抗蚀剂的保护 下对待刻材料进行选择性刻蚀，从而在待刻蚀材料上得到所 需的图形。集成电路的制造过程中需要经过许多次的光刻， 所以，光刻环节的质量是影响集成电路性能、成品率以及可 靠性的关键因素之一。
此外，还有将掩膜版与wafer合二为一的复合掩膜版， 也叫原位掩膜版；在传统掩膜版的基础上增加了相移层的相 移掩膜版；X射线掩膜版等不同类型的掩膜版 。
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光刻对准曝光方式
光刻对准曝光的发展经历了五个阶段，接触式曝光、接 近式曝光、投影式曝光、扫描投影式曝光以及步进扫描投影 曝光。
接触式曝光是最早期的光刻机，结构简单，生产效率 高，曝光时掩膜版和wafer上的光刻胶直接接触。接近式曝 光，掩膜版与wafer之间约有2.5 ~25μm 的距离。投影 式曝光，接触式和接近式曝光由于污染、衍射、分辨率等问 题都已不再使用，投影式曝光仍然广泛使用。投影式曝光又
行缩小投影式曝光。
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这种曝光方式分辨率高、掩膜版制作容易、工艺容限 大，而且生产效率高，但由于电子束在光刻胶膜内的散射， 使得图案的曝光剂量会受到临近图案曝光剂量的影响（即临 近效应），造成的结果是，显影后，线宽有所变化或图形畸 变。虽然如此，限角度投影式电子束光刻仍是目前最具前景 的非光学光刻 。
变形等。X射线曝光的发展空间也很大。
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3.离子束曝光 离子束曝光是将聚焦后的离子束投影到光刻胶上达到曝
光的目的。离子束和电子束同样具有很高的分辨率，而且因 为离子的质量比电子大，所以在光刻胶中的散射要比电子束 弱的多，可达到50nm的高分辨率。
主要为基板和不透光材料。以下是基本的制造流程： （1）制备空白版，常见的空白版有铬版、氧化铁版、超微
粒干版三种； （2）数据转换，将IC版图经过分层、运算、格式等步骤转
换为制版设备所知的数据形式； （3）刻画，利用电子束或激光等通过原版对空白版进行曝
光，将图形转移到光刻胶上，即刻画；
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（4）形成图形，对铬膜、氧化铁膜或明胶等进行刻蚀，形 成图形，最后除去残胶； （5）检测与修补，测量关键尺寸，检测针孔或残余遮光膜 等缺陷并对其进行修补； （6）老化与终检，在200～300℃的温度下烘烤几个小 时，对其进行老化。
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2.X射线曝光 X射线曝光选用的是特殊材质的X射线掩膜版。X射线
经过专用掩膜版投射到wafer上，与光刻胶作用达到曝光的 效果。X射线的衍射、反射、折射以及散射都很小，很适合 亚微米尺寸的曝光。其优点有：分辨率高，可实现纳米工 艺；对于小尺寸工艺，其衍射现象可以忽略；穿透力强，不 会污染wafer等。缺点是光刻机以及掩膜版制作麻烦； wafer对准比较困难；X射线能量太高，会使掩膜版热膨胀
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光刻胶
光刻胶（PR）也叫光致抗蚀剂，受到光照后其特性会 发生改变。可用来将掩膜版上的图形转移到基片上，也可作 为后序工艺时的保护膜。光刻胶有正胶和负胶之分，正胶经 过曝光后，受到光照的部分会变得容易溶解，经过显影处理 之后被溶解，只留下光未照射的部分形成图形；而负胶和正 胶恰恰相反。
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1.光刻胶组成 （1）感光剂，感光剂是光刻胶的核心部分，曝光时间、光 源所发射光线的强度都根据感光剂的特性选择决定的； （2）增感剂，感光剂的感光速度都较慢，生产上效率太 低，因此向光刻胶中添加了提高感光速度的增感剂； （3）聚合树脂，聚合树脂用来将其它材料聚合在一起的粘 合剂，光刻胶的粘附性、胶膜厚度等都是树脂给的； （4）溶剂，感光剂和增感剂都是固态物质，为了方便均匀
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光刻掩膜版
掩膜版质量的优劣直接影响光刻图形的质量。在IC制造 中需要经过多次光刻，每次光刻都需要一块掩膜版，每块掩 膜版都会影响光刻质量，光刻次数越多，成品率就越低。所 以，要有高的成品率，就必须制作出品质优良的掩膜版，而 且一套掩膜版中的各快掩膜版之间要能够相互精确的套准。
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1.掩膜版的制备流程 掩膜版有铬版(chrome)、超微粒干版、氧化铁版等，
分为扫描投影曝光和步进扫描曝光。
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ห้องสมุดไป่ตู้
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步进投影曝光方式有很多优点，掩模版寿命加长、掩 模制造简单、分辨率高，但对环境的要求非常高，微小的 振动都会影响曝光精度；而且光路复杂，设备昂贵。
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非光学曝光
1.电子束曝光 由于电子束在电磁场的作用
下可以聚焦、偏转一定的角度， 所以，电子束曝光是很重要的曝 光方法。目前，最有应用前途的 是限角度投影式电子束光刻。限 角度投影式电子束光刻利用散射 式掩膜版通过步进扫描光刻机进
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2.掩膜版的质量要求 （1）图形尺寸要精确，间距符合要求，而且不能发生畸变； （2）各块掩膜版间要能够精确地套准，对准误差尽可能小； （3）图形边缘清晰，过渡小，无毛刺，透光区与遮光区的 反差要大； （4）掩膜版的表面光洁度要达到一定的要求，无划痕、针 孔、小岛等缺陷，掩膜版还要坚固耐磨、不易变形。
的涂覆，要将它们加入溶剂进行溶解，形成液态物质。
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2.光刻胶的物理特性 （1）分辨率，是指光刻胶可再现图形的最小尺寸； （2）对比度，是指光刻胶对光照区与非光照区间的过渡； （3）灵敏度，是光刻胶要形成良好的图形所需入射光的最
低能量； （4）粘滞性，与时间有关，光刻胶中的溶剂挥发会使粘滞
性增加； （5）粘附性，粘附性是指光刻胶与基片之间的粘着强度； （6）抗蚀性，化学稳定性一定要很高，能抵抗各种腐蚀。
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3.几种掩膜版 常见的传统掩膜版有乳胶掩膜版、硬面铬膜掩膜版以及
抗反射铬膜掩膜版三种。 乳胶掩膜版是在玻璃衬底上涂覆一层光
敏乳胶，再经过图形转移而成； 硬面铬膜掩膜版是在石英玻璃上溅射
一层厚约60nm左右的铬膜，再经过图形 转移而成；
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为了提高掩膜版的分辨率、降低掩膜 版对光的反射，在硬面铬膜掩膜版的铬膜 上增加了一层厚约20nm的氧化铬膜，这 种就是抗反射铬膜掩膜版。