0.1 GHz～18 GHz单电源宽带低噪声放大器
OPA188运算放大器说明书
145125105856545255O f f s e t V o l t a g e (V )m -55-15525125Temperature (C)°-35456585105ProductFolder Order NowTechnical Documents Tools &SoftwareSupport &CommunityOPA188ZHCSB21B –MARCH 2013–REVISED SEPTEMBER 2016OPA188高精度、低噪声、轨至轨输出、36V 、零漂移运算放大器1特性•低失调电压：25μV （最大值）•零漂移：0.03μV/°C •低噪声：8.8nV/√Hz–0.1Hz 至10Hz 噪声：0.25μV PP •出色的DC 精度：–电源抑制比(PSRR)；142dB –共模抑制比(CMRR)：146dB –开环路增益：136dB •增益带宽：2MHz•静态电流：510μA （最大值）•宽电源电压：±2V 至±18V •轨至轨输出•输入包括负电源轨•已过滤射频干扰(RFI)的输入•微型尺寸封装2应用•桥式放大器•应力计•传感器应用•温度测量•电子称•医疗仪表•电阻温度检测器3说明OPA188运算放大器采用TI 的专有自动归零技术，以提供低失调电压（最大为25μV ）并随时间推移和温度变化而实现接近零漂移的性能。
此高精度低静态电流微型放大器提供高输入阻抗和摆幅为电源轨15mV 之内的轨到轨输出。
输入共模范围包括负电源轨。
单电源或双电源可在4V 至36V （±2V 至±18V ）范围内使用。
单通道版本采用微型SOT-23-5、MSOP-8和SO-8封装。
所有版本的额定工作温度范围均为-40°C 至+125°C 。
器件信息(1)器件型号封装封装尺寸（标称值）OPA188SOIC (8) 4.90mm x 3.91mm SOT-23(5) 2.90mm ×1.60mm VSSOP (8)3.00mm ×3.00mm(1)要了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的封装选项附录。
SX502MQ 低噪声宽带放大器 说明书、使用手册
SX502MQ 低噪声宽带放大器产品说明书、使用手册V.20151126产品用途及应用范围● 无线通信接收/发射系统 ● 射频或中视频信号处理系统产品特点● 双极工艺制作● 输入/输出50Ω阻抗匹配 ● 器件电压低：4.2 V (典型值) ● 工作频带宽：10MHz~4.0GHz● 输出1dB 压缩点较高：(典型值)产品描述SX502MQ 是采用双极工艺制作的射频放大器。
该产品具有工作频带宽、噪声系数较低、器件电压低、温度性能好等特点。
它通过外接偏置电阻实现可调节的单电源供电，使用简单方便，适用于各种常规电源电压工作的射频或中频信号处理系统。
该产品采用4引线ST31B 封装。
该产品电原理图如下：①③②、④图1 电原理图标准● 总规范及编号：GJB 597A-1996《半导体集成电路总规范》● 详细规范及确认号：Q/UC 965-2013《半导体集成电路SX502MQ 型低噪声宽带放大器详细规范》 ● 质量等级： 除静电、盐雾、水汽除外产品检验按B 级控制产品外形图和实物图片图2 外形图 图3 实物图片单位为毫米引出端排列（俯视图）413图4 引出端排列引出端功能符号表产品标识1图5 产品标识图推荐工作条件● 器件电压(V D ):4.2V ● 电源电流(I D ):68mA● 工作频率范围(f ):10MHz~4.0GHz ● 外壳温度(T C ):-55℃~125℃性能指标除另有规定外，V CC =15V ，R =160Ω，Z I =Z O =50Ω，-55℃≤T A ≤125℃。
绝对最大额定值● 电源电流(I D ):80mA ● 射频输入功率(P I ):-5dBm ● 贮存温度(T stg ): -65℃~150℃ ● 热阻(θJC ):150℃/W ● 引线耐焊接温度(T h ):300℃主要特性曲线图（电特性测试图）若无其它说明，测试条件均为T A=25℃，V CC/R bias=15V/160 ，Lc选用RF choke TCCH-80，输入/输出耦合电容选用0.1uF。
TP2411 TP2412 TP2414 3PEAK低噪运算放大器中文资料下载
TP2411/TP2412/TP2414描述：TP2411，TP2412和TP2414是低成本，单路，双路和四路轨到轨输出，单电源放大器，具有低失调和输入电压，低电流噪声和宽信号带宽。
低失调，低噪声，非常低的输入偏置电流和高速的结合使这些放大器可用于各种应用。
滤波器，积分器，光电二极管放大器和高阻抗传感器都受益于这种功能组合。
音频和其他交流应用受益于这些设备的宽带宽和低失真。
这些放大器的应用包括功率放大器（PA）控制，激光二极管控制环路，便携式和环路供电的仪器，便携式设备的音频放大以及ASIC输入和输出放大器。
TP2411/TP2412/TP2414特点：增益带宽积：10 MHz低噪声：8.2 nV /√Hz（f = 1kHz）摆率：7 V /μs失调电压：1 mV（最大）EMIRR IN +：88 dB（在2.4GHz下）低THD + N：0.0005％电源范围：2.2 V至5.5 V电源电流：1.4 mA / ch低输入偏置电流：0.3pA（典型值）轨到轨I / O高输出电流：70 mA（1.0V压降）–40°C至125°C的工作范围Features Description增益带宽积：10 MHz低噪声：8.2 nV /√Hz（f = 1kHz）摆率：7 V /μs失调电压：1 mV（最大） EMIRR IN +：88 dB（在2.4GHz下）TP2411，TP2412和TP2414是低成本，单，双和四轨至轨输出，单电源放大器，具有低失调和输入电压，低电流噪声和宽信号带宽。
低失调，低噪声，非常低的输入偏置电流和高速的结合使这些放大器可用于多种应用。
滤波器，积分器，光电二极管放大器和高阻抗传感器都受益于这种功能组合。
音频和交流应用受益于这些设备的宽带宽和低失真。
低THD + N：0.0005％电源范围：2.2 V至5.5 V 电源电流：1.4 mA / ch 低输入偏置电流：0.3pA （典型值）轨到轨I / OTP2411，TP2412和TP2414是低成本，单，双和四轨至轨输出，单电源放大器，具有低失调和输入电压，低电流噪声和宽信号带宽。
2 GHz～18 GHz宽带有源巴伦芯片设计
2 GHz～18 GHz宽带有源巴伦芯片设计作者：杨楠杨旭达来源：《现代信息科技》2022年第06期摘要：对宽带有源巴伦电路结构进行了研究，基于0.13 μm GaAs pHEMT工艺，采用电磁仿真软件设计一款2 GHz～18 GHz单片集成宽带有源巴伦芯片。
经过流片加工及装配测试，有源巴伦芯片在2 GHz～18 GHz工作频段范围，输入到两输出端小信号增益分别为3.0 dB～3.5 dB、3.5 dB～4.7 dB，两输出端口幅度差≤1.2 dB，相位差180±5°以内，输出P1 dB功率值大于4 dBm，直流功耗约5 V/50 mA。
芯片尺寸为1.4 mm×1.9 mm×0.07 mm。
实测与仿真结果具有一定的一致性。
关键词：单片集成;有源巴伦;幅度差;相位差中图分类号：TN43 文献标识码：A文章编号：2096-4706（2022）06-0058-04Design of 2 GHz～18 GHz Broadband Active Balun ChipYANG Nan， YANG Xuda（The 13th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation，Shijiazhuang 050051， China）Abstract：This paper researches the broadband active balun circuit structure. Based on 0.13 μm GaAs pHEMT process， a 2 GHz～18 GHz monolithic integration broadband active balun chip is designed by adopting electromagnetic simulation software. After flow chip processing and assembly testing， the active baron chip operates in the frequency band range of 2 GHz～18 GHz， the small signal gain of the input to the two outputs is 3.0 dB～3.5 dB and 3.5 dB～4.7 dB respectively. The amplitude difference between the two output ports is less than or equal to 1.2 dB and phase difference is less than 180±5°. The output P1dB power value is greater than 4 dBm， and the DC power consumption is about 5 V/50 mA. The chip size is 1.4 mm×1.9 mm×0.07 mm. There is certain consistency between the measured and simulation result.Keywords： monolithic integration; active balun; amplitude difference; phase difference0 引言伴隨着当今社会信息化的快速发展，无线通信技术已经广泛应用在各个领域，如通信网络、定位系统、无线局域网、蓝牙等等，这些已经成为生活中不可或缺的部分。
ADA4817
CONNECTION DIAGRAMS
ADA4817-1
TOP VIEW (Not to Scale) PD 1 FB 2 –IN 3 +IN 4 8 +VS 7 OUT 6 NC 5 –VS NC = NO CONNECT
07756-001
图1. 8引脚LFCSP (CP-8-2)
应用
光电二极管放大器 数据采集前端 仪器仪表 滤波器 ADC驱动器 CCD输出缓冲器
–IN1 1 +IN1 2 NC 3 –VS2 4
OUT2 5 +VS2 6 PD2 7 FB2 8
12 –VS1 11 NC 10 +IN2 9 –IN2
NC = NO CONNECT
概述
ADA4817-1（单通道）和 ADA4817-2（双通道） FastFET™ 放大器是具有FET输入的单位增益稳定、超高速电压反馈 型放大器。这些放大器采用 ADI公司的专有超快速互补双 极性(XFCB)工艺进行开发，这一工艺可使放大器实现超低 的噪声（4 nV/√Hz；2.5 fA/√Hz）及极高的输入阻抗。 ADA4817-1/ADA4871-2具有1.3 pF的输入电容、4 nV/√Hz 的低噪声、最大2 mV的低失调电压，以及1050 MHz的−3 dB带宽，非常适合数据采集前端及宽带跨导应用，如光电 二极管前置放大器等。
ADA4817-1
TOP VIEW (Not to Scale)
8 7 6 5
PD +VS OUT
07756-002
NC
NC = NO CONNECT
图2. 8引脚SOIC (RD-8-1)
ADA4817-2
低噪声放大器
低噪声放大器1. 引言低噪声放大器（Low-Noise Amplifier，LNA）是一种广泛应用于无线通信系统中的重要电路器件。
它的主要功能是将来自天线的微弱信号放大到一个足够强度，以便后续电路可以有效地处理。
在无线通信系统中，LNAs通常作为接收链路的第一级放大器，承担着放大微弱信号、增加系统灵敏度、提高信噪比的关键任务。
本文将介绍低噪声放大器的工作原理、性能指标以及常见的设计技术，希望能帮助读者更好地理解和应用低噪声放大器。
2. 工作原理低噪声放大器的工作原理与一般放大器相似，都是通过引入外部直流电源，利用放大元件（例如晶体管）的放大特性，将输入信号放大到所需的幅度。
与一般放大器不同的是，低噪声放大器在设计上注重将输入端的噪声最小化。
这是因为在无线通信系统中，接收链路中的噪声是非常重要的考量因素。
LNAs需要尽可能地放大微弱信号，同时不引入过多的噪声，以保持系统的信噪比。
为了实现低噪声的放大，低噪声放大器采用了一系列的设计技术和电路拓扑。
接下来，我们将介绍一些常见的设计技术。
3. 设计技术3.1 硅锗杂化放大器硅锗杂化放大器是一种常见的低噪声放大器设计技术。
它采用硅和锗两种材料的结合，兼具硅和锗的优点。
硅材料具有良好的集成性能和工艺制造能力，而锗材料具有较高的迁移率和较低的噪声系数。
因此，硅锗杂化放大器能够在保持良好集成性能的同时，实现较低的噪声指标。
3.2 噪声系数优化噪声系数是衡量低噪声放大器性能的重要指标之一。
为了优化噪声系数，设计者可以采用一系列的技术手段，例如：•尽量采用低噪声的放大元件，例如高迁移率的晶体管；•优化电源的供电电压和电流，以减小噪声；•使用电流源对放大电路进行偏置，以提高放大器的线性度。
3.3 反馈放大器设计反馈放大器是一种常用的放大器设计技术，也可以应用于低噪声放大器的设计中。
通过适当选择反馈回路的参数和拓扑结构，可以有效地减小放大器的噪声系数。
在反馈放大器中，一部分输出信号经过反馈回路与输入信号相叠加，形成反馈信号，从而减小噪声。
5V单电源供电的宽带低噪声放大器
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图 ４ Ｄ ３ 的内部结构 图 Ａ ６７ ２ 正弦电压有效值的计算 ． ４
（ 下转第 １９ ） １页
联。
经 过 查 阅 手 册 ， Ｐ ８ ０ 的 ＧＢ 为 ４ ０ ＯＡ２ Ｐ ８ Ｍ， 由 两 级 Ｏ Ａ ２ 和 Ｐ ８０ Ｔ ３９ ＨＳ ０ １级联 ， 以达 到 题 目要求 。 足 ２２各级放大 电路的外围电路计算 ＿
图 ２Ｏ Ａ ２ Ｐ ８ ０芯 片 电路 图 １系统 结 构 框 图 １ － 现 方法 ３实 此 次 运 用 三 级放 大 实 现 放 大倍 数 至少 为 ４ ｄ ０ ｂ的要 求 。 所 有 方法 给 器加一个基准电压， 实现 了单 电 源 芯 片 。 由于 第 三 级 需 要 ＋ ５ 供 电所 １Ｖ
ｖ＝ ｏ０＋ ｖ
以加个 Ｄ — Ｃ变换器 Ｔ Ｓ １８ Ｄ ＣＤ Ｐ ６ ０ ７ ＲＣ为末级放大电路供 电。用 ＡＤ ３ ６７ 测量输 出电压峰峰值 和有效值 ， 在运用 Ｍ Ｐ ３ Ｓ ４ ０显示 出来 。 １ ． ４方案选择 １． ． １运算 放 大 部 分 ４ 方案一 ：二级放大 ， Ｐ ２ 为第一级 ， Ｈ ３ ９ 作为末 级放 大。 Ｏ Ａ８０作 Ｔ Ｓ０ １ 此种方法电路简单 ， 但是二级放大带宽减小 的很厉害。 方案二 ： 多级放 大（ 不含三级 ） 此种方法带宽够大 ， 。 但是 电路复杂。 方 案 三 ： 放 大 。 两级 用 Ｏ Ａ ２ ， Ｐ ８ ０的 Ｇ Ｐ为 ４ ０ 由 三级 前 Ｐ ８０Ｏ Ａ ２ Ｂ ８ Ｍ， 两 级 Ｏ Ａ８０和 Ｔ Ｓ ０ １ 联 ， 以达 到 题 目要 求 。 Ｐ ２ Ｈ ３９ 级 足 １． ． ２测量有效值部分 ４ 方 案 一 ： 用 高 速 Ａ Ｃ对 电压 进 行 采 样 ， 一 周 期 内 的数 据 输 入 利 Ｄ 将 单片机并计算其 均方根值 ， 即可得出电压有效值 ：
超低噪声宽带运算放大器LMH6624
超低噪声宽带运算放大器LMH6624[超低噪声宽带运算放大器LMH6624]ＬＭＨ６６２４是美国国家半导体公司推出的一种超低噪声宽带运算放大器ＩＣ，超低噪声宽带运算放大器LMH6624。
该器件的主要应用领域包括仪器传感器放大器、超声预放大器、磁带与磁盘前置放大器、宽带有源滤波器、专业音频系统、光纤放大器及医疗诊断系统等。
１主要性能参数ＬＭＨ６６２４是经改进的ＣＬＣ４２５的替代器件，其主要性能与特点如下：●噪声极低；●使用±２．５～±６Ｖ双电源或５～１２Ｖ单电源工作，在ＶＳ为±２．５Ｖ时的电源抑制比(ＰＳＲＲ)典型值为９０ｄＢ，无载电源电流(Ｉｓ)典型值是１１．４ｍＡ；●增益带宽(ＧＢＷ)达１．５ＧＨｚ，输入电压噪声低至０．９２ｎＶ√Ｈｚ，输入电流噪声ｉｎ典型值为２．３ｐＡ√Ｈｚ；●在电源电压ＶＳ为±６Ｖ时，输入失调电压ＶＯＳ为±０．１ｍＶ温度漂移为±０．１μＶ／℃ ，输入失调电流ＩＯＳ典型值为０．０５μＡ温度漂移为０．７ｎＡ／℃ ；●开环增益为８１ｄＢ典型值时，共模抑制比ＣＭＲＲ达９５ｄＢ，压摆率ＳＲ为３５０Ｖ／μｓ；●输出电压摆幅在ＶＳ为±６Ｖ下的典型值为±４．９Ｖ，输出电流典型值是１００ｍＡ，输出短路电流为１５６ｍＡ；●采用８引脚ＳＯＩＣ或５引脚ＳＯＴ２３封装，引脚排列分别如图１(ａ)和图１(ｂ)所示，电子通信论文《超低噪声宽带运算放大器LMH6624》。
◆分享好文◆２应用简介２．１在较低增益(ＡＶ＜１０Ｖ／Ｖ)下的补偿在较低的增益下使用ＬＭＨ６６２４时，应在其外部进行补偿。
对于同相放大器电路，可以在反馈电阻Ｒｆ两端并联一只适当的电容Ｃｆ，如图２所示。
设置补偿电容Ｃｆ能使频率响应削减至１ｄＢ以下。
２．２单电源工作电路ＬＭＨ６６２４的单电源工作电路如图３所示。
放大器的输入和输出都采用电容耦合来设置ＤＣ增益。
ＩＣ同相输入端上的ＤＣ电压为Ｖｃｃ／２，输出端电压为：ＶＯＵＴ＝Ｖｃｃ／２＋ＡｖＶＡＣ。
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0.1 GHz～18 GHz单电源宽带低噪声放大器作者：杨楠杨琦刘鹏来源：《现代信息科技》2022年第08期摘要：基于GaAs增強型pHEMT工艺，设计了一款单电源供电、工作频率覆盖0.1 GHz～18 GHz单片集成宽带低噪声放大器芯片。
在同一芯片上集成分布式低噪声放大器和有源偏置电路，通过有源偏置电路为分布式放大器提供栅压实现放大器单电源供电。
在片测试结果表明，放大器在+5 V工作电压下，工作电流60 mA，在0.1 GHz～18 GHz工作频段范围内实现小信号增益18 dB，输出P1 dB（1 dB压缩点输出功率）典型值12 dBm，噪声系数典型值2.5 dB。
放大器的芯片尺寸为2.4 mm×1.0 mm×0.07 mm。
关键词：增强型pHEMT;单电源;宽带;分布式放大器;有源偏置中图分类号：TN722 文献标识码：A文章编号：2096-4706（2022）08-0045-040.1 GHz～18 GHz Single Supply Broadband Low Noise AmplifierYANG Nan， YANG Qi， LIU Peng（the 13th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation，Shijiazhuang 050051， China）Abstract： Based on GaAs enhanced pHEMT process， a monolithic integrated broadband low noise amplifier chip with single power supply and working frequency covering 0.1 GHz～18 GHz is designed. The distributed low noise amplifier and active bias circuit are integrated on the same chip. It provides the gate voltage for the distributed amplifier to realize the single power supply of the amplifier through active bias circuits. The on-chip test results show that under the working voltage of + 5 V， the working current of the amplifier is 60 mA， the small signal gain is 18 db in the working frequency band of 0.1 GHz～18 GHz， the typical value of output P1 db （1dB compression point output power） is 12 dbm， and the typical value of noise coefficient is 2.5 dB. The chip size of the amplifier is 2.4 mm×1 0 mm×0. 07 mm.Keywords： enhanced pHEMT; single supply; broadband; distributed amplifier; active bias0 引言伴随着当今社会信息化的快速发展，无线通信技术已经广泛应用在各个领域，如通信网络、定位系统、无线局域网、蓝牙等等，这些已经成为生活中不可或缺的部分。
尤其是近年来，光纤通信系统、高速率数据传输系统和宽带电磁频谱监测等系统对宽带接收机芯片的需求越来越迫切。
而宽带低噪声放大器作为接收机系统的关键器件之一，其工作频段范围制约着整个接收机系统的性能，因此宽带低噪声放大器有很大的研究空间。
目前频率范围覆盖0.1 GHz～18 GHz宽带低噪声放大器芯片，一般需要双电源供电，即提供栅电压和漏电压。
且由于工艺参数的波动，同一批次的芯片在固定栅压条件下，放大器增益、功率等可能会有较大的波动，需要通过微调栅压使放大器实现最佳性能。
因此在实际工程使用中，双电源放大器需要提供额外的栅偏置电路和上电时序电路，且需要调整栅压值实现放大器的良好性能，这在一定程度上增加了装配工序和调试难度。
本文设计了一款工作在0.1 GHz～18 GHz单电源宽带低噪声放大器芯片，电路采用GaAs 增强型pHEMT工艺，将分布式放大器和有源偏置电路一片式集成设计，实现宽带放大器的单电源供电，提高芯片幅度一致性，减少宽带放大器在工程应用的装配工序和调试工作，提高产品可靠性。
1 分布式放大器设计分布式放大器作为一种超宽带放大器主要实现方式之一，具有增益平坦、驻波好、体积小等优点，其结构示意图如图1所示。
当射频信号通过输入人工传输线（栅线）为一组pHMET 晶体管（FET1至FETn）提供输入信号，此时各级FET管都处于导通状态;输入信号通过FET 管跨导转移到输出人工传输线（漏线）上，射频信号被放大。
若电路设计时保证射频信号在栅线和漏线的每段时延均相同，那么经过晶体管放大的射频信号在漏线上可实现正向信号的同相叠加，反向信号则被终端负载Zd吸收。
当传输线负载与传输线特性阻抗相同时，射频信号就在无频率限制的有损均匀传输线中进行传输。
因此电路设计中可以通过合理的优化设计保证栅线和漏线的相速度相同，则理论上分布式放大器就是无频率限制的宽带放大器。
传输线中Zg、Zd分别为栅线和漏线的特性阻抗，Lg、Ld分别是栅线和漏线的长度。
传输线的特性阻抗值及长度的选取与晶体管参数有关。
仅考虑器件寄生参数Cgs和Cds的影响，电路中栅线和漏线的特性阻抗分别为：（1）其中Lgl、Cgl分别为栅线的分布电感和电容，Ldl、Cdl分别为漏线的分布电感和电容，理想条件下，将射频信号在分布式放大器中输入和输出传输线看做是无损耗传输，且相速度一致，则放大器的增益表达式为：（2）其中Gm为pHEMT管的跨导值，n为分布式放大器中pHEMT管并联的级数。
但实际传输线都是有损耗传输的，分布式放大器在单元电路级数n增加同时传输线的损耗也会随之增加，最终随着级数的增多分布式放大器整体增益下降。
对式（2）求导，得最优设计级数Nopt的表达式为：（3）本文设计的分布式放大器采用级联分布式拓扑结构，其中增益单元电路采用共源共栅结构。
共源共栅结构电路减小了第一级FET管的米勒效应，以此扩展频率带宽范围，在增益单元级数相同的条件下，增益值比共源结构的分布式放大器电路可提高2～4 dB，同时提高电路的反向隔离度，减小输出传输线的损耗。
2 有源偏置电路设计偏置电路分为无源偏置电路和有源偏置电路两种。
无源偏置电路，电源电压Vdd通过两个电阻进行分压，为减小电路功耗，一般两电阻值之和需达到kΩ量级或更高。
此偏置电路结构简单，但温度特性差，分压电阻对低噪声放大器的输入阻抗有一定的影响，因此本文设计不采用此种无源结构。
有源偏置电路常见于温补电路设计中，经常采用CMOS工艺来实现。
本文采用的有源偏置电路与其不同，通过电阻R2将pHMET管M0的栅极、漏极短接，此时晶体管等效为一个晶体二极管，如图2所示。
电源电压Vdd通过电阻R1、晶体管M0栅漏短接与电阻R2分压，电阻R3为隔离电阻，该电路结构可以随温度及工艺参数变化为分布式放大器提供相对稳定的静态偏置Vg，可减小放大管因温度、工艺参数波动引起的性能变化。
且有源偏置电路有更好的扼流特性，将此偏置电路与分布式放大器集成，工作带宽范围内的绝大部分射频信号被反射避免信号泄露。
3 单电源分布式放大器设计本文基于GaAs增强型pHMET工艺，将分布式放大器和有源偏置电路集成化设计，有源偏置引入的电阻对输入阻抗的变化可以通过输入匹配电路消除。
放大器原理图如图3所示，根据工艺参数推荐的晶体管工作偏置，共源共栅增益单元中共源管栅偏置电压Vg典型值为0.45 V，有源偏置电路通过电阻晶体管等分压，为其提供0.45 V的电压。
有源偏置电路会引入额外的功耗，因此仿真中要注意晶体管M0尺寸及R1、R2电阻值的选取，额外引入的电流最好控制在mA量级。
综合功耗及偏置电路扼流性能，最终选取晶体管M0尺寸2×30 um，R1电阻值750 Ω，R2电阻值900 Ω，R3电阻值4 kΩ，有源偏置电路局部功耗2 mA。
分布式放大器的单元电路级数Nopt与电路频率、衰减常数及晶体管参数等相关，综合考虑工作带宽、增益、输出P1dB、功耗及芯片尺寸等指标，最终确定单元电路级数为8级，放大管尺寸均为2×40 μm，增益单元里共源放大管与共栅放大管静态电流相同，工作偏置电压可通过电阻Rg1、Rg2比例来调整，以此调整放大器的增益、功率等指标。
芯片进行集成化设计时，有源偏置电路和分布式放大器进行一体化设计，通过输入匹配网络优化输入驻波及噪声系数的高低，并且消除有源偏置电路阻抗对输入阻抗的影响;通过调整输出匹配网络和栅线、漏线的线宽和线长等所有变量，优化增益、功率、噪声系数等指标以满足技术指标要求，同时要保证放大器的绝对稳定性。
4 仿真与测试结果分析基于上述设计思路，本文采用0.15 μm GaAs增强型pHEMT工艺设计并流片一款工作于0.1 GHz～18 GHz单电源宽带低噪声放大器芯片，该电路可广泛应用于宽带收发系统当中。
电路设计采用电磁仿真软件，通过小信号、大信号仿真控件、稳定性控件及优化控件等对电路原理图和版图进行优化仿真。
增益单元电路共八级，每级增益单元的元器件尺寸完全相同，保证信号经过各级放大后实现信号的同向叠加;折中设计电路的增益平坦度、噪声系数、输出P1dB 及输入、输出回波损耗，并保证电路绝对稳定。
仿真曲线如图4中实线所示，增益大于18 dB，增益平坦度±0.5 dB以内，输出P1dB 功率 12 dBm@10 GHz、10 dBm@18 GHz，噪声系数NF典型值为2.5 dB，带宽范围内整体噪声小于4.0 dB，输入、输出驻波较小，直流功耗5V/60 mA。
经过工艺加工流片及在片测试，该宽带低噪声放大器在0.1 GHz～18 GHz频率范围内，增益大于18 dB， 0.1 GHz～ 1 GHz内增益平坦度略差，此现象可通过装配偏置电路（漏电压端外加μF量级电容倒地）来改善;输出P1dB 功率为12 dBm@10 GHz、10 dBm@18 GHz，与仿真基本趋于一致;噪声系数NF典型值为2.5 dB，但在0.1 GHz～ 0.4 GHz频率范围内，噪声系数实测高于仿真值;输入、输出驻波实测与仿真值趋于一致;直流功耗典型值为5 V/60 mA。