多晶硅纳米膜欧姆接触特性的研究

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第２７卷第１期
２０１３年３月
来自百度文库
黑
龙
江
工
程
学
院
学
报（自然科学版）
Ｖｏ１．２７，ＮＯ．１
Ｍａｒ．，２Ｏ１３
ＪｏｕｒｎａｌｏｆＨｅｉｌｏｎｇｊｉａｎｇＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ
中图分类号：ＴＮ３０５．９３文献标志码：Ａ文章编号：１６７１ — ４６７９（２０１３）０１００７１ — ０４
ＲｅｓｅａｒｃｈｏｎＯｈｍｉｃｃｏｎｔａｃｔｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎｎａｎｏｆｉｌｍｓ
ｉｎｄｉｃａｔｅｓｔｈａｔｔｈｅａｌｕｍｉｎｕｍｆｉｌｍｈａｓａｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅ．Ｂｅｌｏｗ４５０ ℃ ，ｔｈｅｄｉｆｆｅｒｅｎｔａｎｎｅａｌｉｎｇｔｉｍｅ
时Ｉ — Ｖ特性曲线表现出好的欧姆接触，构成线性关系，方块电阻达１ｋｎ，与接触电阻率相吻合，传输长度变到
１５ｍ，接触电阻为３Ｏｎ，说明电流的传导能力变强。
关键词：多晶硅纳米膜；欧姆接触；Ｉ — Ｖ特性
摘
要：采用Ｉ￣ＰＣＶＤ和ＰＥＣＶＤ方法制作单层金属铝的多品硅纳米膜欧姆接触，并用Ｘ射线对其表征，说明铝膜具
有多晶结构。在温度为４５０℃ 的条件下，分别对５ｍｉｎ、２０ｍｉｎ和４０ｍｉｎ的不同退火时间进行测试，得到在２０ｍｉｎ
ｃｏｎｔａｃｔ，ｃｏｎｓｔｉｔｕｔｉｎｇａｌｉｎｅａｒｒｅｌａｔｉｏｎｉｎ２０ｍｉｎ．Ａｎｄｔｈｅｓｑｕａｒｅｒｅｓｉｓｔａｎｃｅｇｏｅｓｕｐｔｏ１ｋＱ，ｃｏｍｐｌｙｉｎｇｗｉｔｈｃｏｎｔａｃｔｒｅｓｉｓｔａｎｃｅｒａｔｅ．ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎｌｅｎｇｔｈｃｈａｎｇｅｓｔｏ１５／，ｍ，ａｎｄｃｏｎｔａｃｔｒｅｓｉｓｔａｎｃｅｆｏｒ３０Ｑ，
ｏｆ５一ｍｉｎ，２０一ｍｉｎａｎｄ４０一ｍｉｎａｒｅｔｅｓｔｅｄａｎｄａｎＩＶｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｃｕｒｖｅｏｂｔａｉｎｅｄｓｈｏｗｓｔｈｅｇｏｏｄＯｈｍｓ
ＣＵＩＨｏｎｇ — ｙｕｎ，ＺＨＡＮＧＨａｉ — ｆｅｎｇ，ＷＵＹｕｎ — ｆｅｉ，ＬＩＺｕ－ｊｕｎ，
ＷＡＮＧＣｈａｏ．ＤＯＮＧＹａｎｇ — ｈｏｎｇ
（１．ＳｃｈｏｏｌｏｆＰｈｙｓｉｃｓ，ＪｉａｍｕｓｉＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｊｉａｍｕｓｉ１５４００７，Ｃｈｉｎａ；２．ＨｅｉｌｏｎｇｊｉａｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｈａｒｂｉｎ１５０００１，Ｃｈｉｎａ）Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＡｓｉｎｇｌｅｌａｙｅｒｏｆａｌｕｍｉｎｕｍｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎｎａｎｏｆｉｌｍＯｈｍｉｃｃｏｎｔａｃｔｉｓｐｒｏｄｕｃｅｄｂｙＩＰＣＶＤａｎｄＰＥＣＶＤｍｅｔｈｏｄ，ｗｈｉｃｈｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎｎａｎｏｆｉｌｍｓｉＳｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚｅｄｂｖＸ＿ｒａｙｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ．Ｉｔ
多晶硅纳米膜欧姆接触特性的研究
崔虹云，张海丰，吴云飞，李祖君，王超，董艳红
（１．佳木斯大学理学院，黑龙江佳木斯１５４００７；２．黑龙江大学，黑龙江哈尔滨１５０００１）
ｒｅｓｕｌｔｉｎｇｉｎａｓｔｒｏｎｇｃｕｒｒｅｎｔｃｏｎｄｕｃｔｅｄａｂｉｌｉｔｙ．
Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎｎａｎｏｆｉｌｍ；Ｏｈｍｉｃｃｏｎｔａｃｔ；Ｉ— Ｖｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ