三星电容命名规则
国内外常用电子元器件型号命名规则比如：电阻器,电容器
(5)日本松下旗下三洋电机(Panasonic)
(6)韩国三星(SAMSUNG)
(7)美国基美(KEMET)
(8)英国Syfer
(9)中国台湾国巨(YAGEO)
(10)中国台湾华新科技(WALSIN)
3.电感器
4.变压器
5.二极管
6.三极管
7.发光二极管
8.扬声器
9.电声器件
10晶闸管
11.继电器
国外：
1.国际电子联合会半导体器件命名法
国际电子联合会晶体管型号命名法的特点：
1)这种命名法被欧洲许多国家采用。因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母是A，B，C，D或R的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。
2)第一个字母表示材料（A表示锗管，B表示硅管），但不表示极性（NPN型或PNP型）。
3)第二个字母表示器件的类别和主要特点。如C表示低频小功率管，D表示低频大功率管，F表示高频小功率管，L表示高频大功率管等等。若记住了这些字母的意义，不查手册也可以判断出类别。例如，BL49型，一见便知是硅大功率专用三极管。
4)第三部分表示登记顺序号。三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为专用品，顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。例如，AC184为PNP型，而AC185则为NPN型。
8)日本通常把Pcm≥1W的管子，称做大功率管。
5)第四部分字母表示同一型号的某一参数（如hFE或NF）进行分档。
6)型号中的符号均不反映器件的极性（指NPN或PNP）。极性的确定需查阅手册或测量。
2.美国半导体器件型号命名法
美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。这里介绍的是美国晶体管标准型号命名法，即美国电子工业协会（EIA）规定的晶体管分立器件型号的命名法。如下表：
电容dianzu命名规则
华新（Walsin）LIZ丽智电阻宇阳风华高科UNIOHM厚生厚膜晶片电阻器Samaung 三星电容 :例子 CL 10 B 104 K A 8 NNNCCL 10 B 104 K A 8 N N N C系列尺寸材质容值精度耐压厚度端头材料包装方式Seriessize 03=0201(0603);01=0306(0816);05=0402(1005);14=0504(1410);12=0508(1220) ;10=0603(1608);21=0805(2012);31=1206(3216);32=1210(3225);42=1808(4520);43=1812(4532);55=2220(5750)dielectric I类：C=C0G=NPO,S=S2H,L=S2L,P=P2H,T=T2H,R=R2H ,U=U2J II类:A=X5R, F=Y5V ,B=X7R,X=X6S capacitancetolerance A=±0.05pf ; B=±0.1pf ；C=±0.25pf ；D=±0.5pf ；F=±1pf或±1% ；G=±2% ；J=±5% ；K=±10% ；M=±20% ；Z=+80/-20%voltage R=4V ;Q=6.3V ;P=10V ;O=16V ;A=25V ;L=35V ;B=50V ;C=100V ;D=200V ;E=2 50V;G=500V ;H=630V ; I=1000V ; J=2000V ;K=3000Vthickness 3=0.30；5=0.50；8=0.80；A=0.65;C=0.85;H=1.60;I=2.00;J=2.50;L=3.20termination A=Pd/Ag/Sn 100% ;N=NiCu/Sn 100% ;G=Cu/Cu/Sn 100%productsSpecislvariousPacking1mil毫英寸/密耳=0.0254mm毫米Termination 端头材料 sliver全银 nickel barrier三层电镀 no mark 无标记 bulk散装 tape & reel编带包装； bulk packaging袋式包装；packaging style包装方式A=常规产品钯/银/镍屏蔽/锡 100%N=常规产品镍/铜/镍屏蔽/锡 100%G=常规产品铜/铜/镍屏蔽/锡 100%L=低侧面产品镍/铜/镍屏蔽/锡 100%B=散装O=纸版箱料带,10英寸料盘E=压花纸版箱,7英寸料盘P=散装箱D=纸版箱料带,13英寸料盘(10000ea)F=压花纸版箱,13英寸料盘C=纸版箱料带,7英寸料盘L=纸版箱料带,13英寸料盘(15,000ea)S=压花纸版箱,10英寸料盘钽电容耐压用不同的字母来标注，如下：F 2.5 ,G 4 L 6.3 A 10 C 16 D 20 E 25 V 35 T 50钽电容一般分为A、B、C、D型，注意后缀是公制，比如B型，就是3.5mm*2.8mmA型3216B型3528C型6032D型7343E型7343供应TDK ，村田，太诱，风华，三星，国巨贴片电容CL=积层陶瓷电容:03=0201(0603) 21=0805(2012) 42=1808(4520)05=0402(1005) 31=1206(3216)43=1812(4532)10=0603(1608) 32=1210(3225) 55=2220(5750)14=0504(1410) 01=0306(0816) 12=0508(1220) I 类:C=C0G S=S2H L=S2LP=P2H T=T2HR=R2H U=U2J ;II 类:A=X5R F=Y5VB=X7R X=X6S R=4V O =16V B =50V E = 250V I = 1000V Q=6.3V A =25V C=100V G = 500VJ = 2000V P =10VL=35V D =200V H = 630V K= 3000V三星 NPO=CH=COG 风华 NPO=CG 电感器通常指空心线圈或磁芯线圈。
电容命名规则
三星电容例：CL10B104KA8NNNC 规格说明：CL=积层陶瓷电容03=0201(0603) 21=0805(2012) 42=1808(4520) 05=0402(1005) 31=1206(3216) 43=1812(4532) 10=0603(1608) 32=1210(3225) 55=2220(5750) 14=0504(1410) 01=0306(0816) 12=0508(1220)II类:A=X5R F=Y5V B=X7R X=X6S Y=X7S电容容量用三位数表示，前面两位为有效数字，第三位为有效数字后"O"的位数如：104 = 10 0000 （单位pF）如果中间一位为R 则表示"." 如：3R3 = 3.3pF误差： B=±0.1pf F=±1% K=±10% C=±0.25pf G=±2% M=±20% D=±0.5pf J=±5% Z=+80/-20%承受的耐压： Q=6.3V P=10V O=16V A= 25V B= 50V C=100V D=200V E=250V G=500V H=630V厚度： 3=0.30毫米 A=0.65毫米 M=1.15毫米 I=2.00毫米 Q=1.25毫米 5=0.50毫米C=0.85毫米F=1.25毫米J=2.50毫米V=2.50毫米8=0.80毫米D=1.00毫米H=1.60毫米 L=3.20毫米端头类别： A=常规产品钯/银/镍屏蔽/锡100% N=常规产品镍/铜/镍屏蔽/锡 100% G=常规产品铜/铜/镍屏蔽/锡 100% L=低侧面产品镍/铜/镍屏蔽/锡 100%产品： A =阵列(2-元素) B =阵列(4-元素) C=高频 L =LICC N =常规 P =自动预留的用途包装方式： B=散装 O=纸版箱料带,10英寸料盘 E=压花纸版箱,7英寸料盘P=散装箱D=纸版箱料带,13英寸料盘(10000ea) F=压花纸版箱,13英寸料盘 C=纸版箱料带,7英寸料盘 L=纸版箱料带,13英寸料盘(15,000ea) S=压花纸版箱。
三星车规电容命名方法
三星车规电容命名方法摘要：一、三星车规电容概述二、三星车规电容命名方法解析1.命名规则2.命名中的关键参数三、三星车规电容在我国市场的应用四、选购与使用三星车规电容的注意事项五、总结正文：【一、三星车规电容概述】三星车规电容，顾名思义，是应用于汽车电子领域的电容器产品。
这类电容器需承受高温、高压、振动等恶劣环境，因此对其性能要求极高。
三星车规电容凭借出色的稳定性、可靠性和安全性，在全球市场上享有盛誉。
【二、三星车规电容命名方法解析】【1.命名规则】三星车规电容的命名遵循一定规则，通常包括以下几个部分：品牌名称（如三星）、产品类型（如车规电容）、规格（如容量、电压等）以及系列编号。
例如：“三星SDI CXA 1000μF 25V”。
【2.命名中的关键参数】在三星车规电容的命名中，关键参数包括容量、电压、工作温度等。
这些参数决定了电容器的性能和适用场景。
如上文提到的“1000μF”表示容量为1000微法拉，“25V”表示额定电压为25伏特。
【三、三星车规电容在我国市场的应用】随着我国汽车产业的快速发展，对车规级电子元器件的需求日益增长。
三星车规电容凭借优良的性能，在我国市场得到了广泛应用，涵盖了新能源汽车、智能驾驶等领域。
【四、选购与使用三星车规电容的注意事项】1.选购时，务必确认电容器的规格、尺寸、工作温度等参数，以确保其满足实际应用需求。
2.使用过程中，注意遵循汽车电子系统的相关规范，避免因操作不当导致的故障或损坏。
3.储存时，应确保环境干燥、通风，避免高温、潮湿，以免影响电容器的性能。
【五、总结】三星车规电容凭借卓越的性能和可靠的品质，在汽车电子领域有着广泛的应用。
了解其命名方法、选购和使用注意事项，有助于确保电容器在实际应用中的稳定性和安全性。
在选购和使用过程中，密切关注电容器的关键参数，确保其满足汽车电子系统的需求。
电容的型号命名规则
电容的型号命名：1、各国电容器的型号命名很不统一，国产电容器的命名由四部分组成：第一部分：用字母表示名称，电容器为C。
第二部分：用字母表示材料。
第三部分：用数字表示分类。
第四部分：用数字表示序号。
2、电容的标志方法：(1)直标法：用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。
(2)文字符号法：用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。
文字符号表示其电容量的单位：P、N、u、m、F等。
和电阻的表示方法相同。
标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。
小于10pF的电容，其允许偏差用字母代替：B——±0.1pF，C——±0.2pF，D——±0.5pF，F——±1pF。
(3)色标法：和电阻的表示方法相同，单位一般为pF。
小型电解电容器的耐压也有用色标法的，位置靠近正极引出线的根部，所表示的意义如下表所示：颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰耐压4V 6.3V 10V 16V 25V 32V 40V 50V 63V(4)进口电容器的标志方法：进口电容器一般有6项组成。
第一项：用字母表示类别：第二项：用两位数字表示其外形、结构、封装方式、引线开始及与轴的关系。
第三项：温度补偿型电容器的温度特性，有用字母的，也有用颜色的，其意义如下表所示：序号字母颜色温度系数允许偏差字母颜色温度系数允许偏差1 A 金+100 R 黄-2202 B 灰+30 S 绿-3303 C 黑0 T 蓝-4704 G ±30 U 紫-7505 H 棕-30 ±60 V -10006 J ±120 W -15007 K ±250 X -22008 L 红-80 ±500 Y -33009 M ±1000 Z -470010 N ±2500 SL +350~-100011 P 橙-150 YN -800~-5800备注：温度系数的单位10e -6/℃；允许偏差是% 。
Samsung-NAND-FLASH命名规则
三星的pure nand flash〔就是不带其他模块只是nand flash存储芯片〕的命名规那么如下：1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : Smart Media, S/B : Small Block)1 : SLC 1 Chip XD Card2 : SLC 2 Chip XD Card4 : SLC 4 Chip XD CardA : SLC + Muxed I/ F ChipB : Muxed I/ F ChipD : SLC Dual SME : SLC DUAL (S/ B)F : SLC NormalG : MLC NormalH : MLC QDPJ : Non-Muxed OneNandK : SLC Die StackL : MLC DDPM : MLC DSPN : SLC DSPQ : 4CHIP SMR : SLC 4DIE STACK (S/ B)S : SLC Single SMT : SLC SINGLE (S/ B)U : 2 STACK MSPV : 4 STACK MSPW : SLC 4 Die Stack4~5. Density〔注：实际单位应该是bit，而不是Byte〕12 : 512M16 : 16M28 : 128M32 : 32M40 : 4M56 : 256M64 : 64M80 : 8M1G : 1G2G : 2G4G : 4G8G : 8GAG : 16GBG : 32GCG : 64GDG : 128G00 : NONE6~7. Organization00: NONE08: x816: x168. VccA : 1.65V~3.6VB : 2.7V (2.5V~2.9V)C : 5.0V (4.5V~5.5V)D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V)E : 2.3V~3.6VR : 1.8V (1.65V~1.95V)Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V)T : 2.4V~3.0VU : 2.7V~3.6VV : 3.3V (3.0V~3.6V)W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V0 : NONE9. Mode0 : Normal1 : Dual nCE & Dual R/ nB4 : Quad nCE & Single R/ nB5 : Quad nCE & Quad R/ nB9 : 1st block OTPA : Mask Option 1L : Low grade10. GenerationM : 1st GenerationA : 2nd GenerationB : 3rd GenerationC : 4th GenerationD : 5th Generation11. "─"12. PackageA : COBB : TBGAC : CHIP BIZD : 63-TBGAE : TSOP1 (Lead-Free, 1217)F : WSOP (Lead-Free)G : FBGAH : TBGA (Lead-Free)I : ULGA (Lead-Free)J : FBGA (Lead-Free)K : TSOP1 (1217)L : LGAM : TLGAN : TLGA2P : TSOP1 (Lead-Free)Q : TSOP2 (Lead-Free)S : SMART MEDIAT : TSOP2U : COB (MMC)V : WSOPW : WAFERY : TSOP113. TempC : CommercialI : IndustrialS : SmartMediaB : SmartMedia BLUE0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)3 : Wafer Level 314. Bad BlockA : Apple Bad BlockB : Include Bad BlockD : Daisychain SampleK : Sandisk BinL : 1~5 Bad BlockN : ini. 0 blk, add. 10 blkS : All Good Block0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)15. NAND-Reserved0 : Reserved16. Packing Type- Common to all products, except of Mask ROM- Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately) 【举例说明】K9GAG08U0M 详细信息如下:1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)G : MLC Normal4~5. DensityAG : 16G (Note: 这里单位是bit而不是byte，因此实际大小是16Gb=2GB)0 : Normal (x8)7. Organization0 : NONE 8 : x88. VccU : 2.7V~3.6V9. Mode0 : Normal10. GenerationM : 1st Generation11. "─"12. PackageP : TSOP1 (Lead-Free)13. TempC : Commercial14. Customer Bad BlockB : Include Bad Block15. Pre-Program Version0 : None整体描述就是：K9GAG08U0M是，三星的MLC Nand Flash，工作电压为2.7V~3.6V，x8〔即I/O是8位〕，大小是2GB〔16Gb〕，TSOP1封装。
三星 Nand Flash 芯片型号命名规则2
NAND Flash Code Information(1/3)Last Updated : April 2008K9XXXXXXXX - XXXXXXX11. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 3 : 4bit MLC Mono 4 : SLC 4 Chip XD Card 5 : MLC 1 Chip XD Card 6 : MLC 2 Chip XD Card 7 : SLC moviNAND 8 : MLC moviNAND 9 : 4bit MLC ODP A : 3bit MLC MONO B : 3bit MLC DDP C : 3bit MLC QDP F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP O : 3bit MLC ODP P : MLC ODP Q : SLC ODP T : SLC SINGLE (S/B) W : SLC 4 Die Stack 4~5. Density 12 : 512M 32 : 32M 64 : 64M 2G : 2G AG : 16G DG : 128G NG : 96G 7. Organization 0 : NONE 6 : x16 8. Vcc A : 1.65V~3.6V C : 5.0V (4.5V~5.5V) E : 2.3V~3.6V Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V) U : 2.7V~3.6V W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V 9. Mode 0 : Normal 1 : Dual nCE & Dual R/nB 3 : Tri /CE & Tri R/B 4 : Quad nCE & Single R/nB 5 : Quad nCE & Quad R/nB 9 : 1st block OTP A : Mask Option 1 L : Low grade 10. Generation M : 1st Generation A : 2nd Generation B : 3rd Generation C : 4th Generation D : 5th Generation E : 6th Generation Y : 25th Generation Z : 26th Generation 8 : x823456789 10 11 12 13 14 15 16 17 186. Technology 0 : Normal (x8) C : Catridge SIP M : moviNAND S : eSSD1 : Normal (x16) D : DDR P : moviMCPB : 2.7V (2.5V~2.9V) D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V) R : 1.8V (1.65V~1.95V) T : 2.4V~3.0V V : 3.3V (3.0V~3.6V) 0 : NONE16 : 16M 40 : 4M 80 : 8M 4G : 4G BG : 32G EG : 256G ZG : 48G28 : 128M 56 : 256M 1G : 1G 8G : 8G CG : 64G LG : 24G 00 : NONE-1-Part Number DecoderNAND Flash Code Information(2/3)Last Updated : April 2008K9XXXXXXXX - XXXXXXX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 1814. Customer Bad Block B : Include Bad Block D : Daisychain Sample K : Special Handling L : 1~5 Bad Block N : ini. 0 blk, add. 10 blk S : All Good Block 0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code)11. "─" 12. Package A : COB B : FBGA (Halogen-Free, Lead-Free) C : CHIP BIZ D : 63-TBGA F : WSOP (Lead-Free) G : FBGA H : TBGA (Lead-Free) I : ULGA (Lead-Free) (12*17) J : FBGA (Lead-Free) L : ULGA (Lead-Free) (14*18) M : TLGA N : TLGA2 P : TSOP1 (Lead-Free) Q : TSOP2 (Lead-Free) R : 56-TSOP1 (Lead-Free) S : TSOP1 (Halogen-Free, Lead-Free) T : TSOP2 U : COB (MMC) V : WSOP W : Wafer Y : TSOP1 Z : WELP (Lead-Free) 13. Temp C : Commercial I : Industrial S : SmartMedia B : SmartMedia BLUE 0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code)15. Pre-Program Version 0 : None Serial (1~9, A~Z)-2-Part Number DecoderNAND Flash Code Information(3/3)Last Updated : April 2008K9XXXXXXXX - XXXXXXX116. Packing Type - Common to all products, except of Mask ROM - Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately) Divide Component Packing Type TAPE & REEL Other ( Tray, Tube, Jar ) Stack Module MODULE TAPE & REEL MODULE Other Packing T 0 ( Number) S P M New Marking23456789 10 11 12 13 14 15 16 17 1817~18. Customer "Customer List Reference"-3-Part Number Decoder。
三星电容编码识别
三星电容编码识别你看盘子的料号如下对比：CL 03 B 104 K Q 8 N N N C1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 111 系列编码：CL=积层陶瓷电容2 尺寸编码03=0201(0603) 21=0805(2012) 42=1808(4520)05=0402(1005) 31=1206(3216) 43=1812(4532)10=0603(1608) 32=1210(3225) 55=2220(5750)14=0504(1410) 01=0306(0816) 12=0508(1220)3 介质I类 II类C=C0G S=S2H L=S2LP=P2H T=T2HR=R2H U=U2JA=X5R F=Y5VB=X7R X=X6S4 容量电容容量用三位数表示，前面两位为有效数字，第三位为有效数字后"O"的位数如：104 = 1 00000 （单位pF）如果中间一位为R 则表示"."如：4R7 = 4.7pF5 电容的误差：B=±0.1pf F=±1pf±1% K=±10%C=±0.25pf G=±2% M=±20%D=±0.5pf? J=±5% Z=+80/-20%6 额定电压R=4V O =16V B =50V E = 250V I = 1000VQ=6.3V A =25V C=100V G = 500V J = 2000VP =10V L =35V D =200V H = 630V K= 3000V7 厚度：3=0.30毫米 A=0.65毫米 M=1.15毫米 I=2.00毫米 Q=1.25毫米5=0.50毫米 C=0.85毫米 F=1.25毫米 J=2.50毫米 V=2.50毫米8=0.80毫米 D=1.00毫米 H=1.60毫米 L=3.20毫米8 内电极A=常规产品钯/银/镍屏蔽/锡 100%N=常规产品镍/铜/镍屏蔽/锡 100%G=常规产品铜/铜/镍屏蔽/锡 100%L=低侧面产品镍/铜/镍屏蔽/锡 100%9 产品编码A =阵列(2-元素) L =LICCB =阵列(4-元素) N =常规P =自动 C=高频10 特殊编码11 包装编码B=散装 O=纸版箱料带,10英寸料盘 E=压花纸版箱,7英寸料盘P=散装箱 D=纸版箱料带,13英寸料盘(10000ea) F=压花纸版箱,13英寸料盘C=纸版箱料带,7英寸料盘 L=纸版箱料带,13英寸料盘(15,000ea) S=压花纸版箱,10英寸料盘如有侵权请联系告知删除，感谢你们的配合！。
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●3 CAPACITANCE TEMPERATURE CHARACTERISTICS
▶ CLASS Ⅰ(Temperature Compensation)
Symbol
C P R S T U L
EIA Code
C0G(CH) P2H R2H S2H T2H U2J S2L
Temperature Coefficient(PPM/℃)
Multilayer Ceramic Capacitor
Multilayer Ceramic Capacitor
■ INTRODUCTION
MLCC(Multilayer Ceramic Capacitor) is SMD(Surface Mounted Device) type capacitor that is used in wide ranges of capacitance. MLCC is paid more attentions than other capacitors due to the better frequency characteristics, higher reliability, higher withstanding voltage and so on. MLCC is made of many layers of ceramic and inner electrodes like sandwich. Pd was used for inner electrodes. But the price of Pd was skyrocketed and Pd was replaced by the BME(Base Metal Electrode), which reduced the total cost of MLCC. This inner electrode is connected to outer termination for surface mounting, which is composed of three layers, Cu or Ag layer, Ni plating layer, and SnPb or Sn plating layer. Most of MLCCs become Pb free by the environmental issue at present. MLCC is divided into two classes. Class I(C0G, etc) is the temperature compensating type. It has a small TCC(Temperature Coefficient of Capacitance) and a better frequency performance. Therefore, it is used in RF applications such as cellular phone, tuner, and so on. Class II(X7R, X5R, Y5V, etc) is the high dielectric constant type, which is used in general electronic circuit. Especially high capacitance MLCC is replacing other capacitors (Tantalum and Aluminum capacitor) due to the low ESR(Equivalent Series Resistance) value.
43
1812
55
2220
L 0.6 ± 0.03 1.0 ± 0.05 1.6 ± 0.1 2.0 ± 0.1 3.2 ± 0.2 3.2 ± 0.3 4.5 ± 0.4 5.7 ± 0.4
DIMENSION ( mm )
W 0.3 ± 0.03
T (MAX) 0.3 ± 0.03
0.5 ± 0.05
-3-
Multilayer Ceramic Capacitor
■ PREVIOUS PART NUMBERING
CL 10 C 101 J B N C ●1 ●2 ●3 ●4 ●5 ●6 ●7 ●8
●1 SAMSUNG Multilayer Ceramic Capacitor ●2 Type(Size) ●3 Capacitance Temperature Characteristics ●4 Nominal Capacitance ●5 Capacitance Tolerance ●6 Rated Voltage ●7 Thickness Option ●8 Packaging Type
※ Please Consult us for other termination type.
●8 PACKAGING TYPE
Symbol B P C D E
Packaging Bulk
Cassette Paper Tape, 7" Reel Paper Tape, 13" Reel Embossed Tape, 7" Reel
※ Temperature Characteristics
Temperature Characteristics
below 2.0pF
2.2 ~ 3.9pF
CΔ
C0G
C0G
PΔ
-
P2J
RΔ
-
R2J
SΔ
-
S2J
TΔ
-
T2J
UΔ
-
U2J
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
above 4.0pF
C0G P2H R2H S2H T2H U2J
above 10pF
C0G P2H R2H S2H T2H U2J
☞ K : ±250 PPM/℃ J : ±120 PPM/℃ H : ±60 PPM/℃ G : ±30 PPM/℃
▶ CLASS Ⅱ(High Dielectric Constant)
Symbol
A B F
EIA Code
X5R X7R Y5V
The nominal capacitance value is expressed in pico-Farad(pF) and identified by threedigit number, first two digits represent significant figures and last digit specifies the number of zeros to follow. For values below 1pF, the letter "R" is used as the decimal point and the last digit becomes significant.
0 ± 30 -150 ± 60 -220 ± 60 -330 ± 60 -470 ± 60 -750 ± 120
+350 ~ -1000
※ Temperature Characteristics
CΔ PΔ RΔ SΔ TΔ UΔ
SL
Operation Temperature Range
-55 ~ +125℃
Multilayer Ceramic Capacitor
■ STRUCTURE
-2-
Multilayer Ceramic Capacitor
■ APPEARANCE AND DIMENSION
L
T
W
BW
CODE EIA CODE
03
0201
05
0402
10
0603
21
0805
31
1206
32
1210
example) 100 : 10 × 10o = 10pF 102 : 10 × 102 = 1000pF 020 : 2 × 10o = 2pF 1R5 : 1.5pF
●5 CAPACITANCE TOLERANCE
Temperature Characteristics
Symbol
Tolerance
Applicable Capacitance & Range 0.5 ~ 3pF 0.5 ~ 10pF 6 ~ 10pF
E-24 Series for over 10pF
E-12 Series E-6 Series
●6 RATED VOLTAGE
Symbol Q P O A B C
Rated Voltage(Vdc) 6.3V 10V 16V 25V 50V 100V
0.5 ± 0.05
0.8 ± 0.1
0.8 ± 0.1
1.25 ± 0.1
1.25± 0.1
1.6 ± 0.2
1.6 ± 0.2
2.5 ± 0.2
2.5 ± 0.2
3.2 ± 0.3
3.2 ± 0.3
5.0 ± 0.4
3.2 ± 0.3
BW 0.15±0.05 0.2+0.15/-0.1 0.3 ± 0.2 0.5+0.2/-0.3 0.5+0.2/-0.3 0.6 ± 0.3 0.8 ± 0.3 1.0 ± 0.3
Symbol D G I J K
Rated Voltage(Vdc) 200V 500V 1000V 2000V 3000V
-5-
Multilayer Ceramic Capacitor
●7 THICKNESS OPTION
Symbol N A B C D E
Description of the Code Standard thickness (please refer to standard thickness table on next page) Thinner than standard thickness Thicker than standard thickness Standard Thickness High Q ( Low ` D.F ` ) Sn-100% (High-Q) Sn-100% (General)