《模拟电子技术基础》题库
模拟电子技术(西安交大2版)试题及答案

《模拟电子技术基础》试题(A 卷)一、判断下列说法是否正确,用“×”或“√”表示判断结果。
(10分) (1)在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”。
( ) (2)电压负反馈稳定输出电压,电流负反馈稳定输出电流。
( ) (3)使输入量减小的反馈是负反馈,否则为正反馈。
( ) (4)产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
( ) (5)利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。
( ) (6)本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
( ) (7)未加外部电压时,PN 结中电流从P 区流向N 区。
( ) (8)集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。
( ) (9)只要引入正反馈,电路就会产生正弦波振荡。
( ) (10)直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。
( ) 二、选择填空 (10分)(1)为了减小输出电阻,应在放大电路中引入 ; 为了稳定静态工作点,应在放大电路中引入 。
(A )电流负反馈 (B )电压负反馈 (C )直流负反馈 (D )交流负反馈 (2)RC 串并联网络在RCf f π210==时呈 。
(A )感性 (B )阻性 (C )容性 (3)通用型集成运放的输入级多采用 。
(A )共基接法 (B )共集接法 (C )共射接法 (D )差分接法 (4)两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 。
(A )β (B )β2 (C )2β (D )1+β(5)在(A )、(B )、(C )三种电路中输出电阻最小的电路是 ; 既能放大电流,又能放大电压的电路是 。
(A )共基放大电路 (B )共集放大电路 (C )共射放大电路 (6)当NPN 型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为u C u B u E 。
(A ) > (B ) < (C ) = (D )≤ (7)硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。
模拟电子技术基础测试题及参考答案

模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题(共50题,每题1分,共50分)1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案:A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多,其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案:D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成,已知每级电压放大倍数为Au,则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案:B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案:B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案:B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案:B7、元件引脚的剪脚高度为( )。
A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓,没关系正确答案:B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案:A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案:C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端,则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案:C11、多级放大电路各级的电压增益分别是:10dB、20 dB、30 dB,则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案:C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案:A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案:A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案:D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势,增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高,损耗越大正确答案:D16、当晶体二极管的PN结导通后,则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案:C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
电子技术基础(模拟部分)习题答案

一、填空1.杂质半导体分为N型和P型两种类型。
2.在下述电路中,能使二极管导通的电路是a。
3.在电路管、Ve=0.6V、Vc=5V,则该三极管处于放大工作状态。
4.衡量双极型三极管放大能力的参数是β,衡量其温度稳定性的参数是__I CBO ___。
5.N沟道J型FET工作在恒流区的条件是_u ds>U GS(OFF)__,它的截止条件为__ u Gs≤U GS(OFF)__。
6.在基本OCL功放电路中,设电源电压为±15V,负载电阻R L=8Ω,则理想情况最大输出功率为_ 14.06 _ W,理想效率为78.5%_。
7.在集成电路中广泛采用的恒流源电路,在实际电路中,经常作为偏置电路和有源负载广泛使用。
8.通用型集成运放的输入级一般采用_差分放大电路_电路,其主要目的是抑制0点漂移。
9.为了稳定放大电路的静态工作点,可以引入直流负反馈_,为了稳定放大倍数应引人__交流负反馈_。
10.正弦波振荡电路就是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大电路。
要使正弦波振荡电路产生持续振荡,必须满足的振幅平衡条件是_∣AF∣=1_,相位平衡条件是_ΦA+ΦF =0_。
11.在放大电路的设计中,主要引入_负__反馈以改善放大电路的性能。
此外,利用这种反馈,还可增加增益的恒定性,减少非线性失真,抑制噪声,扩展频带以及控制输入和输出阻抗,所有这些性能的改善是以牺牲_放大倍数__为代价的。
11.N型半导体是在单晶硅中掺入五价的微量元素而形成的,多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴。
12.半导体PN结具有单相导电性特性。
13.在常温下,硅二极管的开启电压约为0.5 V,锗二极管的开启电压约为0.1 V,14.晶体三极管基本放大电路有共射极、共集电极和共基极三种组态。
15.在差动式放大电路中,差模输入信号等于两个输人端信号的_之差_;共模输入信号等于两个输入信号的__和的一半_。
16.设计一个负反馈放大电路,若要稳定输出电压,应引入电压负反馈;若要稳定输出电流,应引入电流负反馈;若要增加输入电阻,应引入串联负反馈。
模拟电子技术基础试题汇总附有答案解析

模拟电子技术基础试题汇总一.选择题1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。
A 增大B 减小C 不变D 等于零2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D )A. 处于放大区域B. 处于饱和区域C. 处于截止区域D. 已损坏3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管处于( B )A.放大区B.饱和区C.截止区D.区域不定4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。
( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生( B )失真。
( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真6.电路如图所示,二极管导通电压U D=0.7V,关于输出电压的说法正确的是( B )。
A:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为3.7V。
B:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为1V。
C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。
D:只有当u I1=0.3V,u I2=0.3V时输出电压为才为1V。
7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。
A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻R b变高。
8. 直流负反馈是指( C )A. 存在于RC耦合电路中的负反馈B. 放大直流信号时才有的负反馈C. 直流通路中的负反馈D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B )A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声C. 反馈环外的干扰和噪声D. 输出信号中的干扰和噪声10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A )A. -2.5VB. -5VC. -6.5VD. -7.5V11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid 为( B )A. 10mVB. 20mVC. 70mVD. 140mV12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与低阻负载间接入( C )。
(完整版)模拟电子基础的复习题及答案

模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路:①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下,上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ,输入电阻最 ,频带最宽 的电路是 ;只能放大电流,小 的电路是②,输出电阻最小 的电路是③② ;既能放大电流,又能放大电压 的电路是 ①不能放大电压 的电路是 ③;只能放大电压,不能放大电流 的电路是②。
2、如图 1所示电路中,已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ,电流放大系BEQ数为β,B- E 间动态电阻为 r 。
填空:beV CC U BEQ( 1)静态时, I 的表达式为BQ, I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ;,U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L (2)电压放大倍数 的表达式为A u,输入电阻 的表达式为r be,输出电阻 的表达式为R R // r be R R ;0 Ci B(3)若减小 R ,则 I 将 A ,r 将 C ,将 C ,R 将iC ,A B CQ bc u R 将 B 。
oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时, R 减小到一定程度,输出将产生 BA 失真。
A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中,(1)若测得输入电压有效值为 10mV ,输出电压有效值为 1.5V ,则其电压放 大倍数 = 150 ;若已知此时信号源电压有效值为 20mV ,信号源内阻A u为 1k Ω,则放大电路 的输入电阻 R = 1 。
i(2)若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ,带 5 k Ω负载时变为 0.75V , 则放大电路 的输出电阻 Ro(3)若输入信号增大引起电路产生饱和失真,则可采用将 R BRc 减小 的方法消除失真;若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。
增大或将截止失真,则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。
《模拟电子技术基础》习题册

第一章:基本放大电路习题1-1 填空:1.本征半导体是,其载流子是和。
载流子的浓度。
2.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于,而少数载流子的浓度则与有很大关系。
3.漂移电流是在作用下形成的。
4.二极管的最主要特征是,它的两个主要参数是和。
5.稳压管是利用了二极管的特征,而制造的特殊二极管。
它工作在。
描述稳压管的主要参数有四种,它们分别是、、、和。
6.某稳压管具有正的电压温度系数,那么当温度升高时,稳压管的稳压值将。
7.双极型晶体管可以分成和两种类型,它们工作时有和两种载流子参与导电。
8.场效应管从结构上分成和两种类型,它的导电过程仅仅取决于载流子的流动;因而它又称做器件。
9.场效应管属于控制型器件,而双极型半导体三极管则可以认为是控制型器件。
10.当温度升高时,双极性三极管的β将,反向饱和电流I CEO正向结压降U BE。
11.用万用表判别放大电路中处于正常放大工作的某个晶体管的类型与三个电极时,测出最为方便。
12.三极管工作有三个区域,在放大区时,偏置为和;饱和区,偏置为和;截止区,偏置为和。
13.温度升高时,晶体管的共设输入特性曲线将,输出特性曲线将,而且输出特性曲线之间的间隔将。
1-2 设硅稳压管D z1和D z2的稳定电压分别为5V和10V,求图1-2中各电路的输出电压U0,已知稳压管的正向压降为0.7V。
D Z1D Z225VU O1k Ω( )b D Z1D Z225VU O1k Ω( )c ( )d ( )a D Z1D Z225VU O 1k ΩD Z1D Z225VU O1k Ω图1-21-3 分别画出图1-3所示电路的直流通路与交流通路。
( )a ( )b( )c图1-31-5 放大电路如图1-5所示,试选择以下三种情形之一填空。
a :增大、b :减小、c :不变(包括基本不变) 1.要使静态工作电流I c 减小,则R b2应 。
2.R b2在适当范围内增大,则电压放大倍数 ,输入电阻 ,输出电阻 。
模拟电子技术基础期末考试试题及答案

模拟电子技术基础期末考试试题及答案《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。
2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。
6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集)放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(串联)负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=(1/ F )。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(),()称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互补功率放大器。
13、OCL电路是()电源互补功率放大电路;OTL电路是()电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为()。
217、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(),电路符号是()。
二、选择题(每空2分共30分)1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须(),它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于()状态。
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《模拟电子技术》复习资料答案一、填空题1.半导体不同于导体利绝缘体的三大独特件质为掺杂性、热敏性、光敏性;其电阻率分別受佳质、温度、光照的增加而下降。
2.用于制造半导体器件的材料通常是_硅、错和帥化稼。
3.当外界温度、光照等变化时,半导体材料的导电能力会发生很大的变化。
4.纯净的、不含杂质的半导体,称为本征半导体。
5.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
6.本征半导体中掺入III族元素,例如B、A1 ,得到P型半导体。
7.木征硅中若掺入五价元素的原了,则多数载流了应是一电子,掺杂越多,则其数量一定越一多,而少数载流子应是—空穴,掺杂越多,则其数量一定越一少。
8.半导体中存在着两种载流子:带正电的空穴和带负电的.电子。
9.N型半导体小的多数载流子是_电子,少数载流子是一空穴。
10.杂质半导体分N型(电子)和P型(空穴)两大类。
11.N型半导体多数载流了是一电了,少数载流了是_空穴。
P型半导体多数载流了是一空穴,少数载流子是_电子。
12.朵质半导体中,多数载流子浓度主要取决于掺杂浓度,而少数载流子则与温度有很大关系。
13.PN结的主要特性是一单向导电性。
14.PN结是多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动处于动态平衡而形成的,有时又把它称为空间电荷区(势垒区)或耗尽区(阻挡层)。
15.PN结加正向电压时,空间电荷区变窄;PN结加反向电压时,空间电荷区变宽。
16.PN结在无光照、无外加电压吋,结电流为零°17.PN结两端电压变化时,会引起PN结内电荷的变化,这说明PN结存在电容效应。
18.二极管是由—个PN结构成,因而它同样具有PN结的单向导电特件。
19.二极管的伏安特性可川数学式和Illi线來描述,其数学式是上去屋佟LL,其曲线又口J分三部分:1I-:向特性、反向特性、击穿特性。
20.品体二极管的正向电阻比其反向电阻小,稳压二极管的反向击穿电压通常比一般二极管的止,击穿区的交流电阻乂比正向区的小o21.有两个晶体三极管A管的[3二200, /CEO=200M A; B管的卩二50, /CEO=10M A,其他参数人致相同,相比之下旦管的性能较好。
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《模拟电子技术基础》题库一、填空题1-12(第一章)1、杂质半导体有型和型之分。
2、PN结最重要的特性是__________,它是一切半导体器件的基础。
3、PN结的空间电荷区变厚,是由于PN结加了__________电压,PN结的空间电荷区变窄,是由于PN结加的是__________电压。
4、N型半导体中多数载流子是,P型半导体中多数载流子是,PN结具有特性。
5、发射结偏置,集电结偏置,则三极管处于饱和状态。
6、P型半导体中空穴为载流子,自由电子为载流子。
7、PN结正偏时,反偏时,所以PN结具有导电性。
8、反向电流是由载流子形成,其大小与有关,而与外加电压。
9、三极管是控制元件,场效应管是控制元件。
10当温度升高时,三极管的等电极电流I,发射结压降UBE。
11、晶体三极管具有放大作用时,发射结,集电结。
12、漂移电流是电流,它由载流子形成,其大小与有关,而与外加电压。
13-19(第二章)13、放大电路中基极偏置电阻Rb的作用是__________。
14、两级放大电路的第一级电压放大倍数为100,即电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB,第二级电压增益为26dB,则两级总电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB。
15、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中,输入和输出电压的相位_________,有奇数级组成的多级放大电路中,输入和输出电压的相位__________。
16、电压负反馈稳定的输出量是__________,使输出电阻__________,电流负反馈稳定的输出量_______,使输出电阻__________。
17、稳压二极管是利用二极管的__________特性工作的。
18、晶闸管阳极和阴极间加__________,控制极加适当的__________,晶闸管才能导通。
19、在输入V2单相半波整流电路中,二极管承受的最大反向电压为V RM,负载电压为V O。
20-26(第三章)20、甲类功放的最大缺点是_______;21、双极型三极管是控制器件,场效应管是控制器件;结型场效应管的栅源极之间必须加偏置电压,才能正常放大工作。
22、差分电路的两个输入端电压分别为Ui1=2.00V,Ui2=1.98V,则该电路的差模输入电压Uid为V,共模输入电压Uic为V。
23、集成运算放大器在比例运算电路中工作在区,在比较器中工作在区。
24、在放大电路中为了提高输入电阻应引入负反馈,为了降低输出电阻应引入负反馈。
24、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用负反馈,为了稳定交流输出电流采用负反馈。
25、负反馈放大电路和放大倍数AF=,对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=。
26、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=BW,其中BW=,称为反馈深度。
27-36(第四章)27、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为信号。
28、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的失真,而采用类互补功率放大器。
29、OCL电路是电源互补功率放大电路;OTL电路是电源互补功率放大电路。
30、共集电极放大电路具有电压放大倍数,输入电阻,输出电阻等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
31、差分放大电路能够抑制漂移,也称漂移,所以它广泛应用于电路中。
32、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为,未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为。
33、为了稳定三极管放大电路和静态工作点,采用负反馈,为了减小输出电阻采用负反馈。
34、负反馈放大电路和放大倍数Af=,对于深度负反馈Af=。
35、共模信号是大小,极性的两个信号。
36、乙类互补功放存在失真,可以利用类互补功放来克服。
36-12(第五章)37、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=,电路符号是。
38、用低频信号去改变高频信号的频率称为,低频信号称为信号,高频信号称高频。
39、共基极放大电路的高频特性比共射极电路,fa=fβ。
40、要保证振荡电路满足相位平衡条件,必须具有网络。
36-46(第六章)36、在桥式整流电阻负载中,理想二极管承受最高反压是()。
37、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(),等效成断开;38、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
39、现有基本放大电路:①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路④共源放大电路一般情况下,上述电路中输入电阻最大的电路是,输入电阻最小的电路是,输出电阻最小的电路是,频带最宽的电路是;既能放大电流,又能放大电压的电路是;只能放大电流,不能放大电压的电路是;只能放大电压,不能放大电流的电路是。
40、如图1所示电路中,已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ,电流放大系数为β,B-E间动态电阻为r be。
填空:图1 图2(1)静态时,I BQ的表达式为,I CQ的表达式为,U CEQ的表达式为(2)电压放大倍数的表达式为,输入电阻的表达式为,输出电阻的表达式为A 将,R i将,R o将。
当输入电压不(3)若减小R B,则I CQ将,r bc将,u变时,R B减小到一定程度,输出将产生失真。
41、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以、、和各为一臂而组成的。
42、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为、和三种电路,其中振荡电路的振荡频率最为稳定。
43、为了得到音频信号发生器,应采用正弦波振蒎电路。
44、稳压电源一般由、和三部分电路组成。
45、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候,应采用滤波电路,而负载电流较大时应采用滤波电路。
46、为了使输出电压有比较大的调节范围,应采用稳压电路。
47-52(第七章)47、用低频信号改变高频信号的相位称为。
低频信号称为、高频信号称为。
48、晶体管电流放大系数是频率的函数,随着频率的升高而。
共基极电路比共射极电路高频特性。
49、振荡电路的平衡条件是,反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。
50、在桥式整流电阻负载时,理想二极管承受的最高反压是。
51、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为,未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为。
52、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=,电路符号是。
二、判断题1-8(第一章)1、半导体中的空穴带正电。
()2、本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
()3、P型半导体带正电,N型半导体带负电。
()4、未加外部电压时,PN结中电流从P区流向N区。
()5、稳压管工作在反向击穿状态时,其两端电压恒为U z。
()6、若晶体管将集电极和发射极互换,则仍有较大的电流放大作用。
()7、增强型场效应管当其栅-源电压为0时不存在导电沟道。
()8、MOS管的直流输入电阻比结型场效应管的大。
()9-13(第二章)9、参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号,不能放大共模信号。
()10、对于长尾式差分放大电路,在差模交流通路中,射极电阻R E均可视为短路。
()11、只要将两个晶体管组成复合管就一定能提高管子的输入电阻。
()12、作为输出级的互补电路常采用共射接法。
())13、功率放大电路中,输出功率最大时功放管的管耗也最大。
()14-19(第三章)14、零点漂移就是静态工作点的漂移。
()15、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
()16、只有直接耦合放大电路才有温漂。
()17、差模信号是差分放大电路两个输入端电位之差;()共模信号是差分放大电路两个输入端电位之和。
()18、不管差分放大电路的参数是否理想对称,R E均有共模负反馈作用;(√)R E越大,抑制温漂能力越强;()因此,R E可想取多大就取多大。
()19、差分放大电路采用恒流源代替R E是为了增大差模放大倍数。
()20-24(第四章)20、利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。
()21、利用一只NPN型管和一只PNP型管构成的复合管只能等效为PNP型管。
()22、放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。
()23、镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。
()24、在差分放大电路中采用恒流源作集电极负载电阻能够增大差模放大倍数;(√)同时,也可增大共模抑制比。
()25-30(第五章)25、只有输出与输入反相的放大电路,才可能引入负反馈。
()26、对交流信号有反馈作用的称为交流反馈,对直流信号有反馈作用的称为直流反馈。
()27、电压负反馈稳定输出电压,电流负反馈稳定输出电流。
()28、使输入量减小的反馈是负反馈,否则为正反馈。
()29、引入直流负反馈可以稳定静态工作点。
()30、负反馈越深,电路的性能越稳定。
()31-36(第六章)31、实现运算电路不一定非引入负反馈。
()32、在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”。
(×)33、在深度负反馈条件下,运算电路依靠反馈网络实现输出电压和输入电压的某种运算。
()34、由集成运放组成的有源滤波电路中一定引入深度负反馈。
()35、电压比较器电路中集成运放的净输入电流为零。
()36、电压比较器将输入模拟信号转换为开关信号。
()37-44(第七章)37、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。
()38、同相比例运算电路中的集成运放有共模信号输入,而反相比例运算电路中的集成运放无共模信号输入。
()39、凡是引入正反馈的集成运放,一定工作在非线性区。
()40、电压比较器的阈值电压是使集成运放同相输入端电位和反相输入端电位相等的输入电压。
()41、电压比较器输出端限幅电路中的稳压管不一定非加限流电阻不可。
()42、只要引入正反馈,电路就会产生正弦波振荡。
()43、具有选频网络的放大电路引入正反馈,就将产生正弦波振荡。
()44、在组成正弦波振荡电路时,若没有稳幅环节,则输出电压幅值将为无穷大。
()45-47(第八章)45、RC串并联网络既作为选频网络,又作为正反馈网络,与共射放大电路相接就将产生正弦波振荡。
()46、RC串并联网络既作为选频网络,又作为正反馈网络,与共集放大电路相接就将产生正弦波振荡。
()47、RC串并联网络既作为选频网络,又作为正反馈网络,与两级共射放大电路相接,并引入电压串联负反馈就将产生正弦波振荡。
()48、只要满足相位平衡条件,电路就会产生正弦波振荡。
()49-51(第九章)49、在振荡频率特别高时,应考虑正弦波振荡电路中的放大电路采用共基接法。
()50、正弦波振荡电路的振荡频率应决定于选频网络,而不应决定于晶体管的极间电容、分布电容等。
()51、桥式(文氏桥)RC正弦波振荡电路的唯一特点是以RC串并联网络作为选频网络。
()52-55(第十章)52、直流稳压电源是能量转换电路,是将交流能量转换成直流能量。
()53、在输出电压平均值相同的情况下,单相半波整流电路和单相桥式整流电路中二极管的平均电流相同。