第二章晶体结构缺陷习题
晶体结构缺陷

(6)带电缺陷
不同价离子之间取代如Ca2+取代Na+——Ca
· Na
Ca2+取代Zr4+——Ca”Zr
(7) 缔合中心 在晶体中除了单个缺陷外,有可能出现邻近两个缺陷
互相缔合,把发生 缔合的缺陷用小括号表示,也称复合缺陷。 在离子晶体中带相反电荷的点缺陷之间,存在一种有
利于缔合的库仑引力。 如:在NaCl晶体中,
Sr O(S ) Li2O Sr •. V O
Li
Li
O
(3) Al2O3固溶在MgO晶体中(产生正离子空位,生成置换型SS)
Al2O3
(
S
)
MgO
2
Al
•. Mg
VMg
3OO
(4) YF3固溶在CaF2晶体中(产生正离子空位,生成置换型SS)
2Y F (S ) CaF2 2Y •. V 6F
(1-4)
3MgO Al2O3 2MgAl Mgi•• 3OO
(1-5)
(1-5〕较不合理。因为Mg2+进入间隙位置不易发生。
33
写出下列缺陷反应式:
(1) MgCl2固溶在LiCl晶体中(产生正离子空位,生成置换型SS)
MgCl2 (S)
LiCl
Mg •. Li
VLi
2ClCl
(2) SrO固溶在Li2O晶体中(产生正离子空位,生成置换型SS)
3
HRTEM image of an edge of a zeolite beta crystallite(沸石)
STM图显示表面原子 存在的原子空位缺陷
4
自然界中理想晶体是不存在的 对称性缺陷?晶体空间点阵的概念似乎 不能用到含有缺陷的晶体中,亦即晶体 理论的基石不再牢固? 其实,缺陷只是晶体中局部破坏 统计学原子百分数,缺陷数量微不足道
晶体缺陷习题及答案解析

晶体缺陷习题与答案1 解释以下基本概念肖脱基空位、弗仑克尔空位、刃型位错、螺型位错、混合位错、柏氏矢量、位错密度、位错的滑移、位错的攀移、弗兰克—瑞德源、派—纳力、单位位错、不全位错、堆垛层错、汤普森四面体、位错反应、扩展位错、表面能、界面能、对称倾侧晶界、重合位置点阵、共格界面、失配度、非共格界面、内吸附。
2 指出图中各段位错的性质,并说明刃型位错部分的多余半原子面。
3 如图,某晶体的滑移面上有一柏氏矢量为b 的位错环,并受到一均匀切应力τ。
(1)分析该位错环各段位错的结构类型。
(2)求各段位错线所受的力的大小及方向。
(3)在τ的作用下,该位错环将如何运动?(4)在τ的作用下,若使此位错环在晶体中稳定不动,其最小半径应为多大?4 面心立方晶体中,在(111)面上的单位位错]101[2ab =,在(111)面上分解为两个肖克莱不全位错,请写出该位错反应,并证明所形成的扩展位错的宽度由下式给出πγ242Gb s d ≈(G 切变模量,γ层错能)。
5 已知单位位错]011[2a能与肖克莱不全位错]112[6a 相结合形成弗兰克不全位错,试说明:(1)新生成的弗兰克不全位错的柏氏矢量。
(2)判定此位错反应能否进行?(3)这个位错为什么称固定位错?6 判定下列位错反应能否进行?若能进行,试在晶胞上作出矢量图。
(1)]001[]111[]111[22a a a→+(2)]211[]112[]110[662a a a+→(3)]111[]111[]112[263a a a→+7 试分析在(111)面上运动的柏氏矢量为]101[2a b =的螺位错受阻时,能否通过交滑移转移到(111),(111),(111)面中的某个面上继续运动?为什么?8 根据晶粒的位向差及其结构特点,晶界有哪些类型?有何特点属性?9 直接观察铝试样,在晶粒内部位错密度为5×1013/m 2,如果亚晶间的角度为5o ,试估算界面上的位错间距(铝的晶格常数a=2.8×10-10m)。
第二章 晶体结构与晶体缺陷

第二章晶体结构与晶体缺陷第二章晶体结构与晶体缺陷2-1(a)mgo具有nacl结构。
根据o半径为0.140nm和mg半径为0.072nm,计算球状离子所占有的空间分数(堆积系数)。
(b)排序mgo的密度。
解:(a)mgo具有nacl型结构,即属面心立方,每个晶胞中含有4个mg2+和4个o2-,故mg所占有体积为:vmgo=4?=4?43433?(r32??r2?)mgo2-2+(0.0720.140)33=0.0522nm因为mg和o离子在面心立方的棱边上碰触:a=2(rmg2??ro2?)=(20.072?0.140)=0.424(nm)vmgo2+2-堆积系数=amnn0a330.0522==68.5%3(0.424)dmgo==4?(24.3?16.0)6.02?10323(b)(0.42410373)=3.51g/cm32-2si和al原子的相对质量非常吻合(分别为28.09和26.98),但sio2和al2o3的密度差距非常大(分别为2.65g/cm和3.96g/cm)。
先行排序sio2和al2o3的沉积密度,用晶体结构及鲍林规则表明密度差距小的原因。
解:首先计算sio2堆积系数。
每cm3中含sio2分子数为:sio2/cm=sio34?332.65(28.09?32.0)/(6.03?10)2232223=2.64?10个/cm223/cm=2.64?10个/cm/cm=2.64?102-3222??2=5.28?10个/cm3每cm中si和o所占体积为:vsi4?/cm=34+4343??2.64?1022?(0.026?10)?73=0.00195vo2-/cm=3??5.28?1022?(0.138?10)?73si2o3晶体中离子堆积系数=000195+0.5809=0.5829或58.29%al2o3堆积系数计算如下:=0.5809al2o3/cm=alovv3?333.96101.96/6.03?102222=2.34?10个/cm23223223/cm=2.34?10/cm=2.34?10/cm=/cm=333?2=4.68?10个/cm?3=7.02?10个/cm22?72232?434al34.68?10??7.02?10?(0.053?10)=0.0292?(0.14?10)=0.8070?733223al2o3中离子堆积系数=0.0292+0.8070=0.8362或83.62%o2?计算时rsi4?=0.026nm3?ro2?=0.138nm(四配位)=0.14nm(六配位)sio2。
无机材料科学基础作业习题

无机材料科学基础作业习题第一章晶体结构基础1-1 定义下述术语,并注意它们之间的联系和区别:晶系;点群;空间群;平移群;空间点阵1-2 简述晶体的均一性、各向异性、对称性三者的相互关系。
1-3 列表说明七个晶系的对称特点及晶体定向规则。
1-4 四方晶系晶体a=b,c=1/2a。
一晶面在X、Y.Z轴上的截距分别为2a, 3b 和6c。
给出该晶面的密勒指数。
1-5 在立方晶系中画出下列晶面:a)(001)b)(110)c)(111)1-6 在上题所画的晶面上分别标明下列晶向:a(210) b(111) c(101)1-7 立方晶系组成{111}单形的各晶面构成一个八面体,请给出所有这些晶面的密勒指数。
1-8 试在完整的六方晶系晶胞上画出(1012)晶面的交线及〔1120〕〔2113〕晶向,并列出{1012}晶面族中所有晶面的密勒指数。
1-9 a≠b≠c α=β=γ=90℃的晶体属什么晶系?a≠b≠c α≠β≠γ≠90℃的晶体属什么晶系?你能否据此确定这二种晶体的布拉维点阵?1-10 下图示正交面心格子中去掉上下底心后的结点排列情况。
以图中的形状在三维空间无限重复,能否形成一空间点阵?为什么?1 –11 图示单斜格子的(010)面上的结点排布。
试从中选出单位平行六面体中的a和c。
1 –12 为什么等轴晶系有原始、面心、体心而无底心格子?1 –13 为什么在单斜晶系的布拉维格子中有底心C格子而无底心B格子?1-14 试从立方面心格子中划分出一三方菱面体格子,并给出其晶格常数。
说明为什么造选取单位平行六面体时不选后者而选前者?1 –15 写出立方面心格子的单位平行六面体上所有结点的座标,注明其中哪些属于基本点。
1 –16 给出(111)面和(111)面交棱的晶棱符号。
1 –17 试证(123)(112)和(110)诸晶面属于同一晶带,并给出其晶带符号。
1-18 证明立方晶系〔111〕晶向垂直于(111)晶面。
材料基础-习题及答案03[1]
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第二章 晶体结构与晶体中的缺陷1、证明等径圆球面心立方最密堆积的空隙率为25.9%。
解:设球半径为a ,则球的体积为4/3πa 3,求的z=4,则球的总体积(晶胞)4×4/3πa 3,立方体晶胞体积:33216)22(a a =,空间利用率=球所占体积/空间体积=74.1%,空隙率=1-74.1%=25.9%。
2、金属镁原子作六方密堆积,测得它的密度为1.74克/厘米3,求它的晶胞体积。
解:ρ=m/V =1.74g/cm 3,V=1.37×10-22。
3、 根据半径比关系,说明下列离子与O 2-配位时的配位数各是多少?解:Si 4+ 4; K + 12; Al 3+ 6; Mg 2+ 6。
4、一个面心立方紧密堆积的金属晶体,其原子量为M ,密度是8.94g/cm 3。
试计算其晶格常数和原子间距。
解:根据密度定义,晶格常数)(0906.0)(10906.094.810023.6/(43/13/183230nm M cm M M a =⨯=⨯⨯=-原子间距= )(0641.02/0906.0)4/2(223/13/1nm M M a r ==⨯=5、 试根据原子半径R 计算面心立方晶胞、六方晶胞、体心立方晶胞的体积。
解:面心立方晶胞:3330216)22(R R a V ===六方晶胞(1/3):3220282/3)23/8()2(2/3R R R c a V =∙∙∙=∙= 体心立方晶胞:333033/64)3/4(R R a V ===6、MgO 具有NaCl 结构。
根据O 2-半径为0.140nm 和Mg 2+半径为0.072nm ,计算球状离子所占据的体积分数和计算MgO 的密度。
并说明为什么其体积分数小于74.05%?解:在MgO 晶体中,正负离子直接相邻,a 0=2(r ++r -)=0.424(nm)体积分数=4×(4π/3)×(0.143+0.0723)/0.4243=68.52%密度=4×(24.3+16)/[6.023×1023×(0.424×10-7)3]=3.5112(g/cm 3)MgO 体积分数小于74.05%,原因在于r +/r -=0.072/0.14=0.4235>0.414,正负离子紧密接触,而负离子之间不直接接触,即正离子将负离子形成的八面体空隙撑开了,负离子不再是紧密堆积,所以其体积分数小于等径球体紧密堆积的体积分数74.05%。
“材料科学与工程基础”第二章习题 答案题目整合版要点

“材料科学与工程基础”第二章习题1. 铁的单位晶胞为立方体,晶格常数a=0.287nm ,请由铁的密度算出每个单位晶胞所含的原子数。
ρ铁=7.8g/cm3 1mol 铁=6.022×1023 个=55.85g所以, 7.8g/1(cm)3=(55.85/6.022×1023)X /(0.287×10-7)3cm3X =1.99≈2(个)2.在立方晶系单胞中,请画出:(a )[100]方向和[211]方向,并求出他们的交角; (b )(011)晶面和(111)晶面,并求出他们得夹角。
(c )一平面与晶体两轴的截距a=0.5,b=0.75,并且与z 轴平行,求此晶面的密勒指数。
(a )[2 1 1]和[1 0 0]之夹角θ=arctg2=35.26。
或cos θ==, 35.26θ=(b )cos θ==35.26θ= (c ) a=0.5 b=0.75 z = ∞倒数 2 4/3 0 取互质整数(3 2 0)3、请算出能进入fcc 银的填隙位置而不拥挤的最大原子半径。
室温下的原子半径R =1.444A 。
(见教材177页) 点阵常数a=4.086A最大间隙半径R’=(a-2R )/2=0.598A4、碳在r-Fe (fcc )中的最大固溶度为2.11﹪(重量百分数),已知碳占据r-Fe 中的八面体间隙,试计算出八面体间隙被C 原子占据的百分数。
在fcc 晶格的铁中,铁原子和八面体间隙比为1:1,铁的原子量为55.85,碳的原子量为12.01所以 (2.11×12.01)/(97.89×55.85)=0.1002 即 碳占据八面体的10%。
5、由纤维和树脂组成的纤维增强复合材料,设纤维直径的尺寸是相同的。
请由计算最密堆棒的堆垛因子来确定能放入复合材料的纤维的最大体积分数。
见下图,纤维的最密堆积的圆棒,取一最小的单元,得,单元内包含一个圆(纤维)的面积。
第二章-晶体结构与晶体中的缺陷

• 层内力远远大于层间力,容易形成片状解理。
• ⑷ 蒙脱石结构
• 单元层间:范德华力,弱。 • [SiO4]4-中的Si4+被Al3+取代(
同晶取代)为平衡电价,吸 附低价正离子,易解吸,使 颗粒荷电,因此使陶瓷制品 因带某些离子具有放射性。 • 性质: • 加水体积膨胀,泥料可塑性 好。
因子看,A位离子越大, B位离子才能较大。
理想立方钙钛矿结构中离子的位置
§2.2 硅酸盐晶体结构
一、硅酸盐结构特点与分类 硅酸盐是数量极大的一类无机物。硅酸盐晶体可以 按硅(铝)氧骨干的形式分成岛状结构、组群状结 构、链状结构、层状结构和架状结构。它们都具有 下列结构特点: 1)结构中Si4+之间没有直接的键,而是通过O2-连接 起来的 2)结构是以硅氧四面体为结构的基础 3)每一个O2-只能连接2个硅氧四面体 4)硅氧四面体间只能共顶连接,而不能共棱和共面 连接
陶瓷材料如MgO,CaO, NiO,
CoO,MnO和PbO等都形成
该结构。岩盐型结构还是若干
复杂层状化合物结构的一部分。
根据鲍林静电价规则,
S=Z/n NaCl: 每一个Na+静电键强度是 1/6。正负离子的配位数相等, 都是6。因此键强度总和达到氯 离子的价电荷数(6x(1/6)=1) MgO: 阳离子Mg2+的静电键强 度是2/6 ,键强度总和等于氧离子 O2-的电价6x(2/6)=2
缺陷的含义:通常把晶体点阵结构中周期 性势场的畸变称为晶体的结构缺陷。 理想晶体:质点严格按照空间点阵排列。 实际晶体:存在着各种各样的结构的不完 整性。
晶体结构缺陷的类型
材基A第二章-晶体缺陷作业

材料科学基础A第二章晶体缺陷习题一、名词解释。
(每个2分)能量起伏位错位错线螺位错刃位错混合位错伯氏矢量伯氏回路位错的易动性可滑移面易滑移面滑移攀移晶界相界大角度晶界小角度晶界亚晶界孪晶界共格界面非共格界面界面能内吸附反内吸附二、判断题。
(每小题1分)1、点缺陷是一种热力学平衡的晶体缺陷,随温度的上升空位的浓度增大,故此空位在热力学上是不稳定的。
()2、晶体中随着空位浓度的提高,一般晶体的电阻率升高导电性变差。
()3、柏氏回路的起点任意,故此伯氏回路可以从位错线处开始,其形状和大小任意。
()4、一根不分叉的位错无论形状如何变化它只有一个恒定不变的柏氏矢量。
()5、位错线不能中止于晶体内部,只能中止于晶界、晶体表面或在晶内形成位错环、位错网络或发生位错反应。
6、螺位错在正应力的作用下可进行攀移,在切应力作用下可进行滑移。
()7、在滑移面上因为密排晶向间的间距大则P-N力也大,故此晶体中沿密排方向的位错线最稳定。
()8、基于界面能降低的原理,晶界的平直化和晶粒的长大都是自发过程。
()9、一般的大角度晶界的界面能高于小角度晶界的界面能,而共格界面的界面能高于非共格界面的界面能。
()。
10、晶界处点阵畸变较大,因此晶界具有较高的界面能导致晶面易于被腐蚀。
()三、填空题。
(每空1分)1、晶体中的缺陷按照几何特征可分为:、和三种。
2、空位的基本类型包括空位和空位,其中空位的附近往往存在间隙原子。
3、空位形成能(U v)指的是:,一般的U v越大,空位浓度越。
4、位错是一种线缺陷,按照其几何结构特征可分为型、型和型。
5、伯氏矢量代表了位错线周围点阵畸变量的总和,反映了畸变量的和,而的值越大,位错线周围点阵畸变越严重。
6、刃型位错在的作用下在滑移面上并沿滑移方向进行滑移运动;在垂直于半原子面的作用下发生正攀移运动,即半原子面的。
在垂直于半原子面的作用下发生负攀移运动,即半原子面的。
7、刃型位错滑移运动扫出晶体后,在晶体表面方向产生大小为的滑移台阶,使晶体发生变形。
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第二章晶体结构缺陷习题
4.(a)在MgO晶体中,肖特基缺陷的生成能为6ev,计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度。
(b)如果MgO晶体中,含有百万分之一mol的Al2O3杂质,则在1600℃时,MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势?说明原因。
解:(a)根据热缺陷浓度公式:
exp(-)
由题意△G=6ev=6×1.602×10-19=9.612×10-19J
K=1.38×10-23 J/K
T1=25+273=298K T2=1600+273=1873K
298K:
exp =1.92×10-51
1873K:exp=8×10-9
(b)在MgO中加入百万分之一的Al2O3杂质,缺陷反应方程为:
此时产生的缺陷为
[ ]杂质。
]杂质而由上式可知:
[Al2O3]=[
∴当加入10-6 Al2O3时,杂质缺陷的浓度为[ ]杂质=[Al2O3]=10-6
]热=8×10-9 由(a)计算结果可知:在1873 K,[
显然:
[ ]杂质>
[ ]热,所以在1873 K时杂质缺陷占优势。
5. Al2O3在MgO中形成有限固溶体,在低共熔温度1995℃时,约有18重量%Al2O3溶入MgO中,假设MgO单位晶胞尺寸变化可
忽略不计。
试预计下列情况的密度变化。
(a) O2-为填隙离子。
(b) A13+为置换离子。
解题思路:根据组成得到固溶体组成式(得到各种原子比)-列出两种缺陷反应方程式-得到固溶体化学式-求出待定参数-求密度进行比较
解:
设AL2O3、MgO总重量为100g,其中含AL2O3为18g,MgO 为82g。
100g固溶体中含Al2O3的mol数=18/102=0.1764mol,含MgO 的mol数=82/40=2.05mol 固溶体中Al2O3的mol浓度=0.1764/(0.1764+2.05)=7.9%mol含MgOmol浓度=92.1% 由此可得固溶体组成式Al0.158Mg0.921O1.158
a) O2-为填隙离子时,缺陷反应方程式为:
Al2O3 MgO 2AlMg 2OO Oi''
X 2x x
由此可以得到固溶体的化学式Al2xMg1-2xO1+x
由固溶体组成式得Al/O=0.158/1.158
由固溶体化学式的Al/O=2x/1+x
两者相等,解出x=0.074
所以固溶体的化学式为Al0.148Mg0.852O1.074
MgO晶胞分子数为4,形成固溶体后晶胞体积不变,因此形成固溶体后密度变化为:固溶体4M固溶体/Na30.148MAl 0.852MMg 1.074MO0.148*27 0.852*24 1.074*16 1.041 MgO4MMgO/Na3MMg M024 16
b) Al3+为置换离子时,缺陷反应方程式为:
''Al2O3 MgO 2AlMg 3OO VMg
Y 2y y
由此可以得到固溶体的化学式Al2yMg1-3yO
由固溶体组成式得Al/O=0.158/1.158
由固溶体化学式得Al/O=2y/1
两者相等,解出y=0.068
所以固溶体的化学式为Al0.136Mg0.796O
MgO晶胞分子数为4,形成固溶体后晶胞体积不变,因此形成固溶体后密度变化为:固溶体4M固溶体/Na30.136MAl 0.796MMg MO0.136*27 0.796*24 1*16 0.969 3 MgO4MMgO/NaMMg M024 16
6. 对磁硫铁矿进行化学分析:按分析数据的Fe/S计算,得出两种可能的成分:Fe1-xS 和FeS1-x。
前者意味着是Fe空位的缺陷结构;后者是Fe被置换。
设想用一种实验方法以确定该矿物究竟属哪一类成分。
答:前者存在阳离子空位,为了保持电中性,将有电子空穴形成,属于P型半导体;
后者存在阴离子空位,为了保持电中性,将有自由电子形成,属于n型半导体;通过实验测定其半导体性质,来确定该矿物属于哪一类成分。
8. 用0.2molYF3加入CaF2中形成固溶体,试验测得固溶体得晶胞参数a0=0.55nm,测得固溶体密度ρ=3.64g/cm3,试计算说明固溶体的类型?(元素的相对原子质量:Y=88.90;Ca=40.08;F=19.00).
解:YF3加入CAF2的缺陷方程如下:
2YF3 CaF YCa F1 2FF
2 6FF2YF
3 CaF 2YCa VCa (1)(2方程(1)和(2)得固溶式:
(1)Ca1 XYXF2 X
(2)Ca1 3XVCa*****
按题意x=0.2代入上述固溶式得:填隙型固溶体分子式为Ca0.8Y0.2F2.2;置换型固溶体分子式为Ca0.7Y0.2F2;他们的密度设分别为ρ1和ρ2。
CaF2是萤石型晶体,单位晶胞内含有4个萤石分子。
2.2 19 1==
3.659g/cm3
23 736.023 10 (0.55 10)
24 0.7 40.08 4 0.2 88.9 8 19 2==3.346g/cm3
23 736.023 10 (0.55 10)4 0.8 40.08 4 0.2 88.9 8
由ρ1与ρ2计算值与实测密度ρ=3.64g/cm3比较,ρ1值更接近3.64g/cm3,因此0.2molYF3加入CaF2中形成填隙型固溶体。
9. 某种NiO是非化学计量的,如果NiO中Ni3+/Ni2+=10-4,问每1m3中有多少载流子?解:设非化学计量化合物为NixO,Ni2O3 2 +3 +
y2yy
Ni3+2yNi2+1-3yO Ni3+/Ni2+=2y/(1-3y)=10-x
则y=5×10-5,x=1-y=0.*****,Ni0.*****O
每m3中有多少载流子即为空位浓度:[ ]=y/(1+x)=2.5×10-5。
10.试写出在下列二种情况,生成什么缺陷?缺陷浓度是多少?(a)在Al2O3中,添加0.01mol%的Cr2O3,生成淡红宝石(b)在Al2O3中,添加0.5mol%的NiO,生成黄宝石。
解:(a)在Al2O3中,添加0.01mol%的Cr2O3,生成淡红宝石的缺陷反应式为:Cr2O
3
=0.004%=4×10-3 % 生成置换式杂质原子点缺陷。
其缺陷浓度为:0.01%×
(b)当添加0.5mol%的NiO在Al2O3中,生成黄宝石的缺陷反应式为:
2NiO
++2OO
生成置换式的空位点缺陷。
其缺陷浓度为:0.5%
×=0.3 %
11. ZnO是六方晶系,a=0.3242nm,c=0.5195nm,每个晶胞中含2个ZnO分子,测得晶体密度分别为5.74,5.606 g/cm3,求这两种情况下各产生什么型式的固溶体?
解:六方晶系的晶胞体积V=
==4.73cm3
在两种密度下晶胞的重量分别为
W1=d1v=5.74×4.73×10-23=2.72×10-22(g)
W2=d2v=5.606×4.73×10-23=2.65×10-22(g)
理论上单位晶胞重W=
=2.69(g) ∴密度是d1时为间隙型固溶体,是d2时为置换型固溶体。
12. 非化学计量缺陷的浓度与周围气氛的性质、压力大小相关,如果增大周围氧气的分压,非化学计量化合物Fe1-xO及Zn1+xO的密度将发生怎样变化?增大?减少?为什么?
解:(a)非化学计量化合物Fe1-xO,是由于正离子空位,引起负离子过剩:
2Fe Fe
+ O2(g)→2Fe
+ V
+2h +OO
O2(g)→OO
+ V按质量作用定律,平衡常数
K=
由此可得[V]} PO1/6
即:铁空位的浓度和氧分压的1/6次方成正比,故当周围分压增大时,铁空位浓度增加,晶体质量减小,则Fe1-xO的密度也将减小。
(b)非化学计量化合物Zn1+xO,由于正离子填隙,使金属离子过剩:
ZnO
根据质量作用定律K=[
得[
]PO-1/6 +2e′
+ O2(g) ] [e′]2
即:间隙离子的浓度与氧分压的1/6次方成反比,故增大周围氧分压,间隙离子浓度减小,晶体质量减小,则Zn1+xO的密度也将减小。
13. 非化学计量化合物FexO中,Fe3+/Fe2+=0.1,求FexO中的空位浓度及x值。
解:非化学计量化合物FexO,可认为是α(mol)的Fe2O3溶入FeO中,缺陷反应式为:
Fe2O
3α 2α α
此非化学计量化合物的组成为:
Fe FeO 2Fe+ V+3OO
已知:Fe3+/Fe2+=0.1
则:
∴ α =0.044
∴x=2α+(1-3α)=1-α=0.956
又:∵
[V3+]=α =0.044
正常格点数N=1+x=1+0.956=1.956
∴空位浓度为
4.5对某晶体的缺陷测定生成能为84KJ/mol,计算该晶体在1000K和1500K时的缺陷浓度。
解:根据热缺陷浓度公式:exp(-)
由题意△G=84KJ/mol=*****J/mol
则
exp()
其中R=8.314J/molK
当T1=1000K时,exp()= exp=6.4×10-3
当T2=1500K时,exp()= exp=3.45×10-2。