电力电子技术期末考试试题及答案(1)
电力电子技术试题第1章电力电子器件1. 电力电子器件一般工作在—开关—状态。
乙在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为—通态损耗—,而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为—开关损耗_。
3. 电力电子器件组成的系统，一般由—控制电路__、—驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路—。
丄按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为一单极型器件_、一双极型器件_、_复合型器件_三类。
L电力二极管的工作特性可概括为—承受正向电压导通，承受反相电压截止_6.电力二极管的主要类型有一普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
乙肖特基二极管的开关损耗_小于=快恢复二极管的开关损耗。
8. 晶闸管的基本工作特性可概括为—正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止—。
L对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL 一大于_ IH。
10. 晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM大于—Ubo。
也逆导晶闸管是将二极管与晶闸管反并联（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12. GTO的—多元集成—结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13. MOSFE的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的—放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区_。
14. 电力MOSFE的通态电阻具有正温度系数。
15. IGBT的开启电压UGE（th ）随温度升高而—略有下降_，开关速度—小于_电力MOSFET。
16. 按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为一电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17. IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有负温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有—正—温度系数。
18. 在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR、门极可关断晶闸管（GTO、电力晶体管（GTR、电力场效应管（电力MOSFET、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是电力二极管，属于半控型器件的是晶闸管，属于全控型器件的是_ GTO、GTR、电力MOSFET IGBT ;属于单极型电力电子器件的有电力MOSFET，属于双极型器件的有电力二极管、晶闸管、GTO、GTR，属于复合型电力电子器件得有IGBT =;在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是—电力MOSFET属于电压驱动的是电力MOSFET、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO、GTR =第2章整流电路.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角a的最大移相范围是_0-180 _。
乙阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中, 晶闸管控制角a的最大移相范围是_0-180°_，其承受的最大正反向电压均为=J2U2_，续流二极管承受的最大反向电压为=V2U2_ （设U2为相电压有效值）。
L单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，a角移相范围为_0-180°_,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为=购2/2_和_J2U2；带阻感负载时，a角移相范围为0-90°_，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为_购2_和_V2U2_；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
4^单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角a大于不导电角那寸，晶闸管的导通角0 =_ n- a-乞；当控制角G小于不导电角6时，晶闸管的导通角日=_冗-2乞。
L电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm等于_J2U2=，晶闸管控制角a 的最大移相范围是0-150°，使负载电流连续的条件为_a <30o=（U2为相电压有效值）。
L三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120°_，当它带阻感负载时，a的移相范围为0-90°。
亠三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高―的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是最低的相电压；这种电路0（角的移相范围是0-120°, U d波形连续的条件是_ :• _60o_。
8. 对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值—下降_。
9. 电容滤波单相不可控整流带电阻负载电路中，空载时，输出电压为=V2U2_,随负载加重Ud逐渐趋近于_0.9通常设计时，应取RO 1.5-2.5 T,此时输出电压为Ud- 1.2 11（5为相电压有效值，T为交流电源的周期）。
10. 电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中，电流id 断续和连续的临界条件是_^RC=J3_，电路中的极管承受的最大反向电压为_ J6 _U2。
11. 实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当［从0°〜90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随a的增大而增大_，当a从90°〜180°变化时，整流输出的电压ud的谐波幅值随a的增大而减小12. 逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为_有源逆变_，欲实现有源逆变，只能采用—全控_电路; 对于单相全波电路，当控制角0< 兀时，电路工作在一整流_状态;兀/kotv兀时，电路工作在_逆变_状态。
色在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、一三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角:-> 90°,使输出平均电压U d为负值_。
14.晶闸管直流电动机系统工作于整流状态，当电流连续时，电动机的机械特性为一组_平行的直线_，当电流断续时，电动机的理想空载转速将_抬高_，随a的增加，进入断续区的电流_加大_。
里直流可逆电力拖动系统中电动机可以实现四象限运行，当其处于第一象限时，电动机作—电动—运行,电动机_正—转，正组桥工作在一整流_状态；当其处于第四象限时，电动机做一发电_运行，电动机一反转一转,___正_组桥工作在逆变状态。
生大、中功率的变流器广泛应用的是_晶体管_触发电路，同步信号为锯齿波的触发电路，可分为三个基本环节，即J脉冲的形成与放大_、—锯齿波的形成与脉冲移相_和—同步环节_。
第3章直流斩波电路J直流斩波电路完成得是直流到_直流—的变换。
乙直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路和_升压斩波电路_。
L斩波电路有三种控制方式：脉冲宽度调制（PWM、频率调制和（ton和T都可调，改变占空比）混合型。
4. 升压斩波电路的典型应用有_直流电动机传动_和_单相功率因数校正_等。
L升降压斩波电路呈现升压状态的条件为_0.5£O（V1©为导通比）__________ 。
6. CuK斩波电路电压的输入输出关系相同的有升压斩波电路、Sepic斩波电路和Zeta斩波电路。
ZSepic斩波电路和Zeta斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_Zeta斩波电路_的输入、输出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为_正_极性的。
8. _斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第1象限，升压斩波电路能使电动机工作于第2象限, 电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。
L桥式可逆斩波电路用于拖动直流电动机时，可使电动机工作于第1、2、3、4象限。
10.复合斩波电路中，电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个—降压_斩波电路的组合；多相多重斩波电路中，3相3重斩波电路相当于3个基本斩波电路并联。
第4章交流一交流电力变换电路1. 改变频率的电路称为_变频电路_，变频电路有交交变频电路和—交直交变频_电路两种形式，前者又称为_直接变频电路—，后者也称为_间接变频电路_。
乙单相调压电路带电阻负载，其导通控制角j的移相范围为_0-180O_，随a的增大，Uo_降低_，功率因数降低—。
L单相交流调压电路带阻感负载，当控制角a v叭4arctan（⑷L/R））时,VT1的导通时间_逐渐缩短」VT2的导通时间—逐渐延长_。
4.根据三相联接形式的不同，三相交流调压电路具有多种形式，TCR属于_支路控制三角形—联结方式,TCR的控制角ot的移相范围为_90°-180°_,线电流中所含谐波的次数为_6k 土1_。
L晶闸管投切电容器选择晶闸管投入时刻的原则是：_该时刻交流电源电压应和电容器预先充电电压相等_。
L把电网频率的交流电直接变换成可调频率的交流电的变流电路称为__交交变频电路_。
乙单相交交变频电路带阻感负载时，哪组变流电路工作是由_输出电流的方向_决定的,交流电路工作在整流还是逆变状态是根据_输出电流方向和输出电压方向是否相同_决定的。
8. 当采用6脉波三相桥式电路且电网频率为50Hz时，单相交交变频电路的输出上限频率约为_20Hz_。
9. 三相交交变频电路主要有两种接线方式，即_公共交流母线进线方式_和_输出星形联结方式_,其中主要用于中等容量的交流调速系统是_公共交流母线进线方式_。
址矩阵式变频电路是近年来出现的一种新颖的变频电路。
它采用的开关器件是_全控_器件;控制方式是_斩控方式_。
1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管_GTR _______ ;可关断晶闸管—GTO —;功率场效应晶体管MOSFET __________ ;绝缘栅双极型晶体管IGBT ___________ ;IGBT 是—MOSFET ____________ 和________ GTR 的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率—、_虫发脉冲前沿要陡幅值要高_______________________ 和—触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步______________ 。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑—均流的问题，解决的方法是—串专用均流电抗器。
__________ 。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为—正弦波—波，输出电流波形为—方波波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管—晶闸管、它的额定电压为_800V __________ 伏、额定有效电流为—100A 安。
电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子技术试题第1章 电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
9.对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L __大于__IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为，UDSM _大于__Ubo 。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET 的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
电力电子技术期末习题和答案
电⼒电⼦技术期末习题和答案第⼀章复习题1.使晶闸管导通的条件是什么？答：当晶闸管承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能导通。
2．维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：（1）维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流⼤于能保持晶闸管导通的最⼩电流，即维持电流。
（2）若要使已导通的晶闸管关断，只能利⽤外加电压和外电路的作⽤使流过晶闸管的电流降到接近于零的某⼀数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
3.GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够⾃关断，⽽普通晶闸管不能？答：（1）GTO在设计时，a2较⼤，这样晶体管v2控制灵敏，易于GTO关断；（2）GTO导通时a1+a2的更接近于1，普通晶闸管a1+a2≥1.5，⽽GTO则为约等于1.05，GTO的饱和程度不深，接近于临界饱和，这样为门极控制提供了有利条件；（3）多元集成结构每个GTO元阴极⾯积很⼩，门极和阴极间的距离⼤为缩短，使得p2极区所谓的横向电阻很⼩，从⽽使从门极抽出较⼤的电流成为可能。
4．如何防⽌电⼒MOSFET因静电感应引起的损坏？答：（1）⼀般在不⽤时将其三个电极短接；（2）装配时⼈体，⼯作台，电烙铁必须接地，测试时所有仪器外壳必须接地；（3）电路中，栅，源极间常并联齐纳⼆极管以防⽌电压过⾼。
（4）漏，源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。
5.IGBT,GTR,GTO和电⼒MOSFET的驱动电路各有什么特点？答：IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较⼩的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT 的驱动多采⽤专⽤的混合集成驱动器。
GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有⾜够陡的前沿，并有⼀定的过冲，这样可加速开通过程，减⼩开通损耗，关断时，驱动电路能提供幅值⾜够⼤的反向基极驱动电流，并加反偏截⽌电压，以加速关断速度。
GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有⾜够的幅值和陡度，且⼀般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更⾼，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
电力电子技术期末考试题与答案
电力电子复习**：***电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数， 在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
绝对包你期末考试考过的20套电力电子技术试题和答案
考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括__信息电子技术___和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在____开关_____状态。
当器件的工作频率较高时，__开关_______损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为______载波比_______，当它为常数时的调制方式称为_____同步____调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为_____分段同步_______调制。
4、面积等效原理指的是，_____冲量____相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是___MOSFET______，单管输出功率最大的是____GTO_________，应用最为广泛的是___IGBT________。
1 交流变直流；空2 直流变交流；空3 直流变直流；空4 交流变交流6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（ B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ D ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（C ）晶闸管导通。
电力电子技术期末考试试题含答案
电力电子技术试题第1章 电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。
8.晶闸管的根本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发那么导通、反向电压那么截止__ 。
18.在如下器件：电力二极管〔Power Diode 〕、晶闸管〔SCR 〕、门极可关断晶闸管〔GTO 〕、电力晶体管〔GTR 〕、电力场效应管〔电力MOSFET 〕、绝缘栅双极型晶体管〔IGBT 〕中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。
2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ；电力晶体管的图形符号是 ；第2章 整流电路1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。
2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O_ ，其承受的最大正反向电压均为_22U __，续流二极管承受的最大反向电压为__22U _〔设U 2为相电压有效值〕。
3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O_，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__222U 和_22U ；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O_，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__22U _和__22U _；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
绝对包你期末测验考过的套电力电子技术试题和答案
绝对包你期末测验考过的套电力电子技术试题和答案1 / 265————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：2 / 265考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括__信息电子技术___和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在____开关_____状态。
当器件的工作频率较高时，__开关_______损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为______载波比_______，当它为常数时的调制方式称为_____同步____调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为_____分段同步_______调制。
4、面积等效原理指的是，_____冲量____相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是___MOSFET______，单管输出功率最大的是____GTO_________，应用最为广泛的是___IGBT________。
1 交流变直流；空2 直流变交流；空3 直流变直流；空4 交流变交流3 / 2656、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
4 / 265(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；5 / 265二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（ B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ D ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（C ）晶闸管导通。
电力电子技术期末考试试题及答案-(1)
电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
电力电子技术期末考试卷和答案
一、 填空题（每空1分，共26分）1. 将直流电变为交流电称为逆变。
当交流侧接在电网上，即交流侧接有电源时， 称为 ；当交流侧直接和负载相连时，称为 。
2. PWM 逆变电路根据直流侧电源性质的不同，也可分为 和两种。
目前实际应用的PWM 逆变电路几乎都是 电路。
3. 三相桥式全控整流电路，若整流变压器副边电压2u t ω=V,带反电动势阻感负载，030=α，则整流输出平均电压d U = 。
4. 按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，可以将电力电子器件分为以下三类： 、 和 。
5．电力半导体器件由于承受过电压、过电流的能力太差，所以其控制电路必须设有 和 保护电路。
6. 晶闸管导通的条件有二：一是 ，二是 。
7. 电力电子器件驱动电路的任务是将。
驱动电路还要提供 。
8. 若晶闸管电流的有效值是314A ，则其额定电流为 A 。
若该晶闸管 阴、阳极间所加电压为100sin t ωV ，则其额定电压应为 V 。
（不考 虑晶闸管电流、电压的安全裕量。
）9. 电力变换通常可分为四大类，即交流变直流、 、 和 。
10. 电子技术包括 和 两大分支。
11. 在电压型逆变电路的PWM 控制中，同一相上下两个桥臂的驱动信号是 的。
但实际上为了防止上下两个桥臂直通而造成短路，在上下两臂通断切换时要留一小段上下臂都施加关断信号的 。
12. 在三相全控桥整流电路中，触发脉冲可采用 触发与 触发两种方法。
1．有源逆变 无源逆变 2．电压型 电流型 3．11734．半控型器件 不控型器件 全控型器件 5．过电压保护 过电流保护6．有正向阳极电压 门极有足够大的触发电流7．按控制目标的要求施加开通或关断的信号，对半控型器件提供开通控制信号，对全控型器件则既要提供开通控制信号，又要提供关断控制信号。
提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节8. 200A 100V 9. 直流变交流 交流变交流 直流变直流10. 信息电子技术 电力电子技术 11. 互补 死区时间 12. 双窄脉冲 单宽脉冲二、单项选择题 13. c 14. d 15. b 16. b 17. d13. 下列电力半导体器件中，（ ）最适合用在小功率、高开关频率的电力电子电路中。
电力电子技术期末复习10套及答案
电力电子技术期末复习10套及答案考试试卷(1)卷一、填空（这道题有8个小问题，每个空白1分，共20分）1、电子技术包括__信息电子技术___和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2.为了降低自身损耗，提高效率，电力电子设备一般工作在开关状态。
当设备的工作频率较高时，开关损耗将成为主要损耗。
3、在pwm控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为______载波比_______，当它为常数时的调制方式称为_____同步____调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为_____分段同步_______调制。
4.面积等效原则指的是___________________________基本相同。
5.在GTR、GTO、IGBT和MOSFET中，开关速度最快的是MOSFET，最大的单管输出功率是多少6、设三相电源的相电压为u2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其最大正向电压为。
7.如果逆变器电路的负载连接到电源，则称为逆变器。
如果它与负载相连，则称为逆变器。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用v1,vd1,v2,vd2表示)。
（1）在从0到T1的时间段内，当前路径为__；（2）在T1~T2时间段内，电流路径为__；(3)t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4)t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5)t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、多项选择题（本题共有10个子题，前4题各得2分，其余各得1分，共计14分）1、单相桥式pwm逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）a、 V1和V4打开，V2和V3关闭，B和V1正常打开，V2正常关闭，V3和V4交替打开和关闭，C，V1和V4关闭，V2和V3打开d、v1常断，v2常通，v3与v4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）a、当晶闸管的触发角大于电路的功率因数角时，晶闸管的导通角小于180度b、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作c、晶闸管的触发角小于电路的功率因数角。
电力电子技术 期末考试试题及答案.
电力电子技术试题第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
9.对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L __大于__IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为，UDSM _大于__Ubo 。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET 的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。